DE665416C - Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugtInfo
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die
bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt. FCs wurde bereits vorgeschlagen, zur Herstellung
solcher Photozellen auf der kristallinen lichtempfindlichen Selenschicht die lichtdurchlässige,
leitende Deckschicht im fein verteilten Zustand durch ein Aufschleuderverfahren,
z. B. das Schoopsche Aufspritzverfahren oder ein Auf preß- oder Aufreibverfahren,
aufzubringen.
Hierbei wird eine Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt und bei
der eine Selenschicht als lichtelektrischer Stoff zwischen einer Trägerelektrode und
einer durchsichtigen Elektrode angeordnet ist, in der Weise hergestellt, daß auf die
Trägerelektrode Selen aufgeschmolzen, hierauf durch eine weitere Erhitzung das Selen
formiert, d. h. in die kristalline Modifikation, überführt und nunmehr als lichtdurchlässige
Deckelektrode ein leitendes Material in fein verteiltem Zustand mit Hilfe eines Aufreibverfahrens
oder eines Aufpreßverfahrens oder eines derartigen Aufschleuderverfahrens, z. B.
des Schoopschen Aufspritzverfahrens, auf die polykristalline Oberfläche des lichtempfindlichen
Selens so aufgebracht wird, daß das Material der Deckschicht mit dem Material
der lichtempfindlichen Schicht eine innige, lückenlose Verbindung an allen Punkten der
kristallinen Oberfläche bei geringem Übergangswiderstand derart eingeht, daß die den
Elektronenaustritt hemmenden Einflüsse im Zellaufbau beseitigt werden und ein für technische
Meßzwecke ausreichender Strom entsteht.
Dabei kann die lichtempfindliche Substanzschicht auf eine aufgerauhte Trägerplatte aufgebracht
werden.
Erfmdungsgemäß wird dieses Verfahren in der Weise verbessert und weitergebildet, daß
für die Deckelektrode Woodmetall, d. h. eine Legierung aus Cadmium, Wismut, Zinn und
Blei, Verwendung findet. Es hat sich gezeigt, daß hierdurch in selten hohem Maße die
innige mechanische Verbindung der durchscheinenden Deckschicht mit der lichtempfindlichen
Schicht und damit die Erzeugung eines hohen Stromes gewährleistet ist.
Es ist auch möglich, durch Anwendung mäßiger Erwärmung eine schwache Legierung
oder oberflächliche chemische Verbindung zwischen dem Stoff der Deckelektrode und dem Stoff der lichtempfindlichen Substanzschicht
zu erzeugen.
Claims (1)
- Patentanspruch ·.Verfahren zur Herstellung einer P'hotozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt und bei der auf der kristallinen lichtempfindlichen Selenschicht die lichtdurchlässige, leitende Deckelektrode in fein, verteiltem Zustand durch ein Aufschleuderverfahren, wie z. B. das Schoopsehe Aufspritzverfahren, oder ein Aufreibe- oder Aufpreßverfahren aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß für diese Deckelektrode Woodmetall verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DEF78719D DE665416C (de) | 1930-08-13 | 1930-08-14 | Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt |
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
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DE665416C true DE665416C (de) | 1938-09-24 |
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ID=25977851
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DEF78719D Expired DE665416C (de) | 1930-08-13 | 1930-08-14 | Verfahren zur Herstellung einer Photozelle, die bei Belichtung selbst eine Spannung erzeugt |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE665416C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015542B (de) * | 1939-01-22 | 1957-09-12 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten |
-
1930
- 1930-08-14 DE DEF78719D patent/DE665416C/de not_active Expired
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DE1015542B (de) * | 1939-01-22 | 1957-09-12 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten |
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