DE69111413D1 - Halbleitervorrichtung und ihr herstellungsverfahren. - Google Patents

Halbleitervorrichtung und ihr herstellungsverfahren.

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JP3319869B2 (ja) *	1993-06-24	2002-09-03	三菱電機株式会社	半導体記憶装置およびその製造方法
US5330931A (en) *	1993-09-22	1994-07-19	Northern Telecom Limited	Method of making a capacitor for an integrated circuit
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JPH02183569A (ja) *	1989-01-10	1990-07-18	Seiko Epson Corp	強誘電体記憶装置

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