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DE3428881C2 - Verfahren zum Erden des Montageträgers eines integrierten Schaltkreises - Google Patents

Verfahren zum Erden des Montageträgers eines integrierten Schaltkreises

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DE3428881C2
DE3428881C2 DE19843428881 DE3428881A DE3428881C2 DE 3428881 C2 DE3428881 C2 DE 3428881C2 DE 19843428881 DE19843428881 DE 19843428881 DE 3428881 A DE3428881 A DE 3428881A DE 3428881 C2 DE3428881 C2 DE 3428881C2
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DE
Germany
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chip
mounting bracket
contact point
connecting wire
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Raymond Karl Reusch
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Original Assignee
RCA Corp
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erden des Mon­ tageträgers eines elektrische Komponenten enthaltenden, in einem Chip gebildeten, integrierten Schaltkreises, mit einem mit dem Montageträger einstückigen Tragarm zur Aufnahme des Gewichts von Montageträger und Chip, mit einer dem Chip benachbarten Erdungsfahne und mit mindestens zwei Kontaktstellen auf dem Chip.
Einige integrierte Schaltkreise sind im Rahmen ihrer Anwendung oder wegen charakteristischer Konstruktions­ merkmale empfänglich für Störungen durch Kopplung mit anderen Vorrichtungen aus der Nachbarschaft oder sie weisen eine allgemeine durch örtliche Ladungen auf der Oberfläche begründete Instabilität auf. Um solchen Schwierigkeiten zu begegnen, wird ein getrennter Draht­ leiter zwischen die Erdfahne des Gerätegehäuses und die den integrierten Schaltkreis-Chip tragende Unterlage geschaltet. Ein Verfahren, durch das der Montageträger des Chips - und nicht etwa eine Chip-Komponente - geer­ det werden soll, wird als bekannt vorausgesetzt.
Eine Erdung des Montageträgers des Chips wird auch in DE 30 39 261 A1 angesprochen. Dort erfolgt die Erdung des Montageträgers durch das Material des Chips hin­ durch. Diese Maßnahme erfordert eine Vergrößerung des den Chip aufnehmenden Montageträgers, damit genügend Spielraum zwischen dem Chip und dem Rand des Montage­ trägers zum Kontaktieren bzw. zum Anschließen des zur Erdfahne führenden Drahtleiters verbleibt. Gelegentlich fließt ein kleiner Teil des zum Verbinden des Chips mit dem Montageträger benutzten Materials über und überflu­ tet den zum Kontaktieren des Erdleiters vorgesehenen Bereich am Rande des Montageträgers. Da ein solches Auslaufen schwierig zu beherrschen ist, wird zusätzli­ cher Spielraum zwischen dem Chip und dem Rand des Mon­ tageträgers benötigt.
Wenn der Montageträger nicht mit einem Erdleiter der vorgenannten Art kontaktiert werden muß, beträgt in ty­ pischen Fällen der minimale Spielraum zwischen dem Chip und dem Rand des Montageträgers etwa 125 Mikrometer. Wenn jedoch ein Erdleiter benötigt wird und mit dem Montageträger zu kontaktieren ist, liegt der typische minimale Spielraum bei etwa 375 Mikrometer. In vielen Fällen, in denen ein solcher Erdleiter erforderlich ist, muß die nächste im Handel erhältliche Montageträ­ gergröße eingesetzt werden, das hat eine Vergrößerung der Trägerfläche von etwa 50% oder mehr zur Folge.
In US 36 11 061 wird ein Montageträger mit einem ein­ stückig angesetzten Tragarm beschrieben, der zur Auf­ nahme eines elektrische Komponenten enthaltenden sowie Kontaktstellen aufweisenden Chips vorgesehen ist. Am Umfang des Montageträgers befinden sich mehrere An­ schlußfinger zum Kontaktieren der diversen Komponenten. Die Kontaktstellen der Anschlußfinger befinden sich in einer oder zwei geraden Reihen nebeneinander, um das Kontaktieren zu vereinfachen. Der Tragarm besitzt eben­ falls eine Kontaktstelle, die sich an einem aus dem Tragarm vorspringenden Kontaktfinger befindet, so daß auch die zugehörige Kontaktstelle in je einer geraden Reihe mit den übrigen Kontaktstellen liegt. Bei dieser Anordnung hat der Tragarm eine Doppelfunktion, er trägt nämlich einerseits den Chip und dient zugleich als elektrische Zuleitung wie einer der Kontaktfinger. Wenn der Montageträger dieser integrierten Schaltkreisanord­ nung geerdet werden soll, wird die Erdung selbstver­ ständlich durch Anschluß einer Erdleitung an dem Kon­ taktfinger des Tragarms vorgenommen. Wenn dagegen der Tragarm ein anderes Potential als das Erdpotential auf­ weist, kann der Montageträger nicht (ohne Kurzschluß) geerdet werden. Es wäre daher sinnlos, den Montageträ­ ger über irgendeinen anderen dem Chip benachbarten An­ schlußfinger zu erden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Erden eines den Chip eines integrierten Schaltkrei­ ses aufnehmenden Montageträgers zu schaffen, bei dem weder eine Vergrößerung des Abstandes zwischen Chiprand und Montageträgerrand noch eine Erdung durch den Chip hindurch erforderlich sind.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht für das Verfahren der eingangs genannten Art darin, daß das eine Ende ei­ nes ersten Verbindungsdrahtes mit einer ersten Kon­ taktstelle sowie das andere Ende des ersten Verbin­ dungsdrahtes mit dem Tragarm elektrisch leitend verbun­ den wird, daß das eine Ende eines zweiten Verbindungs­ drahtes mit einer zweiten Kontaktstelle sowie das ande­ re Ende des zweiten Verbindungsdrahtes mit der Erdungs­ fahne elektrisch leitend verbunden wird und daß die beiden Kontaktstellen mit Hilfe einer durch Metallisie­ ren auf den Chip aufzubringenden Leiterbahn miteinander verbunden werden.
Durch die Erfindung wird ein Verfahren zum Verbinden des Erdleiters mit der Montageplatte geschaffen, das eine Vergrößerung des Spielraums zwischen Chip und Rand des Montageträgers nicht erforderlich macht. Hierzu soll auf dem Tragarm ein Kontaktpunkt gebildet und elektrisch leitend auf eine mit der Erdungsfahne elek­ trisch leitend verbundene, erste Kontaktstelle des Chips geschaltet werden.
Da der Tragarm - bzw. die Tragarme - ohnehin erheblich über den normalen Rand des Montageträgers nach außen vorspringen, kann der Kontaktpunkt auf dem Tragarm pro­ blemlos an einen Punkt mit Abstand von der Fläche des Montageträgers verlegt werden, ohne daß die Gefahr des Fließens des Verbindungsmaterials über die Kontakt­ stelle zwischen Montageträger und Chip besteht, auch wenn der Montageträger nur wenig oder gar nicht über den Rand des Chips übersteht.
Bei Anwendung der Erfindung in einem integrierten Schaltkreis wird ein erster leitender Verbindungsdraht zwischen einem Kontaktpunkt auf dem Tragarm des Monta­ geträgers und einer mit der dem Chip benachbarten Er­ dungsfahne leitend verbundenen, ersten Kontaktstelle auf dem Chip vorgesehen. Verbesserungen und weitere Ausgestaltungen der Erfindung werden in den Unteran­ sprüchen angegeben.
Der Montageträger kann auch als Aufnahmeplatte bzw. -polster bezeichnet werden. Der Tragarm ist ein kon­ struktives Element des Montageträgers.
Anhand der schematischen Darstellungen von Ausführungs­ beispielen werden nachfolgend Einzelheiten der Erfin­ dung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau eines Teils eines Leitungsrahmens mit einem integrierten Schaltkreischip und ei­ ner bekannten Erdung des den Chip tragenden Montageträgers in der Draufsicht;
Fig. 2 eine integrierte Schaltkreisvorrichtung ähn­ lich derjenigen nach Fig. 1 mit erfindungsge­ mäßer Erdung; und
Fig. 3 eine Schaltkreisvorrichtung ähnlich derjenigen nach Fig. 2 mit abgewandelter Erdung des Mon­ tageträgers.
Fig. 1 bis 3 zeigen ein Teil eines Leitungsrahmens 10 mit einem der Aufnahme eines Chips dienenden Montageträger 12, der mit Hilfe von zwei Tragarmen 14 in seiner Position gehalten wird. Um die Peripherie des Montageträgers 12 wird eine gewisse Anzahl von Anschlußfahnen bzw. Zuleitungen 16 mit Ab­ stand vom aber benachbart zum Träger 12 angeordnet. Der Leitungsrahmen 10 wird versilbert; er besitzt eine sol­ che (nicht gezeichnete) Konstruktion, daß er die ande­ ren Enden der Zuleitungen 16 und der Tragarme 14 aufnimmt. Nach dem Einkapseln der Vorrichtung und endgültigen Formen der Zuleitungen 16 wird die äußere Struktur abgetrennt und weggeworfen. Solche Leitungsrahmen, ihre Herstellung und ihr Gebrauch sind bekannt; sie werden daher nicht weiter erläutert.
Ein Chip 20 mit darin gebildetem integrierten Schaltkreis wird auf einer Oberfläche 22 eines Montageträgers 12 in bekannter Weise befestigt. Auf der Oberfläche des Chips 20 wird nahe an dessen äußerem Rand eine Reihe von Kontaktstellen 30 jeweils benachbart den Kontaktenden 18 der Zuleitungen 16 gebildet. Die typisch aus Aluminium bestehenden Kontaktstellen 30 werden mit verschiedenen Punkten innerhalb des integrierten Schaltkreises elektrisch leitend gekoppelt und stellen die Mittel dar, denen der integrierte Schaltkreis mit einer äußeren Schaltung und äußeren Geräten elektrisch zu verbinden ist. Zum Verbinden der Kontaktstellen 30 und der Zuleitungen 16 werden feine Verbindungsdrähte 32 verwendet. Die Verbindungsdrähte 32 werden im allgemeinen aus Golddraht mit einem Durchmesser von etwa 25 Mikrometern hergestellt. Ein Ende jedes Verbindungsdrahtes 32 wird mit Hilfe der nachstehend erläuterten Thermoschall-Technik mit einer Kontaktstelle 30 verbunden. Das andere Ende des Drahtes wird in ähnlicher Weise mit einem Kontaktende 18 der jeweils zugehörigen Leitung 16 kontaktiert.
Bei der Thermoschall-Verbindungs-Technik - kurz "Thermoschallen" genannt - werden die zu verbindenden Teile sowohl mit Ultraschall als auch mit Wärme (bei einer Temperatur im Glühbereich unterhalb des Schmelzpunktes der fraglichen Materialien) im Sinne eines durch Diffusion verursachten Zusammensinterns bzw. -fließens des aneinander grenzenden Materials beaufschlagt. Es handelt sich beim Thermoschallen also um eine Art Kombination von milder Thermokompressions- und Ultraschall-Verbindungstechnik. Anstelle des bevorzugten Thermoschallens kann im vorliegenden Zusammenhang aber auch eines der anderen Verfahren (Thermokompression oder Ultraschall) eingesetzt werden.
Eine Erdungsfahne 34 mit benachbart zum Chip 20 angeordneten Kontaktende 36 wird am anderen (nicht gezeichneten) Ende in ähnlicher Weise wie die Zuleitungen 16 vom Leitungsrahmen 10 aufgenommen. Gemäß Fig. 1 wird auf dem Chip eine Anschlußstelle 30a vorgesehen, die elektrisch über einen durch Metallisieren hergestellten Leiterstreifen 40 mit den Endpunkten des integrierten Schaltkreises verbunden wird. Außerdem wird ein feiner Verbindungsdraht 32a in der in der Zeichnung dargestellten Weise mit der Kontaktstelle 30a und dem Kontaktende 36 der Erdungsfahne 34 elektrisch verbunden.
Ein wesentliches Merkmal der Erfindung betrifft die Art, in der der den Chip aufnehmende Montageträger 12 elektrisch mit der Erdungsfahne 34 zu kontaktieren ist. In bekannten Vorrichtungen gemäß Fig. 1 wird zu diesem Zweck ein feiner Verbindungsdraht 32b mit dem Kontaktende 36 der Erdungsfahne 34 einerseits und mit einem Kontaktpunkt 42 auf dem Rand des Montageträgers 12 kontaktiert. Hierdurch wird jedoch ein größerer Montageträger 12 als ohne den Erdkontakt benötigt, damit ausreichend Raum zum einwandfreien Verbinden an dem Kontaktpunkt 42 verbleibt.
Erfindungsgemäß wird eine in der Wirkung genauso gute Erdung des Montageträgers wie bisher erzielt, wenn ein Ende eines feinen Verbindungsdrahtes 32c mit einem Kontaktpunkt 44 auf einem der ohnehin vorhandenen Tragarme 16 und das andere Ende des Drahtes 32c mit einer Kontaktstelle 30b auf dem Chip 20 kontaktiert werden. Hierzu werden in den Fig. 2 und 3 Ausführungsbeispiele dargestellt.
Nach Fig. 2 wird die Kontaktstelle 30b über einen Leiterstreifen 46 mit dem Erdleiter bzw. Leiterstreifen 40 leitend verbunden; nach Fig. 3 wird eine weitere Kontaktstelle 30c benachbart zur Erdungsfahne 34 auf dem Chip 20 gebildet, und die Kontaktstellen 30b und 30c werden mit Hilfe eines metallisierten Leiterstreifens 46 miteinander gekoppelt. Im letztgenannten Fall werden ein Ende eines feinen Verbindungsdrahtes 32b mit der Kontaktstelle 30c und das andere Drahtende mit dem Kontaktende 36 der Erdungsfahne 34 verbunden.
Die wesentlichen durch die Erfindung zu erzielenden Vorteile bestehen darin, daß der zur Aufnahme des Chips 20 erforderliche Montageträger 12 gegenüber dem Stand der Technik beträchtlich zu verkleinern ist und daß dementsprechend die aus Gold bestehenden Verbindungsdrähte 32 ebenfalls wesentlich kürzer werden können als bei bekannten Vorrichtungen mit ähnlich wie in Fig. 1 zu erdendem Montageträger 12. Zu den wichtigsten Vorteilen gehört, daß die kürzeren Verbindungsdrähte 32 beim Einkapseln einer geringeren Biegung unterliegen und daher die Gefahr der Ausschußproduktion entsprechend verringert wird. Auch die Unverletztheit der Erdverbindung des Montageträgers wird besser als bisher gewährleistet, weil durch Anordnung des Kontaktpunkts 44 auf dem Tragarm 14 keine Möglichkeit mehr zu einer Beeinträchtigung durch das zum Verbinden von Chip 20 und Montageträger 12 verwendete Material besteht. Die Herstellung ist auch vereinfacht, weil der als Erdung dienende Verbindungsdraht 32c mit einem Ende auf einer aus Aluminium bestehenden Kontaktstelle 30b auf auf dem Chip und mit dem anderen Ende auf einem aus Silber bestehenden Kontaktpunkt 44 auf dem Leitungsrahmen 10 ähnlich der Bond-Anordnung aller anderen dünnen Verbindungsdrähte 32 zu kontaktieren ist. Die Erfindung erfordert also zum Anbringen der Erdung des Montageträgers 12 nur Mittel und Handhabungen, wie sie ohnehin zum Anbringen aller anderen Verbindungsdrähte 32 eingesetzt werden. In diesem Sinne ist es besonders vorteilhaft, wenn der Abstand zwischen dem Kontaktpunkt 44 auf den Tragarm 14 und dem Rand des Montageträgers 12 etwa ebenso groß ist wie der Abstand zwischen den Kontaktpunkten der benachbarten Zuleitungen 16 und dem Rand des Montageträgers 12.
Versuchsbeispiel
Ein von der Anmelderin gefertigter integrierter Schaltkreis-Chip mit der Bezeichnung CA 3084 wird herkömmlich auf einem Leitungsrahmen montiert, der einen Montageträger mit einer Fläche von etwa 6,45 mm² besitzt. Der Montageträger wird über einen Verbindungsdraht geerdet, dessen eines Ende mit der Erdungsfahne und dessen anderes Ende mit dem Montageträger an dessen Oberfläche zwischen dem Rand des Chips und dem Rand des Montageträgers kontaktiert wird. Bei Anwendung der Lehre der Erfindung wird derselbe Chip auf einem Leitungsrahmen mit einem Montageträger mit einer Oberfläche von etwa 4,13 mm² montiert, so daß sich eine Verminderung der Größe des Montageträgers von 36% gegenüber dem bisherigen Zustand ergibt.
Bei der bekannten Vorrichtung mit auf einem über den Rand des Chips überstehenden Randstreifen des Montageträgers vorgesehener Erdung beträgt die Länge jedes aus Gold bestehenden Verbindungsdrahtes etwa 1,91 mm. Demgegenüber kann die Drahtlänge wegen der Verkleinerung der Montageträgeroberfläche und damit wegen des näheren Heranrückens der Zuleitungen an den Rand des Chips auf etwa 1,64 mm verkürzt werden, so daß sich für die Drahtlänge eine Verminderung von 14% bei Einsatz der Erfindung ergibt. Durch die Erfindung wird also nicht nur eine Bauelementverkleinerung und Ersparnis an Montageplattenmaterial erzielt, sondern auch eine die Kosten der Vorrichtung weiter vermindernde Verkürzung der Verbindungsdrähte ermöglicht.

Claims (6)

1. Verfahren zum Erden des Montageträgers eines elektri­ sche Komponenten enthaltenden, in einem Chip (20) ge­ bildeten integrierten Schaltkreises, mit einem mit dem Montageträger (12) einstückigen Tragarm (14) zur Aufnahme des Gewichts von Montageträger (12) und Chip (20), mit einem dem Chip (20) benachbarten Erdungs­ fahne (34) und mit mindestens zwei Kontaktstellen auf dem Chip (20) dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende eines ersten Verbindungsdrahtes (32c) mit einer ersten Kontaktstelle (30b) sowie das andere Ende des ersten Verbindungsdrahtes mit dem Tragarm (14) elek­ trisch leitend verbunden wird, daß das eine Ende ei­ nes zweiten Verbindungsdrahtes (32a oder 32b) mit ei­ ner zweiten Kontaktstelle (30a oder 30c) sowie das andere Ende des zweiten Verbindungsdrahtes mit der Erdungsfahne (34) elektrisch leitend verbunden wird und daß die beiden Kontaktstellen (30a bzw. 30c; 30b) mit Hilfe einer durch Metallisieren auf den Chip (20) aufzubringenden Leiterbahn (46) miteinander verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Herstellen eines Gegenstandes mit einer auf dem Chip (20) gebildeten, von den beiden ersten Kontaktstellen (30b; 30c) elektrisch unabhängigen, dritten Kontaktstelle (30a) ein Ende eines dritten Verbindungsdrahtes (32a) mit der dritten Kontakt­ stelle (30a) und das andere Ende des dritten Verbin­ dungsdrahtes mit der Erdungsfahne (34) elektrisch leitend verbunden werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf den Chip (20) ein eine der Kontakt­ stellen (30b) mit einer der elektrischen Komponenten des integrierten Schaltkreises verbindender Leiter (40) durch Metallisieren aufgebracht wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Kon­ taktierung des Verbindungsdrahtes mit der Kontaktstelle unter Anwendung von Thermokompression ge­ bildet wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Kon­ taktierung des Verbindungsdrahtes mit der Kontaktstelle unter Anwendung von Ultraschall gebildet wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweilige Kontaktierung des Verbindungsdrahtes mit der Kontaktstelle unter Anwendung von Thermoschall gebil­ det wird.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61108160A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
WO1986005322A1 (en) * 1985-02-28 1986-09-12 Sony Corporation Semiconducteur circuit device
KR910002302B1 (ko) * 1986-02-07 1991-04-11 후지쓰 가부시끼가이샤 반도체 장치
US4829362A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Motorola, Inc. Lead frame with die bond flag for ceramic packages
JPS63205930A (ja) * 1987-02-21 1988-08-25 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2734463B2 (ja) * 1989-04-27 1998-03-30 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH088330B2 (ja) * 1989-07-19 1996-01-29 日本電気株式会社 Ｌｏｃ型リードフレームを備えた半導体集積回路装置
US5006919A (en) * 1990-03-01 1991-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit package
JP3011510B2 (ja) * 1990-12-20 2000-02-21 株式会社東芝 相互連結回路基板を有する半導体装置およびその製造方法
KR920018907A (ko) * 1991-03-23 1992-10-22 김광호 반도체 리드 프레임
KR940006187Y1 (ko) * 1991-10-15 1994-09-10 금성일렉트론 주식회사 반도체장치
KR100552353B1 (ko) * 1992-03-27 2006-06-20 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
US5256598A (en) * 1992-04-15 1993-10-26 Micron Technology, Inc. Shrink accommodating lead frame
KR0177744B1 (ko) * 1995-08-14 1999-03-20 김광호 전기적 특성이 향상된 반도체 장치
US5986334A (en) * 1996-10-04 1999-11-16 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package having light, thin, simple and compact structure
EP0954879A1 (de) * 1997-01-22 1999-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauelement
US5780772A (en) * 1997-01-24 1998-07-14 National Semiconductor Corporation Solution to mold wire sweep in fine pitch devices
IT1317559B1 (it) * 2000-05-23 2003-07-09 St Microelectronics Srl Telaio di supporto per chip avente interconnessioni a bassa resistenza.
US20050230850A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Taggart Brian C Microelectronic assembly having a redistribution conductor over a microelectronic die
EP2183778A2 (de) * 2007-07-23 2010-05-12 Nxp B.V. Systemträgerstruktur für elektronische kapselungen
CN102201384A (zh) * 2010-03-22 2011-09-28 无锡华润安盛科技有限公司 一种led驱动电路的小外形封装引线框
US9337240B1 (en) * 2010-06-18 2016-05-10 Altera Corporation Integrated circuit package with a universal lead frame
CN102569233A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 登丰微电子股份有限公司 封装结构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3685137A (en) * 1971-05-13 1972-08-22 Rca Corp Method for manufacturing wire bonded integrated circuit devices
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
US4065851A (en) * 1974-04-20 1978-01-03 W. C. Heraeus Gmbh Method of making metallic support carrier for semiconductor elements
US4068371A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Miller Charles F Method for completing wire bonds
US4142203A (en) * 1976-12-20 1979-02-27 Avx Corporation Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
JPS5623759A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof
JPS5662352A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device for acoustic amplification circuit
DE3023528C2 (de) * 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht
GB2091035B (en) * 1981-01-12 1985-01-09 Avx Corp Integrated circuit device and sub-assembly
US4454529A (en) * 1981-01-12 1984-06-12 Avx Corporation Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies

Also Published As

Publication number Publication date
GB2144910A (en) 1985-03-13
YU119484A (en) 1987-08-31
SE8403978D0 (sv) 1984-08-03
SE8403978L (sv) 1985-02-11
IT8421350A0 (it) 1984-06-11
FR2550661A1 (fr) 1985-02-15
GB8419078D0 (en) 1984-08-30
IT1174170B (it) 1987-07-01
DE3428881A1 (de) 1985-02-28
JPH0469432B2 (de) 1992-11-06
FR2550661B1 (fr) 1988-11-25
GB2144910B (en) 1986-12-31
US4534105A (en) 1985-08-13
IN160929B (de) 1987-08-15
KR930002386B1 (en) 1993-03-29
JPS6054461A (ja) 1985-03-28
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SE456874B (sv) 1988-11-07

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