[go: up one dir, main page]

DE60121785D1 - Aktive tft-matrix für einen optischen sensor mit lichtempfindlicher halbleiterschicht, und optischer sensor mit einer solchen matrix - Google Patents

Aktive tft-matrix für einen optischen sensor mit lichtempfindlicher halbleiterschicht, und optischer sensor mit einer solchen matrix

Info

Publication number
DE60121785D1
DE60121785D1 DE60121785T DE60121785T DE60121785D1 DE 60121785 D1 DE60121785 D1 DE 60121785D1 DE 60121785 T DE60121785 T DE 60121785T DE 60121785 T DE60121785 T DE 60121785T DE 60121785 D1 DE60121785 D1 DE 60121785D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical sensor
matrix
light
semiconductor layer
sensitive semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60121785T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60121785T2 (de
Inventor
Eric Sanson
Nicolas Szydlo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales Avionics LCD SA
Original Assignee
Thales Avionics LCD SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thales Avionics LCD SA filed Critical Thales Avionics LCD SA
Publication of DE60121785D1 publication Critical patent/DE60121785D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60121785T2 publication Critical patent/DE60121785T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/191Photoconductor image sensors
    • H10F39/195X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/802Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
DE60121785T 2000-09-19 2001-09-18 Aktive tft-matrix für einen optischen sensor mit lichtempfindlicher halbleiterschicht, und optischer sensor mit einer solchen matrix Expired - Fee Related DE60121785T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0011927 2000-09-19
FR0011927A FR2814281B1 (fr) 2000-09-19 2000-09-19 Matrice active tft pour capteur optique comportant une couche semi-conductrice photosensible, et capteur optique comportant une telle matrice
PCT/FR2001/002900 WO2002025699A2 (fr) 2000-09-19 2001-09-18 Matrice active tft pour capteur optique comportant une couche semi-conductrice photosensible, et capteur optique comportant une telle matrice

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60121785D1 true DE60121785D1 (de) 2006-09-07
DE60121785T2 DE60121785T2 (de) 2007-10-18

Family

ID=8854450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60121785T Expired - Fee Related DE60121785T2 (de) 2000-09-19 2001-09-18 Aktive tft-matrix für einen optischen sensor mit lichtempfindlicher halbleiterschicht, und optischer sensor mit einer solchen matrix

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6815716B2 (de)
EP (1) EP1332519B1 (de)
JP (1) JP2004510328A (de)
AU (1) AU2001293910A1 (de)
DE (1) DE60121785T2 (de)
FR (1) FR2814281B1 (de)
WO (1) WO2002025699A2 (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2814281B1 (fr) * 2000-09-19 2003-08-29 Thomson Lcd Matrice active tft pour capteur optique comportant une couche semi-conductrice photosensible, et capteur optique comportant une telle matrice
FR2826766B1 (fr) * 2001-06-29 2003-10-31 Thales Avionics Lcd Matrice active de transistors en couches minces ou tft pour capteur optique ou ecran de visualisation
US7009663B2 (en) 2003-12-17 2006-03-07 Planar Systems, Inc. Integrated optical light sensitive active matrix liquid crystal display
US7053967B2 (en) 2002-05-23 2006-05-30 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
WO2003073159A1 (en) 2002-02-20 2003-09-04 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US6738178B2 (en) * 2002-06-27 2004-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically configurable photonic crystal
US20080084374A1 (en) 2003-02-20 2008-04-10 Planar Systems, Inc. Light sensitive display
US7773139B2 (en) * 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
WO2008033870A2 (en) 2006-09-11 2008-03-20 Lumexis Corporation Fiber-to-the-seat (ftts) fiber distribution system
EP2232589B1 (de) * 2007-12-18 2013-11-20 Marek T. Michalewicz Quantentunnelungs-fotodetektorarray
US8659990B2 (en) 2009-08-06 2014-02-25 Lumexis Corporation Serial networking fiber-to-the-seat inflight entertainment system
WO2011020071A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Lumexis Corp. Video display unit docking assembly for fiber-to-the-screen inflight entertainment system
US8416698B2 (en) 2009-08-20 2013-04-09 Lumexis Corporation Serial networking fiber optic inflight entertainment system network configuration
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8638320B2 (en) 2011-06-22 2014-01-28 Apple Inc. Stylus orientation detection
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
US10067580B2 (en) 2013-07-31 2018-09-04 Apple Inc. Active stylus for use with touch controller architecture
US10061450B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
US12153764B1 (en) 2020-09-25 2024-11-26 Apple Inc. Stylus with receive architecture for position determination

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2573547B1 (fr) * 1984-11-16 1987-04-10 Thomson Csf Source optique monomode et dispositif amplificateur optique accordables dans le proche infra-rouge et l'application aux dispositifs amplificateurs selectifs et de regeneration
FR2609560B1 (fr) * 1987-01-09 1990-11-23 Thomson Csf Films de langmuir-blodgett utilisables en optique non lineaire
FR2618278B1 (fr) * 1987-07-17 1989-12-01 Thomson Csf Correlateur a fibre optique.
FR2618221B1 (fr) * 1987-07-17 1991-07-19 Thomson Csf Detecteur d'onde electromagnetique et analyseur d'image comportant un tel detecteur.
FR2619938B1 (fr) * 1987-09-01 1989-12-01 Thomson Csf Translateur de frequence pour onde du domaine infrarouge moyen
FR2619936B1 (fr) * 1987-09-01 1989-12-01 Thomson Csf Modulateur pour onde electromagnetique, a puits quantiques, et utilisation de ce modulateur comme polariseur
FR2622706B1 (fr) * 1987-11-03 1992-01-17 Thomson Csf Dispositif d'interconnexion optique dynamique pour circuits integres
FR2640438B1 (fr) * 1988-12-09 1991-01-25 Thomson Csf Procede de realisation de lasers semi-conducteurs et lasers obtenus par le procede
FR2647973B1 (fr) * 1989-05-30 1991-08-16 Thomson Csf Lasers de puissance pompes par diodes lasers
FR2648962B1 (fr) * 1989-06-23 1994-09-09 Thomson Csf Structure d'illumination d'un barreau laser, a sources optiques defocalisees
FR2649536B1 (fr) * 1989-07-04 1994-07-22 Thomson Csf Detecteur d'ondes electromagnetiques
FR2649548B1 (fr) * 1989-07-06 1994-08-26 Thomson Csf Laser solide a longueur d'onde d'emission 0,5-0,65 micrometres
FR2649833A1 (fr) * 1989-07-11 1991-01-18 Thomson Csf Source laser de puissance accordable
FR2652685B1 (fr) * 1989-10-03 1991-12-06 Thomson Csf Source laser de puissance a commande optique de balayage de faisceau.
FR2655486B1 (fr) * 1989-12-01 1994-08-26 Thomson Csf Dispositif laser a longueur d'onde elevee.
FR2655461B1 (fr) * 1989-12-01 1992-11-27 Thomson Csf Source optique miniature et procede de realisation.
FR2660493A1 (fr) * 1990-03-30 1991-10-04 Thomson Csf Dispositif laser a changeur de frequence integre de facon monolithique.
FR2661784B1 (fr) * 1990-05-02 1992-07-03 Thomson Csf Laser de puissance a miroir actif.
FR2666699A1 (fr) * 1990-09-11 1992-03-13 Thomson Csf Laser a guides optiques couples.
FR2667207B1 (fr) * 1990-09-21 1993-06-25 Thomson Csf Convertisseur de frequences lumineuses.
FR2671237B1 (fr) * 1990-12-28 1995-03-31 Thomson Csf Laser solide de grande energie.
FR2679050B1 (fr) * 1991-07-09 1994-08-26 Thomson Csf Dispositifs d'optique non lineaire.
FR2681737A1 (fr) * 1991-09-24 1993-03-26 Thomson Csf Source monofrequence de puissance a fibre optique.
FR2681738B1 (fr) * 1991-09-24 1993-11-05 Thomson Csf Lasers de puissance a filtre semiconducteur.
FR2686431A1 (fr) * 1992-01-21 1993-07-23 Thomson Csf Doubleur de frequence optique utilisant des structures quantiques semiconductrices.
FR2715776B1 (fr) * 1994-01-28 1996-03-01 Thomson Csf Semiconducteurs Laser de grande puissance à deux étages.
FR2739732B1 (fr) * 1995-10-06 1997-10-31 Thomson Csf Dispositif d'amplification optique
FR2749721B1 (fr) * 1996-06-07 1998-11-27 Thomson Csf Commutateur electrique a photoconducteur
US5770871A (en) * 1996-06-20 1998-06-23 Xerox Corporation Sensor array with anticoupling layer between data lines and charge collection electrodes
JP3447947B2 (ja) * 1998-03-20 2003-09-16 株式会社東芝 X線撮像装置
US6323490B1 (en) * 1998-03-20 2001-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba X-ray semiconductor detector
FR2784185B1 (fr) * 1998-10-06 2001-02-02 Thomson Csf Dispositif pour l'harmonisation entre une voie d'emission laser et une voie passive d'observation
JP3916823B2 (ja) * 1999-04-07 2007-05-23 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びにフラットパネル型イメージセンサ
FR2796211B1 (fr) * 1999-07-09 2001-10-12 Thomson Csf Cavite optique instable pour faisceau laser
FR2814281B1 (fr) * 2000-09-19 2003-08-29 Thomson Lcd Matrice active tft pour capteur optique comportant une couche semi-conductrice photosensible, et capteur optique comportant une telle matrice

Also Published As

Publication number Publication date
FR2814281B1 (fr) 2003-08-29
EP1332519B1 (de) 2006-07-26
JP2004510328A (ja) 2004-04-02
EP1332519A2 (de) 2003-08-06
WO2002025699A3 (fr) 2002-05-16
FR2814281A1 (fr) 2002-03-22
US6815716B2 (en) 2004-11-09
WO2002025699A2 (fr) 2002-03-28
US20040036092A1 (en) 2004-02-26
DE60121785T2 (de) 2007-10-18
AU2001293910A1 (en) 2002-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60121785D1 (de) Aktive tft-matrix für einen optischen sensor mit lichtempfindlicher halbleiterschicht, und optischer sensor mit einer solchen matrix
DE60207769D1 (de) Anzeigegerät mit Aktivmatrix
FR2844364B1 (fr) Substrat diffusant
DE60223860D1 (de) Aktiver Bildsensor mit grossem Dynamikbereich
EP1513195A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
ITRM20010279A0 (it) Dispositivo scintigrafico con collimatore a cristalli integrati con elevata risoluzione spaziale.
EP1686629A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP1612861A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE60005874D1 (de) Herstellungsverfahren für einen porösen Siliziumoxid-Film
DE60032127D1 (de) Halbleiterlaservorrichtung und deren herstellungsverfahren, optisches kommunikationssystem und optisches sensorsystem
EP0612102A3 (de) Kristallisierte Halbleiterschicht, diese verwendete Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren.
DE69914302D1 (de) Elektrolumineszierende anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix
DE60224640D1 (de) Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrixanzeigetafel
DE60136780D1 (de) Optisches Abtastgerät ausgerüstet mit Korrekturelement für Aberration
EP1566843A4 (de) Siliziumkarbid-halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren
DE60034766D1 (de) Kanal mit gemeinsamen paket
DE60227145D1 (de) Informationsspeichergerät mit Halbleitersonde
DE10085145T1 (de) Spin-Ventil-Sensor
DE60033252D1 (de) Mehrschichtige halbleiter-struktur mit phosphid-passiviertem germanium-substrat
BR0007660B1 (pt) dispositivo tensor.
EP1498955A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP1261040A4 (de) Halbleiteranordnung und ihre herstellungsmethode
DE50001262D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit BIST
EP1817796A4 (de) Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür
DE60115609D1 (de) Datenverarbeitungsarchitektur mit bereichsprüfung für matrix

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8381 Inventor (new situation)

Inventor name: SANSON, ERIC, ARCEUIL CEDEX, FR

Inventor name: SZYDLO, NICOLAS, GRENOBLE, FR

8339 Ceased/non-payment of the annual fee