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DE68912071D1 - Dünnfilm-Transistor mit einer Speicherfunktion und Verfahren zur Verwendung eines Dünnfilmtransistors als Speicherelement. - Google Patents

Dünnfilm-Transistor mit einer Speicherfunktion und Verfahren zur Verwendung eines Dünnfilmtransistors als Speicherelement.

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Publication number
DE68912071D1
DE68912071D1 DE89120014T DE68912071T DE68912071D1 DE 68912071 D1 DE68912071 D1 DE 68912071D1 DE 89120014 T DE89120014 T DE 89120014T DE 68912071 T DE68912071 T DE 68912071T DE 68912071 D1 DE68912071 D1 DE 68912071D1
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DE
Germany
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thin film
film transistor
memory
memory element
memory function
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Application number
DE89120014T
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English (en)
Other versions
DE68912071T2 (de
Inventor
Hiroshi P D Dev Div Matsumoto
Hiroyasu P D Dev Div Ha Yamada
Nobuyuki P D Dev Div Yamamura
Shinichi P D Dev Div Shimomaki
Naohiro P D Dev Div Hamu Konya
Kyuya P D Dev Div Hamura Baba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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Priority claimed from JP63282596A external-priority patent/JPH02130837A/ja
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Priority claimed from JP1087009A external-priority patent/JPH02266570A/ja
Priority claimed from JP1989043098U external-priority patent/JPH02137053U/ja
Priority claimed from JP1989043099U external-priority patent/JPH02137054U/ja
Priority claimed from JP1117580A external-priority patent/JPH02297972A/ja
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D30/60Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/69IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors
    • HELECTRICITY
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    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D84/60Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
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DE89120014T 1988-10-28 1989-10-27 Dünnfilm-Transistor mit einer Speicherfunktion und Verfahren zur Verwendung eines Dünnfilmtransistors als Speicherelement. Expired - Fee Related DE68912071T2 (de)

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