DE69232348D1 - Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE69232348D1
Authority: DE; Germany
Prior art keywords: production; circuit arrangement; semiconductor circuit; integrated semiconductor; integrated
Prior art date: 1991-09-24
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.): Expired - Fee Related

Application number

DE69232348T

Other languages

English (en)

Other versions

DE69232348T2 (de

Inventor

Shigeki Sawada

Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)

Panasonic Holdings Corp

Original Assignee

Matsushita Electronics Corp

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1991-09-24

Filing date

1992-09-08

Publication date

2002-02-21

1992-09-08 Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp

2002-02-21 Application granted granted Critical

2002-02-21 Publication of DE69232348D1 publication Critical patent/DE69232348D1/de

2002-08-14 Publication of DE69232348T2 publication Critical patent/DE69232348T2/de

2012-09-09 Anticipated expiration legal-status Critical

Status Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
- H10D84/65—Integrated injection logic
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/01—Bipolar transistors-ion implantation

DE69232348T 1991-09-24 1992-09-08 Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired - Fee Related DE69232348T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
JP24305891		1991-09-24

Publications (2)

Publication Number	Publication Date
DE69232348D1 true DE69232348D1 (de)	2002-02-21
DE69232348T2 DE69232348T2 (de)	2002-08-14

Family

ID=17098179

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
DE69232348T Expired - Fee Related DE69232348T2 (de)	1991-09-24	1992-09-08	Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (3)

Country	Link
US (2)	US5504368A (de)
EP (1)	EP0534632B1 (de)
DE (1)	DE69232348T2 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JP3579426B2 (ja) *	1995-03-29	2004-10-20	ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング	孔付き円板を製造するための方法
US6204717B1 (en) *	1995-05-22	2001-03-20	Hitachi, Ltd.	Semiconductor circuit and semiconductor device for use in equipment such as a power converting apparatus
JPH10189755A (ja) *	1996-12-20	1998-07-21	Nec Corp	半導体装置及びその製造方法
US5773350A (en) *	1997-01-28	1998-06-30	National Semiconductor Corporation	Method for forming a self-aligned bipolar junction transistor with silicide extrinsic base contacts and selective epitaxial grown intrinsic base
JP3653963B2 (ja) *	1997-12-25	2005-06-02	ソニー株式会社	半導体装置およびその製造方法
US6049119A (en) *	1998-05-01	2000-04-11	Motorola, Inc.	Protection circuit for a semiconductor device
US6140694A (en) *	1998-12-30	2000-10-31	Philips Electronics North America Corporation	Field isolated integrated injection logic gate
US6809024B1 (en)	2003-05-09	2004-10-26	International Business Machines Corporation	Method to fabricate high-performance NPN transistors in a BiCMOS process
EP1646084A1 (de) *	2004-10-06	2006-04-12	Infineon Technologies AG	Verfahren zur Herstellung einer integrierten Injektions-Logikschaltung
JP4784595B2 (ja) *	2007-12-21	2011-10-05	株式会社デンソー	バイポーラ型の半導体装置の製造方法
US9184097B2 (en) *	2009-03-12	2015-11-10	System General Corporation	Semiconductor devices and formation methods thereof
US8890247B2 (en) *	2012-10-15	2014-11-18	International Business Machines Corporation	Extremely thin semiconductor-on-insulator with back gate contact
US9196606B2 (en) *	2013-01-09	2015-11-24	Nthdegree Technologies Worldwide Inc.	Bonding transistor wafer to LED wafer to form active LED modules
US9572249B2 (en) *	2013-03-14	2017-02-14	Nthdegree Technologies Worldwide Inc.	Printing complex electronic circuits
US8999804B2 (en)	2013-05-06	2015-04-07	International Business Machines Corporation	Methods for fabricating a bipolar junction transistor with self-aligned terminals

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JPS5942463B2 (ja) *	1972-09-22	1984-10-15	ソニー株式会社	半導体集積回路装置
JPS56150850A (en) *	1980-04-22	1981-11-21	Toshiba Corp	Manufacture of semiconductor integrated circuit
JPS5821366A (ja) *	1981-07-30	1983-02-08	Toshiba Corp	半導体集積回路装置
EP0093304B1 (de) *	1982-04-19	1986-01-15	Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.	Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0193934B1 (de) *	1985-03-07	1993-07-21	Kabushiki Kaisha Toshiba	Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPS62277745A (ja) *	1986-05-27	1987-12-02	Toshiba Corp	半導体集積回路
JPS6343357A (ja) *	1986-08-08	1988-02-24	Sanyo Electric Co Ltd	半導体集積回路
US5014107A (en) *	1987-07-29	1991-05-07	Fairchild Semiconductor Corporation	Process for fabricating complementary contactless vertical bipolar transistors
JP2788269B2 (ja) *	1988-02-08	1998-08-20	株式会社東芝	半導体装置およびその製造方法
US5096842A (en) *	1988-05-16	1992-03-17	Kabushiki Kaisha Toshiba	Method of fabricating bipolar transistor using self-aligned polysilicon technology
JP2543224B2 (ja) *	1989-04-25	1996-10-16	松下電子工業株式会社	半導体装置とその製造方法
JPH0319278A (ja) *	1989-06-15	1991-01-28	Matsushita Electron Corp	半導体集積回路の製造方法
KR950011017B1 (ko) *	1991-07-01	1995-09-27	미쯔시다덴기산교 가부시기가이샤	반도체장치 및 그 제조방법

1992
- 1992-09-08 DE DE69232348T patent/DE69232348T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-08 EP EP92308118A patent/EP0534632B1/de not_active Expired - Lifetime
1995
- 1995-02-06 US US08/384,694 patent/US5504368A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-30 US US08/454,410 patent/US5591656A/en not_active Expired - Fee Related

Also Published As

Publication number	Publication date
EP0534632B1 (de)	2002-01-16
EP0534632A3 (en)	1995-11-02
US5591656A (en)	1997-01-07
US5504368A (en)	1996-04-02
DE69232348T2 (de)	2002-08-14
EP0534632A2 (de)	1993-03-31

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
DE69231290D1 (de)	2000-08-31	Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4323799B4 (de)	2005-04-28	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69309583D1 (de)	1997-05-15	Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69030822D1 (de)	1997-07-03	Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69329635D1 (de)	2000-12-14	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0721211A3 (de)	1996-12-27	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE68926645D1 (de)	1996-07-18	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3685124D1 (de)	1992-06-11	Integriertes halbleiterschaltungsbauelement und verfahren zu seiner herstellung.
DE69331416D1 (de)	2002-02-07	Verbindungsstruktur fur integrierte schaltung und verfahren zu deren herstellung
DE69128334D1 (de)	1998-01-15	Integrierte Schaltung und Verfahren zu deren Herstellung
DE69333294D1 (de)	2003-12-18	Halbleiteranordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3854455D1 (de)	1995-10-19	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69532907D1 (de)	2004-05-27	Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69005032D1 (de)	1994-01-20	Optohalbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69226488D1 (de)	1998-09-10	Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69634764D1 (de)	2005-06-30	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69127799D1 (de)	1997-11-06	Kunststoffgekapseltes Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE68920571D1 (de)	1995-02-23	Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69232348D1 (de)	2002-02-21	Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE59209470D1 (de)	1998-10-01	Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE68928193D1 (de)	1997-08-28	Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3685969D1 (de)	1992-08-20	Integrierte schaltung mit halbleiterkondensator und verfahren zu ihrer herstellung.
DE69637578D1 (de)	2008-08-14	Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69327434D1 (de)	2000-02-03	Dünnschicht-Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69330302D1 (de)	2001-07-12	Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date	Code	Title	Description
2002-06-06	8327	Change in the person/name/address of the patent owner	Owner name: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., KADOMA,
2003-02-13	8364	No opposition during term of opposition
2007-07-26	8339	Ceased/non-payment of the annual fee