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DE4407730A1 - Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung und Verfahren zu dessen Herstellung

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Publication number
DE4407730A1
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DE
Germany
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semiconductor
semiconductor layer
detector
layer
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4407730A
Other languages
English (en)
Inventor
Norbert Dipl Phys Haase
Andreas Dr Kalz
Peter Dipl Phys Huebler
Wolfram Dr Budde
Ralf Dipl Gottfried-Gottfried
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE4407730A priority Critical patent/DE4407730A1/de
Priority to PCT/DE1995/000257 priority patent/WO1995024738A1/de
Publication of DE4407730A1 publication Critical patent/DE4407730A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
    • A61N5/00—Radiation therapy
    • A61N5/06—Radiation therapy using light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
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Description

Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung, insbe­ sondere für UV-Licht, sowie das Verfahren zu dessen Herstellung vorzugsweise in Si-CMOS-Technologie. Ein solcher Detektor ist beispielsweise als UV- Erythem-Reizschwellendetektor mit einer spektralen Bandbreite von 290 nm bis 330 nm und der Nachweiswellenlänge von 310 nm verwendbar. Weitere Anwendungsmöglichkeiten ergeben sich bei entsprechender Dimensionierung des strahlungsempfindlichen Bereichs auf dem Gebiet der UV-Spektroskopie oder im visuellen Bereich auf dem Gebiet der Farbmetrik.
Infolge der Absorption von UV-Strahlung kommt es im Gewebe des menschli­ chen Körpers wie z. B. der Haut oder dem Auge in Abhängigkeit von der spektralen Eindringtiefe zu photochemischen Reaktionen. Zur Erzielung eines biologischen Effekts muß ein Bestrahlungsschwellwert überschritten sein, der mit einer Schwellbestrahlungsdauer verbunden ist. Als biologische Effekte seien hier gesundheitsschädigende Wirkungen wie UV-Erythem, Photokarziogenese, Photokonjuktivitis und Photokeratitis genannt. Da die UV-Erythem-Wirkungs­ funktion die der anderen biologischen Effekte einschließt, ist weiter unten beispielsweise ein Detektor mit integrierter Signalverstärkung und Akkumulator angegeben, der eine schmalbandige spektrale Empfindlichkeit mit seinem Maximum in der Nähe der UV-Erythem-Reizschwelle von 310 nm besitzt, minimal ca. 50 J/m nachweist und im übrigen Spektralbereich unempfindlich ist.
Stand der Technik
Bei vielen Anwendungen der Meß-, Steuer- und Regelungstechnik werden spektral empfindliche Halbleiterbauelemente mit einem p-n-Übergang einge­ setzt. Mit ihrer Hilfe lassen sich zum Beispiel Strahlungsdosimeter herstellen. Die spektrale Strahlungsempfindlichkeit läßt sich auf verschiedene Art und Weise realisieren.
So wird beispielsweise in der DE-OS 30 12 523 und in H. -G. Graf, G. Zimmer, "Ion-Implanted MOS-Technology Compatible Photodides", Sensors and Actuators, 3 (1982/83), 129-136 eine Si-MOS-Photodiode zur Detektion elek­ tromagnetischer Strahlung verwendet. Bei einer solchen Diode werden die op­ tisch erzeugten Elektronen-Lochpaare durch das lokale elektrische Feld der Raumladungszone räumlich getrennt, so daß eine Photospannung bzw. ein Pho­ tostrom an den Elektroden entsteht. Bei einer pin-Diode ist der Raumladungsbe­ reich so weit ausgedehnt, daß nahezu alle einfallenden Photonen im Raumla­ dungsgebiet absorbiert werden. Die spektrale Empfindlichkeit wird in der DE-OS 30 12 523 durch gemeinsame Verkapselung des strahlungsempfindlichen Halbleiterchips mit einem korrigierenden Filterglas in einem transparenten Kunststoff erreicht. Die Nachteile der auf diese Weise realisierten Bauelemente sind hohe Fertigungs- und Montagekosten sowie mangelhafte Miniaturisierungs- und Integrationsmöglichkeit.
In der DE-OS 31 01 700 wird eine Photodiode zum Nachweis und/oder zur In­ tensitätsmessung vorzugsweise monochromatischer elektromagnetischer Strahlung angegeben. Ziel dieser Erfindung sind Photodioden mit solchen opti­ schen Eigenschaften, durch welche die bei konventionellen Photodioden durch unvollständige Absorption im Sperrbereich auftretenden Umwandlungsverluste und die Reflexionsverluste der Strahlungsenergie für einen vorgegebenen Wel­ lenlängenbereich weitgehend aufgehoben werden. Dies wird erreicht, indem der Halbleiter mit einer Interferenzschichtfolge hohen Reflexionsgrades hinterlegt ist und eine in Strahlungsrichtung gemessene optische Dicke von n × d = in × λ/4 aufweist, wobei λ die gewünschte Nachweis-Wellenlänge ist, bei welcher der Absorptionskoeffizient den Wert k annimmt, n die Brechzahl des Halbleiters bei der Wellenlänge λ und m eine ganze Zahl in der Nähe des Wertes 2/π × k ist. Mit dieser Lösung werden zwar die Mängel gegenüber der DE-OS 30 12 523 beseitigt, jedoch werden halbleiterfertigungstechnische Bedingungen zur Realisierbarkeit des Detektors, wie Diffusion von Metallionen, nicht berücksich­ tigt. Weiterhin wird hier keine Lösung zur Erhöhung der spektralen Empfindlich­ keit des Halbleiterbauelementes im UV-Bereich bei gleichzeitiger drastischer Senkung im visuellen und NIR-Bereich angegeben.
In der DE-OS 34 26 226 sind ein UV-empfindliches Photoelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben. Es besteht aus einem p-n-Material, wobei die dem einfallenden Licht ausgesetzte p-dotierte Oberflächenzone netzartig ausgebildet ist, so daß die mit n-dotiertem Substratmaterial verbunde­ nen inselförmigen Halbleiterbereiche die Lücken der netzartig ausgebildeten Oberflächenzone ausfüllen. Durch diese Vergrößerung der Oberflächenzone wird eine Empfindlichkeitserhöhung für kurzwelliges Licht erzielt. Die Empfind­ lichkeitsverteilung im übrigen Spektralbereich ändert sich dadurch nicht, so daß mit dieser technischen Lösung keine Unterdrückung der längerwelligen Strah­ lung möglich ist.
In der EP 296 371 sind ein Photodetektor für UV-Strahlung und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben. Der Photodetektor weist eine vorderseitige Halbleiterstruktur mit unterschiedlich dotierten Bereichen in einem Substrat auf, wobei das wirksame Detektorvolumen durch eine im Substrat erzeugte Potentialschwelle in einer der Eindringtiefe des kurzwelligen Teils der Strahlung entsprechenden Tiefe begrenzt ist. Diese Begrenzung des wirksamen Detektor­ volumens in der Tiefe bewirkt eine höhere spektrale Empfindlichkeit im UV-Be­ reich gegenüber der im visuellen und nahen Infrarotbereich. Die Potential­ schwelle wird durch eine flache Diffusion oder durch eine dementsprechende Ionenimplantation von Fremdatomen im Halbleitersubstrat in der Weise erzeugt, daß die Generation und Trennung von Ladungsträgern nur in einer Tiefe von 50 nm bis 300 nm erfolgen kann. Langwellige Infrarotstrahlung passiert diesen Bereich und führt zur Rekombination im Substrat. Da für den sichtbaren Spek­ tralbereich dieser flach dotierte bzw. implantierte Halbleiterbereich bereits schon eine endliche Absorption aufweist, kann eine Restempfindlichkeit des Detektors in diesem Bereich nicht beseitigt werden. Des weiteren sind geringe Dotierungs­ tiefen von 50 nm bis 150 nm zwar theoretisch denkbar, jedoch praktisch nicht realisierbar und steuerbar, da sich die Fremdatome nach dem Dotierungs- bzw. Implantationsprozeß auf Zwischengitterplätzen befinden und somit eine Wärme­ behandlung des Halbleiters erforderlich ist, die eine Ausdiffusion aus diesem ge­ ringen Bereich bewirkt. Somit können mit diesem Verfahren praktisch nur Dotierungs- bzw. Implantationsprofile mit einer Tiefe ab etwa 150 nm erzeugt werden, wobei die exakte Steuerung der Tiefe problematisch ist.
Darstellung der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Halbleiter-Detektor mit hoher spektraler Empfindlichkeit im kurzwelligen, insbesondere im UV-Bereich, und minimaler Empfindlichkeit im visuellen (VIS) und nahen Infrarotbereich (NIR) anzugeben, der ein wirksames Detektorvolumen aufweist, dessen Tiefe scharf begrenzt und bei der Herstellung auf einfache Weise bis auf einen Minimalwert von weniger als 10 nm exakt einstellbar ist.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den in den Ansprüchen 1 oder 2 angegebenen Merkmalen gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen des Halbleiter- Detektors sind in den Unteransprüchen angegeben.
Der erfindungsgemäße Halbleiter-Detektor besteht aus einem Substrat mit einer vorderseitig angeordneten dünnen Halbleiterschicht und einer zwischen Halblei­ terschicht und Substrat befindlichen isolierenden Zwischenschicht. Alternativ kann das Substrat aus einem Isolator bestehen, so daß keine isolierende Zwischenschicht notwendig ist.
Der Halbleiter-Detektor enthält einen Photodetektor (z. B. als Photodiode), dessen unterschiedlich dotierte Bereiche und wirksames Detektorvolumen in einem Bereich der Halbleiterschicht lateral nebeneinander angeordnet sind (strahlungsempfindlicher Bereich). Weitere Bestandteile des Photodetektors, wie z. B. das Gate im Falle einer MOS-Struktur des Photodetektors, können auf der Halbleiterschicht aufgebracht sein. Unter dem wirksamen Detektorvolumen ist hier das Volumen zu verstehen, dessen durch die einfallende Strahlung erzeugte Ladungsträger zum Meßsignal des Photodetektors beitragen.
Das wirksame Detektorvolumen erstreckt sich erfindungsgemäß über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht, so daß es in der Tiefe durch die isolierende Zwischenschicht oder durch ein isolierendes Substrat exakt begrenzt ist. Die Dicke der Halbleiterschicht entspricht ungefähr der Eindringtiefe der einfallenden kurzwelligen Strahlung des nachzuweisenden Wellenlängenbereichs in diese Schicht. So entspricht die Eindringtiefe der Strahlung in eine Si-Schicht bei einer Wellenlänge von 400 nm etwa 220 nm, bei einer Wellenlänge von 300 nm etwa 40 bis 50 nm und bei einer Wellenlänge von 250 nm etwa 30 nm. Unter der Ein­ dringtiefe ist hier die Tiefe zu verstehen, bei der nahezu 100% der einfallenden Strahlung absorbiert sind.
Da nur die im wirksamen Detektorvolumen erzeugten Ladungsträger zum Ausgangssignal beitragen, wird der längerwellige Teil der Strahlung, der den weitaus größten Teil seiner Energie aufgrund der größeren Eindringtiefe außerhalb des wirksamen Detektorvolumens abgibt, nicht detektiert.
Die Grundstruktur des erfindungsgemäßen Halbleiterdetektors, bestehend aus Substrat, Halbleiterschicht und evtl. isolierender Zwischenschicht, kann bei­ spielsweise in SOI-Technik gefertigt sein, vorzugsweise durch Implantation von Sauerstoff (SIMOX-Prozeß) oder Stickstoff in ein Si-Substrat, durch Wafer­ bonding oder mittels SOS-Technik.
Der erfindungsgemäße Halbleiterdetektor weist aufgrund der geringen Tiefe des wirksamen Detektorvolumens eine hohe Empfindlichkeit im kurzwelligen (UV) und eine sehr geringe Empfindlichkeit im längerwelligen (VIS, NIR) Spektralbereich auf. Die längerwellige Strahlung, die im Substrat absorbiert wird und dort Ladungsträger erzeugt, trägt nicht zum Meßsignal bei, da erfindungsgemäß Substrat- und Halbleiterschicht durch eine Zwischenschicht oder durch das Substrat (als Isolator) selbst elektrisch voneinander isoliert sind. Da sich erfindungsgemäß das wirksame Detektorvolumen über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht erstreckt, ist die Begrenzung des Detektorvolumens in vorteilhafter Weise über eine Steuerung der Dicke der Halbleiterschicht bei der Herstellung des Detektors exakt möglich. Das wirksame Detektorvolumen wird in der Tiefe durch die Isolationszwischenschicht oder ein isolierendes Substrat scharf begrenzt.
Die Dicke der Halbleiterschicht läßt sich beispielsweise bei einem SOI-Halbleiter­ substrat durch gezieltes Rückätzen mit hoher Genauigkeit einstellen. Halbleiter­ schichten ab einer Dicke von etwa 5 nm sind damit realisierbar.
Der erfindungsgemäße Halbleiterdetektor kann somit durch geeignete Wahl der Schichtdicke der Halbleiterschicht auch an Wellenlängen, deren Eindringtiefe deutlich unter 150 nm liegt, exakt angepaßt werden.
In einer besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterdetek­ tors ist auf den strahlungsempfindlichen Bereich der Halbleiterschicht ein Interfe­ renzschichtstapel aufgebracht (Anspruch 4), der als spektraler Bandpaß mit maximaler Transmission für die Zentralwellenlänge λ des nachzuweisenden Wellenlängenbereichs wirkt.
Durch den Interferenzschichtstapel wird in erster Linie die untere Bandkante des nachzuweisenden Wellenlängenbereichs eingestellt, während die obere Bandkante durch die Dicke der Halbleiterschicht und damit des wirksamen Detektorvolumens bestimmt wird.
Der Schichtstapel besteht vorzugsweise aus abwechselnd metall- und dielektri­ schen-Schichten mit Schichtdicken von etwa λ/4. Weiterhin enthält der Interfe­ renzschichtstapel eine untere λ/2-Schicht als Schutzschicht des Photodetektors (Anspruch 5). Die oberste dielektrische λ/4-Schicht dient gleichzeitig als Passi­ vierung des Detektors.
Durch die exakte Einstellbarkeit der Schichtdicke der Halbleiterschicht kann diese innerhalb der durch die Eindringtiefe gesetzten Grenzen so gewählt werden, daß die Interferenzbedingung für minimale Reflexion im Wellenlängen­ bereich der nachzuweisenden Strahlung erfüllt ist (Anspruch 3). Damit bildet die Halbleiterschicht des Photodetektors selbst einen Teil des Interferenzschichtsta­ pels.
Mit dem erfindungsgemäßen Halbleiterdetektor läßt sich somit ein schmalbandi­ ger Detektor für den UV-Bereich realisieren, dessen spektrale Bandbreite über die Dicke der Halbleiterschicht und die Schichtfolge und Schichtdicken der Inter­ ferenzschichten eingestellt wird. Ein solcher Detektor kann z. B. mit einer maxima­ len Empfindlichkeit im Spektralbereich von 290 nm bis 330 nm für eine Nach­ weiswellenlänge von 310 nm ausgeführt werden, der Unempfindlichkeit im vi­ suellen und nahen Infrarotbereich besitzt.
Bei entsprechender Wahl der Dicke der Halbleiterschicht im strahlungsempfind­ lichen Bereich sowie des Interferenzschichtstapels sind natürlich auch Meßauf­ gaben im visuellen Bereich auf dem Gebiet der Farbmetrik erfüllbar.
Um geringe Strahlungsdichten wie 50 J/m² nachzuweisen, ist ein Signalverstär­ ker mit einem Dynamikumfang von mindestens vier Dekaden sowie ein Akkumu­ lator vorzugsweise in einem anderen Bereich der Halbleiterschicht integriert (Ansprüche 16 und 18). Dieser andere Bereich kann die gleiche oder auch eine andere, insbesondere größere Schichtdicke aufweisen als der strahlungsem­ pfindliche Bereich. Zur integrierbaren Auswerteelektronik gehören weiterhin bei­ spielsweise ein Analog-Digital-Wandler, eine digitale Kennlinienkorrektureinheit, eine Temperaturkompensation und eine Schwellwertlogik. Die Isolation der ver­ schiedenen Bereiche der Halbleiterschicht voneinander wird vorzugsweise durch LOCOS-Oxid bewirkt (Anspruch 14).
Die Auswerteelektronik kann auch im Falle eines Halbleitersubstrates in dieses integriert sein (Anspruch 17).
Vorteilhafte Ausführungsformen zur Ausgestaltung des Photodetektors sind in den Ansprüchen 7 bis 10 angegeben.
So kann der Photodetektor eine pin-Diode sein, die aus in der Halbleiterschicht angeordneten p- und n-Bereichen besteht (Anspruch 8).
Bei einer pin-Diode als Photodetektor (Anspruch 7) sind in die Halbleiterschicht p⁺- und n⁺-Bereiche mit einer ohmschen Kontaktierung und einem quasiintrin­ sisch leitenden i-Bereich als wirksamem Detektorvolumen eingebracht. Die Dicke der Halbleiterschicht beträgt für den UV-Bereich vorzugsweise zwischen 30 nm und 100 nm.
Der Photodetektor kann gemäß Anspruch 9 auch aus einer MOS-Struktur bestehen, die in der Halbleiterschicht angeordnet ist, wobei das für die Strahlung durchlässige Gate vorderseitig auf der Halbleiterschicht aufgebracht und von dieser isoliert ist, und das wirksame Detektorvolumen einen elektrischen, von der Intensität der Strahlung abhängigen Widerstand zwischen Source- und Drainleitung bildet.
Nach Anspruch 10 wird in der Halbleiterschicht eine Schottky-Diode als Photo­ detektor realisiert, die aus einer in die Halbleiterschicht eingebrachten n-Dotie­ rung und als Gegenelektrode angrenzend eingebrachten n⁺-Bereichen besteht, die außerhalb des strahlungsempfindlichen Bereichs ohmsch-kontaktiert sind, wobei die n-Dotierung vorderseitig mit einem auf der Halbleiterschicht aufge­ brachten Schottky-Kontakt abgeschlossen ist.
Eine Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß Substratmaterial unterhalb des strahlungsempfindlichen Bereichs zumindest teilweise zu entfernen (Anspruch 11), um die Umwandlung von Strahlung in Wärmeenergie durch Ab­ sorption längerwelliger Strahlung und die damit verbundene Erwärmung des Detektors zu minimieren. Gleichzeitig werden dadurch die ansonsten unver­ meidlichen Rückreflexionen transmittierter Strahlung (vor allem im VIS- und NIR- Bereich) an der Grenzfläche zum Substrat vermieden. Zur Vermeidung der Rückreflexionen an der Grenzfläche zu Luft kann auch gemäß Anspruch 12 eine Absorptionsschicht für längerwellige Strahlung rückseitig auf die freigelegte Iso­ lationsschicht aufgebracht werden.
Eine vorteilhafte Variante des erfindungsgemäßen Halbleiterdetektors und das Verfahren zu dessen Herstellung (Ansprüche 19 bis 21) sollen nachstehend am Beispiel des UV-Erythem-Reizschwellendetektors für den Wellenlängenbereich von 290 nm bis 330 nm in Verbindung mit den Zeichnungen (Fig. 1 und Fig. 2) näher erläutert werden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Fig. 1 zeigt ein Beispiel für den Aufbau des erfindungsgemäßen Halbleiterdetektors.
Fig. 2 zeigt schematisch ein Beispiel für die Auswerteelektronik einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterdetektors.
Ausführungsbeispiel
Der Halbleiterdetektor kann auf unterschiedliche Weise hergestellt werden, ein Halbleiterdetektor nach Anspruch 2 beispielsweise mittels SOS-Technik.
Der Halbleiterdetektor nach Anspruch 1 wird beispielsweise auf einem SIMOX- Halbleitersubstrat realisiert. Dieses wird mit einer Sauerstoffimplantation von 1,8 × 10 ¹⁸cm-2O⁺ bei 200 keV in ein Si-Halbleitersubstrat, vorzugsweise in mehreren Teildosisimplantationsschritten, und einer anschließenden Ausheilung bei 1300°C bis 1400°C und 2 bis 6 Stunden in Ar/O₂-Atmosphäre hergestellt. Durch Oxidation und Rückätzung wird eine Si-Filmdicke (3) von etwa 60 nm für den strahlungsempfindlichen Bereich und die CMOS-Elektronik (Auswerteelek­ tronik) in einem Schritt eingestellt. Spezifische unterschiedliche Si-Filmdicken für strahlungsempfindlichen Bereich und CMOS-Auswerteelektronik werden mit einer zusätzlichen selektiven Oxidation und Rückätzung justiert.
In Fig. 1 ist die Struktur des beispielhaften Halbleiterdetektors mit einer pin-Di­ ode als Photodetektor und einem Teil der integrierten Auswerteelektronik (die Figur enthält als Beispiel nur zwei Transistoren der Auswerteelektronik) darge­ stellt.
Im Si-Film (3) werden alle aktiven Bauelemente, Photodetektor und CMOS- Auswerteelektronik (10), hergestellt. Unterhalb des Si-Filmes entsteht nach der Ausheilung die vergrabene Oxidfilmdicke (2) von 400 nm. Bei Verwendung eines Waferbonding-Verfahrens (statt SIMOX-Prozeß) könnte die Oxidfilmdicke wahlweise auf 50 nm bis 2000 nm eingestellt werden.
Die laterale Isolation der Aktivelemente wird durch lokale Oxidation (LOCOS) des Si-Filmes (3) erreicht.
Die Justage der Schwellspannung für die in Fig. 1 gezeigten NMOS- und PMOS-Transistoren der Auswerteelektronik (10) erfolgt vor der Poly-Si-Gate- Herstellung durch B- und As-Implantation selektiv über Lackmasken. Unter Nutzung dieser Implantationsschritte im Dosisbereich 1 E11 bis 3 E12 cm-2 kann je nach Dotierung des SOI-Ausgangssubstrates wahlweise ohne zusätzliche Masken das i-Gebiet (7) der pin-Diode schwach n oder p-dotiert werden. Die Dicke und Dotierung des i-Gebietes (7) wird für die nachzuweisende Bandbreite der elektromagnetischen Strahlung von 290 nm bis 330 nm auf 60 nm und eine n-Dotierung des i-Gebietes von 1 E15 cm-3 eingestellt. Die besten Rauscheigen­ schaften werden mit hochohmigen Si-Substraten ohne zusätzliche Implantatio­ nen in das i-Gebiet erreicht. Nach der Poly-Si-Gate-Herstellung werden durch P (NMOS-LDD, 30-40 keV, 1 E13 cm-2), As (NMOS-N⁺, 80 keV, 5 E15 cm-2) und BF₂ (PMOS-P⁺, 80 keV, 3 E15 cm-2) Implantation und Ausheilung die Source- und Drain-Gebiete hergestellt. Mit der As- und BF₂-Implantation werden ohne zusätzliche Masken gleichzeitig die N⁺-Kathoden- und P⁺-Anodengebiete (4, 5) der pin-Diode des Detektors hergestellt. Der NMOS-Transistor für die Auswerteelektronik (10) wird als LDD-Transistor ausgeführt.
Eine 20 nm bis 50 nm dicke Ti-Salicide-Schicht (TiSi₂) wird auf alle N+- und P⁺- Gebiete der pin-Diode und der Auswerteelektronik durch Ti-Sputtern, Tempern und selektives Ätzen aufgebracht. Dadurch wird der Schichtwiderstand der ex­ trem dünnen N⁺- und P⁺-Filmgebiete auf 2 bis 5 Ohm/sq reduziert.
Nach Aufbringen einer BPSG-Isolationsschicht wird die AlSi- oder AlSiCu- Verdrahtung (9) mit TiN-Barriere des gesamten UV-Erythem-Reizschwellende­ tektors hergestellt. Bei der Kontaktfensterätzung wird gleichzeitig die Isolations­ schicht über dem wirksamen Detektorvolumen (7) der pin-Diode entfernt. Ebenso wird bei der abschließenden Strukturierung der Endpassivierung das wirksame Detektorvolumen (7) freigelegt. Dieses kann wahlweise auch über eine zusätzliche Maske in einem separaten Ätzschritt erfolgen.
Danach wird in das freigelegte Fenster des Aktivgebietes der Interferenz­ schichtstapel (11) bestehend aus 320 nm bis 340 nm SiO₂, 10 bis 15 nm AI, 180 nm SiO₂, 10 bis 15 nm Al und 90 nm SiO₂ oder wahlweise bestehend aus 40 nm Si₃N₄, 70 nm SiO₂, 40 nm Si₃N₄ und 70 nm SiO₂ aufgebracht und mit einem Trockenätzverfahren strukturiert.
Da sich die temperaturempfindliche Wirkung einer nach dem beschriebenen Verfahren hergestellen pin-Diode als Detektor auf einem kleinen Volumenbereich mit einer pin-Diodenfläche von einigen 100 × 100 µm² beschränkt, sollte das Trägervolumen der Diode eine möglichst kleine Wärmekapazität besitzen. Dazu wird in einer vorteilhaften Variante die Rückseite des Substrates (1) unterhalb des Aktivgebietes (8) der pin-Diode einer Ätzbehandlung unterworfen und der Raumbereich unterhalb des Aktivgebietes (8) aus dem Substrat herausgeätzt (in Fig. 1 gestrichelt gezeichnet). Dabei wird der Oxidfilm (2) als Ätzstop verwen­ det. Dieses bewirkt gleichzeitig eine Reduzierung der an den Grenzflächen zum Substrat ansonsten unvermeidlichen Rückreflexionen der transmittierten Strah­ lung in das Detektorgebiet.
Die Signalauswertung erfolgt mit der in Fig. 2 gezeigten Auswerteelektronik über eine Umsetzung des Photostroms in eine äquivalente Spannung mittels eines Meßverstärkers (12). Der Dynamikumfang von mindestens 4 Dekaden er­ fordert eine automatische Bereichsumschaltung. Diese kann über eine Rück­ kopplungsimpedanz erfolgen. Als Rückkopplungsimpedanz können Wider­ stände oder geschaltete Kondensatoren verwendet werden. Das Ausgangs­ signal des Meßverstärkers wird über einen Analog-Digital-Wandler (13) umge­ setzt und nach einer digitalen Kennlinienkorrektur (14) in einem Akkumulator (15) aufintegriert. Eine zusätzlich integrierte Temperaturkompensation des De­ tektorsignals ist in jedem Fall erforderlich, wenn das Substratmaterial unterhalb des Detektors nicht entfernt wird. Sie kann sowohl hinter dem Meßverstärker wie auch nach der Analog-Digital-Umsetzung erfolgen. Der Akkumulator übernimmt die Integration des Detektorsignals und somit die eigentliche Bestimmung der Strahlungsdosis. Eine Rücksetzung des Akkumulators kann sowohl nach 24 Stunden über eine ebenfalls integrierte Uhr oder auch über einen von außen zu bediendenden Resetschalter erfolgen.

Claims (22)

1. Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung, insbesondere im UV-Bereich, der aus einem Substrat (1) mit einer vorderseitig angeordneten Halbleiter­ schicht (3) besteht, die Bestandteile eines Photodetektors in Form von un­ terschiedlich dotierten Bereichen (4, 5) und einem wirksamen Detektorvo­ lumen (7) enthält, wobei das wirksame Detektorvolumen in einer Tiefe be­ grenzt ist, die der Eindringtiefe der vorderseitig einfallenden Strahlung (6) des nachzuweisenden Wellenlängenbereiches in das Detektorvolumen entspricht, und weitere Bestandteile des Photodetektors vorderseitig auf der Halbleiterschicht aufgebracht sein können, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • - Substrat (1) und Halbleiterschicht (3) sind durch eine elektrisch isolie­ rende Zwischenschicht (2) voneinander getrennt;
  • - die unterschiedlich dotierten Bereiche (4, 5) und das wirksame Detek­ torvolumen (7) sind in einem ersten Bereich (8) der Halbleiterschicht la­ teral nebeneinander angeordnet;
  • - das wirksame Detektorvolumen (7) erstreckt sich über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht (3) im ersten Bereich (8), so daß es in der Tiefe durch die isolierende Zwischenschicht (2) begrenzt ist.
2. Halbleiterdetektor für kurzwellige Strahlung, insbesondere im UV-Bereich, der aus einem Substrat (1) mit einer vorderseitig angeordneten Halbleiter­ schicht (3) besteht, die Bestandteile eines Photodetektors in Form von un­ terschiedlich dotierten Bereichen (4, 5) und einem wirksamen Detektorvo­ lumen (7) enthält, wobei das wirksame Detektorvolumen in einer Tiefe be­ grenzt ist, die der Eindringtiefe der vorderseitig einfallenden Strahlung (6) des nachzuweisenden Wellenlängenbereiches in das Detektorvolumen entspricht, und weitere Bestandteile des Photodetektors vorderseitig auf der Halbleiterschicht aufgebracht sein können, gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
  • - das Substrat (1) besteht aus einem Isolator;
  • - die unterschiedlich dotierten Bereiche (4, 5) und das wirksame Detek­ torvolumen (7) sind in einem ersten Bereich (8) der Halbleiterschicht la­ teral nebeneinander angeordnet;
  • - das wirksame Detektorvolumen (7) erstreckt sich über die gesamte Dicke der Halbleiterschicht (3) im ersten Bereich (8), so daß es in der Tiefe durch den Isolator (1) begrenzt ist.
3. Halbleiterdetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Halbleiterschicht (3) im ersten Bereich (8) so gewählt ist, daß die Interferenzbedingung für minimale Reflexion im Wellenlängenbe­ reich der nachzuweisenden Strahlung an der vorderseitigen Eintrittsfläche in die Halbleiterschicht erfüllt ist.
4. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Photodetektor über dem wirksamen Detektorvolumen (7) mehrere übereinanderliegende Interferenzschichten (11) aufgebracht sind, die als spektraler Bandpaß wirken und eine maximale Transmission für den Wellenlängenbereich der nachzuweisenden Strahlung aufweisen.
5. Halbleiterdetektor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Interferenzschichten (11) abwechselnd metall- und dielektrische Schichten sind, die eine Dicke von etwa λ/4 aufweisen, wobei die unterste Schicht als Schutzschicht dient und eine Dicke von etwa λ/2 aufweist.
6. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Photodetektor über dem ersten Bereich (8) der Halbleiter­ schicht (3) eine dielektrische Schutzschicht aufgebracht ist.
7. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodetektor eine pin-Diode ist, bestehend aus in der Halbleiter­ schicht (3) angeordneten p⁺- und n⁺-Bereichen mit einer ohmschen Kontaktierung und einem quasiintrinsisch leitenden i-Bereich als wirksa­ men Detektorvolumen (7), wobei die Dicke der Halbleiterschicht (3) zwi­ schen 30 nm und 100 nm beträgt.
8. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodetektor eine pn-Diode ist, bestehend aus in der Halbleiter­ schicht (3) angeordneten p- und n-Bereichen.
9. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodetektor aus einer MOS-Struktur besteht, die in der Halblei­ terschicht (3) angeordnet ist, wobei das für die Strahlung durch lässige Gate vorderseitig auf der Halbleiterschicht aufgebracht und von dieser iso­ liert ist, und das wirksame Detektorvolumen (7) einen elektrischen, von der Intensität der Strahlung abhängigen Widerstand zwischen Source- und Drainleitung bildet.
10. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Photodetektor aus einer in die Halbleiterschicht (3) eingebrachten n-Dotierung und als Gegenelektrode angrenzend eingebrachten n + -Berei­ chen besteht, die außerhalb des ersten Bereichs (8) ohmsch-kontaktiert sind, wobei die n-Dotierung vorderseitig mit einem auf der Halbleiterschicht (3) aufgebrachten Schottky-Kontakt abgeschlossen ist.
11. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) im Bereich unterhalb des wirksamen Detektorvolu­ mens (7) eine rückseitige Ausnehmung aufweist.
12. Halbleiterdetektor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß durch die rückseitige Ausnehmung ein Bereich der Isolationsschicht (2) freigelegt und darauf rückseitig eine Absorptionsschicht aufgebracht ist.
13. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (3) aus Silizium besteht, das mittels SOI-Technik auf das Substrat (1) aufgebracht wurde.
14. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Halbleiterschicht (3) befindlichen Bestandteile des Photode­ tektors lateral durch LOCOS-Oxid von den weiteren Bereichen der Halblei­ terschicht isoliert sind.
15. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1, 3 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) ein Halbleitersubstrat und die Isolationsschicht (2) ei­ ne Oxid-Schicht ist.
16. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß in einem zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3), der die gleiche oder eine andere Schichtdicke wie der erste Bereich (8) aufweisen kann, eine Auswerteelektronik (10) für den Photodetektor integriert ist.
17. Halbleiterdetektor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Bereich des Halbleitersubstrates (1) eine Auswerteelektronik für den Photodetektor integriert ist.
18. Halbleiterdetektor nach einem der Ansprüche 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswerteelektronik (10) einen Meßverstärker (12), einen Analog- Digital-Wandler (13), eine digitale Kennlinienkorrektureinheit (14), einen Ak­ kumulator (15), eine Temperaturkompensation und eine Schwellwertlogik aufweist.
19. Verfahren zur Herstellung des Halbleiterdetektors nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
  • - Bereitstellen eines SOl-Halbleitersubstrates, beispielsweise erzeugt mit­ tels SIMOX-Prozeß;
  • - exaktes Einstellen der Dicke der vorderseitigen Siliziumhalbleiterschicht (3) entsprechend der Eindringtiefe der nachzuweisenden Strahlung durch Oxidation und Rückätzung;
  • - Herstellung der unterschiedlich dotierten Bereiche in der Halbleiter­ schicht (3) durch Implantation und nachfolgende Ausheilung;
  • - laterale Isolation der Aktivelemente durch lokale Oxidation (LOCOS);
  • - Aufbringen einer Isolationsschicht;
  • - Kontaktfensterätzung;
  • - Herstellung der Verdrahtung (9);
  • - Wegätzen der Isolationsschicht über dem wirksamen Detektorvolumen (7);
  • - wahlweises Aufbringen eines Interferenzschichtstapels (11) oder einer dielektrischen Schutzschicht über dem wirksamen Detektorvolumen.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich in die Rückseite des Substrates (1) im Bereich unterhalb des wirksamen Detektorvolumens (7) eine Ausnehmung geätzt wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich in einem zweiten Bereich der Halbleiterschicht (3) die Halbleiterstrukturen für die Auswerteelektronik (10) eingebracht werden.
22. Verwendung des Halbleiterdetektors nach einem der Ansprüche 1 bis 18 zur Bestimmung der Strahlungsdosis, insbesondere als UV-Erythem-Reiz­ schwellendetektor.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005062005A1 (en) * 2003-12-12 2005-07-07 Honeywell International Inc. Planar ultra violet light detector
DE102023123714A1 (de) * 2023-09-04 2025-03-06 Elmos Semiconductor Se Logarithmierer mit reduzierter Einschwingzeit und Verfahren zur automatischen Regulierung einer wirksamen Rückkopplungskapazität des Logarithmierers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0296371A1 (de) * 1987-06-22 1988-12-28 Landis & Gyr Business Support AG Photodetektor für Ultraviolett und Verfahren zur Herstellung
GB2241605A (en) * 1985-09-11 1991-09-04 Philips Electronic Associated Infrared photodiodes, arrays and their manufacture
DE4012984A1 (de) * 1990-04-24 1991-10-31 Edgar Hoehn Dosimeter

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD143839A1 (de) * 1979-07-03 1980-09-10 Friedhelm Banse Strahlungsempfindliches halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DD158198A3 (de) * 1980-03-31 1983-01-05 Hubert Pohlack Photodiode
JPS5974685A (ja) * 1982-10-22 1984-04-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フオトダイオ−ド
DE3426226A1 (de) * 1984-07-17 1986-01-30 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Uv-empfindliches fotoelement und verfahren zu seiner herstellung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2241605A (en) * 1985-09-11 1991-09-04 Philips Electronic Associated Infrared photodiodes, arrays and their manufacture
EP0296371A1 (de) * 1987-06-22 1988-12-28 Landis & Gyr Business Support AG Photodetektor für Ultraviolett und Verfahren zur Herstellung
DE4012984A1 (de) * 1990-04-24 1991-10-31 Edgar Hoehn Dosimeter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005062005A1 (en) * 2003-12-12 2005-07-07 Honeywell International Inc. Planar ultra violet light detector
US7391147B2 (en) 2003-12-12 2008-06-24 Honeywell International Inc. Planar ultra violet light detector
DE102023123714A1 (de) * 2023-09-04 2025-03-06 Elmos Semiconductor Se Logarithmierer mit reduzierter Einschwingzeit und Verfahren zur automatischen Regulierung einer wirksamen Rückkopplungskapazität des Logarithmierers

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