DE3732426C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3732426C2 DE3732426C2 DE3732426A DE3732426A DE3732426C2 DE 3732426 C2 DE3732426 C2 DE 3732426C2 DE 3732426 A DE3732426 A DE 3732426A DE 3732426 A DE3732426 A DE 3732426A DE 3732426 C2 DE3732426 C2 DE 3732426C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- piezoelectric elements
- sample
- probe
- directional
- blocks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 136
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 56
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 230000026058 directional locomotion Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
- G01Q30/02—Non-SPM analysing devices, e.g. SEM [Scanning Electron Microscope], spectrometer or optical microscope
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
- G01Q10/04—Fine scanning or positioning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/10—STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
- G01Q60/16—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
- H02N2/021—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors using intermittent driving, e.g. step motors, piezoleg motors
- H02N2/023—Inchworm motors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
- H02N2/028—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors along multiple or arbitrary translation directions, e.g. XYZ stages
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/861—Scanning tunneling probe
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Rastertunnelmikroskop
das in ein Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist, gemäß den
Merkmalen der Oberbegriffe der Patentansprüche 1 und 4.
Aus der Literaturstelle US-Z: Rev. Sci. Instrum. Bd. 56,
No. 8, 1965, S. 1573-1576 ist ein Rastertunnelmikroskop
der vorstehend genannten Art bekannt. Hierbei ist eine
Sondenbewegungseinrichtung vorhanden, welche bewegliche
Blöcke und piezoelektrische Elemente oberhalb von festen
Blöcken aufweist, die an vier Ecken einer Grundplatte
angeordnet sind. Diese piezoelektrischen Elemente sind in
Z-Richtung expandierbar und zusammenziehbar und sind dann
in vier Ecken der Grundplatte angeordnet. Die beweglichen
Blöcke sind einzeln an diesen piezoelektrischen Elementen
angebracht. Der dort vorgesehene Mittelblock ist mittels
X-richtungs-und Y-richtungspiezoelektrischen Elementen
gelagert, die in Form einer Gitterstruktur auf den
Blöcken angeordnet sind. Die piezoelektrischen Elemente
und die beweglichen Blöcke sind hierbei auf gedrängtem
Raum oberhalb der Probe angeordnet, die der an dem
Mittelblock angebrachten Sonde gegenüberliegt. Die Probe kann hierbei an einer Stelle
in der Nähe der Spitze der Sonde nicht mit Hilfe eines
Rasterelektronenmikroskops beobachtet und untersucht werden.
Aus der Literaturstelle US-Z: Rev. Sci. Instrum., Bd. 57,
No. 2, 1986, S. 221-224 ist bei einem Rastertunnelmikroskop, das in ein Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist, eine Sondenbewegungseinrichtung mit piezoelektrischen
Elementen in Form einer Dreifußkonfiguration
bekannt. Bei einer derartigen
Dreifußkonfiguration wird die Positionierung
ungenau, da bei der Expansion oder dem Zusammenziehen
eines der piezoelektrischen Elemente sich auch die jeweils
anderen zugeordneten piezoelektrischen Elemente
verformen. Auch die Probenbewegungseinrichtung für ein Rastertunnelmikroskop, die aus
der Literaturstelle US-Z: IBM J. Res. Develop, Bd. 30,
No. 5, 1986, S. 492-498 bekannt ist, ermöglicht keine genaue
Feineinstellung eines Probenträgers.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Rastertunnelmikroskop
der gattungsgemäßen Art bereitzustellen,
bei dem der Abtastbereich des Rasterelektronenmikroskops im wesentlichen uneingegrenzt ist
und das eine genaue und zuverlässige Beobachtung und
Untersuchung gestattet.
Nach der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem Rastertunnelmikroskop
mit den Merkmalen des Oberbegriffs des
Patentanspruchs 1 in Verbindung mit den Merkmalen im
Kennzeichen desselben sowie bei einem Rastertunnelmikroskop
mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs
4 in Verbindung mit den Merkmalen im Kennzeichen
desselben gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Rastertunnelmikroskop gemäß der
Auslegungsform nach Patentanspruch 1 liegen die beweglichen
Blöcke und die piezoelektrischen Elemente nicht
oberhalb der festen Blöcke, die an den vier Ecken der
Grundplatte vorgesehen sind.
Dadurch wird erreicht,
daß oberhalb der vier Ecken der Grundplatte
Räume vorhanden sind, über die der Elektronenstrahl
des Rasterelektronenmikroskops die Probe erreichen kann
und ein von der Probe abgegebener Sekundärelektronenstrahl
abgetastet und detektiert werden kann. Daher sind
die dem Tunnelmikroskop und dem Rasterelektronenmikroskop zugeordneten
Bilder gleichzeitig erhältlich, wodurch sich
eine genauere Probenuntersuchung vornehmen läßt.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des Gegenstands des Anspruchs 1 sowie
ein Verfahren zum Betrieb der Sondenbewegungseinrichtung
sind in den Ansprüchen
2 und 3 wiedergegeben.
Die bei dem erfindungsgemäßen Rastertunnelmikroskop, das in ein
Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist, nach Patentanspruch 4
vorgesehene Probenbewegungseinrichtung ist
derart ausgelegt, daß der Probentisch in X- und Y-
Richtung feineinstellbar ist. Wenn ein Rastertunnelmikroskop
in ein Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist,
ist es nämlich erforderlich, daß eine Probe um eine
beträchtliche Wegstrecke zum Auswechseln der Probe oder
zu ähnlichen Zwecken bewegbar sein muß. Andererseits muß
aber auch die Probe mittels Feineinstellung genau die zur
Beobachtung bestimmte Position einnehmen. Diese Bewegungen
werden unabhängig von einer Grobeinstellbewegung oder
einer Feineinstellbewegung in die X-, Y- und Z-Richtungen
vorgenommen. Die Grobeinstellung und die hierbei erforderliche
Grobbewegung in X- und Y-Richtungen erfolgt dadurch,
daß der Probentisch auf einer Probeneinstelleinrichtung
des Rasterelektronenmikroskops angebracht ist. Die
Grobeinstellung der Probe in Z-Richtung relativ zur
Sonde des Rastertunnelmikroskops läßt sich jedoch nicht
mit der Probeneinstelleinrichtung vornehmen, da die Sonde
an dieser Einrichtung angebracht ist. Diese Einstellung des
Probentisches in Z-Richtung sowie Feineinstellungen in X- und Y-Richtung
werden durch gemäß dem Anspruch 4 ausgebildete Probenbewegungseinrichtung
ermöglicht.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Rastertunnelmikroskops,
das in ein Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist, der
im Patentanspruch 4 umrissenen Art sind in den Ansprüchen
5 und 6 wiedergegeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten
Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die
Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt
Fig. 1 eine Seitenansicht einer Probenkammer
eines Rasterelektronenmikroskops in
Schnittansicht in der ein
Rastertunnelmikroskop angeordnet ist,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer
Sondenbewegungseinrichtung, die im
Rastertunnelmikroskop nach Fig. 1
vorgesehen ist,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Sondenbewegungseinrichtung,
Fig. 4 eine Schnittansicht längs der Linie
IV-IV in Fig. 3 zur Verdeutlichung
der Sondenbewegungseinrichtung,
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Beispiels
der bekannten Sondenbewegungseinrichtung,
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung
eines beweglichen Körpers einer Probenbewegungs
einrichtung, die in dem Mikroskop nach Fig. 1
vorgesehen ist,
Fig. 7 ein schematisches Schaltungsdiagramm für eine
Steuereinrichtung zum Steuern der piezoelektri
schen Elemente der Probenbewegungseinrichtung,
und
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung
einer weiteren Ausbildungsform einer Probenbewe
gungseinrichtung nach der Erfindung.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 hat ein Rasterelektronenmikro
skop eine Probenkammer, in der sich ein Grundteil 10 be
findet. Das Grundteil 10 ist innerhalb einer X-Y-Ebene be
wegbar, die senkrecht zur Zeichenebene nach Fig. 1 ist
und der Antrieb erfolgt mit Hilfe einer Sondenpositionier
einstelleinrichtung, die aus zwei senkrecht zueinander an
geordneten Vorschubspindeleinrichtungen 12 und 14 besteht.
Auf dem Grundteil bzw. Basisteil 10 ist eine Probenbewegungs
einrichtung 16 angebracht, die von einer zylindrischen Füh
rung 18 und einem beweglichen Körper 20 gebildet wird, der
in der Führung 18 aufgenommen ist. Piezoelektrische Klemm
elemente 22 und 24 sind an einem stationären Teil eines
Gestells des Elektronenmikroskops angebracht und derart an
geordnet, daß sie die Führung 18 in irgendeiner gewünsch
ten Position in der X-Y-Ebene festlegen. Ein
Tisch 26 ist auf der Oberseite des beweglichen
Körpers 20 vorgesehen, der eine Probe 28 darauf trägt.
Eine Sondenbewegungseinrichtung 30 ist an der oberen
Fläche der Führung 18 zur Feineinstellung der Position
einer Sonde 32 eines Rastertunnelmikroskops in X- und
Y-Richtung sowie in Z-Richtung angebracht, die senkrecht
zu den X- und Y-Richtungen ist. Die Einrichtung 30 wird
von einer Mehrzahl von piezoelektrischen Elementen gebil
det, die individuell expandierbar und zusammenziehbar in
den Richtungen X, Y und Z sind.
Die Sonde 32 befindet sich in einem Bereich, in dem ihre
Spitze durch einen Elektronenstrahl 36 über eine Objektiv
linse 34 des Rasterelektronenmikroskops bestrahlbar ist. Se
kundärelektronen 38 werden von der Probe 28 durch den Elek
tronenstrahl 36 freigesetzt und sie werden mit Hilfe eines
Sekundärelektrodendetektors 40 des Rasterelektronenmikroskops de
tektiert.
Wie in den Fig. 2, 3 und 4 gezeigt ist, umfaßt die Sonden
bewegungseinrichtung 30 eine Basis 42, die im allgemeinen
eine viereckige Form hat. Blöcke 44, 46, 48 und 50 sind je
weils fest an einer der vier Ecken des Grundteils 42 an
gebracht. X-Richtungsbewegungsblöcke 52 und 54 sind beweglich
zwischen den festen Blöcken 44 und 50 und zwischen den festen
Blöcken 46 und 48 jeweils angeordnet, die individuell X-Rich
tungsseiten definieren. Der bewegliche Block 52 ist mit den
festen Blöcken 44 und 50 mit Hilfe von jeweils X-richtungs
piezoelektrischen Elementen X1 und X2 verbunden, die jeweils
in X-Richtung expandier- und zusammenziehbar sind. In ähnli
cher Weise ist der bewegliche Block 54 mit den festen Blöc
ken 46 und 48 jeweils mit Hilfe von X-richtungspiezoelektri
schen Elementen X3 und X4 verbunden, die in X-Richtung ex
pandierbar und zusammenziehbar sind. Alle diese piezoelek
trischen Elemente X1 bis X4 sind untereinander gleich und
an ihnen liegt derselbe Spannungspegel an. Jedoch ist die
an den piezoelektrischen Elementen X1 und X3 und die an den
piezoelektrischen Elementen X2 und X4 anliegende Spannung,
die jeweils den Elementen X1 und X3 benachbart sind, in
entgegengesetzter Richtung polarisiert. Wenn daher die
piezoelektrischen Elemente X1 und X3 expandiert werden,
ihre zugeordneten piezoelektrischen Elemente X2 und X4
sich um dieselbe Größe zusammenziehen, wird bewirkt, daß
sich die Blöcke 52 und 54 sich gleichzeitig um ein und die
selbe Größe bewegen. Insbesondere dienen die piezoelektri
schen Elemente X1 bis X4 als erste X-richtungspiezoelektri
sche Elemente, die derart beschaffen und ausgelegt sind,
daß sich die beweglichen Blöcke 52 und 54 in X-Richtung be
wegen.
Y-Richtungsbewegungsblöcke 56 und 58, die jeweils in Y-
Richtung bewegbar sind, sind zwischen den festen Blöcken
44 und 46 und zwischen den festen Blöcken 48 und 50 je
weils angeordnet, die Y-Richtungsseiten definieren, die
senkrecht zu den vorstehend genannten X-Richtungsseiten
sind. Der bewegliche Block 56 ist mit den festen Blöcken
44 und 46 jeweils durch Y-richtungspiezoelektrische Ele
mente Y1 und Y2 verbunden, die in Y-Richtung expandierbar
und zusammenziehbar sind. Der andere bewegliche Block 58
ist mit den festen Blöcken 50 und 48 jeweils durch Y-rich
tungspiezoelektrische Elemente Y3 und Y4 verbunden. Diese
piezoelektrischen Elemente Y1 bis Y4 sind ähnlich wie X1
bis X4 untereinander gleich und an ihnen liegt der gleiche
Spannungspegel abgesehen vom Unterschied der Polarität an,
wie dies vorstehend im Zusammenhang mit den piezoelektri
schen Elementen X1 bis X4 erläutert worden ist. Wenn daher
die piezoelektrischen Elemente Y1 und Y3 expandiert werden,
ziehen sich ihre zugeordneten piezoelektrischen Elemente
Y2 und Y4 um dieselbe Größe zusammen. Auf diese Weise die
nen die piezoelektrischen Elemente Y1 bis Y4 als erste Y-
richtungspiezoelektrische Elemente, die derart beschaffen
und ausgelegt sind, daß sie die beweglichen Blöcke 56 und
58 gleichzeitig um dieselbe Bewegungsgröße in Y-Richtung
bewegen.
Erste Z-richtungspiezoelektrische Elemente Z1 und Z2 sind
jeweils an den X-Richtungsbewegungsblöcken 52 und 54 vor
gesehen und sie sind jeweils in Z-Richtung expandierbar
und zusammenziehbar, die senkrecht zu den Richtungen X
und Y ist. Zweite Z-richtungspiezoelektrische Elemente Z3
und Z4 sind jeweils an den Y-Richtungsbewegungsblöcken 56
und 58 angebracht und sie sind jeweils in Z-Richtung expan
dierbar und zusammenziehbar. Diese piezoelektrischen Ele
mente Z1 bis Z4 sind identisch zueinander ausgebildet und
an ihnen liegt dieselbe Spannung an und sie expandieren und
ziehen sich in Z-Richtung unter denselben Bedingungen zu
sammen, d. h. gleichzeitig und um dieselbe Größe.
An den Enden der ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elemente
Z1 und Z2 sind jeweils X-Z-Richtungsbewegungsblöcke 60 und
62 angebracht und an den Enden der zweiten Z-richtungspiezo
elektrischen Elemente Z3 und Z4 sind jeweils Y-Z-Richtungs
bewegungsblöcke 64 und 66 angebracht. Bei dieser Auslegung
sind die beweglichen Blöcke 60 und 62 und die beweglichen
Blöcke 64 und 66 jeweils auf den beweglichen Blöcken 52 und
54 und den beweglichen Blöcken 56 und 58 gelagert und sie
werden jeweils durch die ersten Z-richtungspiezoelektrischen
Elemente Z1 und Z2 und die zweiten Z-richtungspiezoelektri
schen Elemente Z3 und Z4 unter denselben Bedingungen in Z-
Richtung bewegt.
Ein Mittelblock 68 ist zwischen den gegenüberliegenden X-Z-
Richtungsbewegungsblöcken 60 und 62 und zwischen den gegen
überliegenden Y-Z-Richtungsbewegungsblöcken 64 und 66 vor
gesehen. Der Mittelblock 68 ist mit den beweglichen Blöcken
64 und 66 jeweils durch die zweiten X-richtungspiezoelektri
schen Elemente X5 und X6 verbunden, die jeweils in X-Rich
tung verformbar sind und mit den beweglichen Blöcken 60 und
62 jeweils durch die zweiten Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y5 und Y6 verbunden, die in Y-Richtung verformbar
sind. Die zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elemente
X5 und X6 sind hinsichtlich des Aufbaus übereinstimmend
mit den ersten piezoelektrischen Elementen X1 und X2 und
X3 und X4 ausgelegt. Insbesondere sind die piezoelektri
schen Elemente X5 und X6 untereinander gleich. An dem Ele
ment X5 liegt dieselbe Spannung wie an den Elementen X1
und X3 an und an dem Element X6 liegt eine Spannung an,
die hinsichtlich des Pegels die gleiche wie jene Spannung
ist, die an dem Element X5 anliegt, die aber die entgegen
gesetzte Polarität hat. Die zweiten Y-richtungspiezoelektri
schen Elemente Y5 und Y6 sind auf dieselbe Weise wie die
ersten piezoelektrischen Elemente Y1 und Y2 sowie jeweils
die Elemente Y3 und Y4 ausgelegt. Bei dieser Auslegung
wird der Mittelblock 68 in X-Richtung unter denselben Be
dingungen wie die X-Richtungsbewegungsblöcke 52 und 54 be
wegt und in Y-Richtung in derselben Richtung wie die Y-Rich
tungsbewegungsblöcke 56 und 58 bewegt. Ein piezoelektrisches
Steuerelement Z0, das in Z-Richtung expandierbar und zusammen
ziehbar ist, ist an dem Mittelblock 68 angebracht. Die Sonde
32 ist mittels eines Halters 70 festgehalten, der an dem
Ende des piezoelektrischen Steuerelementes Z0 angebracht
ist. Die Basis 42 ist in einer Öffnung 72 zur Aufnahme des
Tisches 26 versehen, auf die den Pro
be 28 gelegt ist.
Wenn bei der Sondenbewegungseinrichtung 30, die den vor
stehend genannten Aufbau hat, eine vorbestimmte Spannung
an die ersten und zweiten Z-richtungspiezoelektrischen Ele
mente Z1 bis Z4 angelegt wird, verformen sich die Elemente
Z1 bis Z4 jeweils um eine vorbestimmte Größe und sie bewegen
ihrerseits die X-Z-Richtungsbewegungsblöcke 60 und 62 und
die Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke 64 und 66 in Z-Richtung um
dieselbe Bewegungsgröße. Eine solche Bewegung in Z-Richtung
hat daher keinen Einfluß auf die X- und Y-richtungspiezoelek
trischen Elemente, d. h. die zweiten X-piezoelektrischen Ele
mente X5 und X6 und die zweiten Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y5 und Y6 werden parallel zu den ersten X-rich
tungspiezoelektrischen Elementen X1 bis X4 und den ersten
Y-richtungspiezoelektrischen Elementen Y1 bis Y4 jeweils
gehalten. Als Folge hiervon wird der Mittelblock 68 in Z-
Richtung zusammen mit den X-Z-Richtungsbewegungsblöcken 60
und 62 und den Y-Z-Richtungsbewegungsblöcken 64 und 66 be
wegt, so daß die Position der Sonde 32 in Z-Richtung, d. h.
in Richtung der Höhe, verändert wird.
Wenn man annimmt, daß eine vorbestimmte Spannung an den er
sten und zweiten X-piezoelektrischen Elementen X1 bis X6
anliegt und die Sonde 32 in einer gewünschten Höhe wie vor
stehend angegeben, gehalten wird, und dann die piezoelek
trischen Elemente X1, X3 und X5 beispielsweise um eine vor
bestimmte Größe expandiert werden und die anderen piezoelek
trischen Elemente X2, X4 und X6 sich um dieselbe Größe zu
sammenziehen, so wird bewirkt, daß hierbei die X-Richtungs
bewegungsblöcke 52 und 54 und der Mittelblock 68 um dieselbe
Größe in X-Richtung bewegt werden. Die X-Z-Richtungsbewegungs
blöcke 60 und 62 werden ebenfalls der Bewegung der bewegli
chen Blöcke 52 und 54 jeweils folgend bewegt. Hierdurch wer
den die Y- und Z-Richtungen in keiner Weise beeinflußt. Auf
diese Weise wird die Sonde 32 um eine vorbestimmte Größe in
X-Richtung bewegt. Wenn in ähnlicher Weise eine vorbestimmte
Spannung an den ersten und zweiten Y-richtungspiezoelektri
schen Elementen Y1 bis Y6 anliegt, wird die Sonde 32 in Y-
Richtung um einen vorbestimmten Betrag bewegt.
Aus dem vorstehenden ergibt sich, daß die Sonde 32 die X-Y-
Ebene dadurch abtasten kann, daß in entsprechender Weise die
Spannung variiert wird, die an den X-richtungspiezoelektri
schen Elementen X1 bis X6 anliegt und jene, die an den Y-
richtungspiezoelektrischen Elementen Y1 bis Y6 anliegt.
Die Sondenbewegungseinrichtung 30 der vorstehend gezeig
ten und beschriebenen Art kann kleiner als 2,5 cm an je
der Seite ausgelegt sein, wenn der Abtastbereich in der
Größenordnung von 1 Mikrometer ist und sich um 1 Mikrome
ter ändert. Daher ist, wie in Fig. 1 gezeigt ist, die
Einrichtung 30 so ausreichend klein, daß sie in der Proben
kammer des Rasterelektronenmikroskops aufgenommen werden
kann. Die Blöcke 44 bis 68 und das Grundteil 42 können je
weils aus Aluminium oder einer ähnlichen Leichtmetallegie
rung hergestellt sein, um das Gesamtgewicht der Einrichtung
30 zu reduzieren und daher die spezifische Schwingungsfre
quenz auf bis zu etwa 20 kHz zu erhöhen. Eine derartig hohe
spezifische Schwingungsfrequenz der Einrichtung 30 würde
ermöglichen, daß eine Antioszillationseinrichtung des Rasterelek
tronenmikroskops den Einfluß von extern einwirkenden Vibra
tionen unterdrücken kann, ohne daß eine gesonderte Einrich
tung hierfür vorgesehen sein muß. Da ferner die Probenkammer
des Rasterelektronenmikroskops evakuiert ist, kann durch Anordnen
der Einrichtung 30 in der Probenkammer der Wärmeeinfluß der
Sonde 32 effektiv eliminiert werden.
Das Grundteil der Sondenbewegungseinrichtung 30 ist an der
Oberseite der zylindrischen Führung 18 der Probenbewegungs
einrichtung 16 angebracht. Die Auslegung ist derart getrof
fen, daß der Elektronenstrahl 36, der von der Objektivlinse
34 des Rasterelektronenmikroskops kommt, auf die Oberfläche der
Probe 28 in der Nähe der Spitze der Sonde 32, von oben her
von den festen Blöcken 44 bis 50 der Einrichtung 30 gesehen,
auftrifft und in irgendeinen der Räume geht, die zwischen
den zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elementen X5 und X6
und den zweiten Y-richtungspiezoelektrischen Elementen Y5
und Y6 definiert werden und zwar derart, daß die Sekundär
elektronen 38, die von der Probe 28 freigesetzt werden, den
Sekundärelektronendetektor 40 über den Raum erreichen, der
dem vorstehend genannten Raum gegenüberliegt. Diese Räume
sind fest vorbestimmt, da die X-richtungspiezoelektrischen
Elemente X5 und X6 und die Y-richtungspiezoelektrischen Ele
mente Y5 und Y6 kreuzweise einfach miteinander verknüpft
sind.
Im Gegensatz hierzu, wie in Fig. 5 gezeigt ist, enthält die aus der erstgenannten
Literaturstelle bekannte Sondenbewegungseinrichtung sechs X-richtungs
piezoelektrische Elemente X′1 bis X′6 und sechs Y-rich
tungspiezoelektrische Elemente Y′1 bis Y′6, die in Gitter
konfiguration angeordnet sind. Eine Sonde 32′ ist auf einem
Mittelblock 68′ unter Zwischenlage eines Z-richtungssteuer
piezoelektrischen Elementes Z′0 gelagert. Die gesamte An
ordnung wird durch vier Z-richtungspiezoelektrische Elemente
Z′1 bis Z′4 gestützt. Bei einer solchen Auslegung sind Räume
für die Ausbreitung eines Elektronenstrahls von einem Rasterelek
tronenmikroskop und für die Ausbreitung der Sekundärelektro
nen von einer Probe nicht verfügbar.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Führung 18 der Proben
bewegungseinrichtung 16 fest mit dem Grundteil 10 verbunden.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, enthält der bewegliche Körper
20, der in der Führung 18 untergebracht ist, eine obere
Klemmeinrichtung 74 und eine untere Klemmeinrichtung 76,
die jeweils eine scheibenähnliche Auslegung haben. Auf der
oberen Klemmeinrichtung 74 erstrecken sich erste piezoelek
trische Elemente X11 und X12 von den gegenüberliegenden Sei
ten in X-Richtung weg und zweite piezoelektrische Elemente
Y11 und Y12 erstrecken sich von den gegenüberliegenden Sei
ten in Y-Richtung weg. Die ersten piezoelektrischen Elemente
X11 und X12 sind in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie
expandierbar und zusammenziehbar, die in X-Richtung verläuft,
während die zweiten piezoelektrischen Elemente Y11 und Y12
in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie verformbar sind,
die in Y-Richtung verläuft. An der unteren Klemmeinrichtung
76 sind dritte piezoelektrische Elemente X13 und X14 ange
bracht, die ähnlich den piezoelektrischen Elementen X11 und
X12 ausgelegt sind und vierte piezoelektrische Elemente Y13
und Y14, die ähnlich wie die piezoelektrischen Elemente Y11
und Y12 ausgelegt sind.
Wenn bei der vorstehend beschriebenen Auslegungsform die
ersten und zweiten piezoelektrischen Elemente X11 und X12
und Y11 und Y12 expandiert werden, werden sie gegen den
Innenumfang der Führung 18 gedrückt, um die obere Klemm
einrichtung 74 an der Führung 18 festzulegen. Wenn in ähn
licher Weise die dritten und vierten piezoelektrischen Ele
mente X13 und X14 und Y13 und Y14 expandiert werden, werden
sie gegen den Innenumfang der Führung 18 gedrückt, um die
untere Klemmeinrichtung 76 fest mit der Führung 18 zu ver
binden. Wenn alle piezoelektrischen Elemente X11 bis X14
und Y11 bis Y14 sich zusammenziehen, können sich die Klemm
einrichtungen 74 und 76 frei nach oben und unten relativ
zur Führung 18 bewegen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 ist eine Steuereinrichtung zum
Anlegen einer Spannung an die piezoelektrischen Elemente X11
bis X14 und Y11 bis Y14 in Form einer schematischen Schal
tung gezeigt. Wie gezeigt ist, liegt ein Potential von +V
über einen Schalter Sx 1 an dem positiven Anschluß des ersten
piezoelektrischen Elementes X11 an, während zugleich ein
Potential von -V über einen Schalter Sx 2 an dem negativen
Anschluß des anderen ersten piezoelektrischen Elementes X12
anliegt. Ein Feineinstellungsbewegungssteuerpotential ΔVx
liegt an dem negativen Anschluß des piezoelektrischen Elemen
tes X11 an und an dem positiven Anschluß des piezoelektrischen
Elementes X12. Das Steuerpotential ΔVx ist innerhalb eines
vorbestimmten Bereiches variabel, dessen Mittelwert Null ist.
Somit liegen Spannungen V - ΔVx und V + ΔVx an den piezo
elektrischen Elementen X11 und X12 jeweils an.
Die zweiten piezoelektrischen Elemente Y11 und Y12, die
dritten piezoelektrischen Elemente X13 und X14 und die vier
ten piezoelektrischen Elemente Y13 und Y14 sind auf dieselbe
Weise wie die piezoelektrischen Elemente X11 und X12 ge
schaltet. Das gleiche Feineinstellungsbewegungssteuerpoten
tial ΔVx, wie an den piezoelektrischen Elementen X11 und
X12 liegt an den piezoelektrischen Elementen X13 und X14 an.
Ein Feineinstellungsbewegungssteuerpotential ΔVy, das
an den piezoelektrischen Elementen Y11 und Y12 anliegt,
liegt an den piezoelektrischen Elementen Y13 und Y14
ebenfalls an. Ferner werden die Schalter Sy 1 und Sy 2,
die den piezoelektrischen Elementen Y11 und Y12 zugeord
net sind, jeweils durch ein und dasselbe Steuersignal u1
geöffnet und geschlossen und zwar wie jenes, das die
Schalter Sx 1 und Sx 2 öffnet und schließt. Die Schalter
Sx 3 und Sx 4, die den jeweiligen piezoelektrischen Elemen
ten X13 und X14 zugeordnet sind und die Schalter Sy 3 und
Sy 4, die den piezoelektrischen Elementen Y13 und Y14 je
weils zugeordnet sind, werden mit ein und demselben Steuer
signal u2 geöffnet und geschlossen.
Wie in den Fig. 1 und 6 gezeigt ist, sind die obere
Klemmeinrichtung 74 und die untere Klemmeinrichtung 76 mit
einander durch ein fünftes piezoelektrisches Element Z11
verbunden, das in Z-Richtung verformbar ist. Eine Steuer
spannung von der Steuereinrichtung wird an das piezoelek
trische Element Z11 zu einer vorgegebenen Zeit relativ zu
einem Zeitpunkt der Spannungsanlegung an die piezoelektri
schen Elemente X11, X12, Y11 und Y12 oder jener der Span
nungsanlegung an die piezoelektrischen Elemente X13, X14,
Y13 und Y14 angelegt.
Der Tisch 26 für die Auflage der
Probe 28 ist an der Oberseite der oberen Klemmeinrichtung
74 vorgesehen. Beim Arbeiten zum Betrachten der Probe 28
wird die Probe auf den Schlitten 26 gelegt, wobei der be
wegliche Körper 20 der Probenbewegungseinrichtung 16 abge
senkt wird. Dann werden die Schalter Sx 1, Sx 2, Sy 1 und Sy 2
geöffnet und die Schalter Sx 3, Sx 4, Sy 3 und Sy 4 werden ge
schlossen. Zu diesem Zeitpunkt werden beide Feineinstellungs
bewegungssteuerpotentiale ΔVx und ΔVy zu Null gemacht. So
mit ziehen sich die ersten und zweiten piezoelektrischen
Elemente X11, X12, Y11 und Y12 zusammen, während zugleich
die dritten und vierten piezoelektrischen Elemente X13,
X14, Y13 und Y14 expandiert werden. Als Folge hiervon läßt
sich die obere Klemmeinrichtung 74 frei bewegen und die
untere Klemmeinrichtung 76 ist an der Führung 18 festge
legt. Dann wird eine Spannung an das fünfte piezoelektri
sche Element Z11 angelegt, das sich dann expandiert, um
die obere Klemmeinrichtung 74 anzuheben. Im Anschluß daran
werden die Schalter Sx 1, Sx 2, Sy 1 und Sy 2 geschlossen, wäh
rend zugleich die Schalter Sx 3, Sx 4, Sy 3 und Sy 4 geöffnet
werden. Hierdurch wird bewirkt, daß sich die ersten und
zweiten piezoelektrischen Elemente X11, X12, Y11 und Y12
expandieren, so daß die obere Klemmeinrichtung 74 an der
Führung 18 festgelegt ist, während bewirkt wird, daß die
dritten und vierten piezoelektrischen Elemente X13, X14,
Y13 und Y14 sich zusammenziehen, um zu erreichen, daß die
untere Klemmeinrichtung 76 frei bewegbar ist. Unter diesen
Umständen wird die an das piezoelektrische Element Z11 an
gelegte Spannung unterbrochen, wodurch sich das Element Z11
zusammenzieht, um die untere Klemmeinrichtung 76 anzuheben.
Dann wird die untere Klemmeinrichtung 76 an der Führung 18
wiederum festgelegt, und zugleich wird die obere Klemmein
richtung 74 freigegeben. Im Anschluß daran expandiert sich
das piezoelektrische Element Z11, um die obere Klemmeinrich
tung 74 wieder anzuheben.
Der vorstehend genannte Ablauf wird wiederholt, um sequen
tiell den Tisch 26 und somit die Probe 28 in Richtung
der Sonde 32 zu heben. Die an dem piezoelektrischen Ele
ment Z11 angelegte Spannung ist beispielsweise niedrig,
damit sie zum anderen die Expansions- oder Kontraktions
größe des Elementes Z11 klein halten kann, um eine Feinein
stellung zu bewirken.
Wenn die Oberfläche der Probe 28 eine Position erreicht,
an der sie durch das Rasterelektronenmikroskop beobachtet werden
kann, werden alle piezoelektrischen Elemente X11 bis X14
und Y11 bis Y14 expandiert, um die obere und untere
Klemmeinrichtung 74 und 76 jeweils an der Führung 18 fest
zulegen. Die Probe 28 kann dann durch das Rasterelektronenmikro
skop betrachtet werden.
Um die Betrachtungsposition der Probe 28 zu verändern,
wird das Grundteil 10 des Rasterelektronenmikroskops in der X-Y-
Ebene bewegt, um den Schlitten 26 in dieser Ebene zu bewe
gen.
Wenn es erwünscht ist, die Probe 28 während der Betrachtung
zu verstellen, wird das Grundteil 10 derart positio
niert, daß der Teil der zu betrachtenden Probe 28 im wesent
lichen mit der Spitze der Sonde 32 fluchtet und dann werden
die zur Klemmung dienenden piezoelektrischen Elemente 22
und 24 betätigt, um die Führung 18 an Ort und Stelle festzu
legen. Im Anschluß daran wird die Steuerspannung ΔVx, die
an den ersten und dritten piezoelektrischen Elementen X11
bis X14 anliegt und die Steuerspannung ΔVy, die an den zwei
ten und vierten piezoelektrischen Elementen Y11 bis Y14 an
liegt, in entsprechender Weise geändert, so daß sich die
ersten und dritten piezoelektrischen Elemente X11 und X13
und die anderen ersten und dritten piezoelektrischen Ele
mente X12 und X13 um unterschiedliche Beträge zueinander ex
pandieren. Anschließend werden die zweiten und vierten piezo
elektrischen Elemente Y11 und Y13 und die anderen zweiten
und vierten piezoelektrischen Elemente Y12 und Y14 in ent
sprechender Weise beaufschlagt. Als Folge hiervon wird der
Tisch 26 unter Ausführung einer Feineinstellbewegung in
der X-Y-Ebene bewegt, wobei die oberen und unteren Klemm
einrichtungen 74 und 76 an der Führung 18 festgelegt sind.
Auf diese Weise kann ein spezieller Teil der Probe 28, der
zu vergrößern ist, genau an der Spitze der Sonde 32 positio
niert werden.
Unter den vorstehend genannten Bedingungen liegt ein Vor
belastungsstrom an der Sonde 32 und der Probe 28 an, um
zu bewirken, daß ein Tunnelstrom zwischen diesen fließt.
Dann wird eine Spannung an die Z-richtungspiezoelektrischen
Elemente Z1 bis Z4 der Sondenbewegungseinrichtung 30 ange
legt, um die Position der Sonde 32 in Z-Richtung derart fein
einzustellen, daß der Tunnelstrom sich auf einem vorbestimm
ten Wert einpendelt. Anschließend wird die Sonde 32 in der
X-Y-Ebene bewegt, wobei ihre Position zu diesem Zeitpunkt
als Mittelpunkt verwendet wird, um hierbei die Oberfläche
der Probe 28 abzutasten. Dies wird dadurch bewirkt, daß ent
sprechende Abtastspannungen an die X-richtungspiezoelektri
schen Elemente X1 bis X6 und die Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y1 bis Y6 der Sondenbewegungseinrichtung 30 ange
legt werden. Während des Abtastvorganges wird eine Steuer
spannung an das piezoelektrische Steuerelement Z0 angelegt,
so daß der zwischen der Sonde 32 und der Probe 28 fließende
Tunnelstrom konstant bleibt. Wenn diese Steuerspannung und
die Abtastspannungen, die an den piezoelektrischen Elementen
X1 bis X6 und Y1 bis Y6 angelegt sind, mit Hilfe eines geeig
neten Bildprozessors verarbeitet werden, der nicht gezeigt
ist, läßt sich ein durch das Tunnelmikroskop betrachtetes
Bild erzeugen.
Wie vorstehend beschrieben worden ist, kann dieselbe Posi
tion derselben Probe sowohl durch ein Rasterelektronenmi
kroskop als auch durch ein Rastertunnelmikroskop betrachtet
werden. Die in den Fig. 1 und 6 gezeigte Probenbewegungs
einrichtung 16 ist vorteilhaft dahingehend, daß der Tisch
26 in Z-Richtung über eine beträchtliche Strecke beweg
bar ist, die der Länge der Führung 18 entspricht und daß die
Position der Probe 28 in Z-Richtung in einem solchen Ausmaß
steuerbar ist, daß ein Tunnelstrom zwischen der Sonde 32
und der Probe 28 fließt, d. h, daß eine Erfassung in Größen
ordnung von Nanometer möglich ist. Die Position der Probe 28
in X-Richtung und Y-Richtung ist ebenfalls fein regelbar in
der Größenordnung von Nanometer. Da ferner die Führung 18
zylindrisch ist und die oberen und unteren Klemmeinrich
tungen 74 und 76 scheibenförmig sind, können sie mit hoher
Genauigkeit bearbeitet werden, um eine genaue Positions
steuerung zu ermöglichen. Da ferner die zylindrische Füh
rung 18 in dem beweglichen Körper 20 aufgenommen ist, läßt
sich die Gesamtauslegung der Einrichtung 16 mit kleinen Bau
abmessungen ausbilden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 8 wird eine alternative Ausle
gungsform der Probenbewegungseinrichtung gezeigt. In
Fig. 8 weist die Probenbewegungseinrichtung 80 eine säulen
förmige Führung 82 und eine ringförmige obere Klemmeinrich
tung 84 sowie eine ringförmige untere Klemmeinrichtung 86
auf, die jeweils die Führung 82 umgeben. Zwei erste piezo
elektrische Elemente X21 und X22 stehen von dem inneren Um
fang der oberen Klemmeinrichtung 84 auf einer Linie vor,
die in X-Richtung verläuft. In ähnlicher Weise stehen zwei
zweite piezoelektrische Elemente Y21 und Y22 von dem inneren
Umfang der oberen Klemmeinrichtung 84 auf einer Linie vor,
die in Y-Richtung geht. Diese piezoelektrischen Elemente X21,
X22, Y21 und Y22 sind gleichzeitig in Richtung auf die Füh
rung 82 und von dieser weg verformbar, die sich in der Mitte
befindet. Insbesondere wenn diese sich expandieren, werden
diese an der Führung 82 festgelegt und wenn sie sich zusammen
ziehen, werden sie von der Führung 82 gelöst, so daß sie
frei bewegbar sind. An der unteren Klemmeinrichtung 86 sind
dritte piezoelektrische Elemente X23 und X24 vorgesehen,
die ähnlich wie die piezoelektrischen Elemente X21 und X22
ausgelegt sind und ferner sind vierte piezoelektrische Ele
mente Y23 und Y24 vorgesehen, die ähnlich den piezoelektri
schen Elementen Y21 und Y22 ausgelegt sind. Die oberen und
unteren Klemmeinrichtungen 84 und 86 sind jeweils über eine
Mehrzahl von (bei dieser Ausbildungsform zwei) fünften piezo
elektrischen Elementen Z21 und Z22 verbunden, die in Z-Rich
tung verformbar sind.
Die untere Klemmeinrichtung 86 ist fest mit dem Grund
teil 10 verbunden. Die Führung 82 ist bewegbar und hat
eine obere Fläche, die als Schlitten 26 dient. Der rest
liche Teil der Auslegungsform entspricht im wesentlichen
der Auslegungsform nach den Fig. 1, 6 und 7, abgesehen
davon, daß bei der Auslegung nach Fig. 8 die Sondenbewe
gungseinrichtung 30 von der Basis 10 mittels eines Trägers
gestützt ist, der hängend an der Führung 82 angebracht ist.
Bei der Probenbewegungseinrichtung 80 ziehen sich die
piezoelektrischen Elemente X21, X22, Y21 und Y22 an der
oberen Klemmeinrichtung 84 zusammen, um die Klemmeinrich
tung 84 freizugeben und zugleich expandieren sich die piezo
elektrischen Elemente X23, X24, Y23 und Y24 an der unteren
Klemmeinrichtung 86, um die Klemmeinrichtung 86 an der Füh
rung 82 festzulegen. Dann ziehen sich die piezoelektrischen
Elemente Z21 und Z22 zusammen, so daß die obere Klemmein
richtung 82 abgesenkt wird, wobei die Führung 82 unbeweg
lich bleibt. Im Anschluß daran wird die obere Klemmeinrich
tung 84 an der Führung 82 festgelegt, während zugleich die
untere Klemmeinrichtung 86 von der Führung 82 freikommt.
Im Anschluß daran expandieren sich die piezoelektrischen
Elemente Z21 und Z22, um die obere Klemmeinrichtung 84 und
hierdurch die Führung 82 anzuheben. Der vorstehend beschrie
bene Arbeitsablauf wird wiederholt, um den Tisch 26 um
einen beträchtlichen Betrag zu heben, wie bei den Ausbil
dungsformen nach den Fig. 1 und 6. Die an die piezoelek
trischen Elemente Z21 und Z22 angelegte Spannung ist zur
Feineinstellung der Position des Tisches 26 in Z-Rich
tung steuerbar. Wenn man ferner unterschiedliche Spannungen
an die X-richtungspiezoelektrischen Elemente X21 und X22
und die piezoelektrischen Elemente X22 und X24 und unter
schiedliche Spannungen an die Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y21 und Y23 und die piezoelektrischen Elemente Y22
und Y24 anlegt, so kann man die Position des Tisches 26
in den X- und Y-Richtungen fein einstellen.
Die Probenbewegungseinrichtung 80 der vorstehend be
schriebenen Art macht es überflüssig, die Führung 82
mit einer beträchtlichen Länge an der Basis 10 festzu
legen, so daß man eine Verminderung des Gewichts ober
halb der Grundplatte erhält. Hierdurch läßt sich in effektiver
Weise der begrenzte zur Verfügung stehende Raum in der
Probenkammer eines Rasterelektronenmikroskops ausnutzen.
Da die Klemmeinrichtungen 84 und 86 und die piezoelektri
schen Elemente X21 bis X24, Y21 bis Y24 und Z21 und Z22
von dem Grundteil 10 getragen werden, läßt sich das Verhältnis
der Freiheit hinsichtlich der Auslegung und unter Berück
sichtigung des Gewichts verbessern. Die Führung 82 kann
aus Aluminium oder einer ähnlichen Leichtmetallegierung be
stehen, um eine gleichförmige Bewegung zu erzielen und hier
durch eine Genauigkeit bei der Positionssteuerung zu ermög
lichen.
Bei der Ausbildungsform nach den Fig. 1 und 6,
bei der die Klemmeinrichtungen 74 und 76 in der Führung 18
aufgenommen sind, kann eine solche Auslegung getroffen wer
den, daß die Führung 18 bewegbar ist, die untere Klemmein
richtung 76 an der Grundplatte festgelegt ist und der Tisch 26
auf der Führung 18 vorgesehen ist, wie dies bei der Ausbil
dungsform nach Fig. 8 der Fall ist. Umgekehrt kann bei der
Ausbildungsform nach Fig. 8, bei der die Führung 82 in den
Klemmeinrichtungen 84 und 86 aufgenommen ist, die Führung 82
fest mit der Grundplatte 10 verbunden sein, wobei sich die Klemm
einrichtungen 84 und 86 längs der Führung 82 bewegen, wie dies
bei der Ausbildungsform nach den Fig. 1 und 6 der Fall ist.
Claims (8)
1. Rastertunnelmikroskop, das in ein Rasterelektronen
mikroskop eingebaut ist, mit
- - einem Tisch (26), der in einer Probenkammer des Rasterelektronenmikroskops zur Aufnahme einer Probe (28) aufgenommen ist,
- - einer Sonde (32) in der Nähe einer Oberfläche der auf dem Tisch angeordneten Probe (28) zur Registrierung eines Tunnelstroms, der zwischen der Oberfläche der Probe (28) und der Sonde (32) fließt,
- - einer Sondenbewegungseinrichtung (30) zur Feinbewegung der Sonde (32) in einer X-Y-Ebene, die im wesentlichen parallel zur Oberfläche der Probe (28) ist, sowie in eine Z-Richtung, die senkrecht zur X-Y-Ebene,
- - einem Bildprozessor zur Bildverarbeitung mittels eines Steuersignals für die Sondenbewegungseinrichtung (30), und zur Bilderzeugung mittels eines Signals, das von einem von einer Objektivlinse (34) des Rasterelektro nenmikroskops kommenden Elektronenstrahl (36) erzeugt wird, durch den der der Spitze der Sonde (32) zuge wandte Bereich der Oberfläche der Probe (28) be strahlt wird, und
- - einer Probenbewegungseinrichtung (12; 14, 16) des Rasterelektronenmikroskops zum Bewegen des Tisches (26) in der X-Y-Ebene und der Z-Richtung,
- - bei dem die Sondenbewegungseinrichtung vier unbewegliche Blöcke (44, 46, 48, 50), die jeweils fest mit einer Basis (42) an einer der vier Ecken eines Vierecks verbunden sind, das in X-Richtung und Y-Richtung verlaufende Seiten hat, X- Richtungsbewegungsblöcken (52, 54), die mittels X-richtungspiezoelektrischen Elementen (X₁, X₂; X₃, X₄) bewegbar sind, Y- Richtungsbewegungsblöcke (56, 58), die mittels Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y₁, Y₂, Y₃, Y₄) bewegbar sind, und einen Mittelblock (68) aufweist, der die Sonde (32) trägt,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Sondenbewegungseinrichtung so aufgebaut ist, daß die X-Richtungsbewegungsblöcke (52, 54) jeweils an einer der zugeordneten X-Richtungsseiten zwischen den unbeweglichen Blöcken (44, 46, 48, 50) vorgesehen sind und mittels jeweils zwei in X-Richtung expandier- und zusammenziehbaren X- richtungspiezoelektrischen Element (X₁, X₂, X₃, X₄) mit den unbeweglichen Blöcken verbunden sind,
daß die Y-Richtungsbewegungsblöcke (56, 58) jeweils an einer der zugeordneten Y-Richtungsseiten zwischen den unbeweglichen Blöcken (44, 46, 48, 50) vorgesehen sind und mittels jeweils zwei in Y-Richtung expandier- und zusammenziehbaren Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y₁, Y₂, Y₃, Y₄) mit den unbeweglichen Blöcken verbunden sind,
daß X-Z-Richtungsbewegungsblock (60, 62) vorgesehen sind, die jeweils von dem zugeordneten X- Richtungsbewegungsblöcken (52, 54) mittels ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elementen (Z₁, Z₂) in Z-Richtung bewegbar getragen sind, die in Z- Richtung expandier- und zusammenziehbar sind,
daß wenigstens Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke (64, 66) vorgesehen sind, die jeweils von dem zugeordneten Y- Richtungsbewegungsblöcken (56, 58) mittels zweiter Z-richtungspiezoelektrischen Elementen (Z₃, Z₄) in Z-Richtung bewegbar getragen sind, die unter denselben Bedingungen wie die erste Z- richtungspiezoelektrische Elemente (Z₁, Z₂) in Z- Richtung expandier- und zusammenziehbar sind,
daß der Mittelblock (68) mit den Z-Y- Richtungsbewegungsblöcken (64, 66) durch zweite zweite X-richtungspiezoelektrische Elemente (X₅, X₆) verbunden sind, die in X-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten X- richtungspiezoelektrischen Elemente expandier- und zusammenziehbar sind, und mit den X-Z-Bewegungsblöcken (60, 62) durch zwei zweite Y- richtungspiezoelektrische Elemente (Y₅, Y₆) verbunden sind, die in Y-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten Y-richtungspiezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenziehbar sind.
daß die Sondenbewegungseinrichtung so aufgebaut ist, daß die X-Richtungsbewegungsblöcke (52, 54) jeweils an einer der zugeordneten X-Richtungsseiten zwischen den unbeweglichen Blöcken (44, 46, 48, 50) vorgesehen sind und mittels jeweils zwei in X-Richtung expandier- und zusammenziehbaren X- richtungspiezoelektrischen Element (X₁, X₂, X₃, X₄) mit den unbeweglichen Blöcken verbunden sind,
daß die Y-Richtungsbewegungsblöcke (56, 58) jeweils an einer der zugeordneten Y-Richtungsseiten zwischen den unbeweglichen Blöcken (44, 46, 48, 50) vorgesehen sind und mittels jeweils zwei in Y-Richtung expandier- und zusammenziehbaren Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y₁, Y₂, Y₃, Y₄) mit den unbeweglichen Blöcken verbunden sind,
daß X-Z-Richtungsbewegungsblock (60, 62) vorgesehen sind, die jeweils von dem zugeordneten X- Richtungsbewegungsblöcken (52, 54) mittels ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elementen (Z₁, Z₂) in Z-Richtung bewegbar getragen sind, die in Z- Richtung expandier- und zusammenziehbar sind,
daß wenigstens Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke (64, 66) vorgesehen sind, die jeweils von dem zugeordneten Y- Richtungsbewegungsblöcken (56, 58) mittels zweiter Z-richtungspiezoelektrischen Elementen (Z₃, Z₄) in Z-Richtung bewegbar getragen sind, die unter denselben Bedingungen wie die erste Z- richtungspiezoelektrische Elemente (Z₁, Z₂) in Z- Richtung expandier- und zusammenziehbar sind,
daß der Mittelblock (68) mit den Z-Y- Richtungsbewegungsblöcken (64, 66) durch zweite zweite X-richtungspiezoelektrische Elemente (X₅, X₆) verbunden sind, die in X-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten X- richtungspiezoelektrischen Elemente expandier- und zusammenziehbar sind, und mit den X-Z-Bewegungsblöcken (60, 62) durch zwei zweite Y- richtungspiezoelektrische Elemente (Y₅, Y₆) verbunden sind, die in Y-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten Y-richtungspiezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenziehbar sind.
2. Rastertunnelmikroskop nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Sonde (32) an dem
Mittelblock (68) mittels eines steuerbaren
piezoelektrischen Elements (Z₀) angebracht ist, das
in Z-Richtung expandier- und zusammenziehbar ist,
und daß mittels der an den steuerbaren
Z-richtungspiezoelektrischen Elementen anliegenden
Steuerspannung (ΔVz) der Abstand zwischen der
Sonde (32) und der Oberfläche der Probe (28)
einstellbar ist.
3. Verfahren zum Betrieb einer
Sondenbewegungseinrichtung eines
Rastertunnelmikroskops nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß von den X-
richtungs- und Y-richtungspiezoelektrischen
Elementen (X₁, X₂, X₃, X₄, X₅, X₆; Y₁, Y₂, Y₃, Y₄,
Y₅, Y₆) jeweils die auf einer Seite des
Mittelblocks (68) angeordneten piezoelektrischen
Elemente sich zusammenziehen, während die auf der
anderen Seite des Mittelblocks (68) angeordneten
piezoelektrischen Elemente um dieselbe Größe
expandieren.
4. Rastertunnelmikroskop, das in ein Rasterelektronen
mikroskop eingebaut ist, mit
- - einem Tisch (26), der in einer Probenkammer des Rasterelektronenmikroskops zur Aufnahme einer Probe (28) aufgenommen ist,
- - einer Sonde (32) in der Nähe einer Oberfläche der auf dem Tisch (26) angeordneten Probe (28) zur Registrierung eines Tunnelstroms, der zwischen der Oberfläche der Probe (28) und der Sonde (32) fließt,
- - einer Sondenbewegungseinrichtung (30) zur Feinbewegung der Sonde (32) in einer X-Y-Ebene, die im wesentlichen parallel zur Oberfläche der Probe (28) ist, sowie in eine Z-Richtung senkrecht zur X-Y-Ebene,
- - einem Bildprozessor zur Bilderzeugung mittels eines Steuersignals für die Sondenbewegungseinrichtung (30) und zur Bilderzeugung mittels eines Signals, das von einem von einer Objektivlinse (34) des Rasterelektro nenmikroskops kommenden Elektronenstrahl (36) erzeugt wird, durch den der der Spitze der Sonde (32) zuge wandte Bereich der Oberfläche der Probe (28) be strahlt wird, und
- - einer Probenbewegungseinrichtung (12, 14, 16, 80) des
Rasterelektronenmikroskops zum Bewegen des Tisches
(26) in der X-Y-Ebene und der Z-Richtung,
bei dem die Sondenbewegungseinrichtung vier unbewegliche Blöcke (44, 46, 48, 50), die jeweils fest mit einer Basis (42) an einer der vier Ecken eines Vierecks verbunden sind, das in X-Richtung und Y-Richtung verlaufende Seiten hat, X-Richtungsbewegungsblöcke (52, 54), die mittels X-richtungspiezoelektrischen Elementen (X₁, X₂; X₃, X₄) bewegbar sind, Y-Richtungsbewegungsblöcke (56, 58), die mittels Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y₁, Y₂; Y₃, Y₄) bewegbar sind, und einen Mittelblöck (68) aufweist, der die Sonde (32) trägt,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Probenbewegungseinrichtung (16, 80) aufweist:
- - eine der Probe (28) zugewandte obere Klemmeinrichtung (74, 84), die mit einem Paar von ersten piezoelektri schen Elementen (X₁₁, X₁₂; X₂₁, X₂₂) versehen ist, die in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie in X-Richtung expandierbar und zusammenziehbar sind, und die mit einem Paar von zweiten piezoelektrischen Elemen ten (Y₁₁, Y₁₂; Y₂₁, Y₂₂) versehen ist, die in Gegen richtung zueinander auf einer Linie in Y-Richtung senkrecht zur X-Richtung expandierbar und zusammen ziehbar sind,
- - eine von der Probe (28) abgewandte untere Klemmein richtung (76, 86), die mit dritten piezoelektrischen Elementen (X₁₃, X₁₄; X₂₃, X₂₄) ähnlich den ersten piezoelektrischen Elementen und mit vierten piezoelek trischen Elementen (Y₁₃, Y₁₄; Y₂₃, Y₂₄) ähnlich den zweiten piezoelektrischen Elementen versehen ist, wobei die untere Klemmeinrichtung (76, 86) mit der oberen Klemmeinrichtung (74, 84) durch mindestens ein fünftes piezoelektrisches Element (Z₁₁; Z₂₁, Z₂₂) verbunden ist, das in Z-Richtung expandierbar und zusammenziehbar ist,
- - eine Führung (18, 82) zum selektiven Fixieren der oberen und unteren Klemmeinrichtungen (74, 76; 84, 86) mit Hilfe der ersten und zweiten piezoelektrischen Elemente und der dritten und vierten piezoelektrischen Elemente, und
- - eine Steuereinrichtung zum Steuern der an den ersten bis fünften piezoelektrischen Elementen anliegenden Spannung.
5. Rastertunnelmikroskop nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Führung (18) fest mit einer
Grundplatte (10) verbunden ist, und daß die obere Klemmein
richtung (74) mit dem Tisch (26) zur Aufnahme der
Probe (28) versehen ist (Fig. 6).
6. Rastertunnelmikroskop nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die untere Klemmeinrichtung (86)
an einer Grundplatte (10) festgelegt ist, und daß die Führung
(82) bewegbar und mit dem Tisch (26) zur Aufnahme der
Probe (28) versehen ist (Fig. 8).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22628686A JPS6381745A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 走査型トンネル顕微鏡の探針走査機構 |
JP61226285A JPS6382389A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 試料微動機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3732426A1 DE3732426A1 (de) | 1988-04-07 |
DE3732426C2 true DE3732426C2 (de) | 1992-01-02 |
Family
ID=26527099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873732426 Granted DE3732426A1 (de) | 1986-09-26 | 1987-09-25 | In ein elektronenmikroskop eingebautes rastertunnelmikroskop |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4798989A (de) |
DE (1) | DE3732426A1 (de) |
GB (2) | GB2197752B (de) |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63304103A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Hitachi Ltd | 走査表面顕微鏡 |
JPH01110204A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡用走査トンネル顕微鏡 |
DE3812684A1 (de) * | 1988-04-16 | 1989-11-02 | Klaus Prof Dr Dransfeld | Verfahren zum schnellen abrastern von unebenen oberflaechen mit dem raster-tunnelmikroskop |
US5043621A (en) * | 1988-09-30 | 1991-08-27 | Rockwell International Corporation | Piezoelectric actuator |
US4928030A (en) * | 1988-09-30 | 1990-05-22 | Rockwell International Corporation | Piezoelectric actuator |
JPH02134503A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 走査型トンネル顕微鏡 |
US5260622A (en) * | 1989-03-24 | 1993-11-09 | Topometrix Corporation | High resolution electromechanical translation device |
US4987303A (en) * | 1989-04-07 | 1991-01-22 | Olympus Optical Co., Inc. | Micro-displacement detector device, piezo-actuator provided with the micro-displacement detector device and scanning probe microscope provided with the piezo-actuator |
JP2839543B2 (ja) * | 1989-04-12 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 変位発生装置 |
US5075548A (en) * | 1989-07-17 | 1991-12-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Tunnel current probe moving mechanism having parallel cantilevers |
US4999494A (en) * | 1989-09-11 | 1991-03-12 | Digital Instruments, Inc. | System for scanning large sample areas with a scanning probe microscope |
JP3133307B2 (ja) * | 1989-10-13 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
US5144128A (en) * | 1990-02-05 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Surface microscope and surface microscopy |
JPH0687003B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡 |
US5055680A (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-08 | Lk Technologies, Inc. | Scanning tunneling microscope |
US5229607A (en) * | 1990-04-19 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Combination apparatus having a scanning electron microscope therein |
JP2549746B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1996-10-30 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡 |
US5060248A (en) * | 1990-06-29 | 1991-10-22 | General Electric Company | Scanning analysis and imaging system with modulated electro-magnetic energy source |
JPH04235302A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-24 | Jeol Ltd | トンネル顕微鏡の探針微動機構 |
CA2060674C (en) * | 1991-02-08 | 1996-10-01 | Masahiro Tagawa | Driving apparatus and a recording and/or reproducing apparatus using the same |
US5103094A (en) * | 1991-05-02 | 1992-04-07 | Wyko Corporation | Compact temperature-compensated tube-type scanning probe with large scan range |
US5173605A (en) * | 1991-05-02 | 1992-12-22 | Wyko Corporation | Compact temperature-compensated tube-type scanning probe with large scan range and independent x, y, and z control |
US5214342A (en) * | 1991-10-21 | 1993-05-25 | Yang Kei Wean C | Two-dimensional walker assembly for a scanning tunneling microscope |
US5332942A (en) * | 1993-06-07 | 1994-07-26 | Rennex Brian G | Inchworm actuator |
US5412211A (en) * | 1993-07-30 | 1995-05-02 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
US5362964A (en) * | 1993-07-30 | 1994-11-08 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
US5631824A (en) * | 1994-05-26 | 1997-05-20 | Polytechnic University | Feedback control apparatus and method thereof for compensating for changes in structural frequencies |
US5455420A (en) * | 1994-07-12 | 1995-10-03 | Topometrix | Scanning probe microscope apparatus for use in a scanning electron |
US5656769A (en) * | 1994-08-11 | 1997-08-12 | Nikon Corporation | Scanning probe microscope |
US5604413A (en) * | 1994-09-07 | 1997-02-18 | Polytechnic University | Apparatus for improving operational performance of a machine or device |
US6154000A (en) * | 1994-09-07 | 2000-11-28 | Omnitek Research & Development, Inc. | Apparatus for providing a controlled deflection and/or actuator apparatus |
US6359370B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-03-19 | New Jersey Institute Of Technology | Piezoelectric multiple degree of freedom actuator |
IL113291A0 (en) * | 1995-04-06 | 1995-07-31 | Nanomotion Ltd | A multi-axis rotation device |
ES2125789B1 (es) * | 1995-12-15 | 1999-11-16 | Univ Madrid Autonoma | Elemento piezoelectrico que permite el movimiento tridimensional y ortogonal. |
US5734164A (en) * | 1996-11-26 | 1998-03-31 | Amray, Inc. | Charged particle apparatus having a canted column |
US6362542B1 (en) * | 1997-08-15 | 2002-03-26 | Seagate Technology Llc | Piezoelectric microactuator for precise head positioning |
US6293680B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-25 | Thermotrex Corporation | Electromagnetically controlled deformable mirror |
US6040643A (en) * | 1997-11-20 | 2000-03-21 | Thermotrex Corporation | Linear actuator |
US6098485A (en) * | 1998-08-27 | 2000-08-08 | Thermotrex Corporation | Lead screw actuator |
JP4797150B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2011-10-19 | オリンパス株式会社 | 走査機構およびこれを用いた機械走査型顕微鏡 |
US6891170B1 (en) * | 2002-06-17 | 2005-05-10 | Zyvex Corporation | Modular manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope |
US6967335B1 (en) | 2002-06-17 | 2005-11-22 | Zyvex Corporation | Manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope |
JP3792675B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2006-07-05 | ファナック株式会社 | 微細位置決め装置及び工具補正方法 |
CN1871684B (zh) * | 2003-09-23 | 2011-08-24 | 塞威仪器公司 | 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备 |
TW200531420A (en) | 2004-02-20 | 2005-09-16 | Zyvex Corp | Positioning device for microscopic motion |
US7285778B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-10-23 | Zyvex Corporation | Probe current imaging |
WO2005089201A2 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-29 | General Motors Corporation | Programmable shims for manufacturing and assembly lines |
US7326293B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-02-05 | Zyvex Labs, Llc | Patterned atomic layer epitaxy |
JP2008511958A (ja) * | 2004-09-01 | 2008-04-17 | シーイービーティー・カンパニー・リミティッド | 電子カラム用モーショニング装置 |
US7278298B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-10-09 | The Regents Of The University Of California | Scanner for probe microscopy |
US7586236B2 (en) * | 2005-10-07 | 2009-09-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tri-axial hybrid vibration isolator |
JP4871027B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料載置用のステージ、xyステージおよび荷電粒子線装置 |
JP4542613B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
WO2008126247A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 駆動装置 |
US7808152B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-10-05 | Pioneer Corporation | Drive device |
US7586239B1 (en) * | 2007-06-06 | 2009-09-08 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using a single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9385685B2 (en) | 2007-08-31 | 2016-07-05 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using an orientation dependent single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9391588B2 (en) | 2007-08-31 | 2016-07-12 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using an orientation dependent single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9369105B1 (en) | 2007-08-31 | 2016-06-14 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for manufacturing a vibrating MEMS circuit |
RU2457608C1 (ru) * | 2011-01-12 | 2012-07-27 | Владимир Михайлович Нелюбов | Способ реализации пошагового перемещения и устройство для его реализации (варианты) |
CN102565458A (zh) * | 2012-02-15 | 2012-07-11 | 北京航空航天大学 | 一种推挽式二维微移动/定位装置 |
RU2516258C1 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-05-20 | Владимир Михайлович Нелюбов | Пьезоустройство пошагового перемещения |
US9466430B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-10-11 | Qorvo Us, Inc. | Variable capacitor and switch structures in single crystal piezoelectric MEMS devices using bimorphs |
JP6366704B2 (ja) | 2013-06-24 | 2018-08-01 | ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドDcg Systems Inc. | 局所的な試料の特性によって制御されるプロービングの適応モードを備えたプロービングを利用したデータ収集システム |
US9991872B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-06-05 | Qorvo Us, Inc. | MEMS resonator with functional layers |
US9998088B2 (en) | 2014-05-02 | 2018-06-12 | Qorvo Us, Inc. | Enhanced MEMS vibrating device |
US10539589B2 (en) | 2014-06-25 | 2020-01-21 | Fei Efa, Inc. | Through process flow intra-chip and inter-chip electrical analysis and process control using in-line nanoprobing |
US20160032281A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Fei Company | Functionalized grids for locating and imaging biological specimens and methods of using the same |
CN113655195B (zh) * | 2021-01-12 | 2022-06-14 | 杭州瑞声检测科技有限公司 | 一种探头架检测台 |
CN114512579B (zh) * | 2022-02-18 | 2022-10-11 | 广东工业大学 | 一种Mini/micro芯片柔性飞行刺晶装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3217218A (en) * | 1962-07-23 | 1965-11-09 | Floyd G Steele | Alternating energy control system |
GB1071648A (en) * | 1964-11-06 | 1967-06-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Position control device |
US3551764A (en) * | 1969-02-28 | 1970-12-29 | Lockheed Aircraft Corp | Piezoelectric linear actuator |
US3684904A (en) * | 1969-04-24 | 1972-08-15 | Gennady Vasilievich Galutva | Device for precision displacement of a solid body |
JPS5112497B1 (de) * | 1971-04-21 | 1976-04-20 | ||
JPS5315060A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-10 | Hitachi Ltd | Inching device |
CH643397A5 (de) * | 1979-09-20 | 1984-05-30 | Ibm | Raster-tunnelmikroskop. |
US4455501A (en) * | 1982-02-09 | 1984-06-19 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Precision rotation mechanism |
JPS5917876A (ja) * | 1982-02-12 | 1984-01-30 | West Electric Co Ltd | 圧電駆動装置 |
US4622483A (en) * | 1983-03-24 | 1986-11-11 | Staufenberg Jr Charles W | Piezoelectric electromechanical translation apparatus and method |
US4523120A (en) * | 1984-06-04 | 1985-06-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Precise bearing support ditherer with piezoelectric drive means |
JPS6170954U (de) * | 1984-10-15 | 1986-05-15 | ||
US4686440A (en) * | 1985-03-11 | 1987-08-11 | Yotaro Hatamura | Fine positioning device |
US4618767A (en) * | 1985-03-22 | 1986-10-21 | International Business Machines Corporation | Low-energy scanning transmission electron microscope |
DE3516324A1 (de) * | 1985-05-07 | 1986-11-13 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Linearmotor |
US4678955A (en) * | 1986-04-18 | 1987-07-07 | Rca Corporation | Piezoelectric positioning device |
-
1987
- 1987-09-24 US US07/101,233 patent/US4798989A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-25 DE DE19873732426 patent/DE3732426A1/de active Granted
- 1987-09-25 GB GB8722573A patent/GB2197752B/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-25 GB GB9014054A patent/GB2232294B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2197752A (en) | 1988-05-25 |
US4798989A (en) | 1989-01-17 |
DE3732426A1 (de) | 1988-04-07 |
GB2232294A (en) | 1990-12-05 |
GB9014054D0 (en) | 1990-08-15 |
GB2197752B (en) | 1991-05-29 |
GB2232294B (en) | 1991-07-10 |
GB8722573D0 (en) | 1987-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3732426C2 (de) | ||
DE69017817T2 (de) | Raster-Tunnel-Mikroskop. | |
DE69826406T2 (de) | Rastersondenmikroskop mit Feinstellungsvorrichtung | |
DE69226554T2 (de) | Mikroskop bestehend aus Rastertunnelmikroskop kombiniert mit optischem Mikroskop | |
DE69215030T2 (de) | Tunnel/Atomkraft-Rastermikroskop kombiniert mit optischem Mikroskop | |
DE69115724T2 (de) | Oberflächenmikroskop | |
EP0191440B1 (de) | Lithografiegerät zur Erzeugung von Mikrostrukturen | |
AT405775B (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten | |
DE68916667T2 (de) | Mikroskop. | |
EP0253349B1 (de) | Anordnung zur genauen gegenseitigen Ausrichtung einer Maske und einer Halbleiterscheibe in einem Lithographiegerät und Verfahren zu ihrem Betrieb | |
DE10025589A1 (de) | Bühne für Ladungsteilchen-Mikroskopiesystem | |
DE69406739T2 (de) | Elektronenstrahlgerät | |
DE69128104T2 (de) | Elektronenmikroskop, Probenstellglied für ein Elektronenmikroskop und Verfahren zum Beobachten von mikroskopischen Bildern | |
EP1436658B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur optischen untersuchung eines objektes | |
DE3926949C2 (de) | Bühnenmechanismus für ein Wafer-Belichtungsgerät | |
DE69315758T2 (de) | Implantationsgerät mittels fokusierten Ionenstrahls | |
DE69931778T2 (de) | Mehrpunktesonde | |
DE69033157T2 (de) | Vorrichtung für geladene Teilchenstrahlen | |
DE3410885A1 (de) | Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie | |
DE3924006A1 (de) | Ultraschall-mikroskop | |
EP1797568B1 (de) | Nanomanipulator zum analysieren oder bearbeiten von objekten | |
DE2320888C3 (de) | Verfahren zum Einstellen des Auftreffpunktes eines Elektronenstrahls auf einer Zielfläche und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE69005689T2 (de) | Mechanische Objektplatte, insbesondere für ein Tunneleffektmikroskop. | |
DE4041297A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum waehlen der aufloesung eines ladungsteilchenstrahl-analysators | |
EP1216483B1 (de) | Elektronenoptische linsenanordnung mit verschiebbarer achse |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN MITUTOYO CORP. |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |