DE69024484T2 - Yttrium-barium-kupfer-sauerstoff-supraleiter mit gerichteten kristalliten und hoher kritischer stromdichte sowie verfahren zur ihrer herstellung - Google Patents
Yttrium-barium-kupfer-sauerstoff-supraleiter mit gerichteten kristalliten und hoher kritischer stromdichte sowie verfahren zur ihrer herstellungInfo
- Publication number
- DE69024484T2 DE69024484T2 DE69024484T DE69024484T DE69024484T2 DE 69024484 T2 DE69024484 T2 DE 69024484T2 DE 69024484 T DE69024484 T DE 69024484T DE 69024484 T DE69024484 T DE 69024484T DE 69024484 T2 DE69024484 T2 DE 69024484T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- mass
- composition
- yttrium
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Revoked
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
- Das nahezu vollständige Verschwinden des elektrischen Materialwiderstands an oder unterhalb der kritischen Temperatur ist das hervorstechende Merkmal supraleitender Materialien. Die kritische Temperatur ist für das Material charakteristisch; sie wird auch spezifische Sprungtemperatur Tc für die Supraleitfähigkeit genannt.
- Die Supraleitfähigkeit von Materialien wird seit 1911 untersucht, als man entdeckte, daß Quecksilber bei einer Sprungtemperatur von etwa 4 K supraleitend wird. 1920 wurde gefunden, daß NbC bei höherer Temperatur supraleitend ist, nämlich bei bis zu etwa 10,5 K. Seitdem wurden viele Anwendungen zur Nutzung der Supraleitfähigkeit erdacht, die aber wegen der extrem niedrigen Sprungtemperaturen der supraleitenden Materialien nicht praktisch umgesetzt werden konnten.
- Auf der Suche nach einer Verbindung, die bei höheren anwen dungsfreundlicheren Temperaturen supraleitend ist, testete man viele Materialien. Dennoch war bis etwa 1986 Nb&sub3;Ge, der Supraleiter mit der höchsten bekannten Supraleittemperatur; es besitzt eine kritische Temperatur Tc von etwa 23,3 K. Aber auch Supraleiter-Vorrichtungen mit Nb&sub3;Ge als Supraleiter brauchen wie die Vorläufer-Vorrichtungen hierzu im kommerziellen Einsatz flüssiges Hehum als Kältemittel. 1986 beschrieben Bednorz und Müller, daß anscheinend bestimmte Mischphasen- Zusammensetzungen des La-Ba-Cu-O bei etwa 30 K supraleitend werden. Die Untersuchung dieses Systems ergab, daß die kristalline Phase, die für die Supraleitfähigkeit verantwortlich ist, eine Kristallstrukturwie K&sub2;NiF&sub4; (214) besitzt. Die obere Temperaturgrenze (Tc), ab der bei Supraleitern mit 214-Kristallstruktur Supraleitung auftritt, liegt bei etwa 48 K.
- Im Anschluß an die Entdeckung der Supraleitfähigkeit in Seltenerd-Erdalkali-Kupferoxidsystemen mit 214-Kristallstruktur wurde eine neue Klasse von Seltenerd-Erdalkali-Kupferoxiden gefunden, die bei Temperaturen oberhalb 77 K supraleitend wird. Diese neue Klasse der Seltenerd-Erdalkali-Kupferoxide, die man allgemein "123"-Hochtemperatursupraleiter nennt, hat mit Perowskit verwandte Kristallstrukturen. Die Zelleinheit besteht aus drei Teilzellen, die in der C-Achse übereinander geschichtet sind. Röntgenkristallographische und Pulver-Neutronenbeugungs-Untersuchungen zeigen, daß die Struktur sauerstoffunterschüssig ist und daß die Anordnung des Sauerstoffs in den Grundebenen für die Superleitfähigkeit des Oxids kritisch ist. Siehe C. Poole et al, Copperoxidesuperconductors (John Wiley & Sons 1988). Die Zelleinheit der 1,2,3-Verbindung hat die Formel L&sub1;M&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ (δ 0,1 bis 1,0, vorzugsweise etwa 1,0), wobei L Scandium, Yttrium, Lanthan, Cer, Praseodym, Neodym, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium ist, und M Barium, Strontium oder Mischungen davon ist. Die Untersuchungen zeigen, daß die Zelleinheit der resultierenden 1,2,3-Verbindung bei einem δ-Wert von etwa 0,1 bis etwa 0,5 tetragonale Kristallsymmetrie besitzt und nicht supraleitend ist. Bei dieser Zelleinheit betragen die Gitterabstände der C-Achse etwa 11,94 Å, und die a- und b-Achsen haben etwa 3,9 Å. Wenn δ zwischen 0,5 und 1,0 ist, hat die Zelleinheit der resultierenden 1,2,3- Verbindung orthorhombische Kristallsymmetrie und ist supraleitend. Die Ausrichtung der Sauerstoffatome in der Zelleinheit bewirkt, daß die Zelle entlang der a-Achse etwas zusammengedrückt ist; der Gitterabstand der a-Achse ist kleiner als die der b-Achse. Für eine orthorhombische Zelleinheit werden Gitterkonstanten von a 3,80, b 3,86 und c = 11,55 genannt.
- Mit der Entdeckung der "123-Klasse" von Hochtemperatur-supraleitenden Zusammensetzungen konnte man viele bereits bestehende Anwendungen der Supraleitfähigkeit, die bislang wegen der notwendigen Kühlung mit flüssigem Helim kommerziell nicht ausführbar waren, ökonomisch weiterverfolgen. Da bei Tempe raturen oberhalb 77 K supraleitend, braucht die neue "123"- Klasse der Hochtemperatursupraleiter in der praktischen Anwendung nur mit flüssigem Stickstoff gekühlt werden, was ein viel billigeres Kältemittel ist. Damit entfallen die ziemlich komplexe thermische Isolierung und die Umlaufsysteme für das Hehum, welche herkömmliche Supraleiter brauchen, um einem Schwund des teuren Kältemittels Hehum zu begegnen. Dadurch wird die Zuverlässigkeit kommerzieller Supraleiter deutlich einfacher und besser.
- Hochtemperatursupraleiter waren aber bisher in einigen Anwendungen nicht einsatzfähig: (1) Sie vertragen keine hohen Ströme unter starken Magnetfeldern, (2) sie können keine starke Magnetfelder einschließen und (3) sie besitzen keinen kleinen Hochfrequenz-Oberflächenwiderstand. Deshalb gibt es in der Praxis deutliche Widerstände gegenüber der Verwendung der 123-Supraleiter z.B. für die Verwendung in Magneten, für Magnetabscheider, Übertragungsleitungen, Hochfrequenzgeneratoren und für Magnet schwebebahnen ("Meglav").
- Supraleiter müssen zum Beispiel in Magnetabscheidern bei einem Magnetfeld von 2 bis 3 T eine Stromdichte J von etwa 33.000 bis 66.000 A/cm² vertragen. Für die praktische Anwendung bei Übertragungsleitungen und Hochfrequenzgeneratoren muß das supraleitende Material zudem einen sehr geringen Hochfrequenz- Oberflächenwiderstand bei oder unterhalb seiner kritischen Temperatur besitzen. In der Praxis müssen die supraleitenden Materialien als Magneten zusätzlich zum geringen Gewicht in der Lage sein, in ihrer Kristallstruktur ein hohes Magnetfeld einzuschließen. Obwohl berichtet wurde, daß supraleitende Materialien mit geringer Tc Magnetfelder von 22.400 Gauß einschließen können (siehe zum Beispiel M. Rabinowitz, E.L. Garwin und D.J. Frankel, Lettere Al Nuovo Cimento, 7, 1, (1973); E.L. Garwin, M. Rabinowitz und D.J. Frankel, Appl. Phys. Lett. 22, 599 (1973); M. Rabinowitz, H.W. Arrowsmith und S.D. Dahlgren, Appl. Phys. Lett. 30, 607 (1977); undm. Rabinowitz, IEEE Magnetics, 11, 548 (1975)), sind diese Supraleiter aufgrund ihrer geringen Tc als auch ihres Unvermögens, hohe Ströme zu vertragen, für die praktische Anwendung bei Magneten ungeeignet.
- Die Erfindung betrifft ein Hochtemperatur-supraleitendes 123- Material mit einer Stromdichte J von etwa 30.000 bis etwa 85.000 A/cm² bei einem Magnetfeld von Null und 77K. Die Supraleitermaterialien sind durch eine Sprungtemperatur Tc von mindestens 77 K gekennzeichnet und können ein Magnetfeld Bt von mindestens 0,08 T (800 Gauß) einschließen, wenn sie sich in einem externen Magnetfeld von 0,8 T (8000 Gauß) befinden. Bei 60 K wird das erfindungsgemäße Supraleitermaterial zudem durch einen Oberflächenwiderstand in der Kristallebene a-b bei 98 GHz von weniger als etwa 6 mohm definiert. Der bevorzugte 123-Supraleiter ist L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ, wobei L Yttrium ist. Die Supraleiter werden durch ein Flüssigphasenverfahren hergestellt, bei dem das Mengen-Produkt L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O verdichtet und anschließend bei einer Temperatur von etwa 40 bis etwa 90ºC unter seinem Schmelzpunkt gesintert wird, d.h. bei Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ bei einer Temperatur von etwa 940ºC. Die Zusammensetzung wird anschließend in einer vorgewärmten Kammer, die bei etwa 80 bis etwa 190ºC über dem Schmelzpunkt des 1,2,3- Supraleiters gehalten wird, im allgemein auf etwa 1090 bis etwa 1200ºC erwärmt (für Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ etwa 1100ºC), bis sie sich zersetzt und teilweise schmilzt, und wird dann schnell auf eine Temperatur von etwa 10 bis etwa 40ºC über ihren Schmelzpunkt gekühlt, und zwar bei Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ auf eine Temperatur von etwa 1030ºC, und wird dann bei einer geregelten Geschwindigkeit von 1ºC/h gekühlt, bis sie eine Temperatur von etwa 20 bis 40ºC unter ihrem Schmelzpunkt erreicht hat, d.h. bei Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;Q&sub6;+ö eine Temperatur von etwa 980ºC. Bei diesem Verfahren werden die das Material umfassenende Körner gebildet und diese wachsen bis zu einer ungefähren Länge von 10.000 bis 15.000 µm. Das Material wird mindestens 8 Stunden konstant bei 980ºC gehalten, damit das Wiedererstarrungsverfahren abgeschlossen wird. Danach wird das Material auf eine Temperatur von etwa 400ºC unter ihren Schmelzpunkt gekühlt (bei Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ eine Temperatur von ca. 600ºC). Danach wird das Material langsam etwa um weitere 200ºC gekühlt und dann unter Sauerstoff getempert.
- Es zeigt:
- Fig. 1 eine Aufnahme mit dem Rasterelektronenmikroskop bei 300facher Vergrößerung der Oberfläche der erfindungsgemäßen, nach Beispiel 1 hergestellten Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+ δ-Zusammensetzung;
- Fig. 2 eine Aufnahme mit dem Rasterelektronenmikroskopaufnahme bei 150facher Vergrößerung der nach Beispiel 1 hergestellten Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ-Zusammensetzung;
- Fig. 3 eine optische Aufnahme mit 40facher Vergrößerung von der erfindungsgemäßen, nach Beispiel 1 hergestellten Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ -Zusammensetzung;
- Fig. 4 die Konfiguration eines durch Radiofrequenz induzierten Stroms, der in der kornorientierten Probe fließt, wie in Beispiel 4 aufgeführt.
- Fig. 5 die Oberflächenimpedanz (y-Achse) bei 98 GHz in den Ebenen a-c und a-b der erfindungsgemäßen kornorientierten Supraleiter für verschiedene Temperaturen (x-Achse).
- Die erfindungsgemäßen Supraleiter-Zusammensetzungen umfassen einen Oxidkomplex, der definiert ist durch die Formel
- L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ
- worin L ein Seltenerdelement ist und zwar Scandium, Yttrium, Lanthan, Cer, Praseodym, Neodym, Samarlum, Europium, Gadolinium, Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und Lutetium, und δ einen Zahlenwert von etwa 0,1 bis etwa 1,0 hat. L ist vorzugsweise Yttrium. ö beträgt besonders bevorzugt etwa 0,5 bis etwa 1,0. Die Zusammensetzungen sind dadurch gekennzeichnet, daß der widerstandsfreie Zustand bei einer Sprungtemperatur Tc1 von 77 K oder mehr erreicht wird. Werden die Oxidkomplexe nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt, zeigen sie bei 77 K und einem Magnetfeld von Null einen J-Wert von etwa 30.000 bis etwa 85.000 A/cm² (dies ist die Strommenge, die durch einen Quadratzentimeter Querschnitt des Materials hindurchgeht). Der J-Wert der erfindungsgemäßen Oxidkomplexe ist im allgemeinen größer als 70.000 A/cm². Bei 77 K und einem Magnetfeld von 0,6 T besitzt die erfindungsgemäße Zusammensetzung einen J-Wert von mehr als 37.000 A/cm². Bei 77 K und einem Magnetfeld von Null zeigt die erfindungsgemäße Zusammensetzung außerdem eine Gleichstromdichte von mehr als 18.500 A/cm².
- Die erfindungsgemäßen Oxidkomplexe bestehen aus plattenförmigen Körnern mit einer Länge von etwa 10 mm bis etwa 15 mm, einer durchschnittlichen Breite von etwa 5 mm bis etwa 10 mm und einer durchschnittlichen Dicke von etwa 16 µm bis etwa 20 µm. Die plattenförmigen Körner können in der Kristallgrundebene a-b des Supraleiters parallel übereinander gestapelt werden. Die Dicke der gestapelten plattenförmigen Körner beträgt im allgemeinen 2 bis 3 mm. Die Form, Länge und Ausrichtung der Körner ist primär für die dichte Struktur des Oxids und seine bessere Leitfähigkeit verantwortlich.
- Neben der hohen Stromdichte können die erfindungsgemäßen Oxidkomplexe auch Magnetfelder einer viel höheren Größenordnung einschließen, als es bei herkömmlichen Hochtemperatursupraleitern der Fall ist. Dadurch können die erfindungsgemäßen Supraleiter besonders als Magneten verwendet werden. In den erfindungsgemäßen kornorientierten Oxidkomplexen wurden Magnetfelder Bt mit mehr als 0,1 T (1000 Gauß), sogar mehr als 0,12 T (1200 Gauß) und einschließlich 0,128 T (1280 Gauß) eingeschlossen, nachdem an diese Oxidkomplex ein externes Magnetfeld von etwa 0,8 T (8000 Gauß) angelegt worden war. Die erfindungsgemäßen Oxidkomplexe können die supraleitenden Eigenschaften beibehalten, wenn sie einem externen Magnetfeld von mehr als 30 T (300.000 Gauß) bei 77 K ausgesetzt werden. Die Oxide sind deshalb bei der Herstellung von Magneten besonders vorteilhaft.
- Eei der Verarbeitung der erfindungsgemäßen Oxide zu Zylindern mit einem Innendurchmesser von 2 cm und der Anwendung eines externen Magnetfeldes, z.B. etwa 0,8 T (8000 Gauß) kann ein eingeschlossenes Magnetfeld von etwa 0,6 T (6.000 Gauß) erhalten werden.
- Das Magnetfeld kann durch verschiedene Verfahren im erfindungsgemäßen supraleitenden Material eingeschlossen werden. Bei einem als Feldkühlung bezeichneten Verfahren wird das supraleitende Material bei einer Temperatur oberhalb seiner Umwandlungstemperatur Tc in ein vorhandenes Magnetfeld gegeben. Raumtemperatur ist ausreichend. Danach wird die Probe auf die Umwandlungstemperatur abgekühlt. Beim zweiten, als feldfreie Kühlung bezeichneten Verfahren wird die Probe zuerst auf ihre Umwandlungstemperatur abgekühlt. Danach wird ein Feld mit einer Größenordnung angelegt, die gleich der oder etwas über der des kritischen Felds Hc des Oxids liegt. Der in der Probe eingeschlossene Anteil des Magnetfeldes Bt bleibt durch einen ständigen mikroskopischen Wirbelstrom im supraleitenden Material erhalten. Das in der Probe eingeschlossene Magnetfeld wird durch eine Hallsonde gemessen, die entweder neben der Probe oder nicht an die Mitte der Probe angrenzend angeordnet wird.
- Diese Verfahren können sowohl bei einem kornorientierten Mengen-Material als auch bei den wie hier erläutert hergestellten Zylindern verwendet werden.
- Die erfindungsgemäßen kornorientierten Oxide werden außerdem durch eine geringere Mikrowellen-Oberflächenimpedanz als herkömmliche Supraleiter gekennzeichnet. Die Oberflächenimpedanz kann bestimmt werden, wenn eine polierte Probe an den Boden eines zylindrischen Hohlraumresonators des TE&sub0;&sub1;&sub1;-Modus geklemmt und die Temperaturabhängigkeit der Breite des Hohlraummodus gemessen wird. Die Messungen werden mit einer Seitenplatte aus Kupfer wiederholt, und die Oberflächenimpedanz wird bezüglich der von Kupfer aufgeführt. Die Messungen sind für den Hochfrequenz-Oberflächenwiderstand kennzeichnend und zeigen somit den Vorteil der erfindungsgemäßen Supraleiter in der Hochfrequenzkommunikationsindustrie.
- Messungen des Oberflächenwiderstandes in der Grundebene a-b der gerichtet orientierten Oxidkörner bei 98 GHz ergaben bei dieser Erfindung etwa 5 bis 6 mohm bei oder unterhalb 60 K. Dieser Wert muß mit etwa 2000 mOhm eines herkömmlichen gesinterten 123-Materials bei der gleichen Frequenz und Temperatur verglichen werden. Der Wert wurde durch Extrapolation von Messungen erhalten, die bei 77º und 10 GHz erfolgten. Siehe W. Kennedy et al, "Frequency Dependence of the Microwave Surface Resistance of Ceramic Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;Oy", Solid State Communications, Bd. 70, Nr. 7, 5. 741-744, 1989.
- Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Oxidkomplexen bereit. Verfahren zur Herstellung von Mengen-Proben, die L, Ba, Cu und O in ausreichenden Mengen enthalten, damit sie supraleitend werden, sind auf diesem Fachgebiet allgemein bekannt. Die Verfahren umfassen Festphasen-, gleichzeitige Fällungs- und Sol-Gel- Verfahren. Beim Festverfahren werden zum Beispiel ausgewählte Mengen fester pulverförmiger Verbindungen, die Barium, Kupfer, Sauerstoff und vorzugsweise Yttrium enthalten, gründlich gemischt und erwärmt, damit die Festphasenreaktion erfolgt. Wenn der gewünschte Komplex zum Beispiel Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ ist, kann der Komplex aus 15 Gew.% Y&sub2;O&sub3;, 53 Gew.% BaCO&sub3; und 32 Gew.% CuO gewonnen werden. Die festen Pulververbindungen werden vorzugsweise in einem Intensivmischer gemischt, z.B. eine Rüttelmühle oder vorzugsweise eine Kugelmühle. Anschließend wird die Mischung in Luft ausreichend lange auf eine Temperatur von etwa 920 bis etwa 960ºC erwärmt, damit die Mischung im Festzustand umgesetzt wird. Wenn "L" in der vorstehenden 123- Formel Yttrium ist, wird die Zusammensetzung vorzugsweise auf etwa 920 bis 940ºC erwärmt. Die Mischung wird normalerweise etwa 24 Stunden bei der zu erzielenden Temperatur gehalten. Danach wird die Probe gekühlt. Dies erfolgt vorzugsweise durch schnelles Kühlen in Luft oder einer Inertgasatmosphäre auf etwa Raumtemperatur.
- Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Mengen-Masse, die L, Ba, Cu und O umfaßt (in für eine Verbindung der Formel L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ ausreichenden Mengen), zuerst durch Druckanwendung komprimiert. Normalerweise ist ein Druck von im allgemeinen etwa 6 x 10&sup6; kg/m² (9000 psi) bis etwa 8 x 106 kg/m² (11.000 psi) erforderlich, damit die Teilchen zusammengehalten werden und das Mengen-Material gebildet wird. Wenn L Yttrium ist, beträgt der Druck etwa 7 x 106 kg/m² (10.000 psi). Das Verdichtungsverfahren ergibt vorzugsweise Stäbe mit Abmessungen von etwa 6 bis 24 mm x 4 bis 16 mm x 30 bis 65 mm. Die Stäbe sichern eine gleichmäßigere Wärmeverteilung im Komplex und tragen außerdem zu gewünschten Länge der Körner bei.
- Das verdichtete Pulver wird dann vorzugsweise in Luft bei einem Druck von etwa 0 bis etwa 2 kbar und bei einer Temperatur von etwa 40 bis etwa 90ºC unter seinem Schmelzpunkt gesintert. Wenn L zum Beispiel Yttrium ist, wird die Masse etwa 24 Stunden auf etwa 920 bis etwa 960ºC erwärmt.
- Die bevorzugten Stäbe werden vorzugsweise vor dem Erwärmen teilweise auf eine Dicke von etwa 1,25 mm bis etwa 2,5 mm aufgeschnitten. Das Schneiden erfolgt vorzugsweise mit einer Diamantsäge.
- Danach wird das gesinterte Produkt zersetzt. Dazu wird es während eines angemessenen Zeitraums, im allgemeinen etwa 6 bis etwa 12 Minuten, in einer Kammer erwärmt, die auf eine Temperatur von etwa 80 bis etwa 190ºC über den Schmelzpunkt des festen Produktes, im allgemeinen etwa 1090 bis 1200ºC, vorgewärmt wurde. Durch schnelles Erwärmen der Probe (etwa 20 Sekunden) über deren Peritektikumtemperatur wird die Bildung von Eutektika bei geringer Temperatur vermieden. Wenn das Oxid Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ ist, wird die Masse etwa 8 bis 12 Minuten, besonders bevorzugt 10 Minuten, auf eine Temperatur von etwa 1100ºC erwärmt. Bei dieser Temperatur schmilzt die 123-Phase inkongruent in Y&sub2;BaCuO&sub6; und eine flüssige Phase.
- Danach wird die Probe in zwei getrennten Phasen abgekühlt. In der ersten Phase wird die gesamte Zusammensetzung schnell auf eine Temperatur von etwa 10 bis 40ºC über dem Schmelzpunkt des Materials, im allgemeinen etwa 1010 bis etwa 1040ºC, gekühlt. Wenn L Yttrium ist, wird die geschmolzene Zusammensetzung in weniger als etwa 5 Minuten schnell auf 1030ºC gekühlt. In der zweiten Phase wird die Zusammensetzung langsam mit etwa 100 pro Stunde abgekühlt, so daß sie der Peritektikum- Transformation unterliegt, bis die Temperatur des stabilen Zustands, etwa 20 bis etwa 40ºC unter dem Schmelzpunkt des Oxids, erreicht ist. Die Temperatur des stabilen Zustands liegt im allgemeinen bei etwa 960 bis etwa 1000ºC. Beim langsamen Kühlen über die Temperatur des Peritektikums reagiert die zersetzte Phase, wodurch die 1-2-3-Phase gebildet wird. Bei diesem Verfahren existiert in der Probe kein Wärmegradient, und die gesamte Probe erstarrt gleichmäßig mit geringer Geschwindigkeit über den Punkt des Peritektikums. Wenn L Yttrium ist, wird die Zusammensetzung im allgemeinen innerhalb von 50 Stunden um 100 pro Stunde von etwa 1030 bis etwa 980ºC gekühlt. Die Abkühlgeschwindigkeit ist primär dafür verantwortlich, daß die Körner des Supraleiters gebildet und nahezu parallel zueinander angeordnet werden. Beim Kühlen wachsen die Körner bis zu einer Länge von etwa 10.000 bis etwa 15.000 µm. Die Probe wird ausreichend lange bei der Temperatur des stabilen Zustands gehalten, damit das Erstarrungsverfahren abgeschlossen ist. Beim Oxidkomplex Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ wird die Probe etwa 8 Stunden bei 980ºC gehalten, damit die Erstarrung abgeschlossen wird.
- Danach wird die Probe mit einer solchen Geschwindigkeit weiter gekühlt, daß die Bildung von winzigen Rissen minimiert wird. Dies erfolgt im allgemeinen durch Kühlen der Körner in Luft mit etwa 60ºC pro Stunde auf etwa 400ºC unter ihrem Schmelzpunkt. Bei einer Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ-Zusammensetzung wird die Probe zum Beispiel in etwa 5,5 bis etwa 6,5 Stunden von 980ºC auf etwa 550 bis etwa 650ºC gekühlt. Diese Abkühlungsgradient bewirkt, wenn überhaupt, nur eine geringe Unterbrechung der nahezu parallelen Ausrichtung der Körner.
- Die Umwandlung des Kristallgitters des Komplexes aus einem nicht supraleitenden Zustand in einen supraleitenden Zustand, bei dem der orthorhombische Aufbau des Kristallgitters sein Maximum erreicht, wird durch anschließendes Kühlen des Komplexes in Luft auf eine Temperatur von etwa 600ºC unter dem Schmelzpunkt erzielt. Die Abkühlungsgeschwindigkeit beträgt etwa 30ºC pro Stunde. Bei der Zusammensetzung Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ wird der Komplex in den supraleitenden Zustand überführt, wenn er in etwa 6,5 Stunden von etwa 550 bis etwa 650ºC auf etwa 380 bis etwa 420ºC gekühlt wird.
- Dann wird die für die Formel L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+δ erforderliche Sauerstoffmenge in die orthorhombischen Körner verteilt. Dies erfolg durch ausreichend langes Tempern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre. Der resultierende Kristall hat die Perowskit- Struktur.
- Der Temperschritt umfaßt beim erfindungsgemäßen Verfahren vorzugsweise drei verschiedene Schritte. Alle Schritte erfolgen in Gegenwart von Sauerstoff. Beim ersten Schritt wird die Probe etwa 11 bis 13 Stunden auf eine Temperatur von etwa 580 bis etwa 620ºC erwärmt. Beim zweiten Schritt wird die Probe innerhalb des gleichen Zeitraums bei einer Temperatur von etwa 100ºC unterhalb der des ersten Schritts getempert, und zwar bei etwa 480 bis etwa 520ºC. Beim letzten Schritt wird die Probe etwa 11 bis 13 Stunden bei einer Temperatur von etwa 380 bis etwa 420ºC getempert. Dieser dreistufige Temperschritt verbessert die Diffusion von Sauerstoff in den Komplex, wodurch die Entstehung des orthorhombischen Zustandes verbessert wird.
- Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Herstellung von Supraleitermaterialien mit deutlich größeren Abmessungen und einem deutlich größeren Volumen als Produkte, die nach herkömmlichen Verfahren hergestellt wurden. Außerdem werden die supraleitenden Oxide mit vorgegebenem Volumen bei diesem Verfahren in einem Bruchteil der Zeit hergestellt, die bei herkömmlichen Verfahren erforderlich ist. Bei den bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung kann zum Beispiel ein Supraleitermaterial mit einem Volumen von mehr als 6500 mm³ in etwa 130 Stunden hergestellt werden.
- In den Fig. 1 und 2 sind Rasterelektronenmikroskopaufnahmen der nach dieser Erfindung hergestellten Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O&sub6;+ δ-Oxidzusammensetzung mit einer 300- bzw. 150fachen Vergrößerung gezeigt, wobei δ 0,7 bis 1,0 beträgt. Die nach der Erfindung hergestellten Oxide bestehen aus zwei langen plattenförmigen Körnern, die typischerweise eine Länge von 10.000 bis etwa 15.000 µm und eine Breite von etwa 20 µm haben. Die Plattenachse stimmt mit der Richtung a-b in der supraleitenden Schicht der orthorhombischen Phase überein. Fig. 3 zeigt die gleiche Zusammensetzung in einer optischen Aufnahme bei 40facher Vergrößerung. Die parallelen Platten werden durch eine Länge von etwa 10.000 bis 15.000 µm gekennzeichnet. Die Länge der Körner verbessert das Stromleitvermögen beträchtlich. Die länglichen Körner des erfindungsgemäßen Oxids und die kristallographische Ausrichtung der Körner entlang der supraleitenden Richtung sind für den Suprastromfluß sehr vorteilhaft, wodurch die Supraleiter höhere J-Werte als die aus dem Stand der Technik aufweisen können.
- In einer Kugelmühle wurden 15 Gew.% Y&sub2;O&sub3;, 53 Gew.% BaCO&sub3; und 32 Gew.% CuO gemischt. Die Mischung wurde in einen geschlossenen Platinbehälter gegeben, der dann in Luft mit etwa 7ºC pro Minute bis zu einer Temperatur von 940ºC erwärmt wurde. Die Mischung konnte etwa 24 Stunden bei dieser Temperatur reagieren. Probestäbe mit einer Abmessung von 12,7 mm x 7,6 mm x 63,5 mm wurden durch Kaltpressen (bei Raumtemperatur) der Oxidmischung bei einem Druck von 7 x 10&sup6; kg/m² (10.000 psi) erhalten. Die Stäbe wurden dann teilweise zu Teilstücken mit einer Dicke von 2,5 mm geschnitten. Die Proben wurden anschließend 10 Minuten in einem vorgewärmten Ofen erwärmt, der bei 1100ºC gehalten wurde.
- Dann wurde die Probe schnell auf 1030ºC gekühlt und danach mit von 100 pro Stunde auf 980ºC abgekühlt. Die Probe wurde 8 Stunden bei 980ºC gehalten und dann mit etwa 60ºC pro Stunde auf 600ºC gekühlt. Die Probe wurde dann mit etwa 30ºC pro Stunde langsam weiter auf 400ºC gekühlt. Danach wurde die Probe 12 Stunden bei jeweils 600, 500 und 400ºC unter Sauerstoff getempert.
- Die Stromdichte J wurde bei 77 K geprüft. Die Strommessungen erfolgten mit einer Gleichstromquelle mit einer Leistung von 120 A (HP-Modell 6011 A) und dem Nanovoltmeter Keithley 181. Durch eine Reihe von Leistungstransistoren, die von einer Impulsquelle gesteuert werden, wurde ein Impulsstrom mit bis zu 120 A erzeugt. Bei einem Impuls von 1 ms betrug J bei einem Magnetfeld von Null 75.000 A/cm², und bei einem Magnetfeld von 0,6 T war der J-Wert größer als 37.000 A/cm². Bei Gleichstrom und einem Magnetfeld von Null wurde J bei 77 K mit einem Wert von mehr als 18.500 A/cm² gemessen.
- Proben, die im wesentlichen wie in Beispiel 1 aufgeführt hergestellt worden waren, wurden entlang der Ebene a-b auf Abmessungen von 0,4 mm x 0,2 bis 0,4 mm x 10 mm geschnitten. Es erfolgten Messungen bei 77 K mit sowohl kontinuierlichem Gleichstrom (HP-Modell 6011A) als auch Impulsgleichstrom, wie in Beispiel 1 aufgeführt. Die Messungen der Impulsstromdichte dienten der Minimierung des Effektes der Berührungsheizung und dem Erhalt der wirklichen Stromleitungskapazität dieser Proben. Bei den Messungen wurden Impulsbreiten im Bereich von 1 bis 10 ms verwendet. Es wurden Silberkontakte und Silberleiter verwendet, und die Proben wurden mit den Kontakten bei 500ºC unter Sauerstoff getempert. Der spezifische Widerstand der Kontakte bei 77 K beträgt etwa 1 µOhm cm². Die
- Proben konnten innerhalb veränderlicher Zeiträume von bis zu 150 s bis zu 30 A halten. Bei diesen Stromwerten lag der Spannungsabfall innerhalb der Probe konstant bei 1 µV/cm.
- Der Strom und der Spannungsabfall innerhalb der Probe wurden mit einem Digitaloszilloskop (Nicolet, Modell 2090) gemessen. Bei den Messungen wurde ein Strom mit bis zu 110 A verwendet. Der Störpegel des Signals des Spannungsabfalls innerhalb der Probe betrug etwa 50 µV; er blieb unabhängig vom durch die Probe geleiteten Strom unverändert. Die wiederholten Meßergebnisse dieser Proben sind in Tabelle 1 gezeigt. TABELLE 1 Impulsbreite (ms) Magnetfeld T (G) Stromdichte (A/cm²) ∞ (Gleichstrom)
- Wie aus Tabelle 1 ersichtlich zeigten die Proben ohne Magnetfeld eine Stromdichte von mehr als 62.000 A/cm², wenn sie mit einem Impuls von 10 ms geprüft wurden, und von mehr als 75.000 A/cm², wenn ein Impuls von 1 ms verwendet wurde. Die in einem Magnetfeld mit 0,6 T (6000 G) geprüften Proben zeigten bei einem Impuls von 1 ms eine Stromdichte von mehr als 37.000 A/cm². Bei allen Versuchen blieben die Proben bis zum Ende der Messungen im supraleitenden Zustand und wurden nicht in den normalen Zustand überführt.
- Eine Probe, die im wesentlichen wie in Beispiel 1 aufgeführt hergestellt worden war, wurde zu Abmessungen von 5 mm x 5 mm x 2 mm geschnitten. Die Probe wurde auf etwa 77 K abgekühlt und auf eine Glasscheibe gelegt. Danach wurde die Probe etwa 1 Minute einem Magnetfeld mit etwa 0,8 T (8000 Gauß) ausgesetzt. Es wurde ein eingeschlossenes Feld von 0,128 T (1280 Gauß) aufgezeichnet, das durch Anordnung einer Hallsonde neben der Mitte der Probe bestimmt wurde.
- Es erfolgten Messungen von dünnen Platten einer Probe, die im wesentlichen wie in Beispiel 1 aufgeführt hergestellt worden war. Die dünnen Platten wurden geschnitten und mit Sandpapier mit 0,3 µm geschliffen. Eine Probe (1 mm dick, mit einer Fläche von 4 x 5 mm²) wurde abgeschnitten, wobei die c-Achse zu ihrer Oberfläche senkrecht war. Diese Probe wird als zur c-Achse senkrechte Probe bezeichnet. Bei der Probe liegt der durch Radiofrequenz induzierte Stromfluß in der Ebene a-b. Fig. 4 zeigt die Ausrichtung der kornorientierten Probe zum Radiofrequenzstrom schematisch. Die zweite Probe (1 mm dick, mit 10 x 5 mm²) wies die c-Achse parallel zur Ebene a-c auf. Diese Probe wird nachfolgend als zur c-Achse parallele Probe bezeich net. Bei dieser Probe liegt der durch Radiofrequenz induzierte Stromfluß in der Ebene, die zur Ebene a-b senkrecht ist.
- Die Messungen der Oberflächenimpedanz erfolgten nach D. Kajfez, E.J. Hwan, IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques, Bd. Mtt-32, 666 (1984) in einem zylindrischen Hohlraumresonator aus Kupfer des TE&sub0;&sub1;&sub1;-Modus mit einer Seitenplatte aus dem supraleitenden Material von Beispiel 1. Die Aperturkopplung erfolgte durch die Seite des Hohlraumkörpers. Die Kühlung des Hohlraums erfolgte durch ein Kryostatverfahren mit geschlossenem Heliumkreis bei 15 bis 300 K.
- Der Leerlaufgütefaktor des Hohlraums wurde nach dem Ginzton- Impedanzverfahren mit einer Testreihe von 75 bis 100 GHz gemessen, das dem Netzwerkberechner HP8510 angepaßt war. (Siehe E.L. Ginzton, "Microwave Measurements", McGraw-Hill, New York (1957)).
- Fig. 5 zeigt den Oberflächenwiderstand im Verhältnis zur Temperatur für beide Ausrichtungen der Probe bei 98 GHz. Bei 77 K und 98 GHz beträgt der Oberflächenwiderstand für die zur c-Achse parallele Probe 120 mohm, während der Oberflächenwiderstand für die Ebene a-b nur 60 mohm beträgt. Bei oder unterhalb etwa 60 K beträgt der Oberflächenwiderstand in der Ebene a-b etwa 5 mOhm.
- Wie aus der vorstehenden Beschreibung leicht ersichtlich, kann der Fachmann weitere Verbesserungen und Modifikationen vornehmen. Nach umfangreicheren Aspekten ist die Erfindung deshalb nicht auf die gezeigten und beschriebenen bestimmten Beispiele begrenzt. Deshalb können von den im Beispiel gezeigten Details Abweichungen vorgenommen werden, ohne daß vom Gedanken oder Schutzumfang des beschriebenen allgemeinen Konzeptes der Erfindung abgewichen wird.
Claims (21)
1. Hochtemperatur-supraleitende Mengen-Zusammensetzung,
umfassend ausgerichtete Körner der Formel
L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O6+δ
in der L ein Seltenerdelement ist und δ einen Zahlenwert
von etwa 0,5 bis etwa 1,0 hat, und wobei bei 77 K die
Mengen-Zusammensetzung bei einem Magnetfeld von Null
eine Stromdichte von mehr als 70.000 A/cm² und bei einem
Magnetfeld von 0,6 T eine Stromdichte von mehr als 37.000
A/cm² besitzt.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei bei 77 K und einem
Magnetfeld von Null die Zusammensetzung eine
Gleichstromdichte von mehr als 18.500 A/cm² hat.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bt der
Zusammensetzung, befindet sie sich in einem externen
Magnetfeld von etwa 0,8 T (8000 Gauß), größer oder gleich
0,1 T (1000 Gauß) ist.
4. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei
bei 98 GHz und bei oder unter 60 K in der Zusammensetzung
der Oberflächenwiderstand der kristallographischen
Grundebene a-b kleiner oder gleich 6 mOhm ist.
5. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei
L ausgewählt ist aus Scandium, Yttrium, Lanthan, Cer,
Praseodym, Neodym, Samarium, Europium, Gadolinium,
Terbium, Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium
und Lutetium.
6. Zusammensetzung nach Anspruch 5, wobei das
Seltenerdelement Yttrium ist.
7. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei
die Körner mit der kristallographischen Grundebene a-b
zueinander parallel gestapelt sind.
8. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei
die Körner eine Perowskit-Struktur haben.
9. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei
die Körner eine Länge von etwa 10 bis etwa 15 mm, eine
Breite von etwa 5 bis etwa 10 mm und eine Dicke von etwa
16 bis etwa 20 µm haben.
10. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei
die Körner ausgerichtet sind durch Kühlen einer
Schmelzprobe über deren Peritektikumtemperatur hinweg.
11. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden
Metalloxidkomplexes, umfassend die Schritte:
(a) Sintern einer verdichteten festen Masse bei
einer Temperatur von etwa 40 bis etwa 90ºC unter ihrem
Schmelzpunkt, wobei die feste Masse aus Verbindungen
gewonnen wird, die L, Ba, Cu und O enthalten, wobei L
ein Seltenerdelement ist, und die Verbindungsmengen zudem
so sind, daß sie die Formel L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O6+δ ergeben, in der
δ einen Zahlenwert von etwa 0,1 bis etwa 1,0 hat;
(b) Erwärmen der festen Masse in einer vorgewärmten
Kammer auf eine Temperatur von etwa 80 bis etwa 190ºC
über ihren Schmelzpunkt, bis die Masse teilweise schmilzt
und sich zersetzt;
(c) schnelles Abkühlen der Masse auf eine Temperatur
zwischen etwa 10 und etwa 40ºC über ihrem Schmelzpunkt
und dann Abkühlen der Masse mit etwa 1ºC pro Stunde auf
eine konstante Temperatur von etwa 20 bis 40ºC unter
ihrem Schmelzpunkt;
(d) Halten der Masse bei der konstanten Temperatur
bis die gesamte Masse wieder erstarrt; und
(e) Tempern der wiedererstarrten Masse in einer
sauerstoffhaltigen Atmosphäre bis die erforderliche Menge
an Sauerstoff in die Masse diffundiert ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die verdichtete feste
Masse erhalten wird durch:
(1) Mischen von festen Verbindungen, die L, Ba,
Cu und O in entsprechenden Mengen enthalten, daß sie
die Formel L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O6+δ ergeben, wobei δ einen Zahlenwert
von etwa 0,1 bis etwa 1,0 hat;
(2) Erwärmen der festen Verbindungen auf eine
Temperatur von etwa 920 bis etwa 960ºC, so daß die
Verbindungen im Festzustand umgesetzt werden;
(3) Abkühlen des Produkts der Festphasereaktion
auf Umgebungstemperatur; und
(4) Verdichten der Mischung unter Anwendung von
Druck zu einer festen Masse.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die
wiedererstarrte Masse aus Schritt (d) zuerst mit etwa 60ºC
pro Stunde von der konstanten Temperatur auf etwa 400ºC
unter ihrem Schmelzpunkt gekühlt wird, und sie dann weiter
mit etwa 30ºC pro Stunde auf etwa 600ºC unter ihrem
Schmelzpunkt gekühlt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die
wiedererstarrte Masse unter Sauerstoff bei etwa 580 bis
etwa 620ºC in einer ersten Temperaturzone, bei etwa 480
bis etwa 520ºC in einer zweiten Temperaturzone und bei
etwa 380 bis etwa 420ºC in einer dritten Temperaturzone
getempert wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die
verdichtete Feststoffmasse, ist L Yttrium, bei einer
Temperatur von etwa 920 bis 960ºC gesintert wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei die
Masse im Schritt (c) , ist L Yttrium, rasch auf eine
Temperatur von 1010 bis etwa bis 1040ºC abgekühlt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei,
ist L Yttrium, die erneut verfestigte Masse aus Schritt
(d) zuerst mit etwa 60ºC pro Stunde von der konstanten
Temperatur auf etwa 550 bis etwa 650ºC und dann weiter
mit etwa 30ºC pro Stunde auf etwa 380 bis etwa 420ºC
abgekühlt wird.
18. Erzeugnis, hergestellt nach einem der Ansprüche 11 bis
17, das bei 77 K und einem Magnetfeld von Null eine
Stromdichte von mehr als 70.000 A/cm² besitzt.
19. Erzeugnis, hergestellt nach Anspruch 18, wobei L
ausgewählt ist aus Scandium, Yttrium, Lanthan, Cer, Praseodym,
Neodym, Samarium, Europium, Gadolinium, Terbium,
Dysprosium, Holmium, Erbium, Thulium, Ytterbium und
Lutetium.
20. Erzeugnis nach Anspruch 19, wobei L Yttrium ist.
21. Verfahren zum Leiten von Strom in einem elektrisch
verlustfreien, widerstandslosen Leitermaterial, umfassend
die Schritte: Verwenden eines Metalloxidkomplexes der
Formel
L&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O6+δ
als Leitermaterial, wobei L ein Seltenerdelement ist
und δ einen Zahlenwert von etwa 0,1 bis etwa 1,0 hat,
und wobei zudem bei 77 K und einem Magnetfeld von Null
die Stromdichte der Zusammensetzung größer ist als 70.000
A/cm² und bei einem Magnetfeld von 0, 6 T die Stromdichte
größer ist als 37.000 A/cm²;
Kühlen des Metalloxidkomplexes auf oder unter eine
Temperatur, bei der der Metalloxidkomplex supraleitend
wird; und
Erregen eines elektrischen Stromflusses in dem
Metalloxidkomplex, wobei der Metalloxidkomplex auf oder
unter der Temperatur gehalten wird, bei der er
supraleitend wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/309,382 US4956336A (en) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same |
PCT/US1990/000739 WO1990009344A1 (en) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | ORIENTED GRAINED Y-Ba-Cu-O SUPERCONDUCTORS HAVING HIGH CRITICAL CURRENTS AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69024484D1 DE69024484D1 (de) | 1996-02-08 |
DE69024484T2 true DE69024484T2 (de) | 1996-07-25 |
Family
ID=23198002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69024484T Revoked DE69024484T2 (de) | 1989-02-10 | 1990-02-08 | Yttrium-barium-kupfer-sauerstoff-supraleiter mit gerichteten kristalliten und hoher kritischer stromdichte sowie verfahren zur ihrer herstellung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4956336A (de) |
EP (1) | EP0457851B1 (de) |
JP (1) | JP3110451B2 (de) |
AT (1) | ATE132122T1 (de) |
AU (1) | AU5417790A (de) |
CA (1) | CA2048622A1 (de) |
DE (1) | DE69024484T2 (de) |
WO (1) | WO1990009344A1 (de) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2651481B2 (ja) * | 1987-09-21 | 1997-09-10 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 超伝導材料の作製方法 |
US5278137A (en) * | 1988-06-06 | 1994-01-11 | Nippon Steel Corporation | YBa2 Cu3 O7-y type oxide superconductive material containing dispersed Y2 BaCuO5 phase and having high critical current density |
US5084436A (en) * | 1989-01-31 | 1992-01-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Oriented superconductor containing a dispersed non-superconducting phase |
EP0385485A3 (de) * | 1989-03-03 | 1991-01-16 | Hitachi, Ltd. | Oxidischer Supraleiter, supraleitender Draht und Spule bei Verwendung desselben und Methode zu dessen Herstellung |
EP0423375B1 (de) * | 1989-05-02 | 1994-09-21 | Nippon Steel Corporation | Oxydsupraleiter und verfahren zur herstellung |
DE3923845A1 (de) * | 1989-07-19 | 1991-01-31 | Hoechst Ag | Dichte, supraleitende koerper mit textur |
US5340794A (en) * | 1989-08-02 | 1994-08-23 | Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand | Flux pinning in superconducting cuprates |
US7667562B1 (en) * | 1990-02-20 | 2010-02-23 | Roy Weinstein | Magnetic field replicator and method |
CA2038975C (en) * | 1990-03-26 | 1997-01-07 | Yasuko Torii | Thallium oxide superconductor and method of preparing the same |
EP0453615B1 (de) * | 1990-04-27 | 1994-01-26 | Industrial Technology Research Institute | Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte |
JP2688455B2 (ja) * | 1990-12-20 | 1997-12-10 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法 |
JP2871258B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-03-17 | 日本碍子株式会社 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
KR100209580B1 (ko) * | 1991-08-31 | 1999-07-15 | 이형도 | 이트륨계 초전도체의 제조방법 |
DE69224605T2 (de) * | 1991-11-28 | 1998-11-05 | Int Superconductivity Tech | Kupferoxid-Supraleiter, Verfahren zu seiner Herstellung und dabei verwendete Kupferverbindung |
US5306700A (en) * | 1992-09-01 | 1994-04-26 | The Catholic University Of America | Dense melt-based ceramic superconductors |
DE4322533A1 (de) * | 1993-07-07 | 1995-01-12 | Leybold Durferrit Gmbh | Verfahren zur Herstellung supraleitender Keramiken und die Kermiken selbst |
DE4420322C2 (de) * | 1994-06-13 | 1997-02-27 | Dresden Ev Inst Festkoerper | YBa¶2¶Cu¶3¶O¶X¶-Hochtemperatur-Supraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5776864A (en) * | 1995-01-12 | 1998-07-07 | The University Of Chicago | Large single domain 123 material produced by seeding with single crystal rare earth barium copper oxide single crystals |
US5747426A (en) * | 1995-06-07 | 1998-05-05 | Commonwealth Research Corporation | High performance magnetic bearing systems using high temperature superconductors |
US5846912A (en) * | 1996-01-04 | 1998-12-08 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Method for preparation of textured YBa2 Cu3 Ox superconductor |
US5885379A (en) * | 1997-03-28 | 1999-03-23 | The Landover Company | Tempered powdered metallurgical construct and method |
US6361598B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-03-26 | The University Of Chicago | Method for preparing high temperature superconductor |
US6410487B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-06-25 | The University Of Chicago | Large area bulk superconductors |
US7608785B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-10-27 | Superpower, Inc. | System for transmitting current including magnetically decoupled superconducting conductors |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5157017A (en) * | 1987-06-12 | 1992-10-20 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating a superconductive body |
US4892861A (en) * | 1987-08-14 | 1990-01-09 | Aluminum Company Of America | Liquid phase sintered superconducting cermet |
AU598692B2 (en) * | 1987-08-21 | 1990-06-28 | Furukawa Electric Co. Ltd., The | Method of manufacturing superconductive products |
US4824826A (en) * | 1987-09-10 | 1989-04-25 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Millimeter size single crystals of superconducting YBa2 Cu3 O.sub. |
EP0310332A3 (de) * | 1987-09-28 | 1990-11-14 | Arch Development Corporation | Bevorzugte Orientierung von supraleitenden Metalloxidmaterialien |
JP2822451B2 (ja) * | 1988-06-02 | 1998-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 超電導体の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-10 US US07/309,382 patent/US4956336A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-08 CA CA002048622A patent/CA2048622A1/en not_active Abandoned
- 1990-02-08 AT AT90905918T patent/ATE132122T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-02-08 DE DE69024484T patent/DE69024484T2/de not_active Revoked
- 1990-02-08 EP EP90905918A patent/EP0457851B1/de not_active Revoked
- 1990-02-08 JP JP02505834A patent/JP3110451B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-08 WO PCT/US1990/000739 patent/WO1990009344A1/en not_active Application Discontinuation
- 1990-02-08 AU AU54177/90A patent/AU5417790A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0457851B1 (de) | 1995-12-27 |
WO1990009344A1 (en) | 1990-08-23 |
JP3110451B2 (ja) | 2000-11-20 |
DE69024484D1 (de) | 1996-02-08 |
US4956336A (en) | 1990-09-11 |
EP0457851A1 (de) | 1991-11-27 |
JPH04504558A (ja) | 1992-08-13 |
EP0457851A4 (en) | 1991-12-27 |
AU5417790A (en) | 1990-09-05 |
CA2048622A1 (en) | 1990-08-11 |
ATE132122T1 (de) | 1996-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69024484T2 (de) | Yttrium-barium-kupfer-sauerstoff-supraleiter mit gerichteten kristalliten und hoher kritischer stromdichte sowie verfahren zur ihrer herstellung | |
DE3887478T2 (de) | Methode zur Herstellung eines Oxid-Supraleiters. | |
DE68908215T2 (de) | Einrichtungen und Systeme, basierend auf supraleitenden Materialien. | |
DE3855371T2 (de) | Auf neuen supraleitenden Materialien basierende Anordnungen und Systeme | |
DE3855245T2 (de) | Supraleiter-Bauelement | |
DE3852440T2 (de) | Supraleitendes Mischoxidmaterial und Methode zu dessen Herstellung. | |
US5306697A (en) | Oriented grained Y-Ba-Cu-O superconductors having high critical currents and method for producing same | |
DE69423082T2 (de) | Supraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3854358T2 (de) | Supraleitendes Oxid. | |
EP0423375B1 (de) | Oxydsupraleiter und verfahren zur herstellung | |
DE68916302T2 (de) | Metalloxid-Material. | |
EP0558160B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines einkristallinen oxidischen Supraleitermaterials | |
DE68927329T2 (de) | Metalloxid-Materialien | |
DE3885125T2 (de) | Apparat mit einem supraleitenden Teil und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3853900T2 (de) | Supraleitendes Material und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE69232051T2 (de) | Material aus Metalloxid | |
DE3854493T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsupraleiters. | |
DE3853965T2 (de) | Supraleitender Verbundwerkstoff. | |
DE69032641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines oxidischen Supraleiters | |
DE3855391T2 (de) | Methode und Gerät zur Herstellung von supraleitenden keramischen Materialien | |
DE68905701T2 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitern. | |
DE68904260T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines pulvers aus supraleitfaehigem oxid auf der basis von wismut, das blei enthaelt, und verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers daraus. | |
DE68907295T2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht vom Wismut-Typ. | |
DE69426909T2 (de) | Metalloxid und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3850190T2 (de) | Anordnungen und systeme, basierend auf neuem supraleitendem material. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |