DE68905265T2 - Glaskeramisches substrat mit einer elektrisch leitenden schicht. - Google Patents
Glaskeramisches substrat mit einer elektrisch leitenden schicht.Info
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Glimmer enthaltendes Glaskeramiksubstrat, auf dem ein elektrisch leitender Film ausgebildet ist, und im spezielleren ein derartiges Glaskeramiksubstrat mit einem darauf mit einem hohen Maß an Haftung befestigten elektrisch leitenden Film, welches Substrat es ermöglicht, daß der elektrisch leitende Film in einem gewünschten Muster mit verbesserter Genauigkeit ausgebildet wird.
- Es ist ein Glimmer enthaltendes Glaskeramiksubstrat vorgeschlagen worden, das einen elektrisch leitenden Film darauf ausgebildet hat, um einen Leiterstromkreis oder Elektroden zu schaffen, oder um das Substrat zu metallisieren, um Weichlöten oder Hartlöten zu ermöglichen. Es wird anerkannt, daß Glimmer enthaltendes Glaskeramiksubstrat frei von offenen Poren ist und hervorragende Eigenschaften aufweist, was elektrische Isolierung, Bearbeitbarkeit, Wärmeisolierung, maschinelle Bearbeitbarkeit, Korrosionsbeständigkeit und so weiter betrifft. Somit weist Glaskeramiksubstrat mit einem elektrisch leitenden Film zumindest eine dieser Eigenschaften des Substrats und bestimmte Eigenschaften des leitenden Films auf, die es gemeinsam ermöglichen, daß mit dem Substrat der angestrebte Zweck erreicht wird. Beispielsweise kann ein derartiges Glaskeramiksubstrat als eine Ausgangskonsole für Anzeigeeinheiten verwendet werden, oder als ein Schaltkreissubstrat für einen Winkeltransducer oder andere Vorrichtungen, oder ein Wärmeaufzeichnungskopf wie in der JP-A-62-238767 geoffenbart. In dieser Veröffentlichung ist der Aufzeichnungskopf so ausgebildet, daß ein Druckfarbenfilm mit Strom versorgt wird, um elektrothermisches Drucken von Bildern auf einem Aufzeichnungsmedium zu bewirken.
- Jedoch leidet das herkömmliche Glaskeramiksubstrat wie oben beschrieben an einem geringen Grad an Haftung des elektrisch leitenden Films bezogen auf das Substrat. Um die Haftung des Films zu verbessern, kann die entsprechende Oberfläche des Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstrats in einem gewissen Ausmaß aufgerauht werden, sodaß der elektrisch leitende Film fest an der aufgerauhten Oberfläche des Substrats haftet. Während dieses Verfahren die Haftung des Films auf dem Substrat wirksam erhöht, besteht immer noch ein weiteres Problem, nämlich, daß die aufgerauhte Oberfläche des Substrats zum Aufrauhen der Oberfläche des elektrisch leitenden Films führen kann, wodurch die physikalischen Eigenschaften und die Konfiguration des elektrisch leitenden Films beeinflußt werden. Beim Umwandeln des auf dem Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstrat ausgebildeten leitenden Films in ein gewünschtes Muster mittels eines Ätzverfahrens ist es unter einem gewissen negativen Einfluß des im Substrat enthaltenen Glimmers schwierig, einen ausreichenden Grad an Maßgenauigkeit für ein gewünschtes Muster des Films beim Ätzverfahren zu schaffen, auch wenn die Oberfläche des Substrats, auf welcher der Film ausgebildet ist, glatt bleibt (d.h. sie nicht aufgerauht ist). Wenn die Oberfläche des Substrats zwecks erhöhter Haftung des Films rauh gemacht wird, wird es wegen der aufgerauhten Oberfläche des Substrats zusätzlich zum oben erwähnten Einfluß des Glimmers weiters schwierig, ausreichende Maßgenauigkeit bei einem Musterbildungsverfahren des elektrisch leitenden Films zu bieten, insbesondere, was die Geradheit des erhaltenen Musters betrifft.
- Die vorliegende Erfindung wurde im Licht der obigen beim Stand der Technik anzutreffenden Probleme entwickelt. Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Glimmer enthaltendes Glaskeramiksubstrat zu schaffen, das einen mit einem hohen Haftungsgrad darauf befestigten elektrisch leitenden Film aufweist, und in dem die Bildung eines vom Film erhaltenen gewünschten Musters mit hoher Maßgenauigkeit bewirkt wird.
- Gemäß dem Prinzip der vorliegenden Erfindung wird ein Glaskeramiksubstrat geschaffen, das Glimmer enthält und einen elektrisch leitenden Film darauf ausgebildet hat, welches eine Verbindungsschicht umfaßt, die aus einem zumindest Siliziumoxid umfassenden Material besteht und auf einem Abschnitt von zumindest einer der Oberflächen des Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstrats ausgebildet ist, wobei der elektrisch leitende Film auf der Verbindungsschicht ausgebildet ist und einen Hauptbestandteil aufweist, der aus zumindest einem Element besteht, das aus der aus Aluminium, Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal und Chrom bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Das vorliegende Glaskeramiksubstrat, das gemäß vorliegender Erfindung konstruiert ist, weist ein hohes Maß an Haftung des Films auf dem Substrat und hervorragende Bearbeitbarkeit beim Ätzverfahren des Films auf, wodurch die Eigenschaften des Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstrats und die des elektrisch leitenden Films optimal ausgenutzt werden. Deshalb wird das Glaskeramiksubstrat gemäß vorliegender Erfindung auf geeignete Weise beispielsweise als ein Bedienungspult, Stromkreissubstrat oder Aufdruckkopf verwendet, die für verschiedene Zwecke eingesetzt werden.
- Die vorliegende Erfindung basiert auf der folgenden Analyse des herkömmlichen Glaskeramiksubstrats mit einem darauf ausgebildeten elektrisch leitenden Film durch die Erfinder. Es wird allgemein anerkannt, daß ein zumindest ein Element wie Aluminium, Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal und Chrom enthaltender elektrisch leitender Film realtiv gut auf gewöhnlichen Glasubstraten haftet, nicht aber auf Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstraten. Eine Untersuchung der Ursache dieser relativ schlechten Haftung zwischen dem Film und dem glimmerhältigen Glaskeramiksubstrat zeigte, daß die Bindungsfestigkeit zwischen Glimmer und Glas angrenzend an die Oberfläche des Substrats und die Haftfestigkeit des Films bezogen auf Glimmer an der Oberfläche des Substrats beide relativ gering sind. Die Untersuchung zeigte auch, daß Glimmer auf der Oberfläche des Substrats die Geradheit oder Ebenheit und Gleichmäßigkeit der Oberfläche des Substrats beeinträchtigt, und folglich einen negativen Einfluß auf die physikalischen Eigenschaften des elektrisch leitenden Films hat, was zu geringer Maßgenauigkeit bei der Musterausbildung am elektrisch leitfähigen Film durch Ätzen führt.
- Die Erfinder führten auf Basis der oben beschriebenen Analyse eine weitere Untersuchung durch und entdeckten Vorteile durch das Schaffen einer Verbindungsschicht aus einem Material, das Siliziumoxid umfaßt, sodaß die Verbindungsschicht auf einem Abschnitt auf einer der gegenüberliegenden Oberflächen des Glaskeramiksubstrats ausgebildet ist. In diesem Fall ist die Verbindungsschicht fest mit der Oberfläche des Substrats verbunden und haftet gleichzeitig fest am elektrisch leitenden Film. So wird das Glaskeramiksubstrat erzielt, das mit dem elektrisch leitenden Film versehen ist, bei dem die Verbindungsschicht verwendet wird, um die Haftung zwischen dem Substrat und dem elektrisch leitenden Film zu erhöhen. Das Vorsehen einer Verbindungsschicht, die Siliziumoxid umfaßt, hat einen weiteren Vorteil. Die Verbindungsschicht dient nämlich dazu, Glimmer abzudecken, der auf der Oberfläche des Substrats erscheint, sodaß die Oberfläche des Substrats glatt genug sein kann, um den negativen Einfluß von Glimmer auf die Ätzgenauigkeit des elektrisch leitenden Films zu vermindern. Deshalb wird der dem Ätzverfahren unterzogene elektrisch leitende Film mit hoher Maßgenauigkeit in einem gewünschten Muster ausgebildet. Somit weist das Glaskeramiksubstrat, bei dem der elektrisch leitende Film wie oben konstruiert ist, sowohl ein hohes Maß an Hartung zwischen dem Substrat und dem Film als auch eine hohe Maßgenauigkeit eines vom Film durch das Ätzverfahren erhaltenen Musters auf.
- Die Bildung der Siliziumoxid umfassenden Verbindungsschicht auf einem bestimmten Abschnitt der Oberfläche des Glaskeramiksubstrats kann durch ein geeignetes Verfahren zum Bilden eines dünnen Films wie Vakuumbedampfen, Sputtern, Ionenplating, Abscheidung mittels ionisiertem Clusterstrahl und CVD (Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren) erreicht werden. Alternativ dazu kann die Oberfläche des Glaskeramiksubstrats zuerst durch ein geeignetes Verfahren wie Schleudern, Eintauchen, Sprühen oder Streichen mit einer Lösung versehen oder beschichtet werden, die zumindest eine Siliziumverbindung enthält, vorzugsweise mit einer Lösung, die zumindest ein aus Siliziumalkoxid, Kieselsäure, einer organischen Siliziumverbindung und Silikagel ausgewähltes Material enthält, und dann einer geeigneten Wärmebehandlung unterworfen werden. Es ist auch möglich, ein geeignetes Aufdruckverfahren einzusetzen, bei dem eine aus Quarzglas hergestellte Paste auf die Oberfläche des Substrats aufgedruckt wird und dann der Wärmebehandlung unterworfen wird. Jedoch ist es, was die Bindungsfestigkeit der Schicht bezogen auf das Substrat und das Verhindern von Rissen betrifft, die auf der Verbindungsschicht auftreten können, am meisten vorzuziehen, die Verbindungsschicht durch das oben beschriebene Schleudern, Eintauchen und andere Beschichtungsverfahren zu bilden, bei denen eine Lösung verwendet wird. Wenn die Verbindungsschicht mit einer relativ großen Dicke durch das Beschichtungsverfahren ausgebildet wird, ist es vorzuziehen, das aus dem Beschichtungsschritt unter Verwendung der oben beschriebenen Lösung und dem darauffolgenden Wärmebehandlungsschritt bestehende Verfahren zu wiederholen, um die Verbindungsschicht mit einer gewünschten Dicke zu schaffen.
- Die Dicke der Verbindungsschicht ist, was die Haftung bezüglich des Substrats und das elektrisch leitenden Films, die Musterungsgenauigkeit des Films und die Glätte oder Geradheit des Substrats betrifft, vorzugsweise innerhalb eines Bereiches von 0,1 bis 20 um ausgewählt. Mehr bevorzugt ist die Dicke der Bindungsschicht innerhalb eines Bereiches von 0,32 bis 3 um ausgewählt, sodaß die Oberfläche der Verbindungsschicht vor unerwünschten Rissen geschützt werden kann.
- Die der vorliegenden Erfindung zugeordnete Verbindungsschicht wird, vom Standpunkt der Haftung der Schicht und der Glätte des Substrats, vorzugsweise Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 200 bis 1000ºC unterworfen, bevor der elektrisch leitende Film auf die Verbindungsschicht des Substrats aufgebracht wird. Mehr vorzuziehen wird die Wärmebehandlung bei einer Temperatur in einem Bereich von 400 bis 800ºC durchgeführt, um ungünstige Risse zu vermeiden, die auf der Verbindungsschicht auftreten können. Diese Wärmebehandlung wird im allgemeinen unter Umgebungsluft durchgeführt.
- Gemäß vorliegender Erfindung kann das in der Verbindungsschicht enthaltene Siliziumoxid im Polykristall- oder Glaszustand oder in irgend einem anderen Zustand vorliegen. Jedoch wird es vorgezogen, daß die Verbindungsschicht Siliziumoxid im Glaszustand umfaßt, weil bei einer derartigen Verbindungsschicht die Wahrscheinlichkeit von Rissen geringer ist.
- Des weiteren wird das Glaskeramiksubstrat, auf dem die Verbindungsschicht gemäß vorliegender Erfindung ausgebildet wird, durch das Sintern von Glimmer unter Verwendung eines Glases als Bindemittel gebildet, oder durch Kristallisieren eines Glases durch Wärmebehandlung, um Glimmer zu erzeugen. Während der im Glaskeramiksubstrat enthaltene Glimmergehalt je nach den beabsichtigten Zwecken und erforderlichen Eigenschaften des Substrats mit dem elektrisch leitenden Film ausgewählt ist, beträgt der Glimmergehalt im Substrat im allgemeinen etwa 30 bis 80 Gew.-% (Glas: 70 bis 20 Gew.-%), und ist vorzugsweise innerhalb eines Bereiches von 50 bis 70 Gew.-% (Glas: 50 bis 30 Gew.-%) ausgewählt.
- Der auf dem erfindungsgemäßen Substrat ausgebildete elektrisch leitende Film weist einen Hauptbestandteil oder -bestandteile auf, der/die aus zumindest einem Element besteht/bestehen, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die Aluminium, Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal und Chrom enthält. Mit anderen Worten, der Film besteht aus zumindest einem Metall, das aus den oben angegebenen Elementen ausgewählt ist, einer Legierung, die zumindest eines dieser Metallelemente enthält, oder einer elektrisch leitenden Verbindung, die zumindest eines dieser Elemente enthält. Von den oben angegebenen Metallen wird, was seine leichte Ätzbarkeit und seine Haftung auf der Verbindungsschicht betrifft, vorzugsweise zumindest eines der Metalle verwendet, die aus der aus Wolfram, Molybdän, Titan und Chrom bestehenden Gruppe ausgewählt sind, um den elektrisch leitenden Film auszubilden. Besonders Chrom wird bevorzugt. Die oben angegebene Legierung und Verbindung kann vorzugsweise Stickstoff enthalten, und, was mehr vorzuziehen ist, Chrom und Stickstoff enthalten. Die Bildung des elektrisch leitenden Films auf dem Substrat (Verbindungsschicht) wird nach einem geeigneten bekannten Verfahren bewirkt, wie Vakuumbedampfung, Sputtern, Ionenplating, Abscheiden durch ionisierte Clusterstrahlen und stromloses Plattieren (chemisches Plattieren). Jedoch ist das Verfahren zum Ausbilden des Films nicht auf die oben angeführten beschränkt, sondern es können auch andere Verfahren auf geeignete Weise eingesetzt werden.
- Bei der Herstellung des Glaskeramiksubstrats mit dem darauf ausgebildeten elektrisch leitenden Film ist es vorzuziehen, daß der Film und die Verbindungsschicht der Wärmebehandlung unterworfen werden, nachdem der Film auf der Verbindungsschicht ausgebildet ist, um ein hohes Maß an Haftung zwischen dem Film und der Verbindungsschicht zu schaffen. In diesem Fall wird die Wärmebehandlung bei einer Temperatur vorzugsweise innerhalb eines Bereiches von 500 bis 1000ºC, mehr vorzuziehen innerhalb eines Bereiches von 800 bis 1000ºC durchgeführt. Des weiteren wird die Wärmebehandlung in einer nichtoxidierenden Atmosphäre durchgeführt, sodaß der elektrisch leitende Film eine hohe Leitfähigkeit beibehalten kann. Beispielsweise wird N&sub2;-Gas oder (H&sub2; + N&sub2;)-Gasgemisch vorzugsweise als die nichtoxidierende Atmosphäre verwendet. Es ist auch möglich, das Metallelement des elektrisch leitenden Films durch die in der nichtoxidierenden Atmosphäre wie oben beschrieben durchgeführte Wärmebehandlung in eine elektrisch leitende Legierung oder Verbindung umzuwandeln.
- Die obigen und wahlweisen Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch das Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung der zur Zeit bevorzugten Beispiele besser verstanden werden, wenn sie in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen betrachtet wird, in denen:
- Figur 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines Glaskeramiksubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, die ein Leitermuster aus einer Vielzahl von Streifen zeigt, das von einem auf dem Substrat ausgebildeten elektrisch leitenden Film gebildet wird.
- Figur 2 eine Teilansicht ist, um eine Art der Bewertung der Geradheit der gegenüberliegenden Seitenflächen der Streifen des Leitermusters von Figur 1 zu erklären.
- Um das Konzept der vorliegenden Erfindung klarer zu machen, werden Beispiele der Erfindung beschrieben.
- Zuerst wurde ein Glasmaterial wärmebehandelt, um Glaskeramiksubstrate herzustellen, deren Hauptbestandteile aus Borsilikatglas und Fluorphlogopit (Glimmer) bestehen. Auf den so hergestellten Substraten wurden durch ein Aufdruckverfahren unter Einsatz einer aus Quarzglas bestehenden Paste oder durch ein Eintauchverfahren, bei dem das Substrat in eine Lösung getaucht wird, deren Hauptbestandteil Siliziumalkoxid ist, jeweilige Verbindungsschichten ausgebildet, sodaß die Verbindungsschichten auf den Substraten jeweilige Stärken wie in Tabelle 1 angegeben aufweisen. Das so auf jedes Substrat aufgebrachte Material wurde dann getrocknet, und der Wärmebehandlung bei einer Temperatur unterworfen, die ebenfalls in Tabelle 1 angegeben ist. So wurden 22 Proben (Nr. 2-23) des Glaskeramiksubstrats hergestellt, auf denen ein elektrisch leitender Film ausgebildet wird. Daraufhin wurde der elektrisch leitende Film, dessen Hauptbestandteil oder -teile in Tabelle 1 angegeben ist/sind, durch eine herkömmliche Magnetronsputteringtechnik auf die Oberfläche der Verbindungsschicht auf jedem Substrat aufgebracht, sodaß der Film eine Dicke von 3 um aufwies. Dann wurde der elektrisch leitende Film auf jeder Probe einem bekannten Photoätzverfahren unterworfen, um ein Muster auszubilden, das aus 100 länglichen Leiterstreifen bestand, die jeweils eine Breite von 80 um aufwiesen, wie in Figur 1 gezeigt, und dann bei einer in Tabelle 1 angegebenen Temperatur in (H&sub2; + N&sub2;)-Gas wärmebehandelt. So wurden 22 Proben (Nr. 2-23) an Glaskeramiksubstraten mit den jeweiligen Mustern aus elektrisch leitenden Streifen gemäß vorliegender Erfindung erhalten. In Figur 1 bezeichnen die Bezugszahlen 1, 2 und 3 das Glimmer enthaltende Glaskeramiksubstrat, das oben beschriebene Leitermuster (elektrisch leitende Streifen) bzw. die zwischen dem Substrat 1 und dem Muster 2 angeordnete Verbindungsschicht. TABELLE 1 Dicke der Verbindungsschicht (um) Temperatur (ºC) Material für den leitenden Film Verfahren zum Bilden der Verbindungsschicht Eintauchen Aufdrucken 1) Temperatur der Wärmebehandlung der Verbindungsschicht 2) Temperatur der Wärmebehandlung des Glaskeramiksubstrats mit elektrisch leitendem Film
- Für die Prüfung der Eigenschaften einer jeden Probe des Glaskeramiksubstrats, versehen mit dem elektrisch leitenden Muster, wurde an jedem Substrat ein Genauigkeitsgrad beim Ätzverfahren des Films zum Ausbilden der Streifen des leitenden Musters, genauer gesagt, ein Maß der Geradheit der gegenüberliegenden Seitenflächen eines jeden der zahlreichen das Muster darstellenden Streifen, beobachtet. Das Ausmaß an Geradheit wurde durch einen Maximalwert (w) der Tiefen und Höhen der zurückversetzten und vorragenden Abschnitte 4, 5 dargestellt, die auf den gegenüberliegenden Seitenflächen der 100 Streifen ausgebildet waren, die das Muster darstellen, wie in Figur 2 gezeigt. Zum Beobachten der Haftung des elektrisch leitenden Films bezogen auf das Substrat wurden aus dem elektrisch leitenden Film auf jedem Substrat gebildete Testkissen zum Weichlöten plattiert, und flexible gedruckte Schaltungen, die als Haftungsschältestleitungen verwendet wurden, wurden mit einem Minimum an Weichlot mit den Testkissen verbunden. Diese flexiblen gedruckten Schaltungen (Testleitungen) wurden einem Schältest unterworfen, bei dem die Schaltungen (Leitungen) mit einer Rate von 20 mm/min abgezogen wurden, um die Zugkraft zu bestmmen, bei der die Schaltungen (Leitungen) von den Testkissen entfernt wurden. Der Test wurde unter Verwendung einer Universal-Zug/Druck-Testmaschine (Typ SV 50, erhältlich von IMADA SEISAKUSHO, Japan) durchgeführt. Das Ergebnis des Tests wird in Tabelle 2 angegeben.
- Aus Tabelle 2 geht hervor, daß das Glaskeramiksubstrat des Vergleichsbeispiels (Probe Nr. 1) ohne Verbindungsschicht im Vergleich zu den gemäß vorliegender Erfindung konstruierten Glaskeramiksubstraten (Nr. 2 bis 23) einen geringeren Grad an Haftung des elektrisch leitenden Films bezogen auf das Substrat aufwies, und ungenügende Geradheit bei dem vom Film erhaltenen Muster. Des weiteren wurden im Glaskeramiksubstrat des Vergleichsbeispiels einige durch den im Substrat enthaltenen Glimmer verursachte Fehler gefunden.
Claims (12)
1. Glimmer enthaltendes Glaskeramiksubstrat (1), das einen elektrisch leitenden
Film (2) darauf ausgebildet hat, umfassend:
eine Verbindungsschicht (3) aus einem Material, das zumindest Siliziumoxid
umfaßt, die auf einem Abschnitt von zumindest einer der Oberflächen des
genannten Glimmer enthaltenden Glaskeramiksubstrats ausgebildet ist; und
den genannten elektrisch leitenden Film, der auf der genannten
Verbindungsschicht ausgebildet ist und einen Hauptbestandteil aufweist, der
aus zumindest einem Element besteht, das aus der aus Aluminium, Wolfram,
Molybdän, Titan, Tantal und Chrom bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
2. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 1, worin die genannte Verbindungsschicht
durch Aufbringen einer Lösung, die zumindest eine Siliziumverbindung enthält,
auf die genannte eine Oberfläche des Glaskeramiksubstrats und darauffolgendes
Durchführen einer Wärmebehandlung der genannten Verbindungsschicht vor dem
Ausbilden des genannten elektrisch leitenden Films ausgebildet ist.
3. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 2, worin die genannte Wärmebehandlung
vor dem Ausbilden des genannten elektrisch leitenden Films bei einer Temperatur
innerhalb eines Bereiches von 200 bis 1000ºC durchgeführt wird.
4. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 3, worin die genannte Wärmebehandlung
bei einer Temperatur innerhalb eines Bereiches von 400 bis 800ºC durchgeführt
wird.
5. Glaskeramiksubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, das der
Wärmebehandlung in einer nichtoxidierenden Atmosphäre unterworfen wird, nachdem
der genannte elektrisch leitende Film auf dem Substrat ausgebildet ist.
6. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 5, worin die genannte Wärmebehandlung
nach dem Ausbilden des genannten elektrisch leitenden Films bei einer
Temperatur innerhalb eines Bereiches von 500 bis 1000ºC durchgeführt wird.
7. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 6, worin die genannte Wärmebehandlung
bei einer Temperatur innerhalb eines Bereiches von 800 bis 1000ºC durchgeführt
wird.
8. Glaskeramiksubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin die genannte
Verbindungsschicht eine Dicke aufweist, die innerhalb eines Bereiches von
0,1 bis 20 um ausgewählt ist.
9. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 8, worin die genannte Verbindungsschicht
eine Dicke aufweist, die innerhalb eines Bereiches von 0,3 bis 3 um ausgewählt
ist.
10. Glaskeramiksubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 9, worin das genannte
Glaskeramiksubstrat 30 bis 80 Gew.-% Glimmer enthält.
11. Glaskeramiksubstrat nach Anspruch 10, worin das genannte
Glaskeramiksubstrat 50 bis 70 Gew.-% Glimmer enthält.
12. Glaskeramiksubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 11, worin der genannte
elektrisch leitende Film Chrom enthält.
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JP2559285B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1996-12-04 | 株式会社イセキ開発工機 | シールド型トンネル掘削機 |
JPH07103781B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1995-11-08 | 株式会社小松製作所 | 小口径管地中掘進機の操作方法 |
US5277937A (en) * | 1992-06-03 | 1994-01-11 | Corning Incorporated | Method for controlling the conductance of a heated cellular substrate |
US6001461A (en) * | 1992-08-27 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic parts and manufacturing method thereof |
US5709958A (en) * | 1992-08-27 | 1998-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic parts |
US5399239A (en) * | 1992-12-18 | 1995-03-21 | Ceridian Corporation | Method of fabricating conductive structures on substrates |
EP0603821B1 (de) * | 1992-12-22 | 1999-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Tintenstrahldruckkopf und Herstellungsverfahren und Druckgerät mit Tintenstrahldruckkopf |
US5340641A (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-23 | Antai Xu | Electrical overstress pulse protection |
US5468561A (en) * | 1993-11-05 | 1995-11-21 | Texas Instruments Incorporated | Etching and patterning an amorphous copolymer made from tetrafluoroethylene and 2,2-bis(trifluoromethyl)-4,5-difluoro-1,3-dioxole (TFE AF) |
US6001486A (en) | 1994-07-29 | 1999-12-14 | Donnelly Corporation | Transparent substrate with diffuser surface |
US5725957A (en) * | 1994-07-29 | 1998-03-10 | Donnelly Corporation | Transparent substrate with diffuser surface |
EP0736881B1 (de) * | 1995-03-09 | 2000-05-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Elektrisches Widerstandsbauelement mit CrSi-Widerstandsschicht |
US6033787A (en) * | 1996-08-22 | 2000-03-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic circuit board with heat sink |
US6143432A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-07 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composites with improved interfacial properties and methods to make such composites |
US6323549B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-11-27 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composite wiring structures for semiconductor devices and method of manufacture |
US6310300B1 (en) * | 1996-11-08 | 2001-10-30 | International Business Machines Corporation | Fluorine-free barrier layer between conductor and insulator for degradation prevention |
US6069078A (en) * | 1997-12-30 | 2000-05-30 | Utmc Microelectronic Systems Inc. | Multi-level interconnect metallization technique |
JP2001048587A (ja) | 1999-08-17 | 2001-02-20 | Central Glass Co Ltd | 機能性膜付きガラスおよびその製造方法 |
US20020076917A1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-06-20 | Edward P Barth | Dual damascene interconnect structure using low stress flourosilicate insulator with copper conductors |
US7165323B2 (en) * | 2003-07-03 | 2007-01-23 | Donnelly Corporation | Method of manufacturing a touch screen |
US7507438B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-03-24 | Donnelly Corporation | Display substrate with diffuser coating |
JP4664060B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-04-06 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
US8354143B2 (en) * | 2005-05-26 | 2013-01-15 | Tpk Touch Solutions Inc. | Capacitive touch screen and method of making same |
JP5066836B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
EP2183701B1 (de) * | 2007-07-27 | 2018-12-05 | TPK Touch Solutions Inc. | Kapazitiver sensor und verfahren zu seiner herstellung |
US8178192B2 (en) | 2008-03-06 | 2012-05-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic green sheet, ceramic green sheet laminate, production method of ceramic green sheet, and production method of ceramic green sheet laminate |
US8610691B2 (en) | 2008-08-19 | 2013-12-17 | Tpk Touch Solutions Inc. | Resistive touch screen and method for manufacturing same |
US9213450B2 (en) * | 2008-11-17 | 2015-12-15 | Tpk Touch Solutions Inc. | Touch sensor |
CN106399942B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-08-23 | 湖北师范学院 | 一种多孔二氧化钛薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2004133C3 (de) * | 1970-01-30 | 1973-10-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Metallisierung von keramischen oder gläsernen Trägerkörpern |
US4277522A (en) * | 1977-01-03 | 1981-07-07 | Corning Glass Works | Coating glass-ceramic surfaces |
GB2006538B (en) * | 1977-10-24 | 1982-03-17 | Asahi Chemical Ind | Thin-film microcircuit board and method for making the same |
DE2906787A1 (de) * | 1979-02-22 | 1980-09-04 | Hoechst Ag | Ueberzugsmittel auf basis eines copolymeren aus tetrafluorethylen und einem perfluor(alkylvinyl)-ether |
US4414281A (en) * | 1982-02-16 | 1983-11-08 | Corning Glass Works | Glass-ceramic articles having metallic surfaces |
US4678688A (en) * | 1983-12-28 | 1987-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming a surface film of cured organosilicon polymer on a substrate surface |
US4684960A (en) * | 1984-03-23 | 1987-08-04 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Thermoelectric printing apparatus |
CH669204A5 (de) * | 1986-02-08 | 1989-02-28 | Sandoz Ag | Lagerbestaendige, waessrige reaktivfarbstoff-konzentrate. |
JPS62238767A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 記録装置 |
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