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DE601088C - Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer - Google Patents

Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer

Info

Publication number
DE601088C
DE601088C DEA63049D DEA0063049D DE601088C DE 601088 C DE601088 C DE 601088C DE A63049 D DEA63049 D DE A63049D DE A0063049 D DEA0063049 D DE A0063049D DE 601088 C DE601088 C DE 601088C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
pyrometers
sensitive organ
crystal
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEA63049D
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Emil Rupp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AEG AG
Original Assignee
AEG AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AEG AG filed Critical AEG AG
Priority to DEA63049D priority Critical patent/DE601088C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE601088C publication Critical patent/DE601088C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G01J5/22Electrical features thereof
    • G01J5/24Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/28Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using photoemissive or photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/479Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors

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Description

  • Strahlungsempfindliches Organ für Strahlungspyrometer Zur Messung der Wärmestrahlung und der Lichtstrahlung ist die Verwendung von Strahlungspyrometern üblich, bei denen als strahlungsempfindliches Organ Thermoelemente und lichtelektrische Zellen dienen. Es ist bekannt, als lichtelektrische Zellen Kombinationen vielkristalliner Halbleiter mit Metall zu verwenden und das Metall auf Flächen des vielkristallinen Halbleiters z. B. durch Verdampfen, Kathodenzerstäubung oder auf elektrolytischem Wege in so dünner Schicht aufzubringen, daß die zu messende Strahlenart noch durchsichtig ist. Eine wesentliche Erhöhung der Empfindlichkeit solcher Zellen wird nun dadurch erreicht, daß als kristalliner Halbleiter ein Einkristall verwendet wird. Hierin besteht die Erfindung. Außer der höheren Empfindlichkeit zeigen solche unter Verwendung von halbleitenden Einkristallen hergestellten Zellen eine geringe Trägheit und Freiheit von elektrischen Nachwirkungen gegenüber solchen mit vielkristallinen Halbleitern. Sie eignen sich daher im besonderen Maß zur Verwendung von Strahlungspyrometern.
  • Ein Ausführungsbeispiel sei ausführlich beschrieben. Auf eine gut gewachsene Würfelfläche eines Bleiglanzkristalles wird beispielsweise eine' dünne, durchsichtige aber zusammenhängende Goldschicht in bekannter Weise im Hochvakuum aufgebracht. Das Gold wird z. B. -in einem Wolframschiffchen verdampft und der Dampf auf der Bleiglanzfläche niedergeschlagen. Die zunehmende Dicke der Goldschicht kann während des Vorganges auf einem zur Kontrolle dienenden Glasplättchen beobachtet werden. Der Kristall mit der Goldschicht wird in ein Gehäuse gebracht, das ebenso wie bei den bekannten Vielkristallkombinationen getrennte Zuleitungen an den Kristall und an die Goldschicht enthält. Der Kontakt des Kristalls mit seiner Zuleitung kann dadurch verbessert werden, daß der Kristall an einer passenden Stelle mit einem geeigneten Metall in dicker Schicht umgeben wird.
  • Die zu messende Strahlung fällt, wie bei derartigen Zellen üblich, auf die Goldschicht auf, durchdringt diese und ruft zwischen Kristall und Gold einen elektrischen Strom hervor.
  • Der durch die Verwendung halbleitender Einkristalle erzielte Fortschritt wird durch folgende Zusammenstellung der Ergebnisse vergleichender Versuche besonders deutlich gemacht. Bei diesen Versuchen wurden verschiedene als Organe für Strahlungspyrometer vorgeschlagene Kombinationen mit einer ioo-Watt-Wolframlampe bestrahlt und die hierbei entstehende Belichtungsspannung V, der innere Widerstand W und die Stromstärke T in dem Kreis Pyrometer-Galvanometer gemessen.
    V in 10-4 Wst #T in 10-4
    Volt A.
    i. Bleiglanz-Einkristall (m. Goldfolie) - 6o 3 20
    z. Bleiglanz-Vielkristall...:......... -f- So 120 0,42
    3. Selen-Neusilber ................ -f- 12 iooo 0,012
    4. Kupferoxydul-Neusilber . . . . . . . . . . + iio io öoo o,oii
    5. Tellur-Neusilber................. -j- 45 6o 0,75
    6. Eisen-Neusilber . . . . . . . . . . . . . . . . + i,o 0,i io
    Der Vergleich der Beispiele zu i und 2 zeigt, daß die durch Belichtung entstehenden Spannungen, abgesehen vom Vorzeichen, einander nahe gleich sind, daß jedoch. infolge der verschiedenen innerenWiderstände die Stromstärke im Einkristall etwa 5omal größer ist als im Vielkristall.
  • Die Beispiele 3 bis 5 zeigen, daß alle Kombinationen mit Halbleitervielkristallen infolge ihres größeren Widerstandes sehr viel geringere Stromstärken ergeben als der Bleiglanzeinkristall. Hingegen haben Kombinationen von Metallen und. Metallegierungen (Beispiel 6) infolge des geringen Widerstandes der Metalle Stromstärken von gleicher Größenordnung. Diese Metallkombinationen müssen aber mit außerordentlicher Sorgfalt hergestellt werden und sind im Betrieb besonders gegen mechanische Einflüsse sehr empfindlich.
  • An Stelle von Gold können auch andere Metalle, wie Kupfer, Silber, Nickel, Wolfram, Wismuth, Antimon, Tellur, und mit geringerer Empfindlichkeit z. B. Aluminium, Zink, Magnesium oder Thallium benutzt werden. An Stelle von Bleiglanz können andere Halbleitereinkristalle, wie Molybdänglanz- oder Silberglanzeinkristalle, treten und andere Kristallflächen als die Würfelfläche können zur Aufbringung des Metalles benutzt werden. Die Kombinationen mit Gold auf gut ausgebildeten Einkristallflächen bilden auch bei diesen Mineralien gute Beispiele.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Strahlungsempfindliches Organ für Strahlungspyrometer, bestehend aus einem kristallinen Halbleiter, wie Blei- oder Silberglanz, und einer durchsichtigen, auf dem Halbleiter z. B. durch Verdampfen oder Kathodenzerstäubung aufgebrachten Metallschicht, dadurch gekennzeichnet, daß der kristalline Halbleiter ein Einkristall ist.
  2. 2. Strahlungsempfindliches Organ für Strahlungspyrometer nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht auf einer Würfelfläche -eines Bleiglanzeinkristalles angebracht ist.
DEA63049D 1931-08-14 1931-08-14 Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer Expired DE601088C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEA63049D DE601088C (de) 1931-08-14 1931-08-14 Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer

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DEA63049D DE601088C (de) 1931-08-14 1931-08-14 Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE601088C true DE601088C (de) 1934-08-07

Family

ID=6943082

Family Applications (1)

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DEA63049D Expired DE601088C (de) 1931-08-14 1931-08-14 Strahlungsempfindliches Organ fuer Strahlungspyrometer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE601088C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE961366C (de) * 1952-06-22 1957-04-04 Licentia Gmbh Traegerkoerper fuer Einkristall-Photowiderstaende
DE1200016B (de) * 1961-07-13 1965-09-02 Barnes Eng Co Widerstandsbolometer mit selektiver Empfindlichkeit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE961366C (de) * 1952-06-22 1957-04-04 Licentia Gmbh Traegerkoerper fuer Einkristall-Photowiderstaende
DE1200016B (de) * 1961-07-13 1965-09-02 Barnes Eng Co Widerstandsbolometer mit selektiver Empfindlichkeit

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