DE3514430A1 - Verfahren zum abspeichern von daten in einem elektrisch loeschbaren speicher und elektrisch loeschbarer speicher zur durchfuehrung des verfahrens - Google Patents
Verfahren zum abspeichern von daten in einem elektrisch loeschbaren speicher und elektrisch loeschbarer speicher zur durchfuehrung des verfahrensInfo
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Description
Sie Erfindung bezieht sich einmal auf ein Verfahren zum
Abspeichern von Daten in einem elektrisch löschbaren Speicher, der mit einem Mikroprozessor verbunden ist.
Weiter bezieht sich die Erfindung auf einen elektrisch löschbaren Speicher zur Durchführung dieses Verfahrens.
Elektrisch lösehbare Speicher dieser Art sind allgemein bekannt; übliche Kurzbezeichnungen sind:
EEPRCM = electrical erasible programmable read only memory, EAROM = electrical alterrible read only memory oder
NVRAM = non volatible random access memory. Im folgenden Text wird für diesen elektrisch löschbaren
In Speichern dieser Art besteht die Gefahr, daß der Mikroprozessor durch ungewolltes überschreiben wichtige
abgespeicherte Daten vernichtet. Zum Schutz davor sind
verschiedene Schaltungen bekannt, die jedoch alle das
einwandfreie Funktionieren des Mikroprozessors zur Voraussetzung haben. Wird dagegen der Mikroprozessor
beispielsweise durch äußere elektrische Störungen vollkoninen außer Tritt gebracht, so bieten diese Schaltungen
keinen absoluten Schutz vor Datenverlusten.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Schaltung anzugeben, die zwar das Einschreiben von Daten
durch den Mikroprozessor während einer Initialisierungsphase erlauben, das spätere Lösehen von abgespeicherten
Daten jedoch zuverlässig und unter allen !Anständen verhindern.
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Dies wird bei dem Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem elektrisch löschbaren Speicher» der mit einem Mikroprozessor verbunden ist, erfindungsgemäß dadurch erreicht,
daß während einer Initialisierungsphase beliebige Daten vom Mikroprozessor in den elektrisch löschbaren Speicher
eingeschrieben werden können, daß der Mikroprozessor am
Ende der Initialisierungsphase zumindest einen Teibereich des elektrisch löschbaren Speichers durch Setzen mindestens
eines Schreibschutz-Flip-Flops als schreibgeschützt
definiert, daß das Schreibschutz-Flip-Flop in seinem
logischen Zustand "mit Schreibschutz" die Schreibleitung
zum zugehörigen Teilbereich des elektrisch löschbaren Speichers sperrt und daß das Schreibschutz-Flip-Flop vom
Mikroprozessor nur in den logischen Zustand "mit
anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur durch
das Betätigen eines mechanischen Schaltelementes gebracht werden kann . .
Der elektrisch löschbare Speicher zur Durchführung dieses Verfahrens ist dann dadurch gekennzeichnet, daß mindestens
ein Schreibschutz-Flip-Flop vorhanden ist, dessen beiden logischen Zustände "mit Schreibschutz" bzw. "ohne
Schreibschutz" bedeuten, daß mindestens ein Gate in der
Schreibleitung des EEPKOM-Speiehers vorhanden ist, das vom
Schreibschutz-Flip-Flop angesteuert wird und bei dessen
logischen Zustand "mit Schreibschutz" die Weiterleitung von Schreibfehlern zu den einzelnen Speicherzellen verhindert,
daß ein mechanisches Schaltelement vorhanden ist und daß
das Schreibschutz-Flip-Flop durch den Mikroprozessor nur
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in den einen logischen Zustand "mit Schreibschutz" gebracht
werden kann während es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur gebracht werden kann, wenn das
mechanische Schaltelement betätigt ist. 5
Bei diesem Verfahren und bei der zugehörigen Schaltung wird
der Mikroprozessor also nach Abschluß der Initialisierung
und dem damit verbundenen Einschreiben von Daten in den EEPBOM-Speicher das zusätzliche Speicherelement in den
logischen Zustand "mit Schreibsehutz" bringen und damit die weitere Abspeicherung von Daten - und das damit verbundene
Löschen der alten Daten - verhindern. Eine Aufhebung dieses Schreibschutzes ist nur durch das manuelle Betätigen des
Schaltelementes möglich» beispielsweise im Rahmen einer Revision oder Reparatur des Gerätes.
Um auch in diesem Falle ein unbeabsichtigtes überschreiben von Daten, beispielsweise durch einen defekten Mikroprozessor,
möglichst zu verhindern, ist es vorteilhaft, daß das Sehreibschutz-Flip-Flop nur durch das Betätigen des
mechanischen Schaltelementes und zusätzlich durch den entsprechenden Mikroprozessor-Befehl in den logischen
Zustand "ohne Schreibschutz" gebracht werden kann. Dies
setzt also zur Aufhebung des Schreibschutzes im allgemeinen die einwandfreie Funktion des Mikroprozessors voraus.
Der Sehreibsehutz kann sich auf den ganzen EEPRGM-Speicher
beziehen, der damit praktisch zu einem RCM-Speicher wird, er kann sich aber auch auf einen oder mehrere Teilbereiche
beschränken, während die anderen Teilbereiche dem Mikroprozessor als normale EEPROM-Speicher bleiben. Dabei kann
entweder jedem zu schützenden Teilbereich ein gesondertes
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Schreibschutz-Flip-Flop zugeordnet sein, oder es wird ein
Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop benutzt, das nachgeordnete
Teilbereieh-Schreibschutz-Flip-Flops ansteuert, die dann
die einzelnen Teilbereiche vor dem überschreiben schützen. 5
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Schaltschemata
erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 ein Blocksehaltbild eines ganz geschützten EEPROM-Speichers,
Fig. 2 ein Blocksehaltbild eines ganz geschützten EEPROM-Speichers
in einer anderen Ausgestaltung,
Fig. 3 ein Blockschaltbild eines teilweise geschützten
EEPROM-Speichers in einer ersten Ausgestaltung
und
Fig. 4 ein Blockschaltbild eines teilweise geschützten
EEPROM-Speichers in einer zweiten Ausgestaltung.
Das Blockschaltbild in Fig. 1 zeigt einen EEPRCM-Speieher
mit seinen üblichen Ansteuerelementen 10 für die Auswahl der Zeile und 11 für die Auswahl der Spalte, seinen
Datenein- und Ausgängen 12 und dem Schreibeingang 14. Solche EEPROM-Speicher sind allgemein bekannt, weshalb auf
eine nähere Erläuterung ihres inneren Aufbaues hier verzichtet werden kann.
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In der Schreibleitung ist nun zwischen der Zuleitung 6 vom
Mikroprozessor und dem Eingang 14 in den Speicher 4 ein Gate 3 eingebaut. Der zweite Eingang des Gates 3 liegt am
Ausgang 8 eines Schreibschutz-Flip-Flops 1. Damit bestimmt das Schreibsehutz-Flip-Flop 1, ob Schreibbefehle zum
Speicher 4 durchgelassen werden oder nicht. Liegt am Ausgang 8 des Schreibschutz-Flip-Flops 1 eine logische "1",
so werden Schreibbefehle durchgelassen, dies ist der
logische Zustand "ohne Schreibschutz". In diesem Zustand befindet sich das Schreibsehutz-Flip-Flop 1 bei der ersten
Initialisierung. Am Dateneingang 9 des Sehreibschutz-Flip-Flops
1 ist jedoch bereits die logische 11O" fest
verdrahtet und kann vom Mikroprozessor durch ein Signal auf der Schreibleitung 6 und der Schreibschutzaktivierungsleitung
7 in das Schreibschutz-Flip-Flop 1 übernommen werden. Damit wird das Gate 3 gesperrt und es sind keine
Sehreiboperationen mehr im Speieher 4 möglieh; dies ist
also der logische Zustand ".mit Schreibsehutz". Aus diesem
Zustand kann das Schreibsehutz-Flip-Flop 1 - das als
nichtflüchtiges Speicherelement vorausgesetzt wird - vom Mikroprozessor nicht herausgebracht werden, da der
Mikroprozessor auf den Dateneingang 9 keinen Zugriff hat. Nur nach Schließen des mechanischen Schaltelementes 5,
beispielsweise durch einen Service-Techniker, kann der
Mikroprozessor durch Signale auf den beiden Leitungen 6 und 7 den Urzustand "ohne Sehreibschutz" wieder herstellen. Das
mechanische Schaltelement 5 kann dabei je nach Erfordernis des speziellen Anwendungsfalles z.B. als mechanischer
Taster ausgeführt sein oder als 2polige Buchse, die durch einen Kurzschlußstecker überbrückt werden kann, oder als
Lötaugen oder Lötstifte, die durch ein metallisches Werkzeug elektrisch verbunden werden können.
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Die in Fig. 1 dargestellte,Schaltung erlaubt es also dem
Mikroprozessor in einer Initialisierungsphase den Speicher 4 mit Daten zu beschreiben und nach Abschluß der
Initialisierungsphase diese Daten vor versehentlicher
späterer Änderung zu schützen. Dieser Schutz ist für den Mikroprozessor irreversibel und kann nur durch mechanische
Eingriffe von außen bei Bedarf aufgehoben werden.
Die in Fig. 2 gezeigte Ausgestaltung unterscheidet sieh von
der in Fig. 1 gezeigten nur durch die Beschallung der
Eingänge des Schreibschutz-Flip-Flops 1. Beim Betätigen des mechanischen Sehaltelementes 5 wird nieht nur die logische
"1" auf den Dateneingang 9 gegeben, sondern gleichzeitig
über zwei Oder-Gates 20 und 21 der Schreibbefehl (WB) und der Freigabebefehl (ENA) an das Schreibsehutz-Flip-Flop 1
gegeben, so daß das Schreibschutz-Flip-Flop 1 ohne Mitwirkung des Mikroprozessors nur durch das Betätigen des
mechanischen Schaltelementes 5 in den logischen Zustand "ohne Sehreibschutz" gebracht wird.
In Fig. 1 und 2 wurde jeweils der gesamte Speieher 4 mit
oder ohne Sehreibschutz benutzt. In Fig. 3 ist gezeigt, wie Teilbereiche mit einem Schreibschutz versehen werden
können. Der Teilbereich 41·' des Speichers ist von
vornherein als normaler, ungeschützter EEPBOM-Speicher
vorgesehen. Der Bereieh 4' ist durch ein Sehreibsehutz-Flip-Flop I1 in Verbindung mit dem Gate 3' sehützbar, der
Bereich 4tf ist durch ein zweites Sehreibschutz-Flip-Flop
l'1 in Verbindung mit dem Gate 3'' sehützbar. Beide
Schreibsehutz-Flip-Flops I1 und I11 sind wie das
Schreibschutz-Flip-Flop 1 in Fig. 1 aufgebaut und daher
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hier nur schematisch wiedergegeben. Die beiden Schreibschutzaktivierungsleitungen
71 und 7lf sind getrennt zum
Mikroprozessor herausgeführt, um eine getrennte, vom Programm des Mikroprozessors gesteuerte Auslösung des
Schreibschutzes zu ermöglichen. Dadurch können beispielsweise Gerätevarianten, die verschieden viele zu schützende
Grunddaten und allgemeine, nicht zu schützende EEPROM-Daten benötigen, mit der gleichen Hardware realisiert
werden; in der einen Gerätevariante wird dann am Ende der
Initialisierung für beide Schreibschutz-Flip-Flops I1 und
I11 der Befehl für den Schreibschutz softwaremäßig
vorgesehen, während in der anderen Gerätevariante nur für
das eine Schreibschutz-Flip-Flop I1 der Befehl für den
Schreibschutz softwaremäßig gegeben wird, so daß der
Speicherbereich 4fI als normaler, überschreibbarer
EEPROM-Speicher bleibt. Die Entriegelung des Schreibschutzes mittels des mechanischen Schaltelementes 5 erfolgt
in Fig. 3 für beide Sehreibschutz-Flip-Flops lf und l'1
zusammen. Selbstverständlich ist bei Bedarf auch eine getrennte Entriegelung durch zwei mechanische Sehaltelemente
5 möglich.
Eine andere Ausgestaltung des Schreibsehutzes für Speicher-Teilbereiche ist in Fig. 4 gezeigt. Hier ist für
alle SpeicherteiIbereiehe 4',4ll,4.r'1 ein gemeinsames
Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop 1 vorhanden, die Ansteuerung der Gates 23',2S'', 23''' zum Sperren der Schreibimpulse
erfolgt jedoch unter Zwischenschaltung von Teilbereieh-Schreibschutz-Flip-Flops
2»,2'·,2'·'. Bei der ersten
Initialisierung befinden sich das Haupt-Schreibschutz-
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Flip-Flop 1 und die Teilbereich-Sehreibsehutz-Flip-Flops 2',2'»,2'·' im logischen Zustand "ln, so daß die
Gates 23',23'',23··' Schreibimpulse durchlassen. Nach
Abschluß der Initialisierung kann dann der Mikroprozessor beim Aktivieren des Schreibschutzes gleichzeitig festlegen,
welche Teilbereiche schreibgeschützt werden sollen. Soll z.B. nur der zweite Teilbereich 411 schreibgeschützt
werden, so gibt der Mikroprozessor auf dessen Dateneingang 15·' eine logische "0" und auf die Dateneingänge 15',
15' " der anderen Teilbereiche 4',4'|! eine logische nlw.
Dadurch wird beim Eintreffen des Schreibsignals auf dem Anschluß 6 und des Schreibschutzaktivierungssignals auf dem
Anschluß 7 von den Teilbereieh-Sehreibsehutz-Flip-Flops 2',
2«',2'·' nur das eine Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip-
Flop 21' in den logischen Zustand "0" gebracht, während die
anderen Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip-Flops 2',2··1 im
logischen Zustand "1" bleiben; gleichzeitig übernimmt
natürlich das Haupt-Scbreibschutz-Flip-Flop 1 die an seinem
Eingang fest verdrahtete logische "0" und sperrt damit das
Gate 13, so daß an dessen Ausgang 16 keine Freigabesignale für die Teilbereieh-Sehreibschutz-Flip-Flops 2',
2'',2''' mehr erscheinen können. Dadurch ist der Mikroprozessor nicht mehr in der Lage, die am Ende der
Initialisierungsphase festgelegte Unterteilung in sehreib
geschützte und nichtschreibgeschützte Bereiche zu ändern.
Auch die generelle Aufhebung des Schreibschutzes (durch Einspeichern der logischen rtln in das Haupt-Schreibschutz-Flip-Flop 1) ist, wie in den anderen Ausgestaltungen, nur
nach Betätigen des mechanischen Schaltelementes 5 möglich.
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Claims (7)
- Ansprüche:Verfahren zum Abspeichern von Daten in einem elektrisch lösehbaren Speieher, der mit einem Mikroprozessor verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,- daß während einer Initialisierungsphase beliebige Daten vom Mikroprozessor in den elektrisch lösehbaren Speicher eingeschrieben werden können,- daß der Mikroprozessor am Ende der Initialisierungsphase zumindest einen Teilbereich des elektrisch lösehbaren Speiehers durch Setzen mindestens eines Sehreibschutz-Flip-Flops als geschützt definiert,- daß das Schreibschutz-Flip-Flop in seinem logischen Zustand "mit Sehreibschutz" die Schreibleiturtg zum zugehörigen Teilbereich des elektrisch lösehbaren Speichers sperrt- und daö das Schreibsehutz-Flip-Flop vom Mikroprozessor nur in den logischen Zustand "mit Sehreibschutz11 gebracht werden kann, währen-d es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur durch das Betätigen eines mechanischen Sehaltelementes gebracht werden kann.ORIGINAL INSPECTED
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,- daß das Schreibsehutz-Flip-Flop nur durch das Betätigen des mechanischen Schaltelementes und zusätzlich durch einen entsprechenden Mikroprozessor-Befehl in den logischen Zustand "ohne ,Sehreibschutz11 gebracht werden kann.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn-ζ e X chnejt,- daß der elektrisch löschbare Speicher in mehrere Teilbereiche unterteilt ist und daß jedem Teilbereich ein TeiIbereich-Sehreibschutz-Flip-Flop zugeordnet ist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,- daß den Teilbereich-Sehreibsehutz-Flip-Flops ein Haupt-Schreibsehutz-Flip-Flop übergeordnet ist, das die einzelnen Teilbereich-Schreibsehutz-Flip-Flops aktiviert.
- 5. Elektrisch lösehbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet ,- daß mindestens ein Schreibsehutz-Flip-Flop (1,1',I1') vorhanden ist, dessen beiden logischen Zustände "mit Sehreibschutz11 .bzw. "ohne Sehreibschutz11 bedeuten,- daß mindestens ein Gate (3,3 ' ,3'»,23',23'',23·«♦) in der Sehreibleitung des elektrisch löschbaren Speichers (4,4',4'',4'·T) vorhanden ist, das vom Schreibschutz-Flip-Flop (1,1',1f1)-angesteuert wird und bei dessera logischen Zustand "mit Sehreibschutz" die Weiterleitung von Schreibfehlern zu den einzelnen Speieherzellen verhindert,SW 85 05- J6: -- daß ein mechanisches Schaltelement (5) vorhanden ist- und daß das Schreibschutz-Flip-Flop (Ι,Ι',Ι11) durch den Mikroprozessor nur in den einen logischen Zustand "mit Sehreibschutz" gebracht werden kann, während es in den anderen logischen Zustand "ohne Schreibschutz" nur gebracht werden kann, wenn das mechanische Schaltelement (5) betätigt ist.
- 6. Elektrisch löschbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,- daß jedem Speicher-Teilbereich (41,4'',4'·') ein Schreibsehutz-Flip-Flop (1',I1') zugeordnet ist.
- 7. Elektrisch lösehbarer Speieher zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,- daß jedem Teilbereich (4f,4TI,4Ilf) je ein Teilbereich-Schreibschutz-Flip-Flop (21,2»',2''») zugeordnet ist und daß diese Teilbereich-Schreibschutz-Flip-Flops (21,2·',2·'') von einem Haupt-Sehreibsehutz-Flip-Flop (1) angesteuert werden.SW 85 05
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