DE592734C - Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle - Google Patents
Sperrschichtphotozelle, insbesondere VakuumsperrschichtzelleInfo
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Description
DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
13. FEBRUAR 1934
13. FEBRUAR 1934
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
KLASSE 21 g GRUPPE
Max A. E. Pressler in Leipzig
Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle
Patentiert im Deutschen Reiche vom 11. Juli 1931 ab
Sperrschichtphotozellen bestehen bekanntlich aus einer als die eine Zuleitung dienenden
leitenden Unterlage, einer diese bedeckenden und durch die eigentliche Sperrschicht von ihr getrennten
Halbleiterschicht und einer als andere Stromzuleitung dienenden, auf die genannte
Halbleiterschicht aufgebrachten leitenden Deckschicht«. Die Deckschicht pflegt man entweder
durch Auflegen eines Netzes, Aufstäuben eines Metalls (evtl. in Kombination) oder auch durch
zonenweise chemische Überführung der Außenhaut des Halbleiters in ein Metall zu erzeugen.
Mit dem zugehörigen Zuleitungsdraht pflegt man sie durch Aufpressen eines Metallrahmens, einer
Feder o. dgl. zu verbinden. Hierbei wird die Deckschicht leicht beschädigt, oder es treten
Kontaktfehler bzw. störende Kontaktpotentiale auf. Ferner erfordert diese Kontaktherstellung
ziemlich komplizierte Arbeitsgänge, die sich insbesondere dann schwer durchführen lassen,
wenn die Fertigstellung der Zelle in einem Vakuum erfolgt, in dem die Zelle dann anschließend
belassen werden soll.
Die Erfindung betrifft eine Zejlenforrn, bei der diese Nachteile in Fortfall kommen und die sich auch im Vakuum außerordentlich leicht fertigstellen läßt. Ihr wichtigstes Kennzeichen besteht darin, daß in der Nachbarschaft des Sperrschichtträgers, aber unter Belassung eines Zwischenraumes, eine Leiterfläche auf einer isolierenden Unterlage angebracht ist, die mit der einen Stromzuleitung in Verbindung steht und von der Deckschicht mit überdeckt wird. Sperrschichtträger und zusätzliche Leiterfläche können dabei auf einem gemeinsamen Isolierkörper und gegebenenfalls in einer Ebene liegen. Zweckmäßig ,umgibt die zusätzliche Leiterfläche den Sperrschichttrager in Form eines Ringes oder eines Rahmens und besteht (wenigstens oberflächlich) aus einem anderen Metall als der Sperrschichtträger. Der Sperrschichtträger* ist mit der einen, die zusätzliche Leiterfläche mit der anderen Stromzuleitung verbunden. Als isolierende Unterlage kann ein Glimmerplättchen oder wegen der größeren Starrheit besser eine Glas- oder Quarzplatte dienen. Auch Hartgummi ist brauchbar. Keramische Massen haben siph in verschiedenen Fällen als besonders vorteilhaft erwiesen, weil auf ihnen Metallüberzüge überraschend festhaften.
Die Erfindung betrifft eine Zejlenforrn, bei der diese Nachteile in Fortfall kommen und die sich auch im Vakuum außerordentlich leicht fertigstellen läßt. Ihr wichtigstes Kennzeichen besteht darin, daß in der Nachbarschaft des Sperrschichtträgers, aber unter Belassung eines Zwischenraumes, eine Leiterfläche auf einer isolierenden Unterlage angebracht ist, die mit der einen Stromzuleitung in Verbindung steht und von der Deckschicht mit überdeckt wird. Sperrschichtträger und zusätzliche Leiterfläche können dabei auf einem gemeinsamen Isolierkörper und gegebenenfalls in einer Ebene liegen. Zweckmäßig ,umgibt die zusätzliche Leiterfläche den Sperrschichttrager in Form eines Ringes oder eines Rahmens und besteht (wenigstens oberflächlich) aus einem anderen Metall als der Sperrschichtträger. Der Sperrschichtträger* ist mit der einen, die zusätzliche Leiterfläche mit der anderen Stromzuleitung verbunden. Als isolierende Unterlage kann ein Glimmerplättchen oder wegen der größeren Starrheit besser eine Glas- oder Quarzplatte dienen. Auch Hartgummi ist brauchbar. Keramische Massen haben siph in verschiedenen Fällen als besonders vorteilhaft erwiesen, weil auf ihnen Metallüberzüge überraschend festhaften.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen erhält man schon vor der Erzeugung der Deckschicht eine absolut unveränderliche räumliche
Fixierung der von der Deckschicht nachher miteinander in Verbindung zu bringenden Flächen.
Die Deckschicht wird nicht wie bisher durch Aufpressen eines weiteren Metallstückes mit
ihrer Zuleitung in Verbindung gebracht, sondern bedeckt auch diese (vorher fixierte) Metallfläche
mit. Daß auf diese Weise sehr viel sichere Kontakte entstehen, liegt auf der Hand. Daß die
Fertigstellung der Zelle erleichtert wird, ersieht man aus folgendem.
Abb. ι zeigt zunächst eine erflndungsgemäße Sperrschichtzelle schematisch im Querschnitt.
Auf die Quarzplatte 1 ist der Sperrschichtträger 2 (z. B'. in Form einer Kupferschicht) aufgebracht.
Dem Sperrschichtträger benachbart,
aber unter Belassung eines Zwischenraumes, ' sind rechts und links von ihm die Leiterflächen 3
angeordnet, die z. B. aus einer Versilberung bestehen können. Diese Leiterflächen 3 sind mit
der einen Zuleitung 4 verbunden, während der Sperrschichtträger 2 in üblicher Weise mit der
anderen Zuleitung 5 in Verbindung steht. · Ist die Zelle in dieser Weise vorbereitet, so wird auf
den Sperrschichtträger erst nach irgendeinem der bekannten Verfahren die Halbleiterschicht 6
und schließlich auf das ganze Zellenelement die gestrichelt angedeutete durchgehende Deckschicht
7 aufgebracht. Die Zelle ist dann fertig. Die Belichtung kann sowohl durch die Deckschicht
7 hindurch in Richtung des Pfeiles 8 als auch durch die Quarzplatte 1 hindurch in
Richtung des Pfeiles 9 erfolgen. Im letzteren Falle muß der Sperrschichtträger 2 durchsichtig
dünn gehalten werden.
Abb. 2 zeigt eine Vakuumsperrschichtzelle erfindungsgemäßer Art. Im Innern des Glasballons
10 ist an den Stützen 11 die Quarzplatte 12 befestigt. Sie wird in ihrem Mittelfeld
von dem Sperrschichtträger 13 bedeckt, der unter Belassung eines Zwischenraumes von der
zusätzlichen Leiterfläche 14 rahmenartig umgeben wird. Zu jeder dieser beiden Flächen
(13, 14) führt eine Stromzuleitung 15 bzw. 16.
Die isolierten und mit einer besonderen Zuleitung versehenen Streben 17 und 18 dienen
lediglich als Hilfselektroden bei der Fertigstellung der Zelle.
Es hat sich gezeigt, daß man die Herstellung der Halbleiterschicht im Vakuum dadurch besonders
leicht erzielen kann, daß man den Sperrschichtträger (insbesondere in verdünntem Sauerstoff)
zur Kathode einer Glimmentladung macht. Auf diese Weise gelingt es leicht, die Halbleiterbedeckung
auf den Sperrschichtträger zu beschränken und hierdurch das Entstehen eines entgegengesetzt gerichteten Sperrschichteffektes
auf der Oberfläche des zusätzlichen Leiters 14 zu verhüten. Bei der in Abb. 2 dargestellten
Zelle dienen als Anode dieser Glimmentladung zweckmäßig die Streben 17 und 18. Ist die
Sperrschicht anschließend formiert, so erzeugt man in dem Vakuumgefäß eine Glimmentladung
(zweckmäßig in Edelgas), bei der die Streben 17 und 18 als Kathode dienen. Hierbei werden
diese Streben zerstäubt, und ihr Zerstäubungsniederschlag bildet die mehrfach beschriebene
Deckschicht.
Da die Zerstäubung der Streben 17 und 18
natürlich nach allen Seiten hin erfolgt, führt sie zu einer Beschlagbildung auf der Vorderwand
des Vakuumgefäßes 1. Es empfiehlt sich daher, die Belichtung von der anderen Seite der Zelle
aus vorzunehmen (Pfeil 9 in Abb. 1) und die
Trägerschicht 13 für diesen Zweck durchsichtig dünn zu halten.
Ein besonders wichtiges Ausführungsbeispiel zeigt Abb. 3 im Schnitt. Die Glaswand des
Vakuumgefäßes 19 ist in ihrer vollen nutzbaren Ausdehnung mit dem durch verdicktes Ausziehen
angedeuteten Sperrschichtträger 20 bedeckt. Als zweite Zuleitung dient die im Hals
des Vakuumgefäßes angeordnete ringförmige Leiterfläche 21. Nach erfolgter Erzeugung der
Sperrschicht wird die Deckschicht durch Zerstäuben des Stiftes 22 aufgebracht. Für die
Stromzuleitung zum Sperrschichtträger 20 dient die Klemme 23, für diejenige zur Leiterfläche
der Stecker 24. Die Stromzuleitung zum Stift 22 wird nur bei der Fertigstellung der Zelle benötigt
und bleibt späterhin innerhalb des Sockels 25 verborgen.
Claims (6)
1. Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle, dadurch gekennzeichnet,
daß in der Nachbarschaft des Sperrschichtträgers auf einer isolierenden Unterlage unter Belassung eines Zwischenraumes
eine Leiterfläche angebracht ist, die mit der einen Stromzuleitung in Verbindung
steht und von der Deckschicht mit überdeckt wird.
2. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die zusatzliehe
Leiterfläche den Sperrschichtträger etwa rahmenförmig umgibt.
3. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Sperr-,
schichtträger und zusätzliche Leiterfläche in einer Ebene liegen.
4. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß
die Oberflächen von Sperrschichtträger und zusätzlicher Leiterfläche aus verschiedenen
Metallen bestehen.
5. Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtphotozellen nach Anspruch 1 oder
folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Erzeugung der Sperrschicht durch eine
Glimmentladung erfolgt, bei welcher der Sperrschichtträger zur Kathode gemacht wird.
6. Sperrschichtphotozelle nach Anspruch 1
oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Sperrschichtträger in an sich bekannter
Weise lichtdurchlässig dünn gehalten ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP63472D DE592734C (de) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle |
Applications Claiming Priority (1)
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DEP63472D DE592734C (de) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE592734C true DE592734C (de) | 1934-02-13 |
Family
ID=7390183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP63472D Expired DE592734C (de) | 1931-07-11 | 1931-07-11 | Sperrschichtphotozelle, insbesondere Vakuumsperrschichtzelle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE592734C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1075238B (de) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenphotoelement |
-
1931
- 1931-07-11 DE DEP63472D patent/DE592734C/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1075238B (de) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenphotoelement |
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