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DE763972C - Lichtempfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird - Google Patents

Lichtempfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird

Info

Publication number
DE763972C
DE763972C DEZ25228D DEZ0025228D DE763972C DE 763972 C DE763972 C DE 763972C DE Z25228 D DEZ25228 D DE Z25228D DE Z0025228 D DEZ0025228 D DE Z0025228D DE 763972 C DE763972 C DE 763972C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photosensitive layer
layer according
lithium
layer
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEZ25228D
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Dr Goerlich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeiss Ikon AG
Original Assignee
Zeiss Ikon AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Ikon AG filed Critical Zeiss Ikon AG
Priority to DEZ25228D priority Critical patent/DE763972C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE763972C publication Critical patent/DE763972C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02Details
    • H01J40/04Electrodes
    • H01J40/06Photo-emissive cathodes

Landscapes

  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

  • Lichtempfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713 401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird Zusatz zum Patent 713401 In dem Hauptpatent 713 401 ist eine licht#-empfindliche Schich-t vorgeschlagen worden, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie aus einer gegebenenfalls mit Sauerstoff oder seinen Homologen vorbehandelter Antimon-oder Wismutschicht besteht-, welche mit einer Cäsium- oder Rubiid#i.umsch-icht legiert wird. Derartige Schichten zeigen eine besonders große Lichtempfindlichkeit, die" sich. praktisch über das ganze sichtbare Spektralgebiet erstreckt. Die vorgeschlagene Schicht kann sowohl in lichtdurchassiger als, auch- inAichtundurchlässiger Form hergestellt werden.
  • Esi wurde nun gefunden, daß eine Legierung der Antimon- bzw. Wismutschicht mit Lithium besondere Vorteile bietet. Bei Lithium ist nämlich die thermische Emission sehr gering, so daß auch nur ein sehr kleiner Dunkelstrom auftritt, da, dieser bekanntlich in der Hauptsache von der thermischen Emission abhängt. Der Dunkelstrorn le-derter Wismut- bzw. Antimon- und Lithiumschichten liegt etwa in der Größenordnung der Dunkelströme von hydrierten Kaliumzellen. Gleichzeitig ist aber die Empfindlichkeit größer als bei vielen der Msher bekannten Zellen. Der Ouotient aus der Empfindlichkeit und dem Dunkelstrorn ist bei den Lithium-Antimon-Zellen größer als der so-wohl bei Ruhidium-Antimon- als auch bei Cäsium-Antimon-Zellen. Dieser Ouotient ist für die Praxis besonders -,vichti-,; * Die Lichtempfindlichkeit der Schicht-en nach der Erfindung kann weiterhin dadurch erhöht werden, daß in die Legierun,-skathode Fremdmetallteile eingebaut werden, die in der Fachliteratur als Störstellen bezeichnet werden und photo-,elektrisch besonders wirksam sind. Als besonders geeignet ist das Silber anzusehen. Durch den Einbau von zusätzlichen leitfähigen Störstellen wird außer der Erhöhung der Lichtempfindlichkeit eine 'Verbesserun der Ouerleitfähigkeit der Schicht erzielt.
  • Der Einbau der Störstellen kann auf verschiedene Welse erfolgen. Es kann. z. B. zunächst die Wismut-Lithlum- bzw. Antimon-Lithium-Legierungskathode hergestellt werden. auf welche alsdann Silber aufgedampft wird. Das aufgedampfte Silber dringt vermutlich schon von sich aus in die Legierungsschicht ein. Dieser Vorgang kann ab-er gegebenenfalls durch eine nochmalige Wärmebehandlung beschleunigt bzw. begünstigt werden. Ei; ist aber auch möglich, die Silberschicht oder eine Schfchteinesanderen -Metalls zunächst auf die Antimon- oder Wismutschicht aufzudampfen und dann -nach Aufbringung der Lithiumschicht durch Wärmehühandlung zu legieren.
  • In Sinne der Erfindung liegt es auch, die Schichten nach der Erfindung mit einer metallischen Unterlage, z.Br. aus Silber, zu versehen. Diese 'Maßnahme ist insbesondere dann vorteilhaft. wenn die erfinduneszernäßen 1 e - Kathoden als Sekundäremissionsschichten j Verwendun- finden. Es ist nämlich zu verrnuten, daß diese Sekundärelektronen. in großer Tiefe ausgelöst werden und daß daher die Elektronennachlieferung von wesentlicher Bedeutung ist. Wird die erfindungsgemäße Schicht für Selundäremis-#;iornsz,#vecle benutzt, so wird diese entweder auf die Elektroden'. an denen Sekundärelektronen ausgelöst werden sollen, aufgetragen, oder aber man verwendet sie in Form von Folien-, die voirzulgsweise hintereinander als Selundäremissionselektroden angeordnet werden. Der Vorteil der Folien besteht darin, daß die gesamten Primärelektronen ausgenutzt werden, was bekanntlich bei Verwendung von Gittern oder Netzen als Sekundäremissionselektroden nicht der Fall ist. Weiterhin ist es zweckmäßig, die Dicke der Folien so zu wählen, daß man auf der Rückseite der auf der Vorderseite von den Primärelektronen getroffenen Folien gerade das Maximum der Sekundärernission erhält.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Licht-empfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713 401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle der Legierungsbestandteile Cäsium oder Rubidium-Lithium gewählt ist.
  2. 2. Lichtempfindliche Schicht nach Anspruch i. dadurch gekennzeichnet, daß die Antimon- oder Wismutschicht vor Aufdampfen der Lithiumschicht mit Sauerstoff oder seinen Homologen vorbehandelt ist. 3. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß diese zusätzlich mit leitfähigen Störstellen versehen ist. 4. Licht-empfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ganze Schicht mit Störstellen durchsetzt ist. 5. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis -t, dadurch gek-ennzeichnet. daß die Störstellen aus Silber bestehen. 6. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese mit einer metallischen Unterlage versehen ist. 7. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Unterlage aus Silber besteht. 8. Anwendung der Schicht nach den Ansprüchen i bis 7 für Sekundärernissions-Zwecke. g. Lichtempfindliche Schicht für die Zwecke nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet. daß diese aus einer frei tragenden Folie besteht. io. Lichtempfindliche Schicht nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Folie derart bemessen ist, daß beim Auftreffen von Elektronen auf die Vorderseite der Folie das Maximum der Elektroden auf der Rückseite entsteht. ii. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen 9 und io -, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Folien zwecks Auslösung von Sekundärelektronen in Kornz#, bination verwendet werden.
DEZ25228D 1939-04-26 1939-04-26 Lichtempfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird Expired DE763972C (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB460012A (en) * 1935-08-08 1937-01-19 Zeiss Ikon Ag Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB460012A (en) * 1935-08-08 1937-01-19 Zeiss Ikon Ag Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells

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