[go: up one dir, main page]

DE69508885D1 - Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number
DE69508885D1
DE69508885D1 DE69508885T DE69508885T DE69508885D1 DE 69508885 D1 DE69508885 D1 DE 69508885D1 DE 69508885 T DE69508885 T DE 69508885T DE 69508885 T DE69508885 T DE 69508885T DE 69508885 D1 DE69508885 D1 DE 69508885D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor diode
diode
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69508885T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69508885T2 (de
Inventor
Noriyuki Soejima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69508885D1 publication Critical patent/DE69508885D1/de
Publication of DE69508885T2 publication Critical patent/DE69508885T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/01—Manufacture or treatment
    • H10D8/045—Manufacture or treatment of PN junction diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/50—Physical imperfections
    • H10D62/53—Physical imperfections the imperfections being within the semiconductor body 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
DE69508885T 1994-10-25 1995-10-16 Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung Expired - Lifetime DE69508885T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6260541A JPH08125200A (ja) 1994-10-25 1994-10-25 半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69508885D1 true DE69508885D1 (de) 1999-05-12
DE69508885T2 DE69508885T2 (de) 1999-12-09

Family

ID=17349401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69508885T Expired - Lifetime DE69508885T2 (de) 1994-10-25 1995-10-16 Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5717244A (de)
EP (1) EP0709898B1 (de)
JP (1) JPH08125200A (de)
KR (1) KR0173498B1 (de)
DE (1) DE69508885T2 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19713962C1 (de) * 1997-04-04 1998-07-02 Siemens Ag Leistungsdiode (FCI-Diode)
US6603189B2 (en) 1997-08-14 2003-08-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with deliberately damaged layer having a shorter carrier lifetime therein
EP1780799B9 (de) * 1998-06-01 2012-02-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Diode
DE19837944A1 (de) 1998-08-21 2000-02-24 Asea Brown Boveri Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements
JP4080659B2 (ja) * 2000-01-28 2008-04-23 三菱電機株式会社 半導体装置
US7485920B2 (en) * 2000-06-14 2009-02-03 International Rectifier Corporation Process to create buried heavy metal at selected depth
DE10048345A1 (de) 2000-09-29 2002-05-16 Eupec Gmbh & Co Kg Körper aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge
DE10065525B4 (de) * 2000-12-28 2006-07-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem PN-Übergang
JP5359567B2 (ja) * 2002-02-20 2013-12-04 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7405465B2 (en) * 2004-09-29 2008-07-29 Sandisk 3D Llc Deposited semiconductor structure to minimize n-type dopant diffusion and method of making
DE102005032074B4 (de) * 2005-07-08 2007-07-26 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement mit Feldstopp
WO2011052787A1 (ja) 2009-11-02 2011-05-05 富士電機システムズ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5776485B2 (ja) * 2011-10-12 2015-09-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5672269B2 (ja) * 2012-06-04 2015-02-18 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6073092B2 (ja) * 2012-09-07 2017-02-01 株式会社 日立パワーデバイス ダイオード及び電力変換システム、並びにダイオードの製造方法
CN105814694B (zh) 2014-10-03 2019-03-08 富士电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
WO2017146148A1 (ja) 2016-02-23 2017-08-31 富士電機株式会社 半導体装置
JP6846119B2 (ja) * 2016-05-02 2021-03-24 株式会社 日立パワーデバイス ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4259683A (en) * 1977-02-07 1981-03-31 General Electric Company High switching speed P-N junction devices with recombination means centrally located in high resistivity layer
JPS59189679A (ja) * 1983-04-13 1984-10-27 Hitachi Ltd ダイオ−ド
JPH0640581B2 (ja) * 1984-03-23 1994-05-25 株式会社東芝 スイツチング素子
US4752818A (en) * 1985-09-28 1988-06-21 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Semiconductor device with multiple recombination center layers
JPS63205958A (ja) * 1987-02-21 1988-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 静電誘導サイリスタ
JPH0193167A (ja) * 1987-10-05 1989-04-12 Toyota Autom Loom Works Ltd 高耐圧トランジスタ
JPH03171777A (ja) * 1989-11-30 1991-07-25 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0650738B2 (ja) * 1990-01-11 1994-06-29 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JPH04348527A (ja) * 1991-05-27 1992-12-03 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US5710437A (en) * 1993-03-05 1998-01-20 Nippon Steel Corporation Radiation detecting device using superconducting tunnel junction and method of fabricating the same
DE4310444C2 (de) * 1993-03-31 1995-05-11 Semikron Elektronik Gmbh Schnelle Leistungsdiode

Also Published As

Publication number Publication date
KR0173498B1 (ko) 1999-02-01
US5717244A (en) 1998-02-10
KR960015948A (ko) 1996-05-22
EP0709898A3 (de) 1996-06-12
DE69508885T2 (de) 1999-12-09
EP0709898A2 (de) 1996-05-01
JPH08125200A (ja) 1996-05-17
EP0709898B1 (de) 1999-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69327483D1 (de) Diode und Verfahren zur Herstellung
DE69609903D1 (de) Diode und Verfahren zur Herstellung
DE69316810D1 (de) SiGe-SOI-MOSFET und Verfahren zur Herstellung
EP0875074A4 (de) Halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung
DE69515189D1 (de) SOI-Substrat und Verfahren zur Herstellung
DE69323827D1 (de) Diamant-Halbleiter und Verfahren zur Herstellung
DE69431023D1 (de) Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE69528117D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
DE69413860D1 (de) Transistoren und Verfahren zur Herstellung
DE69403593D1 (de) Gerät und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE69739763D1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE19781457T1 (de) Thermoelektrisches Element und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69837030D1 (de) Silizium-germanium-halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung
DE69528111D1 (de) Biosensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69032451D1 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben
DE59401845D1 (de) Rotor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69508885D1 (de) Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung
DE69027368D1 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69936827D1 (de) Baugruppe und verfahren zur herstellung
DE69631315T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69304455D1 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung
DE69624415D1 (de) Verbesserungen in Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE69637746D1 (de) Transistor und verfahren zur herstellung
DE69229314D1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69838683D1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)