DE683330C - Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden MetallverbindungenInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/07—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising cuprous oxide [Cu2O] or cuprous iodide [CuI]
Landscapes
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Description
Es ist bekannt, daß Metalloxyde, Sulfide, Selenide, Telluride und Metallhalogenide
lichtelektrisch 'wirksam sind, wenn man sie mit Licht geeigneter Wellenlänge bestrahlt.
S Diese Metallverbindungen verwendete man dabei zunächst in Form der in der Natur
vorkommenden Kristalle. Man konnte die lichtelektrische Wirkung dadurch nachweisen,
daß man den Kristall zwischen zwei Elektroden legte, von denen die eine zweckmäßig
eine Spitze war, wie bei der gewöhnlichen Detektoranordnung, und die durch Licht im
Innern des Kristalls ausgelösten Elektronen maß (innerer lichtelektrischer Effekt). Bei
dieser Anordnung war man von natürlichen Kristallen abhängig.
Man stellte ferner Zellen her, indem man • die obengenannten lichtelektrischen Verbindungen
auf einer Metallplatte durch deren Erhitzen in einer passenden Gas- oder Dampfatmosphäre
aufwachsen ließ. Auf ihrer freien Oberfläche wurde eine Gegenelektrode etwa in Form einer lichtdurchlässigen dünnen Metallhaut
aufgebracht, durch die hindurch die lichtelektrische Verbindung belichtet wurde (Sperrschichtzellen).
Die Erfindung bezieht sich nun auf ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung
solcher als lichtelektrisch empfmdliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen. Das Verfahren gemäß
der Erfindung besteht darin, daß das Trägermetall, dessen Verbindung hergestellt
werden soll, in der Atmosphäre eines der Elemente der Sauerstoffgruppe oder der Halogengruppe
von vermindertem Druck erhitzt wird und gleichzeitig eine Glimmentladung
zwischen dem als Kathode geschalteten Trägermetall und einer zweiten in die Gas-(Dampf-)
Atmosphäre gebrachten als Anode dienenden Elektrode hergestellt wird. Hierbei bildet sich eine dünne Schicht der entsprechenden
Metallverbindung auf der Oberfläche des Trägermetalls aus. Die lichtelektrisch wirksame Schicht, deren Dicke vorzugsweise
möglichst gering gehalten wird, etwa von der Größenanordnung 0,01 bis
0,001 mm, kann in bekannter Weise zwischen zwei Elektroden verwendet werden, wobei
eine hohe lichtelektrische Empfindlichkeit erreicht wird.
Einige Ausführungsbeispiele seien erwähnt: Erhitztes Silberblech wird "in Schwefeldampf
gebracht und eine Glimmentladung zwischen dem Silberblech und einer zweiten Elektrode erzeugt. Das Silberblech ist dabei
als Kathode geschaltet, oder
Kupfer wird in Sauerstoff von etwa ο, ι mm
Druck auf einige hundert Grad erwärmt und eine Glimmentladung wie im obigen Beispiel
*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Dr. Emil Rupp in Leipzig.
Claims (3)
- hindurchgeschickt. Die Spannung während der Entladung beträgt beispielsweise 500 bis 1000V Gleichspannung. Ein äußerer Widerstand in der Größenanordnung io4Ohm
grenzt den Glimmstrom.Gegenüber den bekannten Verfahren,
denen die Erhitzung ohne zusätzliche Glimmentladung bzw. in Ätmosphärendruck vorgenommen wird, bietet das Verfahren gemäß der Erfindung verschiedene Vorteile. Da die Glimmentladung in der Dampf- (Gas-) Atmosphäre Jonen mit einfacher und doppelter Ladung sowie metastabile Atome bildet, die besonders aktionsfähig sind, kann die Erhitzungstemperatur beispielsweise von 1000 auf 600 bis 8oo° C herabgesetzt werden. Infolgedessen wird das Verfahren auch bei Metallen niedrigeren Schmelzpunktes anwendbar, die andernfalls verschmelzen würden. Ferner kann die Glühdauer erheblich verkürzt werden, wobei der geringe Aufwand an elektrischer Energie für die Glimmentladung nicht ins Gewicht fällt. Dagegen werdenHeizungskosten gespart und die Herstellung wesentlich beschleunigt. Auch zeichnen sich as die so hergestellten Zellen durch große leichmäßigkeit der lichtelektrischen Eigenaften bei der Serienfabrikation aus.Patentansprüche: „ ■i. Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermetall in der Atmosphäre eines Elementes der Sauerstoff- oder der Halogengruppe von vermindertem Druck erhitzt und gleichzeitig einer solchen Glimmentladung ausgesetzt wird, daß das Trägermetall als Kathode geschaltet ist. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Silber in Schwefel-, Selen- oder Tellurdampf behandelt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfer in Sauerstoff oder einem Halogen behandelt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEA62021D DE683330C (de) | 1930-12-03 | 1930-12-04 | Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE683330C true DE683330C (de) | 1939-11-03 |
Family
ID=25964520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEA62021D Expired DE683330C (de) | 1930-12-03 | 1930-12-04 | Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE683330C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1034289B (de) * | 1955-12-30 | 1958-07-17 | Ct D Etudes Et De Dev De L Ele | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, wie Photowiderstands-zellen und Trockengleichrichter |
| DE973156C (de) * | 1948-03-25 | 1959-12-10 | Hilger & Watts Ltd | Verfahren zur Herstellung lichtelektrisch leitender Schichten fuer Photowiderstaende |
-
1930
- 1930-12-04 DE DEA62021D patent/DE683330C/de not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
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| DE1034289B (de) * | 1955-12-30 | 1958-07-17 | Ct D Etudes Et De Dev De L Ele | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, wie Photowiderstands-zellen und Trockengleichrichter |
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