[go: up one dir, main page]

DE4413529A1 - Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE4413529A1
DE4413529A1 DE4413529A DE4413529A DE4413529A1 DE 4413529 A1 DE4413529 A1 DE 4413529A1 DE 4413529 A DE4413529 A DE 4413529A DE 4413529 A DE4413529 A DE 4413529A DE 4413529 A1 DE4413529 A1 DE 4413529A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
component
hot melt
melt adhesive
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4413529A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4413529C2 (de
Inventor
Wilfried Laun
Peter Radvan
Christian Prof Dr Ing Haelsig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TELEFILTER TFT GmbH
Original Assignee
TELEFILTER TFT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TELEFILTER TFT GmbH filed Critical TELEFILTER TFT GmbH
Priority to DE4413529A priority Critical patent/DE4413529C2/de
Priority to EP95915782A priority patent/EP0755573A1/de
Priority to PCT/DE1995/000511 priority patent/WO1995028739A1/de
Priority to AU22541/95A priority patent/AU2254195A/en
Publication of DE4413529A1 publication Critical patent/DE4413529A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4413529C2 publication Critical patent/DE4413529C2/de
Priority to NO964367A priority patent/NO964367D0/no
Priority to FI964115A priority patent/FI964115L/fi
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung. Das erfindungsgemäße Bauelement ist insbesondere in der Informations- und Kommu­ nikationstechnik anwendbar.
Ein wesentlicher Anteil der in der modernen Elektrotechnik und Elektronik Verwendung findenden Bauelemente besteht aus einem geeigneten Gehäuse, in welchem ein Bauelementechip oder auch mehrere Bauelementechips angeordnet sind. Das Ge­ häuse ist dabei sowohl Träger des Chips, dient dem Handling bei der weiteren Verarbeitung, der Kontaktierung, dem me­ chanischen Schutz des Chips und erfüllt ggf. weitere Funk­ tionen wie beispielsweise die Bauelementekühlung oder die elektrische bzw. elektromagnetische Abschirmung.
Die Befestigung des Bauelementechips an dem Gehäuse oder auch an Trägerstreifen erfolgt bei bekannten Herstellungs­ verfahren durch eine Klebstoffverbindung, wobei aus Effek­ tivitätsgründen schnell und selbstaushärtende Klebstoffsy­ steme bevorzugt werden. Nach Aushärtung des Klebstoffes wird das Bauelement den gemäß dem jeweiligen technologi­ schen Ablauf vorgesehenen weiteren Bearbeitungsprozessen zugeführt und nach Abschluß der Bearbeitung mit einer Kappe oder einem Deckel verschlossen.
Nachteilig an dieser Lösung ist, daß die durch die weiteren Bearbeitungsprozesse und den Verschluß des Bauelementes in dem Bauelementechip und/oder zwischen Bauelementechip und Gehäuse entstandenen mechanischen Spannungen nicht oder nur unvollständig abgebaut bzw. ausgeglichen werden können. Nachteilige Folgen hiervon sind unzureichende Grenzwerte, schlechte Reproduzierbarkeit der Parameter, höhere Aus­ schußrate und letztendlich höhere Herstellungskosten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Bauele­ ment und ein Verfahren zu seiner Herstellung zu schaffen, wobei das Bauelement einfach und effektiv produziert werden kann, sehr gute und reproduzierbare technische Parameter aufweist und das Verfahren problemlos in den technologi­ schen Bauelementeherstellungsprozeß integrierbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkma­ le im kennzeichnenden Teil der Ansprüche 1 und 9 in Verbin­ dung mit den Merkmalen der Oberbegriffe. Zweckmäßige Ausge­ staltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ent­ halten.
Der besondere Vorteil der Erfindung resultiert aus der Ver­ wendung von Schmelzklebstoff bei der Befestigung der Baue­ lementechips am Gehäuse bzw. am Trägerstreifen, indem zwi­ schen der Unterseite des Bauelementechips und der Innen­ seite des Gehäusebodens eine Schicht aus Schmelzklebstoff angeordnet wird und durch einen zusätzlichen Erwärmungs­ schritt, durch welchen die infolge des Bearbeitungsprozes­ ses und des Verschlusses des Bauelementes entstandenen me­ chanischen Spannungen in dem Bauelementechip und/oder zwi­ schen dem Bauelementechip und dem Gehäuse abgebaut werden.
Erfindungsgemäß eignen sich insbesondere Schmelzklebstoffe, deren Erweichungstemperatur höher als 85°C ist und deren Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C liegt.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung liegt die Erweichungstemperatur bei etwa 140°C und die Verarbeitungstemperatur zwischen 180°C und 210°C, wobei die Viskosität der Schmelze eine Wert haben sollte, der eine Tropfbarkeit des Klebstoffes möglich macht.
Schmelzklebstoffe auf der Basis von Ethylen-Ethylacrylat- Copolymeren (EEA), Ethylen-Vinylacetat-Copolymeren (EVA), Polyamiden (PA), Polyestern (PES), Polyisobutylenen (PIB) und Polyvinylbutyraten (PVB) sind erfindungsgemäß besonders vorteilhaft einsetzbar.
Die Herstellung der elektronischen Bauelemente erfolgt in einfacher und kostengünstiger Weise, indem auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle zwischen Bauelementechip und Gehäuse eine definierte Menge Schmelzklebstoff aufgebracht und der Bauelementechip nachfolgend positioniert und angedrückt wird. Das so vorgefertigte Bauelement wird nachfolgend ab­ gekühlt und einer weiteren Bearbeitung unterzogen. Nach Ab­ schluß der Bearbeitung und Verschluß des Gehäuses des Bau­ elementes erfolgt eine nochmalige Erwärmung des gesamten elektronischen Bauelementes mindestens bis zum Erweichungs­ punkt, so daß der Schmelzklebstoff erneut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt. Die Verfahrensschritte sind problemlos in den Bauelementeher­ stellungsprozeß integrierbar.
Ein zusätzlicher Vorteil der Erfindung resultiert daraus, daß Auftragungsort und Auftragungsmenge des flüssigen Kleb­ stoffes sehr genau definiert werden. Erreicht wird dies durch die Verwendung von Düsen, wobei die Temperatur der Düsen wesentlich höher ist als die Temperatur des flüssigen Klebstoffes in dem Vorratstank.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen näher erläutert werden.
Der prinzipielle Aufbau eines gemäß der Erfindung herge­ stellten elektronischen Bauelementes ist in Fig. 1 darge­ stellt.
Das elektronische Bauelement besteht aus einem Gehäuse und einem Bauelementechip (1), wobei zwischen der Unterseite (1a) des Bauelementechips (1) und der Innenseite (2a) des Gehäusebodens (2) eine Schicht (3) aus Schmelzklebstoff an­ geordnet ist. Die Klebstoffschicht (3) ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel vollflächig ausgebildet. Für spezielle Anwendungsfälle ist es ebenfalls möglich, die Schicht (3) lediglich punktuell auszubilden. Das Gehäuse besteht im vorliegenden Ausführungsbeispiel aus einer Mehrschichtkera­ mik, es sind jedoch ebenso Gehäuse aus Metall oder aus Kunststoff verwendbar. Der Bauelementechip, im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein SAW-Filter aus ST-Quarz, ist mit dem Gehäuse (2) rein mechanisch über die Schicht (3) aus Schmelzklebstoff verbunden. Die elektrischen Kontaktstellen (5) des Bauelementechips (1) sind an der Oberseite (1b) des Bauelementechips (1) angeordnet. Die Verbindung zu den Bondstellen (6) am Gehäuseboden (2) wird mittels Bonddräh­ ten (4) realisiert.
Nachfolgend soll eine Variante des Herstellungsverfahrens näher beschrieben werden.
Der Schmelzklebstoff, welcher in Stangen oder als Granulat zur Verfügung steht, wird in einem Tank, welcher zu einem Drittel gefüllt ist, aufgeschmolzen. Die Vorrichtung ist hinsichtlich Heiztemperatur und Förderdruck so ausgestal­ tet, daß optimale Arbeitsbedingungen beim Auftragen des flüssigen Klebstoffes bestehen. Der Klebstoff in dem Tank wird im vorliegenden Ausführungsbeispiel auf eine Tempera­ tur von 140°C aufgeheizt, der Förderdruck im Tank beträgt 0,1 bar. Die Gehäuse werden in einem geeigneten Magazin bzw. auf einer Trägerstreifeneinheit zum Auftropfen des Klebstoffes bereitgestellt. Die Austrittsdüse für den Schmelzklebstoff wird mittels einer Düsenheizung auf 220°C erhitzt. Ist die dosierte Klebstoffmenge auf das Gehäuse aufgetragen, wird der Bauelementechip aufgesetzt. Magazin bzw. Träger werden einer temperaturgeregelten Wärmeplatte zugeführt, so daß die Klebestelle auf die benötigte Verarbeitungstemperatur gebracht wird. Ist die Temperatur erreicht, wird der Chip durch eine Vorrichtung exakt positioniert und angedrückt. Danach wird das Bauelement abgekühlt und zur Bearbeitung den weiteren Arbeits­ schritten zugeführt und schließlich durch eine entspre­ chende Gehäusekappe bzw. einen Deckel verschlossen.
Die durch die Bearbeitung und durch den Verschluß des elek­ tronischen Bauelementes entstandenen mechanischen Spannun­ gen, die zur Beeinträchtigung des Bauelementes führen wür­ den, werden dadurch ausgeglichen, daß nach den Bearbeitun­ gen das Bauelement im verschlossenen Zustand nochmals einer Erwärmung auf ca. 150°C zugeführt wird, so daß sich der Schmelzklebstoff erneut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens wird der Klebstoff nicht flüssig bereitgestellt, sondern ist vor dem Bearbeitungsprozeß in eine Folie verarbeitet worden. Diese dünne Folie befindet sich auf einem geeigneten Grund­ material und wird kurz vor der Verarbeitung von diesem Grundmaterial getrennt. Die notwendige Menge des Klebstof­ fes wird von der Folie abgetrennt und an die Stelle des Ge­ häuses eingebracht, auf der der Bauelementechip montiert werden soll. Nach Erwärmen der Folie im Gehäuse wird der Klebstoff verflüssigt und der Bauelementechip kann wie im voranstehenden Ausführungsbeispiel eingelegt und weiter verarbeitet werden.
Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen Ausfüh­ rungsbeispiele beschränkt. Vielmehr ist es möglich, durch Variationen der aufgezeigten Merkmale und Parameter weitere Ausführungsformen zu realisieren, ohne den Rahmen der Er­ findung zu verlassen.

Claims (16)

1. Elektronisches Bauelement, bestehend aus einem Bauele­ mentechip und einem Gehäuse, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Unterseite (1a) des Bauelementechips (1) und der Innenseite (2a) des Gehäusebodens (2) eine Schicht (3) aus Schmelzklebstoff angeordnet ist.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) vollflächig ausgebildet ist.
3. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) punktuell ausgebildet ist.
4. Elektronisches Bauelement Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstellen (5) des Bauelementechips (1) an der Oberseite (1b) angeordnet sind und die Verbindung zu den Bondstellen (6) am Gehäuseboden (2) mittels Bond­ drähten (4) realisiert ist.
5. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein Mehrschichtkeramikgehäuse ist.
6. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bauelementechip ein SAW-Filter aus ST-Quarz ist.
7. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzklebstoff eine Wärmestandfestigkeits­ temperatur von mindestens 85°C aufweist.
8. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzklebstoff eine Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C aufweist.
9. Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauelemente welche aus einem Gehäuse und darin mittels Klebstoffs befestigten Bauelementechips bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - auf die vorgesehene Verbindungsstelle zwischen Baue­ lementechip und Gehäuse eine definierte Menge Schmelzklebstoff aufgebracht,
  • - der Bauelementechip positioniert und angedrückt,
  • - das so vorgefertigte Bauelement abgekühlt und der weiteren Bearbeitung unterzogen wird und
  • - nach Abschluß der Bearbeitung und Verschluß des Ge­ häuses das Bauelement einer nochmaligen Erwärmung un­ terzogen wird, so daß sich der Schmelzklebstoff er­ neut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die definierte Menge Schmelzklebstoff auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle in flüssiger Form aufgebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die definierte Menge Schmelzklebstoff auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle in fester Form aufgebracht und nachfolgend erwärmt und damit verflüssigt wird.
12. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgesehene Verbindungsstelle am Gehäuse bzw. Trä­ ger vorgewärmt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der feste Klebstoff in eine Folie eingebunden ist, wel­ che sich auf einem Grundmaterial befindet und von die­ sem kurz vor der Verarbeitung abgetrennt, an der Ver­ bindungsstelle positioniert und verflüssigt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der flüssige Klebstoff der Verbindungsstelle aus einem Vorratstank über mindestens eine Düse dosiert zugeführt wird, wobei die Temperatur der Düse wesentlich höher ist als die Temperatur des flüssigen Klebstoffes in dem Vorratstank.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schmelzklebstoff eingesetzt wird, der eine Wärmestandfestigkeitstemperatur von mindestens 85°C besitzt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüchen 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schmelzklebstoff eingesetzt wird, der eine Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C besitzt.
DE4413529A 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement Expired - Fee Related DE4413529C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4413529A DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
EP95915782A EP0755573A1 (de) 1994-04-15 1995-04-13 Elektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
PCT/DE1995/000511 WO1995028739A1 (de) 1994-04-15 1995-04-13 Elektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
AU22541/95A AU2254195A (en) 1994-04-15 1995-04-13 Electronic component and process for producing same
NO964367A NO964367D0 (no) 1994-04-15 1996-10-14 Elektronikkomponent og dens fremstilling
FI964115A FI964115L (fi) 1994-04-15 1996-10-14 Elektroninen komponentti ja sen valmistusmenetelmä

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4413529A DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4413529A1 true DE4413529A1 (de) 1995-10-19
DE4413529C2 DE4413529C2 (de) 1996-07-25

Family

ID=6515837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4413529A Expired - Fee Related DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0755573A1 (de)
AU (1) AU2254195A (de)
DE (1) DE4413529C2 (de)
FI (1) FI964115L (de)
NO (1) NO964367D0 (de)
WO (1) WO1995028739A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0911876A2 (de) * 1997-10-21 1999-04-28 Nitto Denko Corporation Leiterplatte geringer thermischer Ausdehnung und Mehrlagenleiterplatte

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US515942A (en) * 1894-03-06 scates
EP0051165A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Aufnahmevorrichtung für auswechselbare ICs mit thermoplastischer Befestigung
EP0150882A1 (de) * 1984-01-30 1985-08-07 National Starch and Chemical Corporation Leitendes Band zur Befestigung von Halbleiterchips
DE3600895A1 (de) * 1985-01-17 1986-07-17 Microsi, Inc. (N.D.Ges.D.Staates Delaware), Phoenix, Ariz. Verfahren zur herstellung eines ic-siliciumwuerfel-verbunds mit heissschmelz-klebstoff auf seiner siliciumgrundflaeche
DE3907261A1 (de) * 1989-03-07 1990-09-13 Nematel Dr Rudolf Eidenschink Klebstoff
US5212115A (en) * 1991-03-04 1993-05-18 Motorola, Inc. Method for microelectronic device packaging employing capacitively coupled connections

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346124A (en) * 1981-05-04 1982-08-24 Laurier Associates, Inc. Method of applying an adhesive to a circuit chip
US4908086A (en) * 1985-06-24 1990-03-13 National Semiconductor Corporation Low-cost semiconductor device package process

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US515942A (en) * 1894-03-06 scates
EP0051165A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Aufnahmevorrichtung für auswechselbare ICs mit thermoplastischer Befestigung
EP0150882A1 (de) * 1984-01-30 1985-08-07 National Starch and Chemical Corporation Leitendes Band zur Befestigung von Halbleiterchips
DE3600895A1 (de) * 1985-01-17 1986-07-17 Microsi, Inc. (N.D.Ges.D.Staates Delaware), Phoenix, Ariz. Verfahren zur herstellung eines ic-siliciumwuerfel-verbunds mit heissschmelz-klebstoff auf seiner siliciumgrundflaeche
DE3907261A1 (de) * 1989-03-07 1990-09-13 Nematel Dr Rudolf Eidenschink Klebstoff
US5212115A (en) * 1991-03-04 1993-05-18 Motorola, Inc. Method for microelectronic device packaging employing capacitively coupled connections

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dr. S. Büttgernbach: "Mikromechanik" Verl. B.G. Teubner Stuttgart (1991) S. 179-184 *
EPP Juli/August 1993, S. 46 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0911876A2 (de) * 1997-10-21 1999-04-28 Nitto Denko Corporation Leiterplatte geringer thermischer Ausdehnung und Mehrlagenleiterplatte
EP0911876A3 (de) * 1997-10-21 2000-05-10 Nitto Denko Corporation Leiterplatte geringer thermischer Ausdehnung und Mehrlagenleiterplatte
US6180261B1 (en) 1997-10-21 2001-01-30 Nitto Denko Corporation Low thermal expansion circuit board and multilayer wiring circuit board
US6420018B1 (en) 1997-10-21 2002-07-16 Nitto Denko Corporation Low thermal expansion circuit board and multilayer wiring circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
FI964115L (fi) 1996-12-13
NO964367L (no) 1996-10-14
EP0755573A1 (de) 1997-01-29
DE4413529C2 (de) 1996-07-25
AU2254195A (en) 1995-11-10
FI964115A0 (fi) 1996-10-14
WO1995028739A1 (de) 1995-10-26
NO964367D0 (no) 1996-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3882412T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung.
DE102015107724B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung, Substratanordnung, Verfahren zum Verbinden eines Elektronikbauteils mit einer Substratanordnung und Elektronikbauteil
DE69312196T2 (de) Verfahren zur Vorbereitung der Montage eines Chips auf einem Substrat
DE3328975A1 (de) Verfahren zum hartverloeten zweier bauteile mit unterschiedlichen waermeleitfaehigkeiten und hartgeloetetes schaltungsflachgehaeuse
DE10118630A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelements
DE2459037A1 (de) Piezoelektrischer, keramischer resonator und verfahren zu dessen herstellung
DE2363833A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer den zusammenbau von halbleiterelementen
EP0420050B1 (de) Verfahren zum Auflöten von Bauelementen auf Leiterplatten
EP2928630A1 (de) Verfahren zum verbinden von wenigstens zwei komponenten unter verwendung eines sinterprozesses
DE1564867C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen
DE4424831C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung
DE4413529C2 (de) Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
EP3086361A2 (de) Verfahren zum herstellen einer substratanordnung mit einem vorfixiermittel, entsprechende substratanordnung, verfahren zum verbinden eines elektronikbauteils mit einer substratanordnung mit anwendung eines auf dem elektronikbauteil und/oder der substratanordnung aufgebrachten vorfixiermittels und mit einer substratanordnung verbundenes elektronikbauteil
EP1239412B1 (de) Verfahren zum Heissverkleben eines Chipmoduls mit einem Trägersubstrat
DE69317373T2 (de) Hohlgeformte Plastikpackung für Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren
DE3703925C2 (de) Verfahren zur Herstellung der elektrischen und mechanischen Verbindung von plattenförmigen Körpern
EP0593986B1 (de) Verfahren zum Verlöten eines Halbleiterkörpers mit einem Trägerelement
DE3326968A1 (de) Traegerbauteil aus thermoplastischem material mit durch heisspraegen aufgebrachten metallischen leitern
DE2546443A1 (de) Hybridfaehiger halbleiterschaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
DE3907681A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum dosieren von lotmengen
DE1523704C (de) Verfahren zum Befestigen von korper liehen Marken auf Zifferblattern
DE4231652C2 (de) Schmelzkontaktierverfahren und -vorrichtung zur Herstellung von Elektrodeneinheiten und deren Verwendung
EP3297410A1 (de) Lötschablone und verfahren zur herstellung einer leitrplattenanordnung
DE1816427C3 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht auf Halbleiterelemente
DE3027652A1 (de) Verfahren zur herstellung von keramikresonatoren und -filtern

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8339 Ceased/non-payment of the annual fee