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DE60032654T2 - Vorrichtung zur Reinigung und Trocknung von Substraten - Google Patents

Vorrichtung zur Reinigung und Trocknung von Substraten Download PDF

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DE60032654T2
DE60032654T2 DE60032654T DE60032654T DE60032654T2 DE 60032654 T2 DE60032654 T2 DE 60032654T2 DE 60032654 T DE60032654 T DE 60032654T DE 60032654 T DE60032654 T DE 60032654T DE 60032654 T2 DE60032654 T2 DE 60032654T2
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DE
Germany
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substrate
container
fluid
drying
section
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE60032654T
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DE60032654D1 (de
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Boris San Carlos Fishkin
Michael Los Altos Sherrard
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Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
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Publication date
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Publication of DE60032654T2 publication Critical patent/DE60032654T2/de
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum gleichzeitigen Spülen und Trocknen von Substraten. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Ultrareinprozess und eine Vorrichtung zum gleichzeitigen Spülen und Marangoni-Trocknen eines Halbleitersubstrats.
  • Da die Geometrien von Halbleiterbauelementen fortlaufend kleiner werden, nimmt die Bedeutung der Ultrareinigungsbehandlung zu. Mit einer wässrigen Reinigung in einem Fluidbehälter (oder einem Bad), gefolgt von einem Spülbad (beispielsweise in einem gesonderten Behälter oder durch Austausch des Reinigungsbehälterfluids), erreicht man gewünschte Reinigungsniveaus. Nach dem Entfernen aus dem Spülbad bei fehlendem Einsatz einer Trocknungsvorrichtung würde das Fluid des Bades von der Substratoberfläche verdampfen und die Bildung von Schlieren, Flecken und/oder ein Belassen von Badresten auf der Oberfläche des Substrats verursachen. Eine solche Schlieren-, Flecken- und Rückstandsbildung kann danach Störungen des Elements verursachen. Dementsprechend wird viel Aufmerksamkeit den verbesserten Verfahren zum Trocknen eines Substrats gewidmet, wenn es aus einem wässrigen Bad entfernt wird.
  • Bei einem als Marangoni-Trocknen bekannten Verfahren wird ein Oberflächenspannungsgradient erzeugt, um Badfluid dazu zu bringen, von dem Substrat so wegzuströmen, dass das Substrat tatsächlich frei von Badfluid bleibt und dadurch Schlieren, Flecken und Rückstandsmarkierungen vermieden werden. Die Marangoni-Trocknung verwendet relativ kleine Mengen von IPA (Isopropylalkohol). Insbesondere wird während der Marangoni-Trocknung ein mit dem Badfluid mischbares Lösungsmittel auf einen Fluidmeniskus eingeführt, der sich bildet, wenn das Substrat aus dem Bad herausgehoben wird oder wenn das Badfluid an dem Substrat vorbei ablaufen gelassen wird. Der Lösungsmitteldampf wird längs der Oberfläche des Fluids absorbiert, wobei die Konzentration des absorbierten Dampfs an der Spitze des Meniskus höher ist. Die höhere Konzentration von absorbiertem Dampf führt dazu, dass die Oberflächenspannung an der Spitze des Meniskus niedriger als in der Masse des Badfluids ist, wodurch das Badfluid dazu gebracht wird, aus dem Trocknungsmeniskus zu der Badfluidmenge hinzuströmen. Eine solche Strömung ist als "Marangoni"-Strömung bekannt und kann dazu verwendet werden, eine Substrattrocknung zu erreichen, ohne dass Schlieren, Flecken oder Badrückstände auf dem Substrat bleiben.
  • Herkömmliche Marangoni-Trocknungssysteme sind in der US-A-5,660,642 und der EP-A-0 385 536 offenbart. Bei den Systemen wird ein Substrat in ein Fluidbad untergetaucht. Ein Dampf (beispielsweise ein Alkoholdampf), der mit dem Badfluid mischbar ist, wird mit einem Gasträger gemischt und dann über die Oberfläche des Fluidbads durch eine Vielzahl von Düsen geführt. Der Dampf mischt sich mit dem Fluidbad auf dessen Oberfläche und senkt die Oberflächenspannung des Fluidbads ab. Längs der Trennfläche von Luft/Flüssigkeit/Substrat bildet sich ein Fluidmeniskus, wenn das Substrat aus dem Fluidbad herausgehoben wird. Dieser Meniskus wird von der Oberflächenschicht gebildet und hat somit eine geringere Oberflächenspannung als die Masse des Fluidbads. Dementsprechend strömt Fluid von der Oberfläche des Substrats zur Badfluidmasse und lässt eine trockene Substratoberfläche zurück. Obwohl eine solche Vorrichtung Fluid von dem Substrat wirksam entfernt, wird eine beträchtliche Fluidmenge verbraucht, da das Badfluid nicht gefiltert und umgewälzt werden kann, um daraus den Trocknungsdampf zu entfernen. Deshalb muss das Badfluid häufig ausgetauscht werden, um einen ausreichenden Oberflächenspannungsgradienten an dem Trocknungsmeniskus aufrechtzuerhalten. Weiterhin ist eine beträchtliche Zeit erforderlich, um ein Substrat von dem Reinigungsbad zu dem Spülbad zu überführen oder das Badfluid auszutauschen.
  • Deshalb besteht ein Bedürfnis für ein verbessertes Verfahren und eine verbesserte Vorrichtung, die die Gesamtzeit verringern, die für den Reinigungs-, Spül- und Trocknungsprozess erforderlich ist.
  • Diese Erfindung stellt ein automatisiertes Verfahren zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Substrat bereit, bei welchem ein erstes Substrat wenigstens teilweise in einem Behälter mit Fluid untergetaucht wird, das erste Substrat aus dem Fluid herausgehoben wird, ein Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats gesprüht wird, wenn das Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, und der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zugeführt wird, wobei ein Behälter mit Fluid bereitgestellt wird, der einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt hat, ein erstes Substrat wenigstens teilweise in den ersten Abschnitt des Behälters untergetaucht wird, das erste Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters gereinigt wird, das erste Substrat aus dem ersten Abschnitt des Behälters in den zweiten Abschnitt des Behälters mit einer Transporteinrichtung transportiert wird, das Substrat aus dem zweiten Abschnitt des Behälters zu einem Trocknungsbereich herausgehoben wird, die Transporteinrichtung zu dem ersten Abschnitt des Behälters zurückgeführt wird, nachdem der Eingriff des ersten Substrats mit der Transportrichtung gelöst worden ist, das Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats gesprüht wird, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, der Luft/Substrat/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zugeführt wird, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, in dem ersten Abschnitt des Behälters ein zweites Substrat aufgenommen wird, das zweite Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters gereinigt wird, das erste Substrat für ein Herausholen aus dem Trocknungsbereich in seiner Position festgelegt wird, das zweite Substrat zu dem zweiten Abschnitt des Behälters transportiert wird, das erste Substrat aus dem Trocknungsbereich herausgeholt wird und sich wenigstens ein Schritt bestehend aus der Aufnahme, dem Reinigen und dem Transportieren des zweiten Substrats wenigstens teilweise zeitlich mit dem Herausheben und Herausholen des ersten Substrats überlappt, was Anspruch 1 entspricht.
  • Die Erfindung stellt auch eine Vorrichtung zum Spülen und Trocknen eines Substrats mit einem Behälter für ein Reinigungsfluid zum wenigstens teilweisen Untertauchen eines Substrats, mit einem Hubmechanismus, der funktionsmäßig mit dem Behälter zum Herausheben eines Substrats aus dem Fluid gekoppelt ist, mit einer Spülfluidquelle, die so angeordnet ist, dass sie der Oberfläche eines Substrats Spülfluid zuführt, wenn der Hubmechanismus das Substrat aus dem Reinigungsfluid heraushebt, wobei das Spülfluid das Substrat berührt, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, und mit einer Quelle für Trocknungsdampf bereit, die so angeordnet ist, dass sie der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdämpfe zuführt, wobei der Behälter einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt hat, eine Transporteinrichtung zum Transportieren eines Substrats aus dem ersten Abschnitt des Behälters zum zweiten Abschnitt des Behälters vorgesehen ist, eine Steuereinrichtung programmiert ist, um das erste Substrat in einem ersten Abschnitt des Behälters wenigstens teilweise unterzutauschen, das erste Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters zu reinigen, das erste Substrat aus dem ersten Abschnitt des Behälters zu dem zweiten Abschnitt des Behälters über die Transporteinrichtung zu transportieren, das Substrat aus dem zweiten Abschnitt des Behälters zu einem Trocknungsbereich herauszuheben, die Transporteinrichtung zurück zum ersten Abschnitt des Behälters zu führen, nachdem der Eingriff zwischen dem ersten Substrat und der Transporteinrichtung gelöst ist, Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats zu sprühen, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zuzuführen, wenn das Substrat herausgehoben wird, ein zweites Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters aufzunehmen, das zweite Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters zu reinigen, das erste Substrat für das Herausholen aus dem Trocknungsbereich in einer Position festzulegen, das zweite Substrat zu dem ersten Abschnitt des Behälters zu transportieren und das erste Substrat aus dem Trocknungsbereich herauszuholen, und sich wenigstens ein Vorgang, bestehend aus der Aufnahme, dem Reinigen und dem Transportieren des zweiten Substrats, mit dem Herausheben und Herausholen des ersten Substrats wenigstens teilweise zeitlich überlappt, was mit Anspruch 23 übereinstimmt.
  • Sowohl die Spülfluidquelle als auch die Quelle für den Trocknungsdampf haben vorzugsweise entweder eine fächerartige Anordnung von Düsen oder eine einzige linienförmige Düse. Die Trocknungsdampfdüse kann jedoch auch eine passive Quelle aufweisen, beispielsweise einen mit dem Trocknungsfluid gefüllten Behälter, der längs des Durchgangs von der Spülfluidquelle zu der Trocknungskammer so angeordnet ist, dass Trocknungsdämpfe zu der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche diffundieren. Die Spülfluiddüsen und die Trocknungsfluiddüsen können sich sowohl längs der Vorderseite als auch der Rückseite des Substrats erstrecken und dadurch beide Seiten des Substrats gleichzeitig spülen und trocknen.
  • Die aktive Zuführung von Trocknungsdämpfen über Trocknungsdampfdüsen bietet eine straffe Kontrolle über die Konzentration der Trocknungsdämpfe an dem Trocknungsmeniskus. Im Gegensatz zu anderen Marangoni-Trocknern in Badform sorgt die vorliegende Erfindung für eine kontinuierliche Zuführung von frischem Spülfluid, das im Gegensatz zu den eher stehenden Badfluiden keine damit gemischte Trocknungsdämpfe hat. Somit ergibt sich bei der vorliegenden Erfindung ein größerer Oberflächenspannungsgradient zwischen dem Trocknungsmeniskus und dem Rest des Spülfluidstroms. Der größere Oberflächenspannungsgradient steigert die Geschwindigkeit der Marangoni-Trocknung. Besonders wichtig ist, dass, da weniger Fluid zum Besprühen der gesamten Oberfläche eines Substrats beim Untertauschen des Substrats erforderlich ist, die Verwendung der Spülfluiddüsen den Fluidverbrauch verglichen mit herkömmlichen Marangoni-Trocknern in Badform beträchtlich verringert.
  • Andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden deutlicher aus der folgenden, ins Einzelne gehenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen, den angehängten Ansprüchen und den beiliegenden Zeichnungen ersichtlich.
  • 1A ist eine Seitenansicht eines Reinigungs-/Trocknungssystems, das nach der vorliegenden Erfindung gestaltet ist.
  • 1B ist eine Vorderansicht eines Reinigungs-/Trocknungssystems von 1A.
  • 1C ist eine Nahansicht einer Substratfläche und zur Beschreibung des Trocknungsvorgangs der vorliegenden Erfindung zweckmäßig.
  • 2A bis 2D sind aufeinander folgende Seitenansichten des Reinigungs-/Trocknungssystems von 1A und 1B und zum Beschreiben des erhöhten Durchsatzes bei der vorliegenden Erfindung zweckmäßig.
  • 1A und 1B sind eine Seitenansicht bzw. eine Frontansicht eines bevorzugten Reinigungs-/Trocknungssystems 11, das nach der vorliegenden Erfindung ausgestaltet ist. Das bevorzugte Reinigungs-/Trocknungssystem 11 hat einen Behälter 13 für Reinigungsfluid. Der Behälter 13 hat zwei Abschnitte, nämlich einen Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a und einen Substratspülabschnitt 13b. Zum Transportieren eines Substrats S von dem Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a zu dem Substratspülabschnitt 13b ist eine Substrattransporteinrichtung 14 funktionsmäßig angeschlossen. Die Substrattransporteinrichtung 15 ist vorzugsweise so ausgelegt, dass sie das Substrat S vertikal längs ihrer Seiten hält, wie es in 1B gezeigt ist. Dadurch kann ein Hubmechanismus 17 in dem Substratspülabschnitt 13b des Behälters 13 nach oben zwischen einer ersten und einer zweiten Halteseite 15a, 15b der Substrattransporteinrichtung 15 ausfahren und das Substrat S dazwischen anheben.
  • In dem Spülabschnitt 13b ist ein erstes Paar von Schienen 16a, 16b permanent angebracht und für die Aufnahme des Substrats S angeordnet, wenn der Hubmechanismus 17 das Substrat S von der ersten und der zweiten Halteseite 15a, 15b des Substrathalters 15 abhebt. In einem Trocknungsgehäuse 19 ist ein zweites Paar von Schienen 18a, 18b permanent angeordnet und für die Aufnahme des Substrats S von dem ersten Paar von Schienen 16a, 16b vorgesehen.
  • Das Trocknungsgehäuse 19 ist über dem Substratspülabschnitt 13b des Behälters 13 so angeordnet, dass ein Substrat aus dem Substratspülabschnitt 13b in das Trocknungsgehäuse 19 angehoben werden kann. Das Trocknungsgehäuse 19 wird von einer Vielzahl von Wänden 19a bis 19e gebildet. Die äußere Seitenwand 19c hat eine abdichtbare Öffnung 21, durch welches das Substrat S abgeführt werden kann. Die innere Wand 19a des Trocknungsgehäuses 19 erstreckt sich so nach unten, dass sie teilweise in das in dem Behälter 19 vorhandene Fluid eintaucht. Das Trocknungsgehäuse 19 ist entweder in einem Stück mit dem Behälter 19 ausgebildet oder mit ihm abdichtend über die äußere Seitenwand 19c verbunden. Die Wände 19a bis 19e können eine Vielzahl von Löchern (nicht gezeigt) zum Abführen von Restdämpfen in ein Abführsystem (nicht gezeigt) enthalten.
  • In dem Trocknungsgehäuse 19 ist eine Spülfluidzuführung mit einem oder mehreren Spülfluiddüsen 23 angeordnet, um Spülfluid über den gesamten horizontalen Durchmesser des Substrats S aufzusprühen, wenn das Substrat S aus dem Substratspülabschnitt 13b angehoben ist, während eine Trocknungsdampfzuführung mit einem oder mehreren Trocknungsdampfdüsen so angeordnet ist, dass Trocknungsdampf über den gesamten horizontalen Durchmesser des Substrats S strömt, wenn das Substrat S aus dem Substratspülabschnitt 13b herausgehoben ist. Die Trocknungsdampfdüsen 25 sind vorzugsweise so angeordnet, dass der Trocknungsdampf von dem Spülfluid von einer Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche 27 absorbiert wird, wie es in 1C gezeigt ist. Zum Erreichen einer solchen Absorption trifft der Trocknungsdampfstrom vorzugsweise auf das Substrat S 1 mm bis 5 mm über der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche 27. Wie ebenfalls in 1C gezeigt ist, bildet die Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche 27 vorzugsweise einen Meniskus (der von dem gestrichelten Kreis "M" umschlossen ist), der die Marangoni-Trocknung erleichtert.
  • In dem Trocknungsgehäuse 19 ist ein zweites Paar von Schienen 18a, 18b positioniert, um einen trockenen Abschnitt (d.h. einem Abschnitt, der durch das Spülfluid und Trocknungsdampfsprühung hindurchgegangen ist) des Substrats S zu kontaktieren und dadurch das Substrat S von dem Hubmechanismus 17 aufzunehmen. Zurückziehbahre Positionierstifte 22a, 22b greifen an den Substraten in der obersten Position an und halten das Substrat S in einer festgelegten Stellung, so dass eine Wafer-Handhabungseinrichtung (nicht gezeigt) das Substrat S aus dem Trocknungsgehäuse 19 in wiederholbarer Weise entfernen kann.
  • Die Spülfluiddüsen 23 und/oder die Trocknungsdampfdüsen 25 sind mit einer Steuerung 31 gekoppelt, die so programmiert ist, dass sie das Spülfluid und/oder den Trocknungsdampf dadurch erhält, dass die selektiv äußersten Düsen in dem Spülfluid und/oder Trocknungsdampfreihen abgeschaltet werden, während die untere Hälfte des Substrats S daran vorbeigeht. Die Steuerung 31 kann auch mit dem Hubmechanismus 17, mit den Positionierstiften 22a, 22b und mit der Substrattransporteinrichtung 15 gekoppelt werden und ist so programmiert, dass sie diese Funktionen ausführen, die nachstehend unter Bezug auf 2A bis 2D beschrieben werden.
  • 2A bis 2D sind aufeinander folgende Seitenansichten des bevorzugten Reinigungs-/Trocknungssystems 11 von 1, die für das Beschreiben des Betriebs des erfindungsgemäßen Reinigungs-/Trocknungssystems 11 und den dadurch erreichten erhöhten Durchsatz nützlich sind. Wie in 2A gezeigt ist, befindet sich die Substrattransporteinrichtung 15 anfänglich in einer zurückgezogenen Position in dem Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a des Behälters 13, während ein Substrat S in die Substrattransporteinrichtung 15 über eine Waferhandhabungseinrichtung (nicht gezeigt) abgesenkt wird.
  • Das Substrat S wird in dem Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a durch megasonische Energie megasonisch gereinigt, die von einem oder mehreren Wandlern D emittiert wird, die in dem Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a angeordnet sind. Um eine gleichförmige Reinigung über der gesamten Oberfläche des Substrats S zu erleichtern, kann das Substrat S über Rollen (nicht gezeigt) gedreht werden. Wenn das Substrat S sauber ist, fährt die Substrattransporteinrichtung 15 aus und trägt das Substrat S in den Substratspülabschnitt 13b des Behälters 13, wie es in 2B gezeigt ist.
  • Der Hubmechanismus 17 fährt hoch, berührt den unteren Rand des Substrats S und hebt das Substrat S langsam aus dem Fluid heraus (2C). Das Substrat S wird vorzugsweise mit einer Geschwindigkeit angehoben, die der vertikalen Geschwindigkeitskomponente des Spülfluids, das von der Spitze des Meniskus M abströmt, entspricht oder kleiner als diese Geschwindigkeit ist.
  • Wenn das Substrat S die Oberseite des Fluids erreicht, werden die Spülfluiddüsen 23 eingeschaltet und beginnen Spülfluid so zu versprühen, dass das Substrat S mit dem Spülfluid sofort in Kontakt gebracht wird, wenn es aus dem Bad herausgehoben wird, und somit nicht trocknet (beispielsweise über Verdampfung), bevor es die Trocknungsdampfdüsen 25 erreicht. Der Durchsatz des aufgesprühten Spülfluids wird gesteuert, um zu verhindern, dass Spülfluid in oder über den Trocknungsdampfsprühstrahl spritzt.
  • Sobald das Substrat S die Spülfluidstrahlen aus den Spülfluiddüsen 23 schneidet, werden die Trocknungsdampfdüsen 25 eingeschaltet, die einen Trocknungsdampfstrom auf den Spülfluidmeniskus M richten, der sich auf der Oberfläche des Substrats S bildet. Die Trocknungsdämpfe werden von dem Spülfluid absorbiert, wodurch sich die Oberflächenspannung des Spülfluids absenkt und eine Marangoni-Strömung von dem Meniskus aus zu der Masse des Spülfluids hin induziert wird. Die Marangoni-Strömung trocknet dabei die Substratoberfläche, die frei von Schlieren, Flecken und/oder Reinigungsfluidrückstand bleibt.
  • Wenn der Hubmechanismus 17 das Substrat S in das Trocknungsgehäuse 19 anhebt, geben die erste und zweite Halteseite 15a, 15b der Substrattransporteinrichtung 15, gefolgt von dem ersten Paar von Schienen 16a, 16b, einen Stabilisierungskontakt längs der Ränder des Substrats S. Nachdem sich das Substrat S von den Halteseiten 15a, 15b der Transporteinrichtung 15 löst, wird die Transporteinrichtung zum Aufnahme- und Reinigungsabschnitt 13a des Behälters 13 zurückgeführt und ist für die Aufnahme und Reinigung des nächsten Substrats bereit. Das erste Paar von Schienen 16a, 16b hält das Substrat S unter der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche 27. Der trockene Teil des Substrats S wird von dem zweiten Paar von Schienen 18a, 18b geführt und gehalten, wenn das Substrat S in das Trocknungsgehäuse 19 eintritt. Der Spalt zwischen dem ersten Paar von Schienen 16a, 16b und dem zweiten Paar von Schienen 18a, 18b reicht für die Aufnahme der Spülfluiddüsen 23 und der Trocknungsdampfdüsen 25 aus, so dass das Substrat trocken ist, wenn es auf das zweite Paar von Schienen 18a, 18b trifft (beispielsweise 5 mm bis 10 mm). Der Hubmechanismus 17 hebt das Substrat S weiter an, bis sein Bodenteil durch den Trocknungsmechanismus M (2C) hindurchgegangen ist. Wenn sich das Substrat S 3 mm bis 5 mm über den Positionierstiften 22a, 22b befindet, gibt die Steuerung die Positionierstifte 22a, 22b frei. Der Hubmechanismus 17 zieht sich zurück, das Substrat S senkt sich damit ab, bis das Substrat von den Positionierstiften 22a, 22b gehalten wird, die Spülfluid-Sprühstrahlen hören auf, und restliches Spülfluid wird an der Oberfläche des Substrats S durch den kombinierten Oberflächenspannungsgradienten durch einen Stoß von heißem Stickstoff getrieben, der auf den Boden 3 mm von dem Substrat über eine Düse (nicht gezeigt) 1 s bis 2 s lang aufgebracht wird. Danach wird das Substrat S aus dem Trocknungsgehäuse 19 über die abdichtbare Öffnung 21 entladen. Die Positionierstifte 22a, 22b halten die Z-Achsen-Koordinate des Substrats S in einer bekannten Position so fest, dass ein Entlade-Robot (nicht gezeigt) das Substrat S in wiederholbarer Weise herausführen kann.
  • Wenn das Substrat gespült und getrocknet ist, strömt das Spülfluid von dem Substrat in den Behälter 13, wo es sich mit dem Behälterfluid verbindet und in Überlaufwehre (nicht gezeigt) überfließt. Das Spülfluid könnte auch fortlaufend vom Boden des Behälters 13 eingeführt und über eine Heizung und einen Filter umgewälzt werden.
  • Wie in 2D gezeigt ist, zieht sich während der Zeit, während der das Substrat S in das erste Paar von Schienen 16a, 16b angehoben ist, die Substrattransporteinrichtung 15 in den Substrataufnahme- und -reinigungsabschnitt 13a zurück, während ein zweites Substrat S2 in die Substrattransporteinrichtung 15 über eine Waferhandhabungseinrichtung (nicht gezeigt) geladen wird. Danach wird das zweite Substrat S2 mit Megaschall gereinigt, während das erste Substrat S1 gespült und getrocknet wird, bis sich der Hubmechanismus 17 zurückzieht. Wenn das Reinigen und Spülen in dem Aufnahme- und Reinigungsabschnitt 13a abgeschlossen ist, ist das Substrat S2 bereit für den Transport zu dem Substratspülabschnitt 13b, während das erste Substrat S1 aus dem Trocknungsgehäuse 19 über die abdichtbare Öffnung 21 entladen wird. Auf diese Weise wird der Durchsatz durch das erfindungsgemäße Reinigungs-/Trocknungssystem 11 erhöht, da sich die Lade- und Entladezeit, die herkömmliche Behältersysteme benötigen, mit der Zeit überlappen, die für die Behandlung (Reinigen, Spülen und Trocknen) erforderlich ist.
  • Die vorstehende Beschreibung offenbart lediglich bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung, wobei jedoch für den Fachmann Modifizierungen der vorstehend offenbarten Vorrichtung und des Verfahrens, die in den Rahmen der Erfindung fallen, leicht ersichtlich sind.
  • Das Reinigungsfluid kann SC1, entionisiertes Wasser oder eine Lösung mit für die Oberflächenreinigung eingestellten pH, usw. aufweisen. Das in dem Behälter enthaltene oder durch die Düsen aufgesprühte Spülfluid kann entionisiertes Wasser mit oder ohne einen Korrosionsunterbinder oder andere Lösungsmittel usw. aufweisen, während der Trocknungsdampf irgendein Dampf sein kann, der eine niedrige Oberflächenspannung hat, wenn er auf der Spülfluidoberfläche (IPA, usw.) kondensiert oder absorbiert wird. Wenn sich das Reinigungsfluid von dem Spülfluid unterscheidet, wird der Aufnahme- und Reinigungsabschnitt 13a abdichtbar von dem Spülabschnitt 13b durch ein abdichtbares Tor getrennt und das Reinigungsfluid wird in einen Speicherbehälter (nicht gezeigt) und den Aufnahme- und Reinigungsabschnitt 13a abgeführt, der mit Spülfluid gefüllt wird, bevor das Tor geöffnet wird. Obwohl es weniger bevorzugt ist, können die Wandler weggelassen werden, so dass nur Spülen und Trocknen ausgeführt wird, oder die Wandler können in den zweiten Abschnitt 13b des Behälters eingesetzt werden. Obwohl die Wandler längs des Bodens des Behälters positioniert gezeigt sind, können sie auch an anderen Stellen angeordnet werden. Schließlich sind die beschriebene Transporteinrichtung und der Hubmechanismus lediglich Beispiele; andere Mechanismen sind für den Fachmann leicht erkennbar.

Claims (24)

  1. Automatisiertes Verfahren zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Substraten, bei welchem – ein erstes Substrat wenigstens teilweise in einem Behälter mit Fluid untergetaucht wird, – das erste Substrat aus dem Fluid herausgehoben wird, – ein Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats gesprüht wird, wenn das Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, und – der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, – dass ein Behälter mit Fluid bereitgestellt wird, der einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt hat, – dass ein erstes Substrat wenigstens teilweise in den ersten Abschnitt des Behälters untergetaucht wird, – dass das erste Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters gereinigt wird, – dass das erste Substrat aus dem ersten Abschnitt des Behälters in den zweiten Abschnitt des Behälters mit einer Transporteinrichtung transportiert wird, – dass das Substrat aus dem zweiten Abschnitt des Behälters zu einem Trocknungsbereich herausgehoben wird, – dass die Transporeeinrichtung zu dem ersten Abschnitt des Behälters zurückgeführt wird, nachdem der Eingriff des ersten Substrats mit der Transporteinrichtung gelöst worden ist, – dass Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats gesprüht wird, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, – dass der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zugeführt wird, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, – dass in dem ersten Abschnitt des Behälters ein zweites Substrat aufgenommen wird, – dass das zweite Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters gereinigt wird, – dass das erste Substrat für ein Herausholen aus dem Trocknungsbereich in seiner Position festgelegt wird, – dass das zweite Substrat zu dem zweiten Abschnitt des Behälters transportiert wird und – dass das erste Substrat aus dem Trocknungsbereich herausgeholt wird, – wobei sich wenigstens ein Schritt bestehend aus der Aufnahme, dem Reinigen und dem Transportieren des zweiten Substrats wenigstens teilweise zeitlich mit dem Herausheben und Herausholen des ersten Substrats überlappt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, – dass bei dem Zuführen von Trocknungsdampf zu der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche ein Trocknungsdampf zugeführt wird, der mit dem an der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche absorbierten Kühlfluid mischbar ist und eine Oberflächenspannung hat, die niedriger als die des Spülfluids ist, wodurch eine Marangoni-Strömung induziert wird, und – dass eine Marangoni-Trocknung der Oberfläche des ersten Substrats erfolgt, wenn das Substrat durch den Sprühnebel aus Spülfluid herausgehoben wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigen des ersten Substrats in dem ersten Abschnitt des Behälters das Reinigen des ersten Substrats mit Megaschallenergie aufweist, wobei bei dem Reinigen des zweiten Substrats in dem ersten Abschnitt des Behälters das zweite Substrat mit Megaschallenergie gereinigt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Reinigen des ersten Substrats in dem ersten Abschnitt des Behälters das erste Substrat mit Megaschallenergie gereinigt wird und dass bei dem Reinigen des zweiten Substrats in dem ersten Abschnitt des Behälters das zweite Substrat mit Megaschallenergie gereinigt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Zuführen von Trocknungsdampf zu einer Luft-/Substrat-/Fluid-Trennfläche, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, Trocknungsdampf über eine lineare Düse zugeführt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Zuführen von Trocknungsdampf zu einer Luft-/Substrat-/Fluid-Trennfläche, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, der Trocknungsdampf über eine Vielzahl von Düsen zugeführt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass einzelne Düsen aus der Vielzahl von Düsen selektiv ein- und ausgeschaltet werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jede Düse aus der Vielzahl von Düsen einen fächerförmigen Sprühnebel abgibt.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Transportieren des ersten Substrats aus dem ersten Abschnitt des Behälters zum zweiten Abschnitt des Behälters das erste Substrat in einer horizontalen Richtung transportiert wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Herausheben des ersten Substrats aus dem zweiten Abschnitt des Behälters zu einem Trocknungsbereich das erste Substrat in einen umschlossenen Trocknungsbereich herausgehoben wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass beim Reinigen des ersten Substrats mit Megaschallenergie ein Wandler verwendet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Substrat in dem zweiten Abschnitt des Behälters gereinigt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass aus dem umschlossenen Trocknungsbereich Dämpfe abgezogen werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Dämpfe aus dem umschlossenen Trocknungsbereich über eine Vielzahl von Öffnungen in einer Seitenwand von ihm abgezogen werden.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters über eine Vielzahl von Rollen gedreht wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Aufnahme des zweiten Substrats mit dem Herausheben des ersten Substrats überlappt.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Aufnehmen des zweiten Substrats mit dem Herausholen des ersten Substrats überlappt.
  18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Reinigen des zweiten Substrats mit dem Herausheben des ersten Substrats überlappt.
  19. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Reinigen des zweiten Substrats mit dem Herausholen des ersten Substrats überlappt.
  20. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Transportieren des zweiten Substrats mit dem Herausheben des ersten Substrats überlappt.
  21. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Transportieren des zweiten Substrats mit dem Herausholen des ersten Substrats überlappt.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Herausheben des ersten Substrats aus dem zweiten Abschnitt des Behälters in einen Trocknungsbereich das erste Substrat in einen umschlossenen Trocknungsbereich herausgehoben wird.
  23. Vorrichtung zum Spülen und Trocknen eines Substrats – mit einem Behälter (13) für ein Reinigungsfluid zum wenigstens teilweisen Untertauchen eines Substrats (S), – mit einem Hubmechanismus (17), der funktionsmäßig mit dem Behälter zum Herausheben eines Substrats aus dem Fluid gekoppelt ist, – mit einer Spülfluidquelle (23), die so angeordnet ist, dass sie der Oberfläche eines Substrats Spülfluid zuführt, wenn der Hubmechanismus das Substrat aus dem Reinigungsfluid heraushebt, wobei das Spülfluid das Substrat berührt, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, und – mit einer Quelle (25) für Trocknungsdampf, die so angeordnet ist, dass sie der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdämpfe zuführt, dadurch gekennzeichnet, – dass der Behälter einen ersten Abschnitt (13a) und einen zweiten Abschnitt (13b) hat, – dass eine Transporteinrichtung (15) zum Transportieren eines Substrats aus dem ersten Abschnitt des Behälters zum zweiten Abschnitt des Behälters vorgesehen ist, und – dass eine Steuereinrichtung (31) programmiert ist, um – ein erstes Substrat (S) in einem ersten Abschnitt (13a) des Behälters wenigstens teilweise unterzutauchen, – das erste Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters zu reinigen, – das erste Substrat aus dem ersten Abschnitt (13a) des Behälters zu dem zweiten Abschnitt (13b) des Behälters über die Transporteinrichtung (15) zu transportieren, – das Substrat aus dem zweiten Abschnitt (13b) des Behälters zu einem Trocknungsbereich (19) herauszuheben, – die Transporteinrichtung (15) zurück zum ersten Abschnitt (13a) des Behälters zu führen, nachdem der Eingriff zwischen dem ersten Substrat (S) und der Transporteinrichtung gelöst ist, – Spülfluid auf die Oberfläche des ersten Substrats zu sprühen, wenn das erste Substrat herausgehoben wird, wodurch eine Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche gebildet wird, – der Luft-/Substrat-/Spülfluid-Trennfläche Trocknungsdampf zuzuführen, wenn das Substrat herausgehoben wird, – ein zweites Substrat (S) in dem ersten Abschnitt (13a) des Behälters aufzunehmen, – das zweite Substrat in dem ersten Abschnitt des Behälters zu reinigen, – das erste Substrat für das Herausholen aus dem Trocknungsbereich in einer Position festzulegen, – das zweite Substrat zu dem ersten Abschnitt des Behälters zu transportieren, und – das erste Substrat aus dem Trocknungsbereich herauszuholen, – wobei sich wenigstens ein Vorgang bestehend aus der Aufnahme, dem Reinigen und dem Transportieren des zweiten Substrats mit dem Herausheben und Herausholen des ersten Substrats wenigstens teilweise zeitlich überlappt.
  24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass ein Wandler (T) zum Einführen von Megaschallenergie in den Behälter während des Reinigens vorgesehen ist.
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TW (1) TW457525B (de)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3174038B2 (ja) * 1999-01-18 2001-06-11 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US6539960B1 (en) * 2000-05-01 2003-04-01 United Microelectronics Corp. Cleaning system for cleaning ink in a semiconductor wafer
EP1168422B1 (de) * 2000-06-27 2009-12-16 Imec Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen eines Substrats
US6555017B1 (en) * 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect
DE10122669A1 (de) * 2001-05-10 2002-12-12 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Nassreinigen von scheibenförmigen Substraten
US6858091B2 (en) 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
US7513062B2 (en) 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
CN101414548B (zh) * 2001-11-02 2011-10-19 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US20070272657A1 (en) * 2001-12-07 2007-11-29 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US20080000495A1 (en) * 2001-12-07 2008-01-03 Eric Hansen Apparatus and method for single substrate processing
US20070079932A1 (en) * 2001-12-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Directed purge for contact free drying of wafers
US20090029560A1 (en) * 2001-12-07 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20030211427A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for thick film photoresist stripping
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US20040050408A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-18 Christenson Kurt K. Treatment systems and methods
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
US20050022930A1 (en) * 2003-04-17 2005-02-03 Yoshihiro Moriguchi Substrate treatment apparatus, substrate treatment method and substrate manufacturing method
KR100585091B1 (ko) * 2003-06-12 2006-05-30 삼성전자주식회사 펌프 이상을 예측할 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 방법
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
DE10359320A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-21 Scp Germany Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Substraten
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
US20060011222A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for treating substrates
US20060035475A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus
JP2006100717A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法およびその装置
US20060201532A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning system
WO2007047163A2 (en) 2005-10-04 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
JP4683222B2 (ja) * 2006-02-20 2011-05-18 株式会社東京精密 ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法
US7997289B1 (en) * 2006-10-03 2011-08-16 Xyratex Technology Limited Methods of and apparatus for cleaning and conveying a substrate
US20080156360A1 (en) * 2006-12-26 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Horizontal megasonic module for cleaning substrates
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US7775219B2 (en) * 2006-12-29 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Process chamber lid and controlled exhaust
US7980000B2 (en) 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US20080236615A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Mimken Victor B Method of processing wafers in a sequential fashion
US20090217950A1 (en) * 2008-03-03 2009-09-03 Multimetrixs, Llc Method and apparatus for foam-assisted wafer cleaning
US20090241998A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Multimetrixs, Llc Apparatus for foam-assisted wafer cleaning with use of universal fluid supply unit
US20090320875A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Dual chamber megasonic cleaner
JP5206792B2 (ja) * 2008-09-12 2013-06-12 富士通株式会社 ソフトウェアパッチ適用方法、プログラム及び装置
KR101421752B1 (ko) * 2008-10-21 2014-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8002901B1 (en) 2009-01-15 2011-08-23 Wd Media, Inc. Temperature dependent pull speeds for drying of a wet cleaned workpiece
JP5140641B2 (ja) * 2009-06-29 2013-02-06 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理装置
US9222194B2 (en) * 2010-08-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Rinsing and drying for electrochemical processing
US9508582B2 (en) 2011-06-03 2016-11-29 Tel Nexx, Inc. Parallel single substrate marangoni module
US8869422B2 (en) 2012-04-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for marangoni substrate drying using a vapor knife manifold
US9728428B2 (en) 2013-07-01 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Single use rinse in a linear Marangoni drier
JP6317580B2 (ja) * 2013-12-03 2018-04-25 山本　栄一 半導体装置の製造方法
US9859135B2 (en) 2014-12-19 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate rinsing systems and methods
US9984867B2 (en) * 2014-12-19 2018-05-29 Applied Materials, Inc. Systems and methods for rinsing and drying substrates
US20160178279A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Applied Materials, Inc. Substrate edge residue removal systems, apparatus, and methods
US9352471B1 (en) 2015-01-21 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Substrate gripper apparatus and methods
JP6489524B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10273577B2 (en) 2015-11-16 2019-04-30 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US9875907B2 (en) 2015-11-20 2018-01-23 Applied Materials, Inc. Self-aligned shielding of silicon oxide
US9859128B2 (en) 2015-11-20 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Self-aligned shielding of silicon oxide
CN106140679B (zh) * 2016-03-27 2018-10-23 广东世创金属科技股份有限公司 复合式一体结构清洗烘干机
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
US10828682B2 (en) 2017-02-22 2020-11-10 Hardwood Line Manufacturing Co. Immersion/spray rinse system and methods of use
US10074559B1 (en) 2017-03-07 2018-09-11 Applied Materials, Inc. Selective poreseal deposition prevention and residue removal using SAM
US11430672B2 (en) 2019-03-04 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Drying environments for reducing substrate defects
JP7281925B2 (ja) * 2019-03-07 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US11699595B2 (en) 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
CN117157741A (zh) 2021-03-03 2023-12-01 应用材料公司 具有整合基板对准台的干燥系统
US11654460B2 (en) 2021-10-21 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Megasonic clean with cavity property monitoring
CN118629900B (zh) * 2024-04-28 2024-12-20 无锡亚电智能装备有限公司 一种晶圆干燥设备

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868272A (en) * 1973-03-05 1975-02-25 Electrovert Mfg Co Ltd Cleaning of printed circuit boards by solid and coherent jets of cleaning liquid
US4647266A (en) 1979-12-21 1987-03-03 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
US4569695A (en) * 1983-04-21 1986-02-11 Nec Corporation Method of cleaning a photo-mask
US4534314A (en) 1984-05-10 1985-08-13 Varian Associates, Inc. Load lock pumping mechanism
US4548699A (en) 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
US4911761A (en) 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4984597B1 (en) 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4633893A (en) 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4778532A (en) 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4790155A (en) 1986-11-18 1988-12-13 Burlington Industries, Inc. Replaceable fluid dye applicator for inert-blanketed regions
NL8900480A (nl) 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US5045120A (en) * 1989-03-06 1991-09-03 Electrovert Ltd. Method for cleaning electronic and other devices
US4977688A (en) 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
US5115576A (en) 1989-10-27 1992-05-26 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
NL9000484A (nl) 1990-03-01 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
JPH0418436U (de) * 1990-06-06 1992-02-17
US5082518A (en) 1990-10-29 1992-01-21 Submicron Systems, Inc. Sparger plate for ozone gas diffusion
US5205303A (en) * 1990-12-06 1993-04-27 Electrovert Ltd. Liquid cleaning process and apparatus for circuit boards and the like
US5186192A (en) 1990-12-14 1993-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Apparatus for cleaning silicon wafer
JP2901098B2 (ja) 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
US5154730A (en) 1991-05-17 1992-10-13 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module
US5215420A (en) 1991-09-20 1993-06-01 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system
JP2727481B2 (ja) * 1992-02-07 1998-03-11 キヤノン株式会社 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法
US6391117B2 (en) * 1992-02-07 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning
US5555981A (en) 1992-05-26 1996-09-17 Empak, Inc. Wafer suspension box
JPH06459A (ja) 1992-06-19 1994-01-11 T H I Syst Kk 洗浄乾燥方法とその装置
US5372652A (en) 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5489341A (en) 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
KR100390293B1 (ko) 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JP3126858B2 (ja) * 1993-10-29 2001-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置
US5575079A (en) 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JP3102826B2 (ja) * 1993-11-08 2000-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5524654A (en) 1994-01-13 1996-06-11 Kabushi Gaisha Ishii Hyoki Etching, developing and peeling apparatus for printed board
JPH07249605A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
DE4413077C2 (de) 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5542441A (en) 1994-08-03 1996-08-06 Yieldup International Apparatus for delivering ultra-low particle counts in semiconductor manufacturing
US5967156A (en) 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5931721A (en) 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
US6158446A (en) 1994-11-14 2000-12-12 Fsi International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5849104A (en) 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5958146A (en) 1994-11-14 1999-09-28 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids
US5772784A (en) 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5571337A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5601655A (en) * 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
US5593505A (en) 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5762749A (en) 1995-07-21 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for removing liquid from substrates
JP3333830B2 (ja) * 1995-07-27 2002-10-15 株式会社タクマ 基板のリンス及び乾燥の方法及び装置
JPH1022257A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Tokyo Electron Ltd 乾燥処理装置
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US6286688B1 (en) 1996-04-03 2001-09-11 Scp Global Technologies, Inc. Compliant silicon wafer handling system
JP3470501B2 (ja) * 1996-04-24 2003-11-25 ソニー株式会社 半導体ウエハ遠心乾燥方法
JPH1022249A (ja) * 1996-07-01 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 電解イオン水洗浄装置
US6004399A (en) 1996-07-01 1999-12-21 Cypress Semiconductor Corporation Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers
JPH1022256A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法
KR100195334B1 (ko) 1996-08-16 1999-06-15 구본준 세정장치
US6041938A (en) 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
JPH10106918A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置
US6045624A (en) 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US5942037A (en) 1996-12-23 1999-08-24 Fsi International, Inc. Rotatable and translatable spray nozzle
JPH10189528A (ja) 1996-12-27 1998-07-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US6350322B1 (en) * 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6068002A (en) 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
JP3937508B2 (ja) * 1997-05-22 2007-06-27 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体基板の洗浄装置
JPH10335298A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP3156074B2 (ja) * 1997-06-13 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理装置
JP3156075B2 (ja) * 1997-06-27 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置
JP4001662B2 (ja) * 1997-06-27 2007-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法
JP3550277B2 (ja) * 1997-07-24 2004-08-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5884640A (en) 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
US5928432A (en) * 1997-09-22 1999-07-27 Lucent Techologies Inc. Method for cleaning electronic components
US6119706A (en) * 1997-09-22 2000-09-19 Lucent Technologies Inc. Apparatus for cleaning electronic components
US5807439A (en) 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
US6068441A (en) 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JPH11176798A (ja) 1997-12-08 1999-07-02 Toshiba Corp 基板洗浄・乾燥装置及び方法
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6083566A (en) 1998-05-26 2000-07-04 Whitesell; Andrew B. Substrate handling and processing system and method
US6273100B1 (en) * 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6264036B1 (en) 1998-10-09 2001-07-24 Scp Global Technologies, Inc. Process cassette
AU1321300A (en) 1998-10-26 2000-05-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning objects using dilute ammonium bearing solutions
US6045621A (en) 1998-10-26 2000-04-04 Scd Mountain View, Inc. Method for cleaning objects using a fluid charge
US6199564B1 (en) 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US6220259B1 (en) 1998-11-11 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Tank design for sonic wafer cleaning
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6148833A (en) 1998-11-11 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Continuous cleaning megasonic tank with reduced duty cycle transducers
US6098643A (en) 1998-11-14 2000-08-08 Miranda; Henry R. Bath system for semiconductor wafers with obliquely mounted transducers
US6256555B1 (en) 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
JP2000173962A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Sony Corp ウエハ洗浄装置及び洗浄方法
US6230406B1 (en) 1999-01-11 2001-05-15 Electric Motion Company, Inc. Flexible bond harness and manufacturing method therefor
JP3174038B2 (ja) * 1999-01-18 2001-06-11 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US6098741A (en) 1999-01-28 2000-08-08 Eaton Corporation Controlled torque steering system and method
JP2000243807A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6245250B1 (en) 1999-03-05 2001-06-12 Scp Global Technologies Inc. Process vessel
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6095741A (en) 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
JP3708742B2 (ja) 1999-03-30 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6575177B1 (en) 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US6799583B2 (en) 1999-05-13 2004-10-05 Suraj Puri Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
JP2001017930A (ja) 1999-07-08 2001-01-23 Dan Kagaku:Kk 基板の洗浄方法及びその装置
US6468362B1 (en) 1999-08-25 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6192600B1 (en) 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
WO2001026144A1 (en) 1999-10-01 2001-04-12 Fsi International, Inc. Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids
US6395101B1 (en) 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6530388B1 (en) 2000-02-15 2003-03-11 Quantum Global Technologies, Llc Volume efficient cleaning systems
US6401353B2 (en) 2000-03-08 2002-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate dryer
EP1168422B1 (de) 2000-06-27 2009-12-16 Imec Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen eines Substrats
US6558477B1 (en) 2000-10-16 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas
US20020121289A1 (en) 2001-03-05 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Spray bar
US6578369B2 (en) 2001-03-28 2003-06-17 Fsi International, Inc. Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
JP3535853B2 (ja) 2001-09-18 2004-06-07 エム・エフエスアイ株式会社 基板の支持固定具、及びこれを用いた基板表面の乾燥方法
CN101414548B (zh) 2001-11-02 2011-10-19 应用材料股份有限公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US7513062B2 (en) 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
US6704220B2 (en) 2002-05-03 2004-03-09 Infineon Technologies Ag Layout for thermally selected cross-point MRAM cell
US6875289B2 (en) 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US20040200409A1 (en) 2002-12-16 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with integrated vertical marangoni drying
US20040129297A1 (en) 2003-01-03 2004-07-08 Settlemyer Kenneth T. Method and system for reducing effects of halfpitch wafer spacing during wet processes
US7244315B2 (en) 2003-06-27 2007-07-17 Fsi International, Inc. Microelectronic device drying devices and techniques
KR20060061343A (ko) 2003-07-31 2006-06-07 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 균일성이 높은 산화물층, 특히 초박층의 성장제어
JP4179228B2 (ja) 2004-05-31 2008-11-12 ぺんてる株式会社 ボールペンチップ
US20060124155A1 (en) 2004-12-13 2006-06-15 Suuronen David E Technique for reducing backside particles

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