DE727014C - Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als GrundelektrodenmaterialInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial Gegenstand des Patents 720 4.45 ist ein Verfahren zur Herstellung von Tr3ckenp-lattengleichrichtern mit Selen o. dgl. als IIalbleiter und mit einer Grundelektrode, bestehend aus einem Leichtmetall, das mit einer Oxydhaut bedeckt ist, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Oxydhaut des Leichtmetalls mit dem Atom- oder Dampfstrahl eines Metalls eingefärbt wird.
- Wie in der Beschreibung des Hauptpatents ausgeführt wurde, lassen sich Leichtmetalle nicht ohne weiteres als Grundelektroden für Trock enplattengleichrichter verwenden, da eine Oxydhaut des Leichtmetalls den Stromdurchgang behindert.
- Gemäß der Erfindung wird das Herstellungsverfahren von Trockengleichrichtern obiger Art dadurch verbessert, daß man die Oxydhaut des Leichtmetalls, durch ein Bombardement mit positiven Ionen einfärbt. Die Oxydhaut des Leichtmetalls wird somit nicht mit neutralen Atomen oder Dampfteilchen bombardiert, sondern mit den aktiveren Ionen des einzulagernden Stoffes. Die Einlagerung geht in diesem Falle leichter und besser vor sich, weil die Ionen naturgemäß eine viel größere kinetische Energie aufweisen als, die neutralen Atome oder Dampfteilchen. Es können vorteilhaft Metallionen, z. B. Wismuth-, Zinn- oder Antimonionen, verwendet werden, die in die Oxydschicht eindringen und diese leitend machen. Auch die Ionen des Halbleitermaterials, das später auf die Grundelektrode aufgebracht wird, können verwendet werden.
Claims (3)
- hAT1?NTA-NSI'kÜC111?: i. Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern nach Patent 720 445, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydhaut des Leichtmetalls durch ein Bombardement mit positiven Ionen .eingefärbt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch dia Verwendung von Ionen eines Metalls, vorzugsweise Wismuth, Zinn oder Antimon.
- 3. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch die Verwendung von Ionen des Halbleitermaterials, vorzugsweise Selen.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DEA79748D DE727014C (de) | 1936-06-13 | 1936-06-23 | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial |
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| DEA0079664 | 1936-06-13 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE727014C true DE727014C (de) | 1942-10-27 |
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| DEA79748D Expired DE727014C (de) | 1936-06-13 | 1936-06-23 | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial |
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1936
- 1936-06-23 DE DEA79748D patent/DE727014C/de not_active Expired
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