[go: up one dir, main page]

DE69808154T2 - Optischer Kopf und optisches Plattengerät diesen benutzend - Google Patents

Optischer Kopf und optisches Plattengerät diesen benutzend

Info

Publication number
DE69808154T2
DE69808154T2 DE69808154T DE69808154T DE69808154T2 DE 69808154 T2 DE69808154 T2 DE 69808154T2 DE 69808154 T DE69808154 T DE 69808154T DE 69808154 T DE69808154 T DE 69808154T DE 69808154 T2 DE69808154 T2 DE 69808154T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical
light source
semiconductor laser
wavelength
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69808154T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69808154D1 (de
Inventor
Yasuo Kitaoka
Masahiro Kume
Ayumu Tsujimura
Kazuhisa Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE69808154D1 publication Critical patent/DE69808154D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69808154T2 publication Critical patent/DE69808154T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1381—Non-lens elements for altering the properties of the beam, e.g. knife edges, slits, filters or stops
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24085—Pits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0211—Substrates made of ternary or quaternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/347—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe- laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

    Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen optischen Aufnehmer, bzw. Kopf welcher kohärentes Licht verwendet zur Verwendung in dem Gebiet der optischen Informationsverarbeitung, und bezieht sich auch auf ein optisches Disk-System, welches den optischen Aufnehmer bzw. Kopf beinhaltet.
    • 2. Beschreibung des technologischen Hintergrunds
  • DVDs (digital video disks), welche eine Art von optischen Disks definieren, können 4,7 GB an Daten pro Disk-Medium mit einem Durchmesser von 12 cm aufzeichnen durch die Verwendung eines roten Halbleiterlasers. Demzufolge können Signale, welche äquivalent sind zu ungefähr 2 Stunden von bewegten Bildern in dem NTSC Format aufgezeichnet/wiedergegeben werden auf einer einzelnen Disk. Ein Halbleiter-Laser welcher als eine Lichtquelle in einer solchen DVD Vorrichtung verwendet wird, erzeugt gewöhnlich ein rotes Laserlicht mit einer Wellenlänge von ungefähr 635 nm bis ungefähr 650 nm, und hat eine Ausgangsleistung von ungefähr 5 mW. Die relative Intensität des Rauschens (RIN; relativ intensity of noise) ist im Allgemeinen -130 dB/Hz, wodurch die DVD Anforderung von -126 dB/Hz oder einer kleineren RIN erfüllt wird.
  • Jedoch kann das folgende Problem bei einer herkömmlichen DVD Vorrichtung auftreten, welche den oben beschriebenen roten Halbleiterlaser beinhaltet, wenn bewegte Bilder der HDTV (hoch auflösende bzw. high definition TV) Klasse wiedergegeben werden, was eine Art von qualitativ hochwertigen TVs ist, weiche eine Aufzeichnung/Wiedergabe mit hoher Dichte erfordert, wie es erforderlich ist durch das Erhöhen der Menge der Information, welche verarbeitet werden soll.
  • Insbesondere ermöglicht die Verwendung eines roten Halbleiterlasers, d. h. eines Halbleiterlasers mit einer relativ langen Wellenlänge, als Lichtquelle, dass Daten, welche äquivalent sind, zu nur ungefähr 40 Minuten von bewegten Bildern, auf einem DVD Medium aufgezeichnet werden. Deshalb ist es unmöglich, ein relativ langes Programm, z. B. einen Film, auf einer Disk aufzuzeichnen oder wiederzugeben. Zusätzlich kann eine höhere Übertragungsrate benötigt werden zum Zeitpunkt der Aufzeichnung 1 Wiedergabe, weil die Menge der Information, welche aufgezeichnet/wiedergegeben werden soll, mit der Verbesserung der Qualität der Bilder ansteigt. Dies fordert eine große Erhöhung der Drehgeschwindigkeit der Disk.
  • EP 0 709 938 A2 offenbart eine Vorrichtung zum Feststellen bzw. Festlegen der Wellenlänge mit einer Laserlichtquelle, einem transparenten Substrat, welches eine optische Achse des Laserstrahls senkrecht kreuzt, einer Wellenleiter-Schicht, welche auf diesem transparenten Substrat ausgebildet ist, mit einem äquivalenten Brechungsindex N und einem Licht-Kopplungs-Medium, welches auf der Wellenleiter-Schicht ausgebildet ist und eine konzentrische kreisförmige periodische Struktur mit einem Abstand bzw. einer Teilung L hat, deren Zentrum die optische Achse ist, wobei der Laserstrahl mittels des Licht- Kopplungs-Mediums einen Wellenleiter-Lichtstrahl anregt, welcher sich von der Mitte zu der Peripherie bzw. dem Umfang bewegt und von der Peripherie bzw. dem Umfang zu der Mitte der periodischen Struktur in der Wellenleiter- Schicht, wobei ein Teil des Wellenleiter-Lichtstrahles in eine Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der Wellenleiter-Schicht gestrahlt wird, wobei der ausgestrahlte Strahl zurückgekoppelt wird zu der Laserquelle, und die Wellenlänge I des Laserstrahles wird festgestellt, so dass sie I = N · L ist.
  • US 5,008,891 offenbart licht-emittierende Halbleiter-Vorrichtungen mit Emissions-Wellenlängen in einem Bereich, welcher den blauen bis ultravioletten Bereich des Spektrums umfasst.
  • EP 0 487 822 A1 offenbart ein licht-emittierendes Halbleiter-Element, welches in der Lage ist, einen Halbleiter-Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 400 nm bis 220 nm zur Verfügung zu stellen.
  • US 5,477,527 offenbart eine optische Disk mit einer hohen Dichte mit einer Spurteilung bzw. einem Spurabstand von 0,85 um, einer kürzesten Vertiefungs- bzw. Pit-Länge von 0,49 um, einer Pit-Tiefe von 100 nm, und einer Pit- Breite von 0,35 um, welche bei einer linearen Geschwindigkeit von 2,4 bis 2,8 m/s so gedreht wird, dass diese optisch wiedergegeben wird durch einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 635 nm.
  • EP 0 615 321 A2 offenbart einen Viel-Segment DBR Halbleiterlaser und eine Rückkopplungsvorrichtung zum Regeln der Laser-Wellenlänge, wobei das Wellenlängen-Referenz-Element in der Rückkopplungs-Vorrichtung eine optische Faser ist, und weist ein in Reihe liegendes Brechungs-Index-Gitter auf und eine Rückkopplungsschleife mit einer Vorrichtung, welche bewirkt, dass ein Strom fliest zu dem "Bragg" Abschnitt des Mehr-Segment DBR Lasers.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Der optische Aufnehmer bzw. Kopf der vorliegenden Erfindung umfasst die Merkmale, welche in Anspruch 1 definiert sind. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen definiert.
  • Das optische Disk-System gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Merkmale, welche in Anspruch 10 definiert sind.
  • Das System kann eine optische Aufzeichnung auf dem optischen Disk-Medium durchführen unter Verwendung des Lichts, welches von der Laser-Licht-Quelle emittiert wurde.
  • Demzufolge ermöglicht die hierin beschriebene Erfindung den Vorteil des Schaffens eines sehr leistungsfähigen optischen Aufnehmers, welcher in der Lage ist, eine Aufzeichnung/Wiedergabe mit hoher Dichte durchzuführen und eines optischen Disk- Systems, welches einen solchen optischen Aufnehmer beinhaltet, in der Implementation eines optischen Aufnehmers und eines optischen Disk-Systems, welches einen Kurzwellenlängen-Laser als eine Lichtquelle verwendet.
  • Der optische Aufnehmer gemäß der vorliegenden Erfindung, und das optische Disk- System, welches diesen beinhaltet, verwenden Licht mit einer relativ kurzen Wellenlänge, z. B. Licht mit blauer und anderen Farben an dem kürzeren Ende des Spektrums. Als Ergebnis ist es möglich, eine sehr leistungsfähige hochauflösende DVD (HD-DVD) Vorrichtung zu schaffen, welche in der Lage ist eine Information aufzuzeichnen 1 wiederzugeben in Vertiefungen bzw. Pits einer optischen Disk, welche sehr viel kleiner sind als diejenigen einer optischen Disk für eine herkömmliche DVD Vorrichtung.
  • Des Weiteren können durch das Durchführen einer Feststellung bzw. Festlegung der Wellenlänge (wavelenght locking) des als Lichtquelle verwendeten Halbleiterlasers ein optischer Aufnehmer und eine optische Disk-Vorrichtung, welche bezüglich zurückkehrendem Licht unempfindlich sind und welche in der Lage sind eine hervorragende Aufzeichnung/Wiedergabe-Fähigkeit mit einem niedrigen Pegel an Rauschen zu schaffen, zur Verfügung gestellt werden.
  • Diese und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden den Fachleuten offensichtlich werden beim Lesen und Verstehen der folgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Figuren.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 ist ein Diagramm und veranschaulicht das Verhältnis zwischen der Wellenlänge einer Lichtquelle und der Aufzeichnungsdichte.
  • Fig. 2 ist ein Diagramm und veranschaulicht das Verhältnis zwischen der Wellenlänge eines Halbleiterlasers (einer Lichtquelle), und deren RIN Pegel.
  • Fig. 3 ist ein Diagramm und veranschaulicht die Verschiebungs-Größe des Brennpunkts entlang den Wellenlängen der Lichtquelle in Reaktion auf eine Veränderung der Lichtquellen-Wellenlänge von 2 nm zwischen der Aufzeichnung und der Wiedergabe.
  • Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm und veranschaulicht eine Konfiguration eines optischen Aufnehmers und einer optischen Disk- Vorrichtung gemäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht und veranschaulicht eine Konfiguration eines GaN Typ Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht und veranschaulicht eine Konfiguration eines GaN Typ Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 7 ist eine Draufsicht und veranschaulicht eine Konfiguration eines GaN Typ Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 8 A-1 bis 8 F-1 und Fig. 8 A-2 bis 8 F-2 sind schematische Diagramme und veranschaulichen Herstellungsschritte eines Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 9 ist eine Querschnittsansicht und veranschaulicht eine andere Konfiguration eines GaN Typ Halbleiterlasers, welcher im Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 10A bis 10C sind Diagramme und veranschaulichen die Betriebseigenschaften eines GaN Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 1 der Erfindung verwendet wird.
  • Fig. 11 ist eine Querschnittsansicht und veranschaulicht eine Konfiguration eines GaN Typ Halbleiterlasers, welcher in Beispiel 3 der Erfindung verwendet wird.
    • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Hiernach werden die Experimente und Studien, welche durchgeführt wurden von den Erfindern, welche zum Fertigstellen der vorliegenden Erfindung führten, beschrieben werden vor der Beschreibung der spezifischen Beispiele der Erfindung.
  • Eine optische Disk für den qualitativ hochwertigen (high quality) TV Standard HDTV muss eine Aufzeichnungskapazität von ungefähr 10 GB oder mehr haben, selbst wenn die Daten bei der maximalen Rate komprimiert sind. Dies ist so auf Grund der erhöhten Menge einer Informationen, welche aufgezeichnet werden soll, entsprechend der erhöhten Anzahl an Pixeln, was wiederum erforderlich wurde durch den Bedarf an einer höheren Qualität der Bilder.
  • Fig. 1 veranschaulicht das Verhältnis zwischen der Wellenlänge einer Lichtquelle und der Aufzeichnungsdichte (Aufzeichnungs-Kapazität) einer optischen Disk. Insbesondere wird die Veränderung der Aufzeichnungsdichte (Aufzeichnungs-Kapazität) in Reaktion auf die Veränderung der Wellenlänge der Lichtquelle beschrieben als ein Verhältnis (Kapazitäts-Verhältnis) basierend auf der Aufzeichnungsdichte (Aufzeichnungs-Kapazität) einer herkömmlichen DVD in dem Fall der Verwendung eines roten Halbleiterlasers (mit einer Wellenlänge von ungefähr 650 nm) als Lichtquelle, welche als 1 definiert wurde.
  • Fig. 1 zeigt, dass es technisch möglich wäre, die Aufzeichnungsdichte auf das ungefähr 2,2-fache derjenigen der aktuellen DVD oder höher (z. B. 10 GB) zu erhöhen durch das Wählen einer Wellenlänge von 435 nm oder niedriger.
  • Die Experimente und Studien durch die Erfinder zeigten auch auf, dass ein Halbleiterlaser zur Verwendung in einer solchen HD (high definition; hoch auflösenden) - DVD Vorrichtung nicht nur in der Lage sein muss einen Lichtstrahl mit einem kleinen Radius zu erzeugen, sondern auch einen RIN Pegel haben muss, welcher gleich oder niedriger ist als ein vorgegebener Pegel. Dies ist so, weil sich die Empfindlichkeit eines Si Detektors in dem blauen Bereich verringert gegenüber dem breiten Bereich von HDTV Signalen. Insbesondere entdeckten die Erfinder durch Experimente und Studien, dass der Jitter bzw. eine Signalschwankung verringert werden muss auf weniger als 7%, was wiederum einen RIN Pegel von -135 dB/Hz oder weniger erfordert. Der Jitter wird sich erhöhen, wenn das Erfordernis des RIN Pegels nicht erfüllt ist, wodurch eine ausreichende Signalwiedergabe verhindert wird.
  • Fig. 2 ist ein Diagramm und veranschaulicht das Verhältnis zwischen der Wellenlänge eines Halbleiterlasers und dessen typischem RIN Pegel, wie erhalten durch Experimente und Studien durch die Erfinder.
  • Wie aus Fig. 2 gesehen, erhöht sich der RIN Pegel des gewöhnlichen Fabry-Pérot Halbleiterlasers, wenn die Wellenlänge kleiner wird. Zum Beispiel ist der RIN Pegel bei einer Lichtquellenwellenlänge von 400 nm ungefähr -120 dB/Hz, weit entfernt von dem Erfüllen der oben erwähnten Anforderung an den RIN Pegel.
  • Demzufolge haben die Experimente und Studien durch die Erfinder gezeigt, dass das Erzielen einer Aufzeichnung mit hoher Dichte für eine optische Disk-Vorrichtung, wie z. B. eine DVD Vorrichtung, mehr erfordert als das Auswählen eines Halbleiter-Lasers mit kurzer Wellenlänge als eine Lichtquelle, um eine Aufzeichnung 1 Wiedergabe bei einer ausreichend hohen Qualität zu erhalten.
  • Deshalb verwendet die vorliegende Erfindung nicht nur einen kurzwelligen Halbleiterlaser als eine Lichtquelle, sondern erzielt auch eine Wellenlängen-Feststellung bzw. Wellenlängen-Festlegung (wavelength locking) des kurzwelligen Halbleiterlasers durch eine optische Rückkopplung, wodurch ein niedriger Pegel an Rauschen erhalten wird, wie in Fig. 2 gezeigt. Insbesondere wird ein RIN Pegel von ungefähr - 140 dB/Hz, vorzugsweise -135 dB/Hz oder weniger, durch die vorliegende Erfindung erhalten, was signifikant niedriger ist als die oben erwähnte Anforderung an den RIN Pegel. Ein solches niedriges Rauschen ist ein Ergebnis der Stabilisierung des longitudinalen Modus durch eine optische Rückkopplung, wodurch die Erzeugung eines Moden-Sprung-Rauschens und/oder Moden-Kompetitiv-Rauschens verringert wird.
  • Des Weiteren haben die Erfinder bestätigt, dass die Feststellung bzw. Festlegung (locking) der Wellenlänge durch eine optische Rückkopplung auch andere Vorteile liefert, wie nachfolgend ausgeführt.
  • Eine optische Linse, welche gewöhnlich verwendet wird als ein Element, welches eine Konvergenzlinse bildet, in einer herkömmlichen Konfiguration, ist anfällig bezüglich einer Verschiebung des Brennpunktes zwischen einem Aufzeichnungsvorgang und einem Wiedergabevorgang. Dies ist so auf Grund der Veränderung des Brechungsindex, welcher durch das Licht erfahren wird, was wiederum so ist auf Grund der geringen Veränderung der Wellenlänge der Lichtquelle. Eine solche Verschiebung des Brennpunktes beträgt ungefähr 0,4 um bei der Aufzeichnung/Wiedergabe in dem roten Wellenlängenbereich und ist deshalb bei der praktischen Verwendung vernachlässigbar. Jedoch zeigten die Experimente und Studien der Erfinder, dass, weil der Brechungsindex von Glas eine größere Wellenlängen-Abhängigkeit in dem blauen Wellenlängenbereich hat, sich der Brennpunkt erheblich verschiebt, wenn die Arbeitsweise geschaltet wird von einer Aufzeichnung zu einer Wiedergabe, wodurch eine ausreichende Aufzeichnung/Wiedergabe in dem blauen Wellenlängenbereich verhindert wird.
  • Der obige Punkt wird erläutert werden in Bezug auf eine beispielhafte optische Linse BaCD6 (hergestellt von HOYA Corporation), was eine übliche Wahl auf dem Gebiet ist. Fig. 3 ist ein Diagramm und veranschaulicht die Verschiebungsgröße des Brennpunktes über die Wellenlängen der Lichtquelle in Reaktion auf eine Veränderung der Lichtquellen-Wellenlänge von 2 nm zwischen Aufzeichnung und Wiedergabe, erhalten durch die vorliegenden Erfinder. Wie durch das Diagramm gezeigt, hat der Brechungsindex (d. h. die Menge der Veränderung des Brennpunktes) eine kleine Wellenlängenabhängigkeit in dem roten Wellenlängenbereich, so dass nur eine 0,4 um Verschiebung des Brennpunktes zu einem Ansprechen auf die 2 nm Verschiebung in der Lichtquellen-Wellenlänge führt, wie oben festgestellt.
  • Andererseits hat in dem blauen Wellenlängenbereich der Brechungsindex (d. h. die Größe der Veränderung in dem Brennpunkt) eine große Wellenlängenabhängigkeit, so dass eine im Wesentlichen dreifache Verschiebung des Brennpunktes resultiert, d. h. 1,2 um. Demzufolge wird es schwierig, dass der gewünschte Signal- Wiedergabevorgang erhalten wird.
  • Die Experimente und Studien der Erfinder zeigten ein ähnlichen Phänomen in anderen Glas-Materialien, welche gewöhnlich verwendet werden für eine Konvergenz- Linse in dem roten Wellenlängenbereich. Demzufolge wurde bestätigt, dass die optischen Glas-Materialien, welche typisch für den roten Wellenlängenbereich sind, keine geeigneten Wahlen für den blauen Wellenlängenbereich sind, so wie diese sind.
  • Andererseits wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Halbleiterlaser mir kurzer Wellenlänge bezüglich der Wellenlänge festgelegt (locked) durch eine optische Rückkopplung, wodurch die Schwankung der Schwingungswellenlänge des Halbleiterlasers, welcher verwendet wird als die Lichtquelle, verringert wird auf ein niedrigeres Niveau. Demzufolge wurde bestätigt, dass gemäß der vorliegenden Erfindung ein typisches herkömmliches, optisches Glas-Material für den roten Wellenlängenbereich, wobei der Brechungsindex davon eine große Wellenlängen-Abhängigkeit hat, auch verwendet werden kann für den blauen Wellenlängen-Bereich, wobei die Verschiebungsgröße in dem Brennpunkt verringert wird in Reaktion auf Veränderungen des Brechungsindex, weil die Verschiebung der Lichtquellenwellenlänge in sich selbst minimiert ist.
  • Hiernach werden verschiedene Beispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, welche erhalten wurden durch die obige Diskussion, unter Bezugnahme auf die beiliegenden Figuren.
    • (Beispiel 1)
  • Ein optischer Aufnehmer und eine optische Disk-Vorrichtung 100 gemäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben werden.
  • Die optische Disk-Vorrichtung 100 umfasst mindestens einen Halbleiterlaser 50, ein optisches System, welches eine Linse aufweist, ein optisches Disk-Medium 55 und einen optischen Detektor 57. Ein GaN Typ Halbleiterlaser 50 wird verwendet als ein Halbleiterlaser 50. Der Halbleiterlaser 50 hat eine DBR (distributed Bragg reflector; verteilter Bragg-Reflektor) Struktur mit einem Gitter, welches in seinem Inneren ausgebildet ist, und ist einer optischen Rückkopplung zur Festlegung bzw. Feststellung der Wellenlänge ausgesetzt.
  • Der Halbleiterlaser hat eine Schwingungswellenlänge von 420 nm für die 2,4-fache Dichte im Vergleich zu derjenigen von herkömmlichen DVDs. Demzufolge ist die optische Disk-Vorrichtung in der Lage HDTV wiederzugeben bei einer Übertragungsrate von 12 Mpbs von 11,5 GB einer Information, welche aufgezeichnet wurde auf einem optischen Disk-Medium (mit einem 12 cm Durchmesser).
  • Als nächstes wird die Arbeitsweise des optischen Aufnehmers und der optischen Disk-Vorrichtung 100 beschrieben.
  • Laserlicht, welches von dem GaN Halbleiterlaser 50 emittiert wird, wird gerichtet bzw. kollimiert durch eine Kollimator-Linse 51, durch einen Polarisations-Strahlen-Teiler 58 und eine ¹/&sub4; Wellenlängenplatte 59 geführt, und konvergiert durch eine Fokussierlinse 52, um so auf Vertiefungen bzw. Pits 56 gestrahlt zu werden, welche in einem optischen Disk-Medium 55 ausgebildet sind. Das Signallicht von dem optischen Disk- Medium 55 wird kollimiert bzw. gerichtet durch die Fokussier-Linse 52, und hat seine Polarisationsrichtung gedreht durch die ¹/&sub4; Wellenlängeplatte 59 um 90º relativ zu seiner Polarisationsrichtung, bevor es zurück geworfen wird von dem optischen Disk- Medium 55. Als Ergebnis wird das Signallicht reflektiert von dem Polarisations- Strahlen-Teiler 58, um konvergiert zu werden auf den optischen Detektor 57 durch die Fokussier-Linse 53. Die Fokussier-Linse 52 zum Konvergieren von Licht auf das optische Disk-Medium 55 hat eine nummerische Apertur (NA) von 0,6. Die Vertiefungen bzw. Pits 56, welche in dem optischen Disk-Medium 55 ausgebildet sind, haben eine Länge von 0,26 um und einen Spurabstand bzw. eine Spurteilung von 0,49 um.
  • Während ein optischer Aufnehmen bzw. Kopf, welcher einen roten Halbleiterlaser enthält, nur Pits lesen kann, welche 0,4 um oder mehr lang sind, kann der optische Aufnehmer gemäß der vorliegenden Erfindung Pits 56 lesen, welche 0,26 um lang sind. Die Experimente der vorliegenden Erfinder haben gezeigt, dass hervorragende HDTV Bilder frei von Rauschen wiedergegeben werden können. Dies steht in starkem Kontrast zu einem herkömmlichen Halbleiterlaser eines Fabry-Pérot Typs, welcher keine festgestellte bzw. festgelegte Wellenlänge hat; ein optischer Aufnehmer, welcher einen solchen Laser enthält, ist nicht zur Signalwiedergabe in der Lage, aufgrund seines hohen Pegels an Rauschen.
  • Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlasers 50, entlang der Linie 5-5 in Fig. 6 (der Querschnitt ist parallel zu den Resonator (cavity) -Endoberflächen). Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterlasers 50 entlang einer Linie 6-6 in den Fig. 5 und 7 (der Querschnitt ist parallel zur Richtung der Länge des Resonators (cavity)). Fig. 7 ist eine Draufsicht auf den Halbleiterlaser 50.
  • Ein Substrat 1 ist ein n-SiC Substrat. SiC ist ein geeignetes Material für das Substrat 1 des Halbleiterlasers 50 des GaN Typs, weil es eine ähnliche Gitterkonstante zu denjenigen von GaN und AlGaN hat (Differenz der Gitterkonstante: ungefähr 3,4%) und die Ausbildung von Schwingungs-End-Oberflächen durch eine Spaltungsebene (cleavage) ermöglicht, mit einer geeigneten elektrischen Leitfähigkeit und einer guten Wärmeleitung.
  • Saphir (Gitterkonstanten-Differenz: ungefähr 13,8%), was eine große Differenz der Gitterkonstante von GaN oder AlGaN hat, wird auch häufig verwendet als das Material für das Substrat 1 des GaN Typ Halbleiterlasers 50. Jedoch muss eine n- Elektrode 10 (siehe Fig. 5) auf einer n-GaN Schicht 2 (siehe Fig. 5) vorgesehen werden, wie in Fig. 9 gezeigt, weil Saphir eine schlechte elektrische Leitfähigkeit hat.
  • Fig. 9 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiterlasers 60, welcher ein solches Saphir-Substrat enthält, wobei der Querschnitt parallel zu den Endoberflächen des Resonators (cavity) genommen wird. In Fig. 9 sind die Bestandteilselemente, welche auch in dem Halbleiterlaser 50 erscheinen, welcher in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, bezeichnet durch die gleichen Bezugszeichen wie darin verwendet, wobei deren Beschreibungen ausgelassen werden.
  • Andere Materialien für das Substrat 1 umfassen Si, GaAs, ZnO, LiAlO&sub2;, LiGaO&sub2;, MgAl&sub2;O&sub4;, und ähnliches. Ein p-Typ Substrat kann verwendet werden anstelle eines n-Typ Substrats. Es wird erkannt werden, dass wenn ein p-Typ Substrat verwendet wird, die Leitfähigkeits-Typen (d. h. p oder n) der jeweiligen Schichten in der Mehrschicht-Struktur, ausgebildet auf einem solchen Substrat, umgekehrt werden müssen bezüglich ihrer beispielhaften Leitfähigkeits-Typen in der folgenden Beschreibung. Wie in Fig. 5 gezeigt, werden auf einem n-SiC Substrat 1 die folgenden Schichten in dieser Reihenfolge ausgebildet:
  • eine n-GaN Schicht 2 (Si dotiert mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ und einer Dicke von 3 um);
  • eine n-AlGaN Mantel- bzw. Plattierungs (cladding) -Schicht 3 (All Gehalt 10%, Si dotiert, mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ und einer Dicke von 0,5 um);
  • eine n-GaN optische Wellenleiterschicht 4 (Si dotiert mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ und einer Dicke von 0,1 um);
  • eine InGaN Mehrfachquantenmulden (MQW; multiple quantum well) Schicht 5 (umfassen 7 abwechselnde Schichten von 4 nm dicken In0,02Ga0,98 N Sperr- Schichten und 3 nm Dicken In0,15Ga0,85 N Wannen- bzw. Mulden (well) - Schichten);
  • eine p-GaN optische Wellenleiterschicht 6 (Mg dotiert mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ und einer Dicke von 0,1 um);
  • eine p-AlGaN Mantelschicht 7 (Al Gehalt 10%, Mg dotiert mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ und einer Dicke von 0,5 um); und
  • eine p-GaN Schicht 8 (Mg dotiert, mit einer Trägerdichte von 1 · 10¹&sup9; cm&supmin;³ und einer Dicke von 0,3 um).
  • Eine Pufferschicht (nicht gezeigt) ist vorgesehen bei der Grenzfläche zwischen dem Substrat 1 und der n-GaN Schicht 2. Eine AlN Schicht (Dicke: 20 nm) wird verwendet als die Pufferschicht in dem Fall, wenn das Substrat 1 ein SiC Substrat ist, und eine GaN Schicht (Dicke: 30 nm) in dem Fall, wenn das Substrat 1 ein Saphir-Substrat ist, wodurch die Gitter-Konstanten-Differenz zwischen der n-GaN Schicht 2 und dem Substrat 1 minimiert wird, um so einen hervorragenden Kristall mit einer niedrigen Defekt-Dichte zu erhalten.
  • Eine Mesa-Erhöhung bzw. Steg (ridge) ist ausgebildet von der oberen Oberfläche der p-GaN Schicht 8 zu ungefähr der Mitte der p-AlGaN Schicht 7. Die Breite des Mesa-Steges verändert sich entlang der Richtung der Resonator-Länge, wie in Fig. 7 gezeigt, wodurch ein konischer strahlformender Teil bzw. Bereich ausgebildet wird. In dem schmalsten Teil (das linke Ende in Fig. 7) des Mesa-Steges, welcher an die Endoberfläche des Resonators angrenzt, beträgt die untere Breite des Mesa-Steges 2 um und diese erhöht sich allmählich in das Innere des Metalls (Oszillator) auf einen maximalen Wert von 5 um. Als Ergebnis wird der horizontale Öffnungswinkel des Laserlichts, emittiert von der Endoberfläche (angrenzend an den schmalsten Teil des Mesa-Steges) relativ breit (ungefähr 20º), so dass ein Laserstrahl, welcher im Wesentlichen kreisförmig ist in Bezug auf den vertikalen Öffnungswinkel (ungefähr 23º) erhalten wird.
  • Bezugnehmend auf Fig. 6 beträgt die Resonator-Länge des Halbleiterlasers 100 typischerweise 1 mm. In einem Bereich 100a, welcher 0,6 mm ausmacht, ist eine MQW aktive Schicht 5 vorgesehen. Weder die aktive Schicht 5, noch die oberen und unteren optischen Wellenleiterschichten 4 und 6 sind ausgebildet in dem verbleibenden Bereich 100b; statt dessen ist eine GaN Schicht 12, welche ein Beugungsgitter (verteilter Bragg Reflektor: DBR) 13 mit einer Periode von 158 nm umfasst, vorgesehen in dem Bereich 100b.
  • Die GaN Schicht 12 absorbiert nicht Laserlicht mit einer Wellenlänge von 410 nm, und der Halbleiterlaser 50 schwingt in einer einzelnen longitudinalen Mode mit dem Schwingungsspektrum, ausgewählt durch den DBR 13. Ein Si Film 14 (Dicke: 500 nm) ist auf der Endoberfläche benachbart zu dem DBR 13 vorgesehen, um die Licht- Komponente zu absorbieren (welche ungefähr 10% ausmacht), welche nicht reflektiert wurde durch den DBR 13, wodurch die Fabry-Pérot Resonator-Mode verhindert wird. Andererseits sind vier Schichten von alternierenden SiO&sub2; Filmen 15 (Dicke: 71 nm) und TiO&sub2; Filmen 16 (Dicke: 47 nm) vorgesehen auf der Endoberfläche benachbart zu dem MQW, um den Reflektionsgrad auf 76% zu erhöhen. Als Ergebnis kann eine Instabilität des Laserspektrums auf Grund von zurückkehrendem bzw. zurück geworfenem Licht verhindert werden, wodurch Eigenschaften bzw. Kennlinien mit niedrigem Rauschen realisiert werden können.
  • Die Fig. 8A-1 bis 8F-1 und die Fig. 8A-2 bis 8F-2 veranschaulichen die Herstellungsschritte des Halbleiterlasers 50 gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Fig. 8 A-1 bis 8F-1 sind Querschnittsansichten parallel zu den Resonator-Endoberflächen des Halbleiterlasers 50; die Fig. 8A-2 bis 8F-2 sind Querschnittsansichten entlang der Richtung der Resonator-Länge des Halbleiterlasers 50.
  • Zuerst werden die jeweiligen Schichten von der n-GaN Schicht 2 zu der p-GaN Schicht 6 ausgebildet auf dem n-SiC Substrat 1 durch MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy; metall-organische Dampfphasen-Epitaxie), mit einer AlN Pufferschicht (nicht gezeigt), welche dazwischen angeordnet ist (Fig. 8A-1 bis 8A-2). Während des Wachs-Verfahrens werden TMG, TMI, TMA und NH&sub3; verwendet als eine Ga Quelle, eine In Quelle, eine Al Quelle bzw. eine N Quelle; und H&sub2; oder N&sub2; wird verwendet als ein Trägergas, um jedes Materialgas thermisch zu zersetzen bei einer hohen Temperatur in dem Bereich von ungefähr 800ºC bis ungefähr 1100ºC, wodurch die jeweiligen Schichten auf das Substrat aufgewachsen werden. Zusätzlich wird SiH&sub4; oder Cp&sub2;Mg fließen gelassen, um den Schichten die p-Typ Leitfähigkeit oder die n-Typ Leitfähigkeit zu verleihen.
  • Als nächstes wird ein Masken-Muster ausgebildet durch Fotolithographie und Ätzen, nachdem die SiO&sub2; Schicht 17 abgelagert ist durch CVD (chemical vapor deposition; Abscheidung aus der Dampfphase), und die p-GaN Schichten 6 bis zu der n-GaN Schicht 4 werden so bearbeitet, um die vorgegebenen Muster zurück zulassen (Fig. 8B-1 und 8B-2). In dem Fall, wenn eine Frästechnik verwendet wird, wird ein Masken-Muster einer Resist- bzw. Abdecklack-Schicht verwendet, an Stelle der SiO&sub2; Schicht 17.
  • Als nächstes wird die GaN Schicht 12 aufgewachsen durch nochmaliges Verwenden von MOVPE. Es sollte angemerkt werden, dass die GaN Schicht 12 nicht in Teilen wächst, welche bedeckt sind mit der SiO&sub2; Schicht 17. Weil die GaN Schicht 12 nicht mit irgendwelchen Fremdatomen dotiert ist, erhält die GaN Schicht 12 einen hohen Widerstand, um sicher zu stellen, dass ein Strom nicht in dem DBR Bereich fließt. Nach dem Kristallwachstum wird ein Beugungsgitter 13 (mit einem Abstand bzw. Teilung von 158 nm) ausgebildet auf der GaN Schicht 12 durch eine Laserlicht- Interferenz-Exposition bzw. -Belichtung und Ätzen (Fig. 8C-1 und 8C-2).
  • Nachdem die SiO&sub2; Schicht 17 entfernt wird, werden die p-Typ Schichten 7 und 8 aufgewachsen unter Verwendung von MOVPE (Fig. 8D-1 und 8D-2). Als nächstes wird eine Mesa-Erhöhung bzw. ein Mesa-Steg ausgebildet von der oberen Oberfläche der Schicht 8 zu ungefähr der Mitte der Schicht 7 durch Fotolithographie und Ätzen (Fig. 8E-1 und 8E-2).
  • Des Weiteren wird Ni/Au abgelagert auf dem Mesa-Steg, um so die p-Elektrode 9 auszubilden, und Ti/Au wird abgelagert auf der unteren Oberfläche des Substrats 1, um so die n-Elektrode 10 auszubilden. Als Ergebnis wird der Halbleiterlaser 50 ausgebildet.
  • Die Fig. 10A bis 10C zeigen die Betriebskennlinien des Halbleiterlasers 50. Insbesondere zeigt Fig. 10A die Strom-optische Ausgabe-Kennlinien; Fig. 10B zeigt die Strahl-Ausbreitungs-Verteilung bzw. Strahl-Öffnungs-Verteilung; und Fig. 10C zeigt das Schwingungsspektrum:
  • Es wird aus diesen Figuren gesehen werden, dass der Halbleiterlaser 50 einen Grenzwert-Strom von 45 mA hat mit einem Strahl-Seitenverhältnis (definiert als der vertikale Öffnungswinkel/der horizontale Öffnungswinkel) von 1,15, was eine Einzel- Longitudinal-Moden-Schwingung anzeigt. Weil das Seitenverhältnis sehr nahe bei 1 liegt, kann Licht mit einem Wirkungsgrad von 40% von einem Laser ausgestrahlt werden mit einem Ausgangspegel von 2 mW auf die Oberfläche eines optischen Disk-Mediums, selbst ohne ein Strahl-Formungs-Element zu verwenden. Als Ergebnis können die Größe und die Kosten des optischen Aufnehmers minimiert werden.
  • Weil der Reflektionsgrad bei der vorderen Endoberfläche des Resonators erhöht ist, während sicher gestellt ist, dass das nicht reflektierte Licht bei der rückseitigen Endoberfläche des Resonators absorbiert wird, kann der Laser stabil mit einem niedrigen Rauschen arbeiten, selbst unter der Bedingung des 4% zurück kehrenden bzw. zurück geworfenen Lichts.
  • Wie oben beschrieben, ist der optische Aufnehmer gemäß Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung in der Lage, Daten wiederzugeben/aufzuzeichnen in Vertiefungen bzw. Pits, welche vorgesehen sind mit höheren Dichten als herkömmliche Pit- Dichten. Als Ergebnis wird eine optische Disk-Vorrichtung realisiert, welche in der Lage ist, mit hoher Dichte wiederzugeben/aufzuzeichnen. Durch die Verwendung eines DBR Halbleiterlasers als der Lichtquellen-Halbleiterlaser 50 kann der Pegel des Rauschens verringert werden auf einen RIN Pegel von ungefähr -140 dB/Hz.
  • Durch das Ausbilden eines konischen Teils bei der Ausgangs-Endoberfläche des Halbleiterlasers 50, um so das Strahl-Seitenverhältnis in die Nähe von 1 zu bringen, kann das effektive Übertragungsverhältnis stark verbessert werden. Als Ergebnis kann ein Laser mit niedriger Ausgabe verwendet werden als der Halbleiterlaser 50, wodurch das Bauelement bzw. die Vorrichtung mit einer verlängerten Lebensdauer versehen wird. Insbesondere verwenden die Techniken der herkömmlichen Art z. B. einen 5 mW Halbleiterfaser, wobei die Umfangsbereiche des emittierten Strahles abgeschnitten sind bzw. werden. Im Gegensatz dazu erfordert das vorliegende Beispiel, dass der Halbleiterlaser 50 eine Ausgangsleistung von nur 2 mW hat, was eine 3-fache Erhöhung der Lebenszeit impliziert bzw. mit sich bringt.
  • Gemäß dem vorliegenden Beispiel wird ein Absorptions-Film vorgesehen auf der rückseitigen Endoberfläche des DBR Halbleiterlasers 50, um das Auftreten von zurückkehrendem bzw. zurück geworfenem Licht zu verhindern. Alternativ kann eine Absorptions-Schicht vorgesehen werden in der Nähe der rückseitigen Endoberfläche des Resonators (z. B. ein oberer Teil in der Figur).
  • Während der Halbleiterlaser 50 in dem obigen Beispiel eine Schwingungswellenlänge von ungefähr 420 nm hat, ist eine Schwingung bei 380 nm möglich mit einer anderen Zusammensetzung des Materials des Halbleiterlasers 50. Eine resultierende optische Disk-Vorrichtung würde eine Aufzeichnungsdichte mit dem 2,9-fachen zur Verfügung stellen, verglichen mit derjenigen einer herkömmlichen roten DVD, was zu einer Disk-Kapazität von ungefähr 13,8 GB führt. Eine Disk-Kapazität von ungefähr 20 GB wird möglich durch das Weitere erhöhen der NA der Linse auf 0,7. In solchen Fällen kann ein 2-Stunden HDTV-Programm aufgezeichnet/wiedergegeben werden auf einer einzelnen Disk bei einer Übertragungsrate von 20 Mbps. Eine Disk- Kapazität von ungefähr 40 GB kann zur Verfügung gestellt werden durch ein Disk mit einer Zweischicht-Struktur.
  • Es ist auch möglich, eine optische Rückkopplung einzuführen bzw. hervorzurufen in dem Halbleiterlaser 50 unter Verwendung einer DFB (distributed feedback; verteilte Rückkopplung) Struktur, an Stelle einer DBR Struktur, wie oben ausgeführt. Jedoch wird ein DBR Laser eher bevorzugt als ein DFB Laser im Hinblick auf die Produktionsausbeute.
  • Gemäß dem vorliegenden Beispiel hat die Schwingungswellenlänge des Halbleiterlasers 50 eine sehr kleine Schwankung auf Grund der Feststellung bzw. Festlegung der Schwingungswellenlänge auf Grund der optischen Rückkopplung. Dies eliminiert im Wesentlichen die Beschränkungen bezüglich des Linsen-Materials (optisches Glas) auf Grund einer Veränderung der Wellenlänge. Als Ergebnis wird es möglich Materialien mit einem hohen Brechungsindex zu verwenden, wie z. B. Glas-Material eines Fluor-Typs, wodurch das Realisieren einer Linse mit einem hohen NA Wert ermöglicht wird. Des Weiteren macht die Schwingungswellenlängen-Feststell- Konfiguration des vorliegenden Beispiels es auch möglich, eine Linse eines Beugungs-Typs, etc. zu verwenden, was nicht verfügbar war bei den herkömmlichen Techniken auf Grund der Schwankung bzw. Veränderung des Brennpunkts in Reaktion auf eine Schwankung der Schwingungswellenlänge.
    • (Beispiel 2)
  • Als nächstes wird eine Ausführungsform beschrieben werden, bei welcher eine Aufzeichnung durchgeführt wird auf ein optisches Disk-Medium durch die Verwendung eines optischen Aufnehmers, welcher den Halbleiterlaser gemäß der vorliegenden Erfindung als Lichtquelle verwendet.
  • Die grundlegende Struktur des optischen Aufnehmers des vorliegenden Beispiels ist ähnlich zu derjenigen, welche in Beispiel 1 beschrieben wurde. Insbesondere wird ein GaN Typ Halbleiterlaser mit einer Schwingungswellenlänge von 400 nm und einem Strahl-Seitenverhältnis von 1,5 verwendet. Jedoch wird in dem vorliegenden Beispiel die optische Rückkopplung erhalten mittels eines externen bzw. äußeren Gitters.
  • Das vorliegende Beispiel erzielt auch ein Seitenverhältnis, welches sehr nahe bei 1 ist. Als Ergebnis kann Licht ausgestrahlt werden mit einem 40% Wirkungsgrad von einem 2 mW Laser auf die Oberfläche eines optischen Disk-Mediums, selbst ohne ein Strahl-Formungs-Element zu verwenden. Als Ergebnis kann eine hervorragende Aufzeichnung durchgeführt werden auf der Oberfläche eines optischen Disk- Mediums mit einer Aufzeichnungsleistung von ungefähr 8 mW. Im Gegensatz dazu würde ein optischer Aufnehmer, welcher einen herkömmlichen Halbleiterlaser mit einem Seitenverhältnis von 3 enthält, nur einen Licht-Nutzungs-Wirkungsgrad von 20 % zur Verfügung stellen, so dass eine Laserausgabe von ungefähr 40 mW benötigt werden würde, um eine ähnliche Aufzeichnungs-Leistungsfähigkeit zu erreichen; dies würde die Lebensdauer der Vorrichtung verringern und ist deshalb unpraktisch.
  • Des Weiteren wird gemäß dem vorliegenden Beispiel eine RF Überlagerung bei 600 MHz durchgeführt für den Halbleiterlaser. Obwohl dies den RIN Pegel auf ungefähr - 137 dB/MHz herunterbringt, schafft dies auch eine erhöhte Toleranz bezüglich zurückgeworfenem bzw. zurückkehrendem Licht. Eine solche RF Überlagerungstechnik ist wirksam bzw. effektiv, weil sie weder die Schwingungs-Mode verändert, noch die Rausch-Eigenschaften wesentlich verschlechtert.
  • Gemäß der optischen Disk-Vorrichtung des vorliegenden Beispiels können 12,5 GB an Daten aufgezeichnet werden auf einem optischen Disk-Medium:
  • Ebenso hat gemäß dem vorliegenden Beispiel die Schwingungswellenlänge des Halbleiterlasers 50 eine sehr geringe Schwankung auf Grund der Feststellung bzw. Festlegung der Schwingungswellenlänge auf Grund einer optischen Rückkopplung. Dies eliminiert im Wesentlichen die Beschränkungen bezüglich des Linsen-Materials (optisches Glas) auf Grund einer Wellenlängen-Schwankung. Es wird auch möglich, eine Linse eines Beugungs-Typs etc. zu verwenden, was nicht verfügbar war bei herkömmlichen Techniken auf Grund der Veränderung des Brennpunktes in Reaktion auf die Veränderung der Schwingungs-Wellenlänge.
  • Verschiedene andere Modifikationen werden offensichtlich sein und können von Fachleuten leicht ausgeführt werden innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche.

Claims (11)

1. Optischer Aufnehmer mit:
a) einer Laser-Licht-Quelle (50), welche mit Wellenlängen-Feststellung (wavelength locking) durch optische Rückkopplung versehen ist;
b) einem optischen System (51, 52, 53, 58, 59), welches Licht zur Verfügung stellt, weiches von der Laser-Licht-Quelle (50) emittiert wurde, mit einem vorgegebenen optischen Weg; und
c) einem optischen Detektor (56) zum Detektieren von Licht von dem optischen System (51, 52, 53, 58, 59);
dadurch gekennzeichnet, dass
d) die Laser-Licht-Quelle (50) eine oszillierende Wellenlänge von 435 nm oder weniger hat; und
e) die Laser-Licht-Quelle (50) einen Pegel einer relativen Intensität des Rauschens (RIN) von -135 dB/Hz oder weniger hat.
2. Optischer Aufnehmer nach Anspruch 1, wobei die Laser-Licht-Quelle (50) ein Halbleiter-Laser ist.
3. Optischer Aufnehmer nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Element (14) zum Absorbieren von Laser-Licht vorgesehen ist auf einer Endoberfläche gegenüberliegend zu einem licht-emittierenden Teil der Laser-Licht-Quelle (50).
4. Optischer Aufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein zugespitzter bzw. kegelstumpfförmiger strahlformender Teil auf der Seite eines licht-emittierenden Teils der Laser-Lieht-Quelle (50) vorgesehen ist.
5. Optischer Aufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Laser-Licht-Quelle (50) mit RF Überlagerung betrieben wird.
6. Optischer Aufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Laser-Licht-Quelle (50) ein Halbleiter-Laser vom GaN Typ ist.
7. Optischer Aufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optische Rückkopplung der Laser-Licht-Quelle (50) durch eine Gitterstruktur (13) zur Verfügung gestellt wird.
8. Optischer Aufnehmer nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Laser-Licht-Quelle (50) ein Halbleiter-Laser mit einer DBR Struktur (13) ist, und die optische Rückkopplung davon wird durch die DBR Struktur (13) zur Verfügung gestellt.
9. Optischer Aufnehmer nach Anspruch 8, wobei die DBR Struktur (13) in der Nähe einer Endoberfläche gegenüber zu einem licht-emittierenden Teil des Halbleiter- Lasers (50) ausgebildet ist.
10. Optisches Disk-System mit:
a) einem optischen Aufnehmer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, und
b) einem optischen Disk-Medium (55) mit Vertiefungen bzw. Pits (56) mit einer Länge von 0,3 um oder weniger.
11. Optisches Disk-System nach Anspruch 10, wobei die optische Aufzeichnung auf dem optischen Disk-Medium (55) durchgeführt wird unter Verwendung des Lichtes welches von der Laser-Licht-Quelle (50) emittiert wird.
DE69808154T 1997-01-17 1998-01-16 Optischer Kopf und optisches Plattengerät diesen benutzend Expired - Fee Related DE69808154T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP599597 1997-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69808154D1 DE69808154D1 (de) 2002-10-31
DE69808154T2 true DE69808154T2 (de) 2003-05-28

Family

ID=11626378

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69808154T Expired - Fee Related DE69808154T2 (de) 1997-01-17 1998-01-16 Optischer Kopf und optisches Plattengerät diesen benutzend
DE69817227T Expired - Fee Related DE69817227T2 (de) 1997-01-17 1998-01-16 Optischer Abtastkopf und optisches Plattengerät diesen benutzend
DE69809279T Expired - Fee Related DE69809279T2 (de) 1997-01-17 1998-01-16 Optische Abtastvorrichtung und optisches Plattengerät zur Verwendung derselben

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69817227T Expired - Fee Related DE69817227T2 (de) 1997-01-17 1998-01-16 Optischer Abtastkopf und optisches Plattengerät diesen benutzend
DE69809279T Expired - Fee Related DE69809279T2 (de) 1997-01-17 1998-01-16 Optische Abtastvorrichtung und optisches Plattengerät zur Verwendung derselben

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6392979B1 (de)
EP (3) EP1098300B1 (de)
KR (1) KR100278889B1 (de)
CN (1) CN1114203C (de)
DE (3) DE69808154T2 (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100278786B1 (ko) * 1998-06-18 2001-01-15 구자홍 광기록매체와 광 기록/재생 방법 및 장치
US7286585B2 (en) * 1998-12-21 2007-10-23 Finisar Corporation Low temperature grown layers with migration enhanced epitaxy adjacent to an InGaAsN(Sb) based active region
JP3473580B2 (ja) * 2000-12-27 2003-12-08 住友電気工業株式会社 ＺｎＳｅ多結晶体の炭酸ガスレーザ用回折型光学部品の製造方法
US6765232B2 (en) * 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7968362B2 (en) 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7180100B2 (en) * 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
JP3878868B2 (ja) * 2002-03-01 2007-02-07 シャープ株式会社 ＧａＮ系レーザ素子
US20040114642A1 (en) * 2002-03-22 2004-06-17 Bullington Jeff A. Laser diode with output fiber feedback
US7194016B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-20 The Research Foundation Of The University Of Central Florida Laser-to-fiber coupling
US7177262B2 (en) * 2002-04-19 2007-02-13 Victor Company Of Japan, Ltd. Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions
JP2004013947A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録担体、再生装置、記録装置、記録再生装置、再生方法、記録方法及び記録再生方法
JP4178022B2 (ja) * 2002-12-10 2008-11-12 シャープ株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに、その製造方法に用いる治具
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
IES20030516A2 (en) 2003-07-11 2004-10-06 Eblana Photonics Ltd Semiconductor laser and method of manufacture
NO20041523L (no) * 2003-09-19 2005-03-21 Sumitomo Electric Industries Lysemitterende halvlederelement
US20060255349A1 (en) * 2004-05-11 2006-11-16 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
WO2006008269A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Eblana Photonics Ltd. Single mode laser
US7368368B2 (en) * 2004-08-18 2008-05-06 Cree, Inc. Multi-chamber MOCVD growth apparatus for high performance/high throughput
US7860137B2 (en) * 2004-10-01 2010-12-28 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror
CA2581614A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts
EP1994532A4 (de) * 2005-12-04 2009-11-11 Hd2 Ltd Optisches pickup-verfahren und einrichtung für ein mehrschichtiges aufzeichnungsmedium
DE102009019516A1 (de) * 2009-04-30 2010-11-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser
JP2013041005A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Sharp Corp 光学部品及び光学モジュール
TW201511327A (zh) 2013-09-06 2015-03-16 Ind Tech Res Inst 發光二極體
US9129634B1 (en) * 2014-06-17 2015-09-08 HGST Netherlands B.V. Integrated compound DBR laser for HAMR applications
CN111108657B (zh) 2017-06-30 2022-06-14 奥卢大学 一种光学半导体装置及其制造方法
US10511139B2 (en) * 2018-01-31 2019-12-17 Lumileds Llc Transparent conducting film or coating on a lens that serves as an interlock on a semiconductor laser module
CN114122899B (zh) * 2022-01-28 2022-04-05 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种波长锁定系统

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US500889A (en) * 1893-07-04 And hartford
JPH0799589B2 (ja) * 1984-05-11 1995-10-25 日本電気株式会社 光ピツクアツプ装置
US4774615A (en) * 1987-02-17 1988-09-27 Eastman Kodak Company Magneto-optic read-out method and apparatus with polarization correction means
US5034942A (en) * 1987-07-29 1991-07-23 Hitachi, Ltd. System having a function of reproducing optical information
JP2736894B2 (ja) * 1988-05-27 1998-04-02 株式会社日立製作所 光ピックアップ並びにそれを備えた光ディスク装置及びロータリエンコーダ
EP0383943B1 (de) * 1988-09-01 1994-04-27 Seiko Epson Corporation Lichtausstrahlende anordnung und verfahren zur herstellung
JPH02270387A (ja) * 1989-04-11 1990-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US5233444A (en) * 1989-07-25 1993-08-03 Olympus Optical Co., Ltd. Focus error detecting apparatus
US5113386A (en) * 1989-10-30 1992-05-12 Eastman Kodak Company Focus and tracking error detector apparatus for optical and magneto-optical information storage systems
JPH04192586A (ja) * 1990-11-27 1992-07-10 Pioneer Electron Corp 半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP3200171B2 (ja) * 1992-06-10 2001-08-20 パイオニア株式会社 光ディスクプレーヤ
JP2783397B2 (ja) * 1992-09-24 1998-08-06 シャープ株式会社 光記録情報読み出し装置及び読み出し方法
US5276745A (en) * 1992-10-15 1994-01-04 Eastman Kodak Company Integrated optic read/write head for optical data storage incorporating second harmonic generator, electro-optic tracking error actuator, and electro-optic modulator
JP2785921B2 (ja) * 1992-10-21 1998-08-13 シャープ株式会社 光メモリ読み出し装置用の半導体レーザ駆動回路
US5299212A (en) * 1993-03-10 1994-03-29 At&T Bell Laboratories Article comprising a wavelength-stabilized semiconductor laser
US5452312A (en) * 1993-10-18 1995-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength laser light source and optical information processing aparatus
US6194240B1 (en) * 1993-12-21 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. Method for fabrication of wavelength selective electro-optic grating for DFB/DBR lasers
US5477527A (en) * 1994-02-02 1995-12-19 Sanyo Electric Co., Ltd. High density optical disc and optical disc player
WO1996010855A1 (en) * 1994-10-03 1996-04-11 Sdl, Inc. Tunable blue laser diode
EP0709938B1 (de) * 1994-10-31 2002-01-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Vorrichtung zur Wellenleiterkopplung, Vorrichtung zur Strahlbündelung, und Gerät für optische Platten
US5499256A (en) * 1995-02-14 1996-03-12 Deacon Research Polarized frequency-selective optical source
US5559822A (en) * 1995-06-07 1996-09-24 The Regents Of The University Of Colorado Silicon quantum dot laser
US6226233B1 (en) * 1996-07-30 2001-05-01 Seagate Technology, Inc. Magneto-optical system utilizing MSR media
US6246657B1 (en) * 1997-09-22 2001-06-12 Iolon, Inc. Fiber bundle switch

Also Published As

Publication number Publication date
EP1024479A2 (de) 2000-08-02
CN1190237A (zh) 1998-08-12
DE69808154D1 (de) 2002-10-31
EP1024479A3 (de) 2000-09-20
EP0854473A2 (de) 1998-07-22
KR19980070579A (ko) 1998-10-26
KR100278889B1 (ko) 2001-03-02
US6392979B1 (en) 2002-05-21
EP1098300A1 (de) 2001-05-09
EP1098300B1 (de) 2003-08-13
DE69817227D1 (de) 2003-09-18
DE69809279T2 (de) 2003-08-28
DE69809279D1 (de) 2002-12-12
EP0854473B1 (de) 2002-09-25
CN1114203C (zh) 2003-07-09
EP1024479B1 (de) 2002-11-06
DE69817227T2 (de) 2004-06-17
EP0854473A3 (de) 1999-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69808154T2 (de) Optischer Kopf und optisches Plattengerät diesen benutzend
US6356572B1 (en) Semiconductor light emitting device
JP3504742B2 (ja) レーザダイオード
DE68926986T2 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69838313T2 (de) Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III
US7531440B2 (en) Semiconductor laser device, semiconductor laser system, optical pickup module and manufacturing for semiconductor laser system
DE69824162T2 (de) Verbindungshalbleiterlaser
DE69132868T2 (de) Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren
DE69027368T2 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben
US5812576A (en) Loss-guided semiconductor lasers
US4740977A (en) Semiconductor laser device
Kapon Semiconductor Lasers II: Materials and Structures
JPH1065271A (ja) 窒化ガリウム系半導体光発光素子
US20010017873A1 (en) Semiconductor laser diode array and method of fabricating the same
DE69309011T2 (de) Halbleiterlaser mit optimiertem Resonator
DE602004009531T2 (de) Halbleiterlichtemissionsbauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP3971581B2 (ja) 半導体レーザ素子アレイ及びその製造方法
JP2002368335A (ja) 半導体レーザ素子およびその作製方法および半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステムおよび光ピックアップシステムおよび電子写真システム
JPS63271992A (ja) 半導体レ−ザ素子
JP2006148032A (ja) 半導体レーザ装置
DE69826046T2 (de) Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
JP2007013207A (ja) 半導体発光素子
JPH1168249A (ja) 半導体レーザ装置、その製造方法、および光情報処理装置
JPS63153884A (ja) 分布帰還型半導体レ−ザ
JP2728401B2 (ja) 半導体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PANASONIC CORP., KADOMA, OSAKA, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee