DE3841255A1 - Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsols - Google Patents
Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsolsInfo
- Publication number
- DE3841255A1 DE3841255A1 DE3841255A DE3841255A DE3841255A1 DE 3841255 A1 DE3841255 A1 DE 3841255A1 DE 3841255 A DE3841255 A DE 3841255A DE 3841255 A DE3841255 A DE 3841255A DE 3841255 A1 DE3841255 A1 DE 3841255A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- viscous liquid
- gel film
- liquid
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 56
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 claims description 45
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- -1 titanium alkoxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002168 ethanoic acid esters Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 claims 1
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005979 Citrus limon Nutrition 0.000 description 1
- 244000131522 Citrus pyriformis Species 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010061218 Inflammation Diseases 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000004054 inflammatory process Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004704 methoxides Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical class CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000011240 wet gel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/229—Non-specific enumeration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/113—Deposition methods from solutions or suspensions by sol-gel processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines ge
musterten Überzugsfilms einer Metallverbindung wie eines
Oxids oder eines Nitrids auf einer Substratoberfläche nach
einer Sol-Gel-Methode unter Verwendung eines Metallalkoxid
sols, wobei das Verfahren einen selektiven Ätzvorgang umfaßt.
Für verschiedene Zwecke einschließlich elektronische Zwecke,
optische Anwendungen und Ornamente ist derzeit eine wichtige
Verfahrensweise die Bildung eines dünnen Films eines Oxids,
Nitrids oder eines halbleitenden Materials auf einer Sub
stratoberfläche in einem gewünschten Muster, wobei verschie
dene Verfahrensweisen zur Durchführung einer Musterbeschich
tung bekannt sind. Beispielsweise wird bei einer PVD-Ver
fahrensweise (PVD = physikalische Dampfabscheidung) wie
einer Vakuumverdampfung oder einer Vakuumzerstäubung das
Substrat häufig mit einer Maske mit dem gewünschten Muster
versehen.
Weiterhin wird eine Verfahrensweise angewandt, bei der zu
nächst ein Überzugsfilm über der gesamten Fläche der Sub
stratoberfläche ausgebildet und dann der Film in den nicht
erforderlichen oder nicht gewünschten Flächen durch eine
Ätzbehandlung entfernt wird. Beispielsweise umfaßt die Ätz
behandlung im Fall eines Filmes aus SnO2 oder In2O3-SnO2
das Überziehen des Filmes mit einer Ätzschutzschicht, die
Ausbildung des Musters in der Ätzschutzschicht durch Photo
lithographie und dann das Ätzen des mit der Ätzschutzschicht
maskierten Oxidfilms unter Verwendung eines geeigneten Ätz
mittels wie einer wäßrigen Lösung einer Säure oder eines
Metallchlorids oder mittels durch Reaktion eines Metallpul
vers mit einer Säure gebildeten Wasserstoffgases. Für einige
Anwendungen ist die Ausbildung des Musters eines Überzugs
films durch Laserstrahlabtastung ebenfalls bekannt.
Diese konventionellen Methoden der Musterbildung sind jedoch
nicht immer effektiv für eine Musterbildung von dünnen Fil
men von einigen Oxiden wie SiO2, TiO2, ZrO2 und Al2O3 oder
korrosionsbeständigen Nitriden wie TiN und SiN, und bei
einigen Methoden bedingt die Verwendung von schädlichen
und korrodierenden Ätzmitteln wie Fluorwasserstoffsäure
oftmals schwerwiegende Probleme.
In letzter Zeit zeigte sich wachsendes Interesse für die
Anwendungen der sogenannten Sol-Gel-Methode zur Bildung
von mit Mustern versehenen Überzugsfilmen. Bei einer Sol-
Gel-Methode wird ein Überzugsfilm eines Metallalkoxidsols
durch Hydrolyse auf einer Substratoberfläche geliert, und
dann wird der Gelfilm zur Herbeiführung der Pyrolyse einge
brannt. Es gibt einige Vorschläge hinsichtlich der Ätzmethode,
die bei einer Sol-Gel-Methode angewandt werden kann. In
der JP-A 59-6541 wird z.B. vorgeschlagen, zuerst einen Metallalk
oxidgelfilm auf einer Substratoberfläche durch Erhitzen
zu härten, den gehärteten Film mit einem Film eines Ätzschutz
mittels zu überlagern, den Ätzschutzmittelfilm durch Litho
graphie unter Ausnutzung hiervon als Maske zu mustern und
den gehärteten Film in den nicht erforderlichen Flächen
mit z.B. einem reaktionsfähigen Gas zu ätzen. In der JP-A
60-1711 wird vorgeschlagen, zunächst einen Siliziumalkoxid
gelfilm auf einer Substratoberfläche durch eine milde Hitze
behandlung zu härten, einen gemusterten Film eines alkali
beständigen Ätzschutzes auf den gehärteten Film mittels
Siebdruck auszubilden und den gehärteten Film in den nicht
erforderlichen Flächen mit einer Alkalilösung zu ätzen.
Wie in den zuvorgenannten japanischen Patentveröffentlichun
gen ausgeführt, ist es eine gemeinsame Möglichkeit, einen
Alkoxidgelfilm durch eine Hitzebehandlung zu härten vor
der Durchführung einer Ätzbehandlung unter Anwendung eines
gemusterten Ätzschutzfilms als Maskierung. Jedoch bedingt
das Aushärten des Überzugsfilms einige Beständigkeit gegen
über Korrosion, wodurch der nachfolgende Ätzvorgang eine
relativ geringe Effizienz bekommt. Daher ist es erforder
lich, den Ätzvorgang für eine lange Zeitspanne fortzufüh
ren und/oder eine sehr korrodierende Säure oder Alkaliver
bindung als Ätzmittel anzuwenden, und bei einem solchen
intensiven Ätzen besteht die Schwierigkeit einer präzisen
Musterbildung, da selbst in den maskierten Flächen der ge
härtete Film in einem gewissen Ausmaß eine Erosion erfahren
kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung
eines Verfahrens für die leichte und effiziente Ausbildung
eines Beschichtungsfilms mit gewünschtem Muster aus einer
Metallverbindung auf einer Substratoberfläche, wobei dieses
Verfahren sich eines Metallalkoxidsols bedient und ein selek
tives Ätzen nach einer neuen Technik umfaßt.
Zur Lösung dieser Aufgabe dient das erfindungsgemäße Ver
fahren zur Herstellung eines gemusterten Films aus einer
anorganischen Metallverbindung auf einem Substrat, wobei
das Verfahren die Stufen des Auftrages eines Metallalkoxid
sols auf ein Substrat zur Bildung eines Solfilmes auf dem
Substrat, die Ermöglichung der Umwandlung des Solfilmes
in einen Gelfilm durch Hydrolyse des Metallalkoxids, die
Entfernung des Gelfilms in der/den nicht erforderlichen
Fläche/n durch selektives Ätzen und dann das Einbrennen
des Filmes in der/den verbliebenen Fläche/n zur vollständi
gen Umwandlung des Materials des Filmes in die gewünschte,
anorganische Metallverbindung umfaßt, wobei das Verfahren
dadurch gekennzeichnet ist, daß das selektive Ätzen durch
folgende Stufen durchgeführt wird:
- a) Auftrag einer viskosen Flüssigkeit, welche zur wenig stens teilweisen Zersetzung des Gelfilms in der Lage ist, auf den Gelfilm in der/den nicht erforderlichen Fläche/n und Ermöglichung des Eindringens der aufge tragenen, viskosen Flüssigkeit in den darunterliegen den Gelfilm und dessen Befeuchtung,
- b) Erhitzen des mit dieser viskosen Flüssigkeit in der/den nicht erforderlichen Fläche/n befeuchteten Gelfilms auf eine Temperatur niedriger als 300°C zur Härtung des Gelfilmes in der/den erforderlichen Fläche/n, und
- c) Entfernung des Gelfilmes in der/den nicht erforder lichen Fläche/n zusammen mit dem Rückstand der aufge tragenen viskosen Flüssigkeit durch Waschen mit wenig stens einer Waschflüssigkeit.
Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzte viskose
Flüssigkeit kann z.B. ein organisches Lösungsmittel,
welches in dem Metallalkoxidsol löslich ist und in welchem
das Alkoxidsol löslich ist, und/oder eine organische Säure
enthalten.
Durch das milde Erwärmen nach dem Auftrag der viskosen Flüs
sigkeit auf den Gelfilm in der nicht erforderlichen Fläche/n
wird der Gelfilm in der/den erforderlichen oder gewünschten
Fläche/n gehärtet, so daß er gegenüber der oder den in der
nachfolgenden Stufe eingesetzten Waschflüssigkeit oder Wasch
flüssigkeiten beständig wird. Als Waschflüssigkeit kann
beispielsweise eine alkalische Lösung bzw. Alkalilösung
verwendet werden. In einigen Fällen, bei denen die viskose
Flüssigkeit eine wässrige Lösung einer organischen Säure
umfaßt und hinsichtlich der Zersetzung des darunterliegen
den Gelfilmes sehr effektiv ist, reicht die alleinige Ver
wendung von Wasser als Waschflüssigkeit aus.
Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist eine
Musterbildung von nach der Sol-Gel-Methode gebildeten Über
zugsfilmen in einfacher und wirtschaftlich leicht durchzu
führender Weise ohne Verwendung von sehr schädlichen und
stark korrodierenden Ätzmitteln möglich. Das erfindungsge
mäße Verfahren ist auf die Bildung von gemusterten Filmen
aus verschiedenen Oxiden und Nitriden wie z.B. TiO2, SiO2
ZrO2, Al2O3, TiN, SiN und Si3N4, sowie für verschiedene
Zwecke einschließlich Leiterfilmen, Halbleiterfilmen und
dielektrischen Filmen für Elektronikanwendungen, Filme mit
bestimmten Brechungsindizes und selektiv reflektierende
Filme für optische Anwendungszwecke und gefärbte Filme für
Ornamente anwendbar.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen näher er
läutert:
Die bei konventionellen Sol-Gel-Methoden eingesetzten Metall
alkoxide können bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwen
det werden. Üblicherweise wird ein Alkoxid von Ti, Si, Zr
oder Al angewandt, und üblicherweise wird das Alkoxid unter
Methoxiden, Ethoxiden, Propoxiden und Butoxiden ausgewählt.
Die Herstellung eines Metallalkoxidsols erfolgt ebenso wie
bei konventionellen Sol-Gel-Methoden. Üblicherweise wird
gegebenenfalls ein Alkohol zusammen mit anderen organischen
Lösungsmitteln und/oder Wasser eingesetzt.
Das Sol eines ausgewählten Metalloxids wird auf ein Substrat
oder eine Unterlage nach einer beliebigen der an sich be
kannten Beschichtungsmethoden aufgebracht, und der Solfilm
auf dem Substrat wird durch Hydrolyse des Metallalkoxids
mit entweder in dem Sol enthaltenem Wasser oder die Feuchtig
keit der Luft gelieren gelassen. Dies wird dadurch durchge
führt, daß der Solfilm einem natürlichen Trocknen bei Normal
temperatur oder einem Trocknen des Solfilms bei einer Tempera
tur niedriger als 100°C ausgesetzt wird. Der Gelfilm nimmt
zumindest an seiner Oberfläche einen festen Zustand an, die
ser Film enthält jedoch noch beträchtliche Mengen an Alkyl
gruppen, Hydroxylgruppen, etc. und ist daher kein sehr sta
biler Film. Der Gelfilm in diesem Zustand kann als "feuch
ter Gelfilm" bezeichnet werden.
Als nächstes wird eine viskose Flüssigkeit auf den feuchten
Gelfilm in der nicht erforderlichen Fläche/n bzw. Bereich/en
nach einer geeigneten Beschichtungsmethode unter Verwendung
einer gemusterten Maske oder nach der Technik des Siebdruckes
aufgebracht. Die viskose Flüssigkeit enthält eine flüssige
Substanz, welche in der Lage ist, wenigstens teilweise den
Gelfilm zu zersetzen. Ein Beispiel einer solchen flüssigen
Substanz ist ein organisches Lösungsmittel, das in dem ver
wendeten Alkoxidsol löslich ist und in welchem das Alkoxid
sol löslich ist. Solch ein Lösungsmittel kann aus Essig
säureestern, Ketonen und Alkoholen ausgewählt werden. Zur
Bereitstellung einer geeigneten Viskosität kann ein lösliches
Harz wie ein in Alkohol lösliches Phenolharz oder ein modifi
ziertes Kolophonium-Maleinsäureharz zusammen mit einem
organischen Lösungsmittel verwendet werden. Wahlweise kann
eine organische Säure wie Essigsäure, Oxalsäure, Citronen
säure oder Propionsäure oder eine alkalische Verbindung
wie Natriumhydroxid oder Ammoniak zu einer viskosen Flüssig
keit, welche ein organisches Lösungsmittel und ein Harz
enthält, zugesetzt werden. Im Fall der Zugabe einer orga
nischen Säure oder einer alkalischen Verbindung ist es be
vorzugt, weiterhin Wasser zuzusetzen. Ein anderes Beispiel
der flüssigen Substanz als wesentliche Komponente der vis
kosen Flüssigkeit ist eine Kombination von Wasser und einer
organischen Säure wie Essigsäure, Oxalsäure, Citronensäure
oder Propionsäure. In diesem Fall ist es vorteilhaft, ein
Glykol wie Polyethylenglykol oder Propylenglykol als die
Viskosität erhöhendes Mittel, wahlweise zusammen mit einem
anorganischen Füllstoff wie Ceroxidpulver, Bariumsulfatpul
ver oder Talkum, anzuwenden.
Durch Auftrag der viskosen Flüssigkeit wird der Gelfilm
in der/den nicht erforderlichen Fläche/n oder dem/den nicht
erwünschten Bereich/en angefeuchtet und wird sehr leicht
zerstörbar oder entfernbar. Es wird eine viskose Flüssigkeit
verwendet, so daß der Gelfilm in der/den erforderlichen
Fläche/n oder dem/den erwünschten Bereich/en nicht durch
feuchtet und zersetzt wird. Dieses Erfordernis kann erreicht
werden, wenn die Viskosität der aufgetragenen viskosen Flüs
sigkeit oberhalb etwa 10 Pas (100 Poise) bei Normaltempera
tur ist. Andererseits soll die viskose Flüssigkeit eine
angemessene Fließfähigkeit oder Beweglichkeit besitzen,
so daß die Flüssigkeit für einen Beschichtungs- oder Druck
vorgang geeignet ist. Daher wird es bevorzugt, daß die Vis
kosität der viskosen Flüssigkeit nicht höher als 100 Pas
(1000 Poise) bei Normaltemperatur ist.
Nach dem Befeuchten oder Durchfeuchten des Gelfilms in der/
den nicht erforderlichen Fläche/n mit der viskosen Flüssig
keit wird der Gelfilm auf dem Substrat auf eine Temperatur
niedriger als 300°C und üblicherweise höher als 150°C er
hitzt. Diese Hitzebehandlung dient der Zersetzung und Ent
fernung der zuvor erwähnten Alkylgruppen, Hydroxylgruppen
etc. und hiermit der Umwandlung des feuchten Gelfilms in
der/den erforderlichen Fläche/n in einen harten Film eines
Metalloxids. Da die Erhitzungstemperatur relativ niedrig
ist, verbleibt der gehärtete Film in einem porösen und ziem
lich zerbrechlichen Zustand. Jedoch ist der gehärtete Film
ausreichend beständig gegenüber der in der nächsten Stufe
eingesetzten Waschflüssigkeit.
Nach der zuvor beschriebenen Hitzebehandlung wird der zer
setzte Gelfilm in der/den nicht erforderlichen Fläche/n
zusammen mit dem Rückstand der viskosen Flüssigkeit durch
Waschen mit einer geeigneten Flüssigkeit entfernt. Beispiels
weise kann eine wässrige alkalische Lösung wie eine wässrige
Lösung von Natriumhydroxid als Waschflüssigkeit verwendet
werden. Erforderlichenfalls kann für eine vollständige Ent
fernung des Gelfilms oder dessen Rückständen auf den Alkali
waschvorgang ein Waschvorgang mit einer sauren Lösung fol
gen. In einigen Fällen, wie zuvor beschrieben, kann dies
durch Verwendung von Wasser alleine als Waschflüssigkeit
erreicht werden.
Nach den zuvor beschriebenen Arbeitsvorgängen verbleibt
der gehärtete Film auf der Substratoberfläche in dem ge
wünschten Muster. Dann wird das Substrat einem Einbrennvor
gang unterzogen, um den gehärteten Film zu einem ausreichend
dichten Film des gewünschten Metalloxids oder -nitrids umzu
wandeln. Üblicherweise wird das Einbrennen bei einer Tempera
tur höher als 400°C in einer sauerstoffhaltigen Gasatmos
phäre im Fall der Bildung eines Oxidfilms und in einer stick
stoffhaltigen Gasatmosphäre im Fall der Herstellung eines
Nitridfilms durchgeführt.
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele näher
erläutert.
Es wurde eine Alkoxidlösung durch Zugabe von Isopropanol
und Ethylenglykolether (Ethylcellosolve) zu Titanisopropoxid
und gründliches Rühren der Mischung hergestellt. Eine gut
gereinigte Natronkalk-Glasplatte mit einer Dicke von 2 mm
und Abmessungen von 30 cm × 30 cm wurde in die Alkoxidlösung
eingetaucht und dann mit einer konstanten Geschwindigkeit
von 5 mm/sec herausgezogen. Die benetzte Glasplatte wurde
bei Zimmertemperatur trocknen gelassen, um hierdurch einen
Gelfilm auf jeder Seite der Glasplatte auszubilden.
Getrennt hiervon wurde eine Paste durch Vermischen eines
modifizierten Kolophonium-Maleinsäureharzes mit 10 Gew.-%
einer flüssigen Mischung aus Ethylenglykolether (Ethylcello
solve) und n-Propylacetat sowie Kneten des Gemisches herge
stellt. Bei Zimmertemperatur betrug die Viskosität der Harz
paste etwa 10-20 Pas (100-200 Poise).
Durch Siebdruck wurde die zuvor beschriebene Paste auf den
Gelfilm auf der Glasplatte in einem solchen Muster aufge
bracht, so daß die nicht erforderlichen bzw. nicht gewünsch
ten Flächen bzw. Bereiche des Gelfilmes bedeckt wurden.
Danach wurde die Glasplatte einer Hitzebehandlung bei 200°C
während 5 min unterworfen. Durch die Hitzebehandlung wandelte
sich der Gelfilm in den freiliegenden Flächen bzw. Bereichen
in einen harten Film um. Nach dem Abkühlen wurde die behan
delte Glasplatte mit einer wässrigen Natriumhydroxidlösung
(1 N) zum teilweisen Auflösen und Abtragen des Gelfilmes
in den mit der Paste bedeckten Bereichen gewaschen. Dann
wurde die Glasplatte mit einer wässrigen Schwefelsäurelösung
(1 N) zur vollständigen Auflösung und Entfernung der Rück
stände des Gelfilms gewaschen. In den nicht zuvor mit der
Paste abgedeckten Flächen oder Bereichen war der harte Film
gegenüber den Waschflüssigkeiten vollkommen beständig.
Nach den Waschbehandlungen wurde die Glasplatte mit dem
hierauf befindlichen harten Film bei 550°C während etwa
1 h gebrannt, bis sich der harte Film in einen TiO2-Film
umgewandelt hatte. Der erhaltene TiO2-Film lag in dem ge
wünschten Muster vor und besaß eine Dicke von etwa 0,1 µm.
Dieser Film nahm eine blaß purpurblaue Färbung an und zeigte
hochreflektierende Eigenschaften. Der Brechungsindex des
Films betrug etwa 2,2.
Die in Beispiel 1 hergestellte Harzpaste wurde durch Zugabe
von 10 Gew.-% einer wässrigen Citronensäurelösung mit einer
Konzentration von 10 Gew.-% modifiziert.
Unter Verwendung der so modifizierten Paste anstelle der
in Beispiel 1 verwendeten Paste wurde der Prozeß der Herstel
lung des Musters von Beispiel 1 mit einer weiteren Modifika
tion im folgenden Punkt wiederholt. In diesem Fall wurde
der Gelfilm in den nicht erforderlichen Flächen in einfacher
Weise durch Befeuchten mit der angemessene Mengen an Wasser
und Säure enthaltenden Paste zersetzt. Daher konnte nach
der anfänglichen Hitzebehandlung bei 200°C die Entfernung
des Gelfilmes in den nicht erforderlichen Flächen in ein
facher Weise durch bloßes Waschen mit Wasser durchgeführt
werden.
Das Ergebnis des Musterbildungsprozesses dieses Beispiels
war vergleichbar zu dem Ergebnis in Beispiel 1. Auf der
Glasplatte wurde ein guter TiO2-Film in dem gewünschten
Muster ausgebildet.
Es wurde eine wässrige Paste durch Vermischen von 10 Gew.-%
Wasser, 10 Gew.-% Citronensäure, 9 Gew.-% Polyethylenglykol
und 71 Gew.-% Ceroxid in Form eines feinen Pulvers herge
stellt.
Unter Verwendung dieser Paste anstelle der Harzpaste von
Beispiel 1 wurde der Prozeß zur Herstellung des Musters
von Beispiel 1 mit einer weiteren Modifikation in folgendem
Punkt wiederholt. Im vorliegenden Fall wurde der Gelfilm
in den nichterforderlichen Flächen in einfacher Weise durch
Befeuchten mit der eine Säure enthaltenden, wässrigen Paste
zersetzt, und die Paste selbst war leicht in Wasser disper
gierbar. Daher konnte die Entfernung des Gelfilms in den
nichterforderlichen Flächen nach der Hitzebehandlung bei
200°C in einfacher Weise durch bloßes Waschen mit Wasser
durchgeführt werden. Da die Paste kein organisches Lösungs
mittel enthielt, konnten die Ätzvorgänge ohne Vorsichtsmaß
nahmen zur Vermeidung einer Entzündung der Paste oder von
verdampftem Lösungsmittel durchgeführt werden.
Auch in diesem Beispiel wurde ein guter TiO2-Film in dem
gewünschten Muster auf der Glasplatte erhalten.
Eine Quarzglasplatte wurde anstelle der Natronkalk-Glasplatte
in Beispiel 1 verwendet, und der das Muster bildende Prozeß
von Beispiel 1 wurde bis zur Stufe der vollständigen Entfer
nung des Gelfilms in den nichterforderlichen Flächen durch
wiederholtes Waschen wiederholt. Dann wurde die Quarzglas
platte mit dem harten Film in dem gewünschten Muster hierauf
in einer Ammoniakgasströmung während 1 h auf 950°C erhitzt.
Als Ergebnis wurde der harte Film in einen TiN-Film, der
in dem gewünschten Muster vorlag, umgewandelt. Der TiN-Film
besaß elektrische Leitfähigkeit und zeigte eine gute Witte
rungsbeständigkeit und Lebensdauer.
Claims (21)
1. Verfahren zur Bildung eines gemusterten Films einer an
organischen Metallverbindung auf einem Substrat, wobei
das Verfahren die Stufen des Auftrages eines Metall
alkoxidsols auf ein Substrat zur Bildung eines Solfilmes
auf dem Substrat, die Ermöglichung der Umwandlung des
Solfilmes in einen Gelfilm durch Hydrolyse des Metall
alkoxids, die Entfernung des Gelfilms in der/den nicht
erforderlichen Fläche/n durch selektives Ätzen und dann
das Einbrennen des Filmes in der/den verbliebenen Fläche/n
zur vollständigen Umwandlung des Materials des Filmes
in die gewünschte, anorganische Metallverbindung umfaßt,
dadurch gekennzeichnet, daß das selektive Ätzen durch
folgende Stufen durchgeführt wird:
- a) Auftrag einer viskosen Flüssigkeit, welche zur wenig stens teilweisen Zersetzung des Gelfilms in der Lage ist, auf den Gelfilm in der/den nicht erforderlichen Fläche/n und Ermöglichung des Eindringens der aufge tragenen, viskosen Flüssigkeit in den darunterliegen den Gelfilm und dessen Befeuchtung,
- b) Erhitzen des mit dieser viskosen Flüssigkeit in der/den nicht erforderlichen Fläche/n befeuchteten Gelfilms auf eine Temperatur niedriger als 300°C zur Härtung des Gelfilmes in der/den erforderlichen Fläche/n, und
- c) Entfernung des Gelfilmes in der/den nicht erforder lichen Fläche/n zusammen mit dem Rückstand der auf getragenen viskosen Flüssigkeit durch Waschen mit wenigstens einer Waschflüssigkeit.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit ein organisches Lösungsmittel
umfaßt, welches in dem Metalloxidsol löslich ist und
in welchem das Metalloxidsol löslich ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das organische Lösungsmittel aus der aus Essigsäureestern,
Ketonen und Alkoholen bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Waschflüssigkeit oder Waschflüssigkeiten eine Alkali
lösung umfaßt/umfassen.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit weiterhin ein Harz umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit weiterhin eine organische Säure
umfaßt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die organische Säure aus der aus Essigsäure, Oxalsäure,
Citronensäure und Propionsäure bestehenden Gruppe ausge
wählt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit weiterhin Wasser umfaßt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
nur Wasser als Waschflüssigkeit/Waschflüssigkeiten ver
wendet wird.
10.Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit weiterhin eine Alkaliverbindung
und Wasser umfaßt.
11.Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit eine organische Säure, Wasser
und ein die Viskosität erhöhendes Mittel umfaßt.
12.Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
die organische Flüssigkeit aus der aus Essigsäure, Oxal
säure, Citronensäure und Propionsäure bestehenden Gruppe
ausgewählt wird.
13.Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
das die Viskosität erhöhende Mittel ein Glykol ist.
14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die viskose Flüssigkeit weiterhin einen anorganischen
Füllstoff umfaßt.
15. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Waschflüssigkeit oder die Waschflüssigkeiten
eine Alkalilösung umfaßt/umfassen.
16. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß nur Wasser als Waschflüssigkeit oder Waschflüssig
keiten verwendet wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Viskosität der viskosen Flüssigkeit bei Normal
temperatur 10 bis 100 Pas (100 bis 1000 Poise) beträgt.
18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die viskose Flüssigkeit auf den Gelfilm durch Siebdruck
aufgetragen wird.
19. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Metalloxid aus der aus Titanalkoxiden, Silizium
alkoxiden, Zirkoniumalkoxiden und Aluminiumalkoxiden
bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallverbindung ein Metalloxid ist, wobei die
Einbrennstufe in einer sauerstoffhaltigen Gasatmosphäre
durchgeführt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallverbindung ein Metallnitrid ist, wobei
die Einbrennstufe in einer stickstoffhaltigen Gas
atmosphäre durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62309389A JP2625453B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | パターン膜形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3841255A1 true DE3841255A1 (de) | 1989-06-22 |
DE3841255C2 DE3841255C2 (de) | 1993-08-05 |
Family
ID=17992421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3841255A Granted DE3841255A1 (de) | 1987-12-09 | 1988-12-07 | Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsols |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4874462A (de) |
JP (1) | JP2625453B2 (de) |
DE (1) | DE3841255A1 (de) |
FR (1) | FR2624405B1 (de) |
GB (1) | GB2219007B (de) |
IT (1) | IT1227994B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4413575A1 (de) * | 1993-04-19 | 1994-10-20 | Olympus Optical Co | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2642685B2 (ja) * | 1988-09-06 | 1997-08-20 | 工業技術院長 | アルミナの製造方法 |
JP2642696B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1997-08-20 | 工業技術院長 | アルミナの比表面積の制御方法 |
CA2005096C (en) * | 1988-12-13 | 1999-03-23 | Tokinori Agou | High light-transmissive dust-proof body and method of preparing same |
US5318857A (en) * | 1989-11-06 | 1994-06-07 | Dow Corning Corporation | Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings |
JPH0637283B2 (ja) * | 1989-12-20 | 1994-05-18 | セントラル硝子株式会社 | 酸化物薄膜の成膜方法 |
JP2999854B2 (ja) * | 1991-05-18 | 2000-01-17 | 株式会社堀場製作所 | 水素センサ、ガスセンサ用またはpH応答用金属薄膜製造方法 |
JP2877588B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1999-03-31 | ローム株式会社 | 金属酸化物薄膜のパターン形成法 |
DE69405902T2 (de) * | 1993-04-16 | 1998-01-29 | Central Glass Co Ltd | Glasscheibe mit reflexvermindernder Beschichtung und Kombinationselement eines Einspiegelungssichtgerätesystems |
FR2801135B1 (fr) * | 1999-11-12 | 2002-02-08 | Univ Claude Bernard Lyon | Procede de realisation d'une cathode d'emission a l'aide de la technique sol-gel et cathode obtenue par un tel procede |
US7179398B2 (en) * | 2001-10-23 | 2007-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for wires, a method for manufacturing the wires using the etchant, a thin film transistor array substrate and a method for manufacturing the same including the method |
DE10355160B4 (de) * | 2003-11-26 | 2008-04-03 | Schott Ag | Beschichtete Glaskeramikplatte, Verfahren zu ihrer Herstellung und Kochfeld mit einer solchen Glaskeramikplatte |
EP1732707B1 (de) | 2004-03-19 | 2015-04-22 | Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation | Aktivierungsverfahren |
DE602006012798D1 (de) | 2005-01-21 | 2010-04-22 | Commw Scient Ind Res Org | Aktivierungsverfahren mithilfe eines modifikationsmittels |
US7381633B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a patterned metal oxide film |
US20170194515A9 (en) * | 2007-10-17 | 2017-07-06 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Dielectric coating for single sided back contact solar cells |
JP4636080B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発色構造体とその製造方法 |
CN106229267A (zh) * | 2016-09-14 | 2016-12-14 | 齐鲁工业大学 | 一种高迁移率锌锡氧薄膜晶体管的低温溶液制备方法 |
CN106653858A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-05-10 | 齐鲁工业大学 | 一种低温制备高迁移率铟锆氧薄膜晶体管的溶液方法 |
CN106206292A (zh) * | 2016-09-14 | 2016-12-07 | 齐鲁工业大学 | 一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法 |
CN106653613A (zh) * | 2016-09-14 | 2017-05-10 | 齐鲁工业大学 | 一种低温液相制备高迁移率铟钇氧薄膜晶体管的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2912563A1 (de) * | 1979-03-29 | 1980-10-09 | Licentia Gmbh | Verfahren zur glasaetzung |
DE3142383A1 (de) * | 1980-10-30 | 1982-07-22 | Central Glass Co., Ltd., Ube, Yamaguchi | Verfahren zur herstellung von glas aus einer metallalkoholat-loesung |
JPS601711A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
DE3600899A1 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-16 | Licentia Gmbh | Verfahren zum reinigen von glaesernen leuchtschirmtraegern |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1496167B2 (de) * | 1964-05-28 | 1972-11-09 | Ritzerfeld, Gerhard, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von druckformfolien fuer das elektrostatische druckverfahren |
DE2929589A1 (de) * | 1979-07-04 | 1981-01-22 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters |
US4328260A (en) * | 1981-01-23 | 1982-05-04 | Solarex Corporation | Method for applying antireflective coating on solar cell |
JPS596541A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
JPS62226840A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-05 | Shimadzu Corp | 反射防止膜およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62309389A patent/JP2625453B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-05 IT IT8822852A patent/IT1227994B/it active
- 1988-12-07 DE DE3841255A patent/DE3841255A1/de active Granted
- 1988-12-08 FR FR8816150A patent/FR2624405B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-08 US US07/281,269 patent/US4874462A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-08 GB GB8828639A patent/GB2219007B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2912563A1 (de) * | 1979-03-29 | 1980-10-09 | Licentia Gmbh | Verfahren zur glasaetzung |
DE3142383A1 (de) * | 1980-10-30 | 1982-07-22 | Central Glass Co., Ltd., Ube, Yamaguchi | Verfahren zur herstellung von glas aus einer metallalkoholat-loesung |
JPS601711A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
DE3600899A1 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-16 | Licentia Gmbh | Verfahren zum reinigen von glaesernen leuchtschirmtraegern |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: J. Am. Ceram. Soc. 71, 2, 1988, C-82 - C-84 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4413575A1 (de) * | 1993-04-19 | 1994-10-20 | Olympus Optical Co | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
US5843321A (en) * | 1993-04-19 | 1998-12-01 | Olympus Optical Company, Ltd. | Method of manufacturing optical element |
DE4413575B4 (de) * | 1993-04-19 | 2005-09-29 | Olympus Corporation | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2219007A (en) | 1989-11-29 |
IT8822852A0 (it) | 1988-12-05 |
JP2625453B2 (ja) | 1997-07-02 |
US4874462A (en) | 1989-10-17 |
JPH01151238A (ja) | 1989-06-14 |
GB2219007B (en) | 1991-10-02 |
FR2624405A1 (fr) | 1989-06-16 |
FR2624405B1 (fr) | 1991-10-04 |
GB8828639D0 (en) | 1989-01-11 |
IT1227994B (it) | 1991-05-20 |
DE3841255C2 (de) | 1993-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3841255C2 (de) | ||
EP1276701B1 (de) | Ätzpasten für anorganische oberflächen | |
DE3142383C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Glas aus einer Metallalkoholat-Lösung | |
DE2338079A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer als fluessige silikatquelle dienenden loesung | |
EP0365027B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Materialien mit einem strukturierten Überzug | |
EP0897898A2 (de) | Verfahren zur Abscheidung optischer Schichten | |
DE2826329A1 (de) | Verfahren zum aetzen von loechern | |
EP0022280B1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Silizium-Substraten | |
DE3809143A1 (de) | Mittels licht musterbare silikon-polyamidsaeure, verfahren zu deren herstellung und verwendung | |
DE19860511A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten SiO¶2¶/TiO¶2¶-Schichtsystems | |
DE3201430A1 (de) | Verfahren zur herstellung von isolier-ueberzuegen auf stahlerzeugnissen | |
EP0943701A1 (de) | Verfahren und Reaktionslösung zur Erzeugung einer Patina | |
EP3008226B1 (de) | Verfahren zur oberflächenbehandlung von corten-stahl | |
WO2018158037A1 (de) | Verfahren zur herstellung strukturierter schichten | |
DE2027216A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Glasur auf eine keramische Unterlage | |
DE2225366C3 (de) | Verfahren zum Entfernen von Vorsprängen an Epitaxie-Schichten | |
DE1496673B2 (de) | ||
DE2831189A1 (de) | Beschichtungspasten fuer anorganische baustoffe und verfahren zur beschichtung | |
DE3146103A1 (de) | "verfahren zur herstellung von anzeigeelektrodenschichten in elektrochromen anzeigevorrichtungen" | |
DE3232343A1 (de) | Glas fuer eine photoaetzmaske | |
DE2231912C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Siliciumdioxydmaske | |
DE10019822A1 (de) | Verfahren zur Strukturierung dünner Schichten | |
DE19620787A1 (de) | Abziehbarer Schutzlack aus vorwiegend Naturrohstoffen | |
EP2327482A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche | |
DE851531C (de) | Verfahren zur Verhinderung des Beschlagens von glatten Flaechen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C03C 17/25 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |