DE659813C - Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von OxydulschichtenInfo
- Publication number
- DE659813C DE659813C DE1930659813D DE659813DD DE659813C DE 659813 C DE659813 C DE 659813C DE 1930659813 D DE1930659813 D DE 1930659813D DE 659813D D DE659813D D DE 659813DD DE 659813 C DE659813 C DE 659813C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coated
- glow discharge
- electrode
- copper
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/07—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising cuprous oxide [Cu2O] or cuprous iodide [CuI]
- H10D48/071—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate or reduction treatment
- H10D48/074—Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten, vorzugsweise
auf Kupferplatten. Derartige Platten finden beispielsweise Anwendung für die Herstellung
von Trockengleichrichtern.
Die üblichen Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten gestatten es nicht, den Überzug
in der gewünschten Gleichmäßigkeit und Reinheit zu erzielen. Diese üblichen Verfahren
gehen davon aus, daß man die Platten, z. B. Kupferplatten, in einem Ofen unter Wärmezufuhr von außen auf Glühtemperatur
erhitzt. Dabei ist es auch vorgeschlagen worden, die zu überziehende Platte im Ofen als
Elektrode in dem Stromkreis einer äußeren Stromquelle zu verwenden, der über die
glühende Gasstrecke des Ofens geschlossen wird. Bei allen diesen bekannten Verfahren
läßt es sich nicht vermeiden, daß die Schichten neben dem Oxydul noch Oxyd enthalten,
das die Wirkung beeinträchtigt.
Andererseits ist aus der Herstellung von lichtele'ktrischen Zellen bekannt, die Alkalimetalle
nicht direkt auf die metallischen Träger niederzuschlagen, sondern auf diesen vorher
eine Oxydschicht zu bilden. Die Metallplatte, ζ. B. eine Silber-, Nickel- oder Kupferplatte,
wird dadurch an der Oberfläche in die entsprechenden Oxyde übergeführt, daß man dieselbe als Elektrode eines* Hochspannungs-Hochfrequenzwechselstromkreises
in einer Sauerstoffatmosphäre verringerten Druckes ausbildet und sie mittels dieses hochgespannten
Hochfrequenzstromes dann zum Glühen bringt.
Die Herstellung der Oxydulschichten der Platten erfolgt in einer reinen Sauerstoffatmosphäre
verringerten Druckes, und zwar wird gemäß der Erfindung zwischen der zu überziehenden
Platte und einer anderen Elektrode eine Glimmentladung ohne Glühen der zu überziehenden Elektrode eingeleitet. Die
Stromdichte wird dabei auf etwa 1 bis S mA/cm2 Kathodenfläche gehalten. Die
Glimmentladung kann in einem normalen Gleichstrom- oder Wechselstromkreis erfolgen.
Bei Verwendung von Wechselstrom kann auch die zweite Elektrode aus einer zu überziehenden
Platte bestehen.
Falls das Überziehen mit Oxydul im Gleich-Stromkreis erfolgen soll, wird die Kupferplatte
als Kathode der Entladestrecke angeordnet. Im Wechselstromkreis dagegen bildet sich an
beiden Flächen, zwischen denen die Glimmentladung erfolgt, die Oxydulschicht.
Im praktischen Betriebe hat sich im Entladungsraum ein Gasdruck zwischen α, ι und
5 mm Hg als zweckmäßig erwiesen. Naturgemäß wird im Betriebe Sauerstoff verbraucht,
und es muß dafür gesorgt werden,
*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Heinrich Peters in Rheyät.
daß unter Aufreehterhaltung des Gasdruckes
der verbrauchte Sauerstoff ständig ersetzt wird.
Das Verfahren gestattet auch, unter
wendung der gleichen Apparatur eine Oxy&ttf-; schicht zwischen zwei Metallschichten
schließen; insbesondere wird zu diesem
gemäß der Erfindung nach Herstellung der Oxydulschicht die Sauerstoffatmosphäre durch
wendung der gleichen Apparatur eine Oxy&ttf-; schicht zwischen zwei Metallschichten
schließen; insbesondere wird zu diesem
gemäß der Erfindung nach Herstellung der Oxydulschicht die Sauerstoffatmosphäre durch
ίο eine reduzierende Atmosphäre, vorzugsweise
Wasserstoffatmosphäre, ersetzt und erneut eine Glimmentladung eingeleitet, durch welche
jetzt die oberste Oxydulschicht zu metallischem Kupfer reduziert wird.
Stattdessen kann man auch auf die Oxydulschicht im gleichen Apparat, in dem die
Oxydulschicht gebildet wurde, durch Kathodenzerstäubung eine zweite Metallschicht
- aufbringen. Je nach dem Material, das für die der zu überziehenden Platte gegenüberliegende
Elektrode verwendet wird, die hierbei als Kathode in einem Gleichstromkreise
arbeitet, kann diese Auftragschicht eine Kupfer- oder andere Metallschicht sein.
Claims (4)
- Patentansprüche:ι . Verfahren zur Herstellung vonOxydulschichten, vorzugsweise auf Kupferplatten, z. B. für Trockengleichrichter, in einer reinen Sauerstoffatmosphäre verringerten Druckes, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zu überziehenden Platte und einer anderen Elektrode eine Glimmentladung durch Gleichstrom oder Wechselstrom ohne Glühen der zu überziehenden Elektrode und unter Beschränkung der Stromdichte auf etwa 1 bis 5 mA/cm-Kathodenfläche bei einem Gasdruck zwischen etwa 0,1 und 5 mm Quecksilber eingeleitet wird.
- 2. Anordnung zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch ι für den Betrieb im Wechselstrom, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden gegenüberliegenden Elektroden als Kupferplatten ausgebildet sind.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwecks Erzielung einer zwischen zwei Kupferschichten eingebetteten Oxydulschicht im Anschluß an die Glimmentladung in Sauerstoff atmosphäre eine Glimmentladung in reduzierender (Wasserstoff-) Atmosphäre bewirkt wird, durch welche die oberste Oxydulschicht zu metallischem Kupfer reduziert wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oxydulschicht der überzogenen Platte im gleichen Apparat das Metall einer gegenüberliegenden Elektrode durch Kathodenzerstäubung in an sich bekannter Weise aufgebracht wird.«F.niirCKT in nun
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE659813T | 1930-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE659813C true DE659813C (de) | 1938-05-11 |
Family
ID=6919532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1930659813D Expired DE659813C (de) | 1930-11-15 | 1930-11-15 | Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE659813C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3337438A (en) * | 1963-10-23 | 1967-08-22 | Bell Telephone Labor Inc | Stabilization of silicon semiconductor surfaces |
-
1930
- 1930-11-15 DE DE1930659813D patent/DE659813C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3337438A (en) * | 1963-10-23 | 1967-08-22 | Bell Telephone Labor Inc | Stabilization of silicon semiconductor surfaces |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2252343C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von künstlichen Diamanten | |
| DE3047252C2 (de) | ||
| CH661616A5 (de) | Verfahren zur vorbehandlung der kontakte und elektroden elektrischer vakuumgeraete. | |
| DE846753C (de) | Verfahren zur Herstellung von Mosaikelektroden | |
| DE659813C (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxydulschichten | |
| DE1180466B (de) | Elektrischer Kontakt | |
| DE2039514A1 (de) | Methode fuer den Niederschlag von Gallium-phosphid-Widerstandsschichten durch kathodische Zerstaeubung | |
| DE339468C (de) | Verfahren zur Herstellung einer hochfeuerbestaendigen, dem Petroleumkoks aehnlichen Koksart als Grundmasse fuer Elektroden | |
| DE952016C (de) | Verfahren zur Herstellung von leitenden Titandioxydschichten | |
| DE715038C (de) | Braunsche Roehre mit Nachbeschleunigung | |
| DE935975C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kohlegriessmikrofonen | |
| DE1957717C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Cermet Dünnschicht Ausscheidung in 1966593 | |
| DE895810C (de) | Hochbelastbare Anode fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
| DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| DE1011594B (de) | Verfahren zur Herstellung von Quarzglas | |
| DE2534468A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gitter-elektroden | |
| DE1034289B (de) | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, wie Photowiderstands-zellen und Trockengleichrichter | |
| DE971563C (de) | Verfahren zum Herstellen festhaftender UEberzuege aus Wolfram oder Molybdaen oder deren Legierungen durch Aufdampfen | |
| DE821089C (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern | |
| DE10108262B4 (de) | Verfahren zur Vergoldung einer Quarzröhre oder einer Röhre mit einem hohen Gehalt an Aluminiumoxid, die beständig bei hohen Temperaturen und Hochspannung sind, und vergoldete Quarzröhren oder vergoldete Röhren mit einem hohen Gehalt an Aluminiumoxid wie sie in Ozongeneratoren eingesetzt werden | |
| AT218330B (de) | Verfahren zum Aufdampfen von Stoffen | |
| DE666635C (de) | Verfahren zur Reinigung von gepressten Graphitkoerpern, die als Elektroden fuer elektrische Entladungsroehren dienen sollen | |
| AT158933B (de) | Verfahren zum Verdampfen von Legierungen im Hochvakuum. | |
| DE898468C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden | |
| DE892024C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums aus Titandioxyd auf einer Tragerunterlage |