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DE3514430A1 - Verfahren zum abspeichern von daten in einem elektrisch loeschbaren speicher und elektrisch loeschbarer speicher zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zum abspeichern von daten in einem elektrisch loeschbaren speicher und elektrisch loeschbarer speicher zur durchfuehrung des verfahrens

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DE3514430A1
DE3514430A1 DE19853514430 DE3514430A DE3514430A1 DE 3514430 A1 DE3514430 A1 DE 3514430A1 DE 19853514430 DE19853514430 DE 19853514430 DE 3514430 A DE3514430 A DE 3514430A DE 3514430 A1 DE3514430 A1 DE 3514430A1
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DE
Germany
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write protection
flip
flop
write
microprocessor
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DE19853514430
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English (en)
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DE3514430C2 (de
Inventor
Erich Dipl.-Ing. 3406 Eddigehausen Knothe
Franz-Josef Dipl.-Ing. 3414 Hardegsen Melcher
Christian Dipl.-Ing. 3400 Göttingen Oldendorf
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Sartorius AG
Original Assignee
Sartorius AG
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Publication date
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Priority to GB08609141A priority patent/GB2174828B/en
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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C7/24Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells

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  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Storage Device Security (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

Beschreibung »
Sie Erfindung bezieht sich einmal auf ein Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem elektrisch löschbaren Speicher, der mit einem Mikroprozessor verbunden ist. Weiter bezieht sich die Erfindung auf einen elektrisch löschbaren Speicher zur Durchführung dieses Verfahrens. Elektrisch lösehbare Speicher dieser Art sind allgemein bekannt; übliche Kurzbezeichnungen sind:
EEPRCM = electrical erasible programmable read only memory, EAROM = electrical alterrible read only memory oder NVRAM = non volatible random access memory. Im folgenden Text wird für diesen elektrisch löschbaren
Speicher immer die Abkürzung EEPROVI benutzt.
In Speichern dieser Art besteht die Gefahr, daß der Mikroprozessor durch ungewolltes überschreiben wichtige abgespeicherte Daten vernichtet. Zum Schutz davor sind verschiedene Schaltungen bekannt, die jedoch alle das einwandfreie Funktionieren des Mikroprozessors zur Voraussetzung haben. Wird dagegen der Mikroprozessor beispielsweise durch äußere elektrische Störungen vollkoninen außer Tritt gebracht, so bieten diese Schaltungen keinen absoluten Schutz vor Datenverlusten.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Schaltung anzugeben, die zwar das Einschreiben von Daten durch den Mikroprozessor während einer Initialisierungsphase erlauben, das spätere Lösehen von abgespeicherten Daten jedoch zuverlässig und unter allen !Anständen verhindern.
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Dies wird bei dem Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem elektrisch löschbaren Speicher» der mit einem Mikroprozessor verbunden ist, erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß während einer Initialisierungsphase beliebige Daten vom Mikroprozessor in den elektrisch löschbaren Speicher eingeschrieben werden können, daß der Mikroprozessor am Ende der Initialisierungsphase zumindest einen Teibereich des elektrisch löschbaren Speichers durch Setzen mindestens eines Schreibschutz-Flip-Flops als schreibgeschützt definiert, daß das Schreibschutz-Flip-Flop in seinem logischen Zustand "mit Schreibschutz" die Schreibleitung zum zugehörigen Teilbereich des elektrisch löschbaren Speichers sperrt und daß das Schreibschutz-Flip-Flop vom Mikroprozessor nur in den logischen Zustand "mit
Schreibschutz" gebracht werden kann, während es in den
anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur durch das Betätigen eines mechanischen Schaltelementes gebracht werden kann . .
Der elektrisch löschbare Speicher zur Durchführung dieses Verfahrens ist dann dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Schreibschutz-Flip-Flop vorhanden ist, dessen beiden logischen Zustände "mit Schreibschutz" bzw. "ohne Schreibschutz" bedeuten, daß mindestens ein Gate in der Schreibleitung des EEPKOM-Speiehers vorhanden ist, das vom Schreibschutz-Flip-Flop angesteuert wird und bei dessen logischen Zustand "mit Schreibschutz" die Weiterleitung von Schreibfehlern zu den einzelnen Speicherzellen verhindert, daß ein mechanisches Schaltelement vorhanden ist und daß das Schreibschutz-Flip-Flop durch den Mikroprozessor nur
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in den einen logischen Zustand "mit Schreibschutz" gebracht werden kann während es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur gebracht werden kann, wenn das mechanische Schaltelement betätigt ist. 5
Bei diesem Verfahren und bei der zugehörigen Schaltung wird der Mikroprozessor also nach Abschluß der Initialisierung und dem damit verbundenen Einschreiben von Daten in den EEPBOM-Speicher das zusätzliche Speicherelement in den logischen Zustand "mit Schreibsehutz" bringen und damit die weitere Abspeicherung von Daten - und das damit verbundene Löschen der alten Daten - verhindern. Eine Aufhebung dieses Schreibschutzes ist nur durch das manuelle Betätigen des Schaltelementes möglich» beispielsweise im Rahmen einer Revision oder Reparatur des Gerätes.
Um auch in diesem Falle ein unbeabsichtigtes überschreiben von Daten, beispielsweise durch einen defekten Mikroprozessor, möglichst zu verhindern, ist es vorteilhaft, daß das Sehreibschutz-Flip-Flop nur durch das Betätigen des mechanischen Schaltelementes und zusätzlich durch den entsprechenden Mikroprozessor-Befehl in den logischen Zustand "ohne Schreibschutz" gebracht werden kann. Dies setzt also zur Aufhebung des Schreibschutzes im allgemeinen die einwandfreie Funktion des Mikroprozessors voraus.
Der Sehreibsehutz kann sich auf den ganzen EEPRGM-Speicher beziehen, der damit praktisch zu einem RCM-Speicher wird, er kann sich aber auch auf einen oder mehrere Teilbereiche beschränken, während die anderen Teilbereiche dem Mikroprozessor als normale EEPROM-Speicher bleiben. Dabei kann entweder jedem zu schützenden Teilbereich ein gesondertes
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Schreibschutz-Flip-Flop zugeordnet sein, oder es wird ein Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop benutzt, das nachgeordnete Teilbereieh-Schreibschutz-Flip-Flops ansteuert, die dann die einzelnen Teilbereiche vor dem überschreiben schützen. 5
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Schaltschemata erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 ein Blocksehaltbild eines ganz geschützten EEPROM-Speichers,
Fig. 2 ein Blocksehaltbild eines ganz geschützten EEPROM-Speichers in einer anderen Ausgestaltung,
Fig. 3 ein Blockschaltbild eines teilweise geschützten EEPROM-Speichers in einer ersten Ausgestaltung und
Fig. 4 ein Blockschaltbild eines teilweise geschützten EEPROM-Speichers in einer zweiten Ausgestaltung.
Das Blockschaltbild in Fig. 1 zeigt einen EEPRCM-Speieher mit seinen üblichen Ansteuerelementen 10 für die Auswahl der Zeile und 11 für die Auswahl der Spalte, seinen Datenein- und Ausgängen 12 und dem Schreibeingang 14. Solche EEPROM-Speicher sind allgemein bekannt, weshalb auf eine nähere Erläuterung ihres inneren Aufbaues hier verzichtet werden kann.
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In der Schreibleitung ist nun zwischen der Zuleitung 6 vom Mikroprozessor und dem Eingang 14 in den Speicher 4 ein Gate 3 eingebaut. Der zweite Eingang des Gates 3 liegt am Ausgang 8 eines Schreibschutz-Flip-Flops 1. Damit bestimmt das Schreibsehutz-Flip-Flop 1, ob Schreibbefehle zum Speicher 4 durchgelassen werden oder nicht. Liegt am Ausgang 8 des Schreibschutz-Flip-Flops 1 eine logische "1", so werden Schreibbefehle durchgelassen, dies ist der logische Zustand "ohne Schreibschutz". In diesem Zustand befindet sich das Schreibsehutz-Flip-Flop 1 bei der ersten Initialisierung. Am Dateneingang 9 des Sehreibschutz-Flip-Flops 1 ist jedoch bereits die logische 11O" fest verdrahtet und kann vom Mikroprozessor durch ein Signal auf der Schreibleitung 6 und der Schreibschutzaktivierungsleitung 7 in das Schreibschutz-Flip-Flop 1 übernommen werden. Damit wird das Gate 3 gesperrt und es sind keine Sehreiboperationen mehr im Speieher 4 möglieh; dies ist also der logische Zustand ".mit Schreibsehutz". Aus diesem Zustand kann das Schreibsehutz-Flip-Flop 1 - das als nichtflüchtiges Speicherelement vorausgesetzt wird - vom Mikroprozessor nicht herausgebracht werden, da der Mikroprozessor auf den Dateneingang 9 keinen Zugriff hat. Nur nach Schließen des mechanischen Schaltelementes 5, beispielsweise durch einen Service-Techniker, kann der Mikroprozessor durch Signale auf den beiden Leitungen 6 und 7 den Urzustand "ohne Sehreibschutz" wieder herstellen. Das mechanische Schaltelement 5 kann dabei je nach Erfordernis des speziellen Anwendungsfalles z.B. als mechanischer Taster ausgeführt sein oder als 2polige Buchse, die durch einen Kurzschlußstecker überbrückt werden kann, oder als Lötaugen oder Lötstifte, die durch ein metallisches Werkzeug elektrisch verbunden werden können.
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Die in Fig. 1 dargestellte,Schaltung erlaubt es also dem Mikroprozessor in einer Initialisierungsphase den Speicher 4 mit Daten zu beschreiben und nach Abschluß der Initialisierungsphase diese Daten vor versehentlicher späterer Änderung zu schützen. Dieser Schutz ist für den Mikroprozessor irreversibel und kann nur durch mechanische Eingriffe von außen bei Bedarf aufgehoben werden.
Die in Fig. 2 gezeigte Ausgestaltung unterscheidet sieh von der in Fig. 1 gezeigten nur durch die Beschallung der Eingänge des Schreibschutz-Flip-Flops 1. Beim Betätigen des mechanischen Sehaltelementes 5 wird nieht nur die logische "1" auf den Dateneingang 9 gegeben, sondern gleichzeitig über zwei Oder-Gates 20 und 21 der Schreibbefehl (WB) und der Freigabebefehl (ENA) an das Schreibsehutz-Flip-Flop 1 gegeben, so daß das Schreibschutz-Flip-Flop 1 ohne Mitwirkung des Mikroprozessors nur durch das Betätigen des mechanischen Schaltelementes 5 in den logischen Zustand "ohne Sehreibschutz" gebracht wird.
In Fig. 1 und 2 wurde jeweils der gesamte Speieher 4 mit oder ohne Sehreibschutz benutzt. In Fig. 3 ist gezeigt, wie Teilbereiche mit einem Schreibschutz versehen werden können. Der Teilbereich 41·' des Speichers ist von vornherein als normaler, ungeschützter EEPBOM-Speicher vorgesehen. Der Bereieh 4' ist durch ein Sehreibsehutz-Flip-Flop I1 in Verbindung mit dem Gate 3' sehützbar, der Bereich 4tf ist durch ein zweites Sehreibschutz-Flip-Flop l'1 in Verbindung mit dem Gate 3'' sehützbar. Beide Schreibsehutz-Flip-Flops I1 und I11 sind wie das Schreibschutz-Flip-Flop 1 in Fig. 1 aufgebaut und daher
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hier nur schematisch wiedergegeben. Die beiden Schreibschutzaktivierungsleitungen 71 und 7lf sind getrennt zum Mikroprozessor herausgeführt, um eine getrennte, vom Programm des Mikroprozessors gesteuerte Auslösung des Schreibschutzes zu ermöglichen. Dadurch können beispielsweise Gerätevarianten, die verschieden viele zu schützende Grunddaten und allgemeine, nicht zu schützende EEPROM-Daten benötigen, mit der gleichen Hardware realisiert werden; in der einen Gerätevariante wird dann am Ende der Initialisierung für beide Schreibschutz-Flip-Flops I1 und I11 der Befehl für den Schreibschutz softwaremäßig vorgesehen, während in der anderen Gerätevariante nur für das eine Schreibschutz-Flip-Flop I1 der Befehl für den Schreibschutz softwaremäßig gegeben wird, so daß der Speicherbereich 4fI als normaler, überschreibbarer EEPROM-Speicher bleibt. Die Entriegelung des Schreibschutzes mittels des mechanischen Schaltelementes 5 erfolgt in Fig. 3 für beide Sehreibschutz-Flip-Flops lf und l'1 zusammen. Selbstverständlich ist bei Bedarf auch eine getrennte Entriegelung durch zwei mechanische Sehaltelemente 5 möglich.
Eine andere Ausgestaltung des Schreibsehutzes für Speicher-Teilbereiche ist in Fig. 4 gezeigt. Hier ist für alle SpeicherteiIbereiehe 4',4ll,4.r'1 ein gemeinsames Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop 1 vorhanden, die Ansteuerung der Gates 23',2S'', 23''' zum Sperren der Schreibimpulse erfolgt jedoch unter Zwischenschaltung von Teilbereieh-Schreibschutz-Flip-Flops 2»,2'·,2'·'. Bei der ersten Initialisierung befinden sich das Haupt-Schreibschutz-
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Flip-Flop 1 und die Teilbereich-Sehreibsehutz-Flip-Flops 2',2'»,2'·' im logischen Zustand "ln, so daß die Gates 23',23'',23··' Schreibimpulse durchlassen. Nach Abschluß der Initialisierung kann dann der Mikroprozessor beim Aktivieren des Schreibschutzes gleichzeitig festlegen, welche Teilbereiche schreibgeschützt werden sollen. Soll z.B. nur der zweite Teilbereich 411 schreibgeschützt werden, so gibt der Mikroprozessor auf dessen Dateneingang 15·' eine logische "0" und auf die Dateneingänge 15', 15' " der anderen Teilbereiche 4',4'|! eine logische nlw. Dadurch wird beim Eintreffen des Schreibsignals auf dem Anschluß 6 und des Schreibschutzaktivierungssignals auf dem Anschluß 7 von den Teilbereieh-Sehreibsehutz-Flip-Flops 2', 2«',2'·' nur das eine Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip- Flop 21' in den logischen Zustand "0" gebracht, während die anderen Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip-Flops 2',2··1 im logischen Zustand "1" bleiben; gleichzeitig übernimmt natürlich das Haupt-Scbreibschutz-Flip-Flop 1 die an seinem Eingang fest verdrahtete logische "0" und sperrt damit das Gate 13, so daß an dessen Ausgang 16 keine Freigabesignale für die Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip-Flops 2', 2'',2''' mehr erscheinen können. Dadurch ist der Mikroprozessor nicht mehr in der Lage, die am Ende der Initialisierungsphase festgelegte Unterteilung in sehreib geschützte und nichtschreibgeschützte Bereiche zu ändern. Auch die generelle Aufhebung des Schreibschutzes (durch Einspeichern der logischen rtln in das Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop 1) ist, wie in den anderen Ausgestaltungen, nur nach Betätigen des mechanischen Schaltelementes 5 möglich.
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Claims (7)

  1. Ansprüche:
    Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem elektrisch lösehbaren Speieher, der mit einem Mikroprozessor verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
    - daß während einer Initialisierungsphase beliebige Daten vom Mikroprozessor in den elektrisch lösehbaren Speicher eingeschrieben werden können,
    - daß der Mikroprozessor am Ende der Initialisierungsphase zumindest einen Teilbereich des elektrisch lösehbaren Speiehers durch Setzen mindestens eines Sehreibschutz-Flip-Flops als geschützt definiert,
    - daß das Schreibschutz-Flip-Flop in seinem logischen Zustand "mit Sehreibschutz" die Schreibleiturtg zum zugehörigen Teilbereich des elektrisch lösehbaren Speichers sperrt
    - und daö das Schreibsehutz-Flip-Flop vom Mikroprozessor nur in den logischen Zustand "mit Sehreibschutz11 gebracht werden kann, währen-d es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur durch das Betätigen eines mechanischen Sehaltelementes gebracht werden kann.
    ORIGINAL INSPECTED
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    - daß das Schreibsehutz-Flip-Flop nur durch das Betätigen des mechanischen Schaltelementes und zusätzlich durch einen entsprechenden Mikroprozessor-Befehl in den logischen Zustand "ohne ,Sehreibschutz11 gebracht werden kann.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn-ζ e X chnejt,
    - daß der elektrisch löschbare Speicher in mehrere Teilbereiche unterteilt ist und daß jedem Teilbereich ein TeiIbereich-Sehreibschutz-Flip-Flop zugeordnet ist.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
    - daß den Teilbereich-Sehreibsehutz-Flip-Flops ein Haupt-Schreibsehutz-Flip-Flop übergeordnet ist, das die einzelnen Teilbereich-Schreibsehutz-Flip-Flops aktiviert.
  5. 5. Elektrisch lösehbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet ,
    - daß mindestens ein Schreibsehutz-Flip-Flop (1,1',I1') vorhanden ist, dessen beiden logischen Zustände "mit Sehreibschutz11 .bzw. "ohne Sehreibschutz11 bedeuten,
    - daß mindestens ein Gate (3,3 ' ,3'»,23',23'',23·«♦) in der Sehreibleitung des elektrisch löschbaren Speichers (4,4',4'',4'·T) vorhanden ist, das vom Schreibschutz-Flip-Flop (1,1',1f1)-angesteuert wird und bei dessera logischen Zustand "mit Sehreibschutz" die Weiterleitung von Schreibfehlern zu den einzelnen Speieherzellen verhindert,
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    - J6: -
    - daß ein mechanisches Schaltelement (5) vorhanden ist
    - und daß das Schreibschutz-Flip-Flop (Ι,Ι',Ι11) durch den Mikroprozessor nur in den einen logischen Zustand "mit Sehreibschutz" gebracht werden kann, während es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur gebracht werden kann, wenn das mechanische Schaltelement (5) betätigt ist.
  6. 6. Elektrisch löschbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
    - daß jedem Speicher-Teilbereich (41,4'',4'·') ein Schreibsehutz-Flip-Flop (1',I1') zugeordnet ist.
  7. 7. Elektrisch lösehbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
    - daß jedem Teilbereich (4f,4TI,4Ilf) je ein Teilbereich-Schreibschutz-Flip-Flop (21,2»',2''») zugeordnet ist und daß diese Teilbereich-Schreibschutz-Flip-Flops (21,2·',2·'') von einem Haupt-Sehreibsehutz-Flip-Flop (1) angesteuert werden.
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DE19853514430 1985-04-20 1985-04-20 Verfahren zum abspeichern von daten in einem elektrisch loeschbaren speicher und elektrisch loeschbarer speicher zur durchfuehrung des verfahrens Granted DE3514430A1 (de)

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