DE3826356A1 - Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen spannungsabhaengigen widerstandes - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen spannungsabhaengigen widerstandesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
nichtlinearen spannungsabhängigen Widerstandes mit einem
keramischen Sinterkörper auf Basis von die Oxide von
Titan, Wismut und mindestens eines Übergangsmetalls enthaltendem
Zinkoxid als Widerstandsmaterial, wobei der Sinterkörper
durch Verformen des pulverförmigen Widerstandsmaterials
und anschließendes Sintern an Luft bei einer
Temperatur im Bereich von 1200 bis 1350°C hergestellt und
anschließend mit Elektroden versehen wird.
Nichtlineare spannungsabhängige Widerstände (im folgenden
auch als Varistoren bezeichnet) sind Widerstände, deren
elektrischer Widerstand bei konstanter Temperatur oberhalb
einer Ansprechspannung U A mit steigender Spannung sehr
stark abnimmt. Dieses Verhalten kann durch die folgende
Formel näherungsweise beschrieben werden:
worin bedeuten:
I = Strom durch den Varistor;
V = Spannungsabfall am Varistor;
C = geometrieabhängige Konstante;
sie gibt das Verhältnis an. In praktischen Fällen kann dieses Verhältnis einen Wert zwischen 15 und einigen 1000 annehmen.
α = Stromindex, Nichtlinearitätskoeffizient oder Regelfaktor; er ist materialabhängig und ist ein Maß für die Steilheit der Strom-Spannungs-Kennlinie; typische Werte liegen im Bereich von 20 bis 80.
I = Strom durch den Varistor;
V = Spannungsabfall am Varistor;
C = geometrieabhängige Konstante;
sie gibt das Verhältnis an. In praktischen Fällen kann dieses Verhältnis einen Wert zwischen 15 und einigen 1000 annehmen.
α = Stromindex, Nichtlinearitätskoeffizient oder Regelfaktor; er ist materialabhängig und ist ein Maß für die Steilheit der Strom-Spannungs-Kennlinie; typische Werte liegen im Bereich von 20 bis 80.
Varistoren werden vielseitig eingesetzt zum Schutz von
elektrischen Anlagen, Geräten und teuren Bauelementen gegenüber
Spannungen und Spannungsspitzen. Die Ansprechspannung
U A von Varistoren liegt in der Größenordnung von 3 V
bis 3000 V; sie wird üblicherweise definiert als die
Spannung, bei der im Varistor eine Stromdichte von 1 mA/cm²
erreicht wird. Zum Schutz von empfindlichen
elektronischen Bauelementen, wie integrierte Schaltungen,
Dioden oder Transistoren, werden in zunehmendem Umfang
Niederspannungsvaristoren benötigt, deren Ansprechspannung
U A unter etwa 30 V liegt und die möglichst hohe Werte
für den Nichtlinearitätskoeffizienten α aufweisen.
Je größer der Wert für den Nichtlinearitätskoeffizienten
α ist, desto besser ist die Wirkung als Überspannungsbegrenzer
und um so geringer ist die Leistungsaufnahme
des Varistors.
Varistoren auf Basis von Zinkoxid haben Sinterkörper, die
aus Massen hergestellt werden, in denen Komponenten
vorgesehen sind, die als Donatordotierung wirken und
damit die Zinkoxidkörner halbleitend machen, und die
außerdem Komponenten wie z. B. Titandioxid und Wismutoxid
enthalten. Titandioxidzusätze fördern das Kornwachstum
und vermindern damit die Ansprechspannung U A .
Als Folge der Dotierung wird das Innere der polykristallinen
ZnO-Körner also niederohmig, und an den Korngrenzen
bilden sich durch den Wismutoxidzusatz hochohmige
Barrieren aus. Der Übergangswiderstand zwischen zwei
Körnern ist bei Spannungen <3,2 V relativ hoch, nimmt
jedoch bei Spannungen <3,2 V mit zunehmender Spannung um
mehrere Größenordnungen ab.
Die Ansprechspannung U A von Varistoren wird also im wesentlichen
bestimmt durch die Zahl der Korngrenzen, die
der Strom I zwischen den Elektroden passieren muß. Niederspannungsvaristoren
müssen daher entweder aus sehr dünnen
Schichten mit nur wenigen Korngrenzen pro Schicht oder aus
Materialien mit sehr groben Körnern bestehen. Während
dünne Varistorschichten aus Keramik auf Zinkoxidbasis wegen
mangelnder mechanischer Stabilität bisher kaum zum
technischen Einsatz gelangten, sind Varistoren mit grobkörnigen
Sinterkörpern auf Basis von Zinkoxid der übliche
Weg zur Herstellung von Niederspannungsvaristoren.
Sinterkörper aus dotiertem Zinkoxid mit einem relativ groben
Korngefüge mit Korngrößen <100 µm werden z. B. erhalten,
wenn Material des Systems ZnO-Bi₂O₃ mit etwa 0,3 bis
etwa 1 Mol-% TiO₂ versetzt wird. Der TiO₂-Zusatz fördert
die Reaktivität zwischen dem flüssigen Bi₂O₃ und der
festen ZnO-Phase und beschleunigt das Kornwachstum des
ZnO. Nachteilig ist jedoch, daß sich hier häufig relativ
lange, stabförmige ZnO-Kristallite ausbilden, die eine
Kontrolle der Mikrostruktur des keramischen Gefüges sehr
erschweren. Die stets sehr breiten und fast immer inhomogenen
Kornverteilungen in einem mit TiO₂ vernetzten Widerstandsmaterial
aus dem System ZnO-Bi₂O₃ machen die Herstellung
von Varistoren mit reproduzierbaren Werten für
die Ansprechspannung U A <20 V und reproduzierbaren Werten
für den Nichtlinearitätskoeffizienten α<20 nahezu
unmöglich.
Ein weiterer Nachteil von Niederspannungsvaristoren
mit inhomogenen Mikrostrukturen ist die nur geringe elektrische
Pulsbelastbarkeit.
Schon nach einer Belastung mit einem elektrischen Impuls
einer Energiedichte von <100 Joule/cm³ und wenigen µs
Dauer ist eine mechanische Zerstörung und eine elektrische
Degradation des Varistors zu beobachten. Die elektrische
Degradation äußert sich in einer Erniedrigung der
Ansprechspannung U A , in einer Erhöhung des Kriechstroms
bei Spannungen unterhalb von U A und in einer bei
Umpolung des Varistors auffälligen Asymmetrie der
Strom-Spannungs-Kennlinie.
Aus J. Appl. Phys. 54 (1983), Seite 1095 ff, ist ein Verfahren
zur Herstellung von Varistoren auf Zinkoxidbasis
bekannt, wobei dem keramischen Sinterkörper ein möglichst
grobkörniges Gefüge dadurch erteilt wird, daß den ungesinterten
grünen keramischen Ausgangsmassen zur Förderung des
Wachstums einzelner Körner Saatkeime in Form von undotierten
Zinkoxidkörnern einer mittleren Korngröße im Bereich
von 63 bis 105 µm zugesetzt werden. Die nach der Sinterung
erhaltenen Sinterkörper weisen relativ grobkörnige Strukturen
auf, was sie für die Herstellung von Niederspannungsvaristoren
geeignet machen könnte; aus den Sinterkörpern
gefertige Varistoren weisen jedoch Nichtlinearitätskoeffizienten
α mit unbrauchbar niedrigen Werten auf.
Bei den nach dem bekannten Verfahren hergestellten Sinterkörpern
verhält sich die Korndichte im Gefüge des Sinterkörpers
(Anzahl der großen Körner/Volumen) direkt
proportional zur Anzahl der zugesetzten Saatkeime zur
ungesinterten keramischen Masse.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Varistoren und
insbesondere Niederspannungsvaristoren zu schaffen, die
einen Sinterkörper mit einer verbesserten Gefügehomogenität
und damit eine verbesserte mechanische und elektrische
Stabilität aufweisen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß dem
pulverförmigen Widerstandsmaterial Körner aus bei einer
Temperatur im Bereich von 1200 bis 1400°C vorgebranntem
Widerstandsmaterial (im weiteren auch als "vorgebrannte
Körner" bezeichnet) einer mittleren Korngröße im Bereich
von 4 bis 12 µm und in einer Menge von 1 bis 50 Gew.-% zugesetzt
werden.
Der Erfindung liegt folgende Erkenntnis zugrunde:
Die Ursachen der elektrischen Degradation und der mechanischen
Zerstörung von Varistoren auf Zinkoxidbasis bei
Pulsbelastung sind noch nicht hinreichend bekannt. Es kann
jedoch vermutet werden, daß eine Inhomogenität der Mikrostruktur
zu einer ungleichmäßigen Verteilung der Energie
im Varistor unter Pulsbelastung führen. Bei einer ungleichmäßigen
Verteilung der Korngrößen und der Korngrenzphasen
kommt es dann zu einer partiellen elektrischen
Überlastung und Degradation einzelner Körner im Varistor.
Nach vorteilhaften Weiterbildungen des Verfahrens gemäß
der Erfindung werden dem Widerstandsmaterial Körner in einer
Menge von 3 bis 15 Gew.-% und vorzugsweise einer mittleren
Korngröße von 6 und/oder 4,3 µm zugesetzt. Werden
Körner aus vorgebranntem Widerstandsmaterial einer mittleren
Korngröße von ≦6 µm zur ungebrannten Widerstandsmasse
zugesetzt, wird ein Sinterkörper erhalten mit einer
relativ feinkörnigen Struktur und einer Korngrößenverteilung
in relativ engen Grenzen. Die Korngrößenverteilung
ist über den gesamten Sinterkörper homogen und gleicht
Schwankungen in der Dichte des ungebrannten Grünkörpers
aus.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens
nach der Erfindung wird als pulverförmiges Widerstandsmaterial
Zinkoxid mit einem Zusatz der Oxide von
Titan, Antimon, Wismut, Mangan, Kobalt und Nickel eingesetzt.
Bevorzugt wird Zinkoxid einer mittleren Korngröße im Bereich
von 0,7 bis 1 µm eingesetzt. Die Auswahl des Korngrößenbereiches
von 0,7 bis 1 µm ist deshalb vorteilhaft,
weil das Widerstandsmaterial hierdurch eine erhöhte Reaktivität
während des Sinterns erhält, wodurch die natürliche
Keimbildung gefördert und ein wachstumsregulierender
Einfluß, den die zugesetzten vorgebrannten Körner ausüben,
unterstützt wird.
Wird z. B. eine konventionelle Ausgangsmasse für Varistoren,
basierend auf Zinkoxid einer mittleren Korngröße im
Bereich von 0,7 bis 1 µm, mit einem Zusatz von etwa 1 bis 5 Gew.-%
Bi₂O₃, etwa 0,5 Gew.-% Sb₂O₃, etwa 0,5 Gew.-% Mn₂O₃,
etwa 0,5 Gew.-% CoO und etwa 0,5 Gew.-% TiO₂ gemäß dem
vorliegenden Verfahren mit unterschiedlichen Mengen von
vorgebrannten Körnern derselben Zusammensetzung mit einer
mittleren Korngröße im Bereich von 4 bis 12 µm versetzt,
so läßt sich schon bei geringen Mengen von 1 bis 3 Gew.-%
des Zusatzes ein drastischer Rückgang der sonst in
derartigen Massen nach dem Sintern vorhandenen "Riesenkörner"
in der Mikrostruktur feststellen. Überraschenderweise
hat sich gezeigt, daß die mittlere Korngröße in Sinterkörpern
aus auf diese Weise nach dem vorliegenden Verfahren
hergestellten Ausgangsmassen sich nicht wesentlich
von der von Sinterkörpern unterscheidet, die unter gleichen
Bedingungen, jedoch ohne Zusatz von vorgebrannten
Körnern aus dem Widerstandsmaterial mit einer definierten
Korngröße gesintert wurden. Das Gefüge von nach dem
vorliegenden Verfahren hergestellten Sinterkörpern ist
jedoch sehr viel homogener als das von nach dem bekannten
Verfahren hergestellten Sinterkörpern. Dies bedeutet also,
daß das Kornwachstum der einzelnen Körner während des Sinterprozesses
gleichmäßiger verläuft, wenn nach dem vorliegenden
Verfahren gearbeitet wird.
Bei Zusätzen von Körnern einer mittleren Korngröße von
12 µm in einer Menge bis zu 3 Gew.-% bleibt die mittlere
Korngröße konstant, bei Zusätzen von <3 bis zu 7 Gew.-%
wird eine Zunahme der mittleren Korngröße innerhalb des
Gefüges des Sinterkörpers um einen Faktor ≈2 beobachtet.
Bei Zusätzen im Bereich <7 bis ≈20 Gew.-% nimmt die
mittlere Korngröße im Gefüge des Sinterkörpers wieder
kontinuierlich ab. Die Gefüge oder die Mikrostruktur derartiger
Sinterkörper sind relativ homogen.
Im Gegensatz zu den Gefügen von gemäß dem aus J. Appl.
Phys. bekannten Verfahren hergestellten Sinterkörpern
nimmt die Korndichte (Anzahl der großen Körner/Volumen) in
nach dem vorliegenden Verfahren hergestellten Sinterkörpern
nicht proportional, sondern zur dritten Potenz der
zugesetzten Anzahl von Körnern eines definierten engen
Korngrößenbereiches zu.
Die die Mikrostruktur der nach dem vorliegenden Verfahren
hergestellten Sinterkörper beeinflussenden zugesetzten
Körner eines definierten engen Korngrößenbereiches stellen
daher nicht Saatkeime zur Vergrößerung des Wachstums einzelner
Körner, sondern sie stellen Zusätze mit wachstumsregulierendem
Einfluß dar.
Überraschenderweise wurde bei den nach dem vorliegenden
Verfahren hergestellten keramischen Sinterkörpern und den
aus ihnen hergestellten Varistoren eine erhebliche Verbesserung
der elektrischen Eigenschaften beobachtet, insbesondere,
was die Reproduzierbarkeit der Werte für die
elektrischen Kenngrößen Ansprechspannung U A und Nichtlinearitätskoeffizient
α betrifft. Darüber hinaus zeigten
die nach dem vorliegenden Verfahren hergestellten Varistoren
eine wesentliche Erhöhung der Pulsbelastbarkeit.
Im einzelnen ergaben sich folgende Verbesserungen:
Bei einem Zusatz von 3 bis 15 Gew.-% der genannten Zusätze
aus vorgebrannten Körnern einer mittleren Korngröße von 12 µm
erhöhten sich die Werte für den Nichtlinearitätskoeffizienten
α um etwa 20%. Es ergaben sich einstellbare
Werte für die Ansprechspannung U A , unabhängig von der
Sintertemperatur und der Sinterdauer, bei Zusatz von
Körnern eines definierten mittleren Korngrößenbereiches
von 4,3 bis 12 µm in einer Menge von 7 bis 50 Gew.-% im
Bereich von 30 V bis 200 V bei einer Dicke des Sinterkörpers
von 1 mm. Eine Halbierung der Werte für die Ansprechspannung
U A ergab sich bei Zusatz von vorgebrannten
Körnern einer Korngröße von 12 µm in einer Menge von 7 Gew.-%.
Ein besonderer Vorteil bei nach dem vorliegenden Verfahren
hergestellten Varistoren ist eine Minimierung der Standardabweichungen
der Werte für den Nichtlinearitätskoeffizienten
α und die Ansprechspannung U A um den Faktor 5
bis 10 gegenüber den Werten bei nach bekannten Verfahren
hergestellten Varistoren. Ein weiterer besonderer Vorteil
der nach dem vorliegenden Verfahren hergestellten Varistoren
ist die Erhöhung ihrer elektrischen und mechanischen
Stabilität bei elektrischer Impulsbelastung.
Anhand der Zeichnung werden Ausführungsbeispiele der Erfindung
beschrieben und in ihrer Wirkungsweise erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 Verteilungskurven der Standardabweichungen der
Werte für U A für Varistoren mit Sinterkörpern,
die mit und ohne Zusatz von vorgebrannten
Körnern eines definierten engen Korngrößenbereiches
gesintert wurden,
Fig. 2 Verteilungskurven der Standardabweichungen der
Werte für a für Varistoren mit Sinterkörpern,
die mit und ohne Zusatz von vorgebrannten
Körnern eines definierten engen Korngrößenbereiches
gesintert wurden.
Als Ausführungsbeispiel wird die Herstellung einer Ausgangsmasse
für einen keramischen Sinterkörper für einen
Varistor auf Zinkoxidbasis beschrieben.
Die Ausgangsmasse wurde durch Mischen von 950 g ZnO,
15 g Bi₂O₃, 10 g Co₃O₄, 15 g NiCO₃ · 2 Ni(OH)₂ · 4 H₂O, 5 g
TiO₂, 8 g Mn₃O₄, 1 g Sb₂O₃ und 5 g H₃BO₃ in einer Kugelmühle
hergestellt.
Zur Herstellung von vorgebrannten Körnern wird dasselbe
Oxidgemisch wie für die Ausgangsmasse mit einer wässerigen
verdünnten Lösung von Polyvinylalkohol granuliert und anschließend
als Granulat in einem offenen Al₂O₃-Tiegel über
eine Dauer von 2 h bei einer Temperatur von 1350°C vorgebrannt.
Die vorgebrannte Masse wird in einer Kugelmühle
über eine Dauer von 12 h bis zu einer mittleren Korngröße
von <100 µm aufgemahlen.
Die Herstellung von Kornfraktionen aus dem vorgebrannten,
aufgemahlenen Oxidgemisch, die als Zusatz zu grünen Ausgangsmassen
eingesetzt werden sollen, erfolgt in einer
Sedimentationskolonne. Als Medium zum Sedimentieren dient
eine 0,1%ige wässerige Lösung von Na₄P₂O₇ · 10 H₂O.
Es wurden folgende Kornfraktionen hergestellt:
Die Kornfraktionen I, II und III wurden anschließend mit
der wie oben beschrieben hergestellten Ausgangsmasse
naß gemischt in den Verhältnissen:
Mischung 1) 1 : 100
Mischung 2) 3 : 100
Mischung 3) 7 : 100
Mischung 4) 15 : 100
Mischung 5) 100 : 100
Mischung 2) 3 : 100
Mischung 3) 7 : 100
Mischung 4) 15 : 100
Mischung 5) 100 : 100
Es wurden Mischungen aus den drei Kornfraktionen
hergestellt, die als I₁ bis I₅, II₁ bis II₅ und III₁ bis
III₅ bezeichnet sind.
Die Pulvermischungen wurden mechanisch bei einem Druck von
1700 bar zu zylindrischen Körpern eines Durchmessers von
15 mm und einer Dicke von 1,8 mm verpreßt. Die grüne
Dichte betrug etwa 55% der theoretischen Dichte.
Die Preßkörper wurden anschließend bei Sintertemperaturen
T S im Bereich von 1200°C bis 1350°C und einer Dauer
der Maximaltemperatur t im Bereich von 30 bis 480 min an
Luft gesintert. Vorteilhaft ist eine Aufheizrate beim
Sintern von 40°C/min; es hat sich gezeigt, daß die
Aufheizgeschwindigkeit beim Sintern der Anzahl hierbei
gebildeter Keime direkt proportional ist. Die Dichte der
Sinterkörper betrug 90 bis 97% der theoretischen Dichte.
Die Sinterkörper hatten nach dem Sintern einen Durchmesser
im Bereich von 13 bis 13,5 mm und eine Dicke von 1,2 mm.
Als Elektroden wurden Metallschichtelektroden aufgebracht,
vorzugsweise in Form vcon Cr-Ni/Au-Schichten, die für einige
Messungen durch Zinn- oder Leitsilberschichten
verstärkt wurden.
Die Messung der elektrischen Kenndaten Nichtlinearitätskoeffizient
α und Ansprechspannung U A erfolgten im
Bereich von 10⁻⁵ bis 10⁻² A. Die Ansprechspannung U A
wurde definiert als die auf 1 mm Sinterkörperdicke normierte
Spannung (V/mm), bei der im Varistor eine Stromdichte
von 1 mA/cm² auftritt.
Die mechanische und die elektrische Stabilität der nach
dem vorliegenden Verfahren hergestellten Sinterkörper und
der aus ihnen gefertigten Varistoren wurde durch
Kurzimpulsbelastungen getestet.
In Tabelle 1 sind Werte für den Nichtlinearitätskoeffizienten
α und die Ansprechspannung U A für Proben der
Zusammensetzungen I₁ bis I₅, II₂, II₃ und III₂
dargestellt, die bei Sintertemperaturen T S von 1200,
1275 und 1350°C gesintert wurden, wobei die maximale
Sintertemperatur jeweils über eine Dauer t von 30, 60,
120, 240 und 480 min gehalten wurde.
In Tabelle 2 ist die statistische Streuung der Werte für
den Nichtlinearitätskoeffizienten α und die Ansprechspannung
U A von Varistoren dargestellt, die Sinterkörper der
Zusammensetzungen I₃ und II₃ haben im Vergleich zu einem
Varistor mit einem Sinterkörper ohne Zusatz von vorgebrannten
Körnern (Probe "0").
Die Sinterkörper wurden jeweils bei einer Sintertemperatur
T S =1200°C gesintert, wobei die Maximaltemperatur jeweils
über eine Dauer t von 155 min oder 312 min gehalten
wurde, ehe der Abkühlungsprozeß eingeleitet wurde.
Aus Tabelle 2 geht hervor, daß die nach dem vorliegenden
Verfahren hergestellten Varistoren eine erheblich geringere
statistische Streuung ihrer mittleren Werte für die Ansprechspannung
U A und den Nichtlinearitätskoeffizienten α
aufweisen als Varistoren, die ohne Zusatz von vorgebrannten
Körnern zur Ausgangsmasse für den Sinterkörper hergestellt
wurden (Probe "0").
Die mechanische und die elektrische Stabilität von nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Varistoren
im Vergleich zu Varistoren mit Sinterkörpern ohne Zusatz
von vorgebrannten Körnern zur Ausgangsmasse wurde durch
Kurzimpulsbelastungen mit folgenden Parametern getestet:
Test 1:
10 Impulse einer Stromstärke von 800 A und einer Spannung von 200 V (1,3 Joule) mit jeweils einem zeitlichen Abstand von 30 s; I max wurde in 8 µs, I max/2 wurde nach 20 µs erreicht.
10 Impulse einer Stromstärke von 800 A und einer Spannung von 200 V (1,3 Joule) mit jeweils einem zeitlichen Abstand von 30 s; I max wurde in 8 µs, I max/2 wurde nach 20 µs erreicht.
Test 2:
10 Impulse einer Stromstärke von 2500 A und einer Spannung von 600 V (12 Joule) mit jeweils einem zeitlichen Abstand von 30 s; I max wurde nach 8 µs erreicht, I max/2 wurde nach 20 µs erreicht.
10 Impulse einer Stromstärke von 2500 A und einer Spannung von 600 V (12 Joule) mit jeweils einem zeitlichen Abstand von 30 s; I max wurde nach 8 µs erreicht, I max/2 wurde nach 20 µs erreicht.
Die Pulsbelastbarkeit hinsichtlich der mechanischen Stabilität
von Varistoren mit Sinterkörpern, die nach dem vorliegenden
Verfahren hergestellt wurden, wurde mit Kurzimpulsbelastungen
gemäß Test 2 geprüft. Die Versuche ergaben,
daß alle Varistoren, deren Sinterkörper einen Zusatz
von vorgebrannten Körnern einer mittleren Korngröße
im Bereich von 6 bis 12 µm in einer Menge von 6,5 Gew.-%
erhalten hatten, noch nach 10 Impulsen mechanisch stabil
geblieben waren, wogegen Varistoren mit Sinterkörpern ohne
Zusatz von vorgebrannten Körnern bereits nach wenigen
Impulsen zerstört wurden in der Art, daß entweder punktförmige
Aufschmelzzonen am Sinterkörper entstanden oder
daß die Sinterkörper infolge thermischer Spannungen zerbarsten.
Die Pulsbelastbarkeit hinsichtlich der elektrischen Stabilität
(elektrische Degradation) von Varistoren, deren Sinterkörper
ohne oder mit einem Zusatz von vorgebrannten
Körnern gemäß dem vorliegenden Verfahren hergestellt wurden,
wurde mit Kurzimpulsbelastungen gemäß Test 1 untersucht.
Meßergebnisse gehen aus Tabelle 3 hervor.
Die Versuche ergaben, daß Varistoren mit Sinterkörpern ohne
Zusatz von vorgebrannten Körnern, die bei einer Sintertemperatur
T S =1200°C und einer Dauer der Maximaltemperatur
t=312 min gesintert worden waren, bei einer Meßstromdichte
von 1 mA/cm² eine mittlere Erniedrigung der
Werte für die Ansprechspannung U A in Pulsrichtung gemessen
um bis zu 55% und gegen Pulsrichtung gemessen um
bis zu 82% zeigten.
Varistoren mit Sinterkörpern mit einem Zusatz von vorgebrannten
Körnern einer mittleren Korngröße von 12 µm in
einer Menge von 6,5 Gew.-% zeigten bei entsprechenden Versuchsbedingungen
eine mittlere Erniedrigung der Werte für
die Ansprechspannung U A in Pulsrichtung gemessen um nur
bis zu 20% und gegen Pulsrichtung gemessen um nur bis zu
40%.
Fig. 1 zeigt Verteilungskurven der Standardabweichung
der Werte für die Ansprechspannung U A von unterschiedlichen
mittleren Werten für die Ansprechspannung ( A )
für Varistoren mit Sinterkörpern, die wie folgt hergestellt
wurden:
- 1. Zusatz von vorgebrannten Körnern einer mittleren
Korngröße von 6,0 µm in einer Menge von 6,5 Gew.-%,
Sintertemperatur T S 1200°C, Sinterdauer bei
Maximaltemperatur t=155 min;
A =50,43 V/mm (Kurve 1); - 2. Zusatz von vorgebrannten Körnern einer mittleren
Korngröße von 12 µm in einer Menge von 6,5 Gew.-%,
Sintertemperatur T S =1200°C, Sinterdauer bei
Maximaltemperatur t=312 min;
A =35,57 V/mm (Kurve 2); - 3. kein Zusatz von vorgebrannten Körnern, Sintertemperatur
T S =1200°C, Sinterdauer bei Maximaltemperatur
t=155 min;
A =55,76 V/mm (Kurve 3); - 4. kein Zusatz von vorgebrannten Körnern, Sintertemperatur
T S =1200°C, Sinterdauer bei Maximaltemperatur
t=312 min;
A =36,21 V/mm (Kurve 4).
Fig. 2 zeigt Verteilungskurven der Standardabweichung der
Werte für den Nichtlinearitätskoeffizienten α von unterschiedlichen
mittleren Werten für den Nichtlinearitätskoeffizienten
() für Varistoren mit Sinterkörpern, die
wie folgt hergestellt wurden:
- 1. Zusatz von vorgebrannten Körnern einer mittleren
Korngröße von 6 µm in einer Menge von 6,5 Gew.-%,
Sintertemperatur T S =1200°C, Sinterdauer bei
Maximaltemperatur t=155 min;
=23,13 (Kurve 1); - 2. Zusatz von vorgebrannten Körnern einer mittleren Korngröße
von 12 µm in einer Menge von 6,5 Gew.-%, Sintertemperatur
T S =1200°C, Sinterdauer bei Maximaltemperatur
t=312 min;
=22,27 (Kurve 2); - 3. kein Zusatz von vorgebrannten Körnern, Sintertemperatur
T S =1200°C, Sinterdauer bei Maximaltemperatur
t=155 min;
=18,60 (Kurve 3); - 4. kein Zusatz von vorgebrannten Körnern, Sintertemperatur
T S =1200°C, Sinterdauer bei Maximaltemperatur
t=312 min;
=18,13 (Kurve 4).
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines nichtlinearen spannungsabhängigen
Widerstandes mit einem keramischen Sinterkörper
auf Basis von die Oxide von Titan, Wismut und mindestens
eines Übergangsmetalls enthaltendem Zinkoxid als
Widerstandsmaterial, wobei der Sinterkörper durch Verformen
des pulverförmigen Widerstandsmaterials und anschließendes
Sintern an Luft bei einer Temperatur im Bereich
von 1200 bis 1350°C hergestellt und anschließend
mit Elektroden versehen wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem pulverförmigen Widerstandsmaterial Körner aus bei
einer Temperatur im Bereich von 1200 bis 1400°C vorgebranntem
Widerstandsmaterial einer mittleren Korngröße im
Bereich von 4 bis 12 µm und in einer Menge von 1 bis 50 Gew.-%
zugesetzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem Widerstandsmaterial Körner in einer Menge von 3
bis 15 Gew.-% zugesetzt werden.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem Widerstandsmaterial Körner einer mittleren Korngröße
von 6 µm zugesetzt werden.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem Widerstandsmaterial Körner einer mittleren Korngröße
von 4,3 µm zugesetzt werden.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß als pulverförmiges Widerstandsmaterial Zinkoxid mit
einem Zusatz der Oxide von Titan, Antimon, Wismut, Mangan,
Kobalt und Nickel eingesetzt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß Zinkoxid einer mittleren Korngröße im Bereich von 0,7
bis 1 µm eingesetzt wird.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3826356A DE3826356A1 (de) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen spannungsabhaengigen widerstandes |
DE89201988T DE58906686D1 (de) | 1988-08-03 | 1989-07-28 | Verfahren zur Herstellung eines nichtlinearen spannungsabhängigen Widerstandes. |
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KR1019890011077A KR0126468B1 (ko) | 1988-08-03 | 1989-08-03 | 비선형 전압 종속 저항 제조 방법 |
JP1200413A JPH0279402A (ja) | 1988-08-03 | 1989-08-03 | 非線形電圧依存抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3826356A DE3826356A1 (de) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen spannungsabhaengigen widerstandes |
Publications (1)
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