DE3228218A1

DE3228218A1 - Elektrofotografisches lichtempfindliches material

Info

Publication number: DE3228218A1
Application number: DE19823228218
Authority: DE
Inventors: Kazuaki Minami Ashigara Kanagawa Ohmi; Yasutoshi Okugawa; Shigeru Yagi; Koichi Yamamoto
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1981-07-28
Filing date: 1982-07-28
Publication date: 1983-03-17
Anticipated expiration: 2002-07-29
Also published as: DE3228218C2; US4444862A; GB2106659A; GB2106659B

Description

Elektrofotografische^ lichtempfindliche Material

1 Die Erfindung betrifft elektrofotografische lichtempfindliche bzw. fotoempfindlicho Materialien und insbesondere eine Verbesserung von Elektrofotomaterlalien mit einor Schutzschicht, die auf der Oberfläche der fotoleitenden

(photoconductive) Schicht ausgebildet ist.

Verschiedene lichtempflindliche Materialien verwendete bisher praktisch in elektrofotografischen Systemen, rtle das Aufladen, das Belichten und das Entwickeln umfaßten

10 (vorgl. z.B. die US-PS 2 297 619). Beispielsweise ist es möglich, direkt auf einer geeigneten leitenden Grundplatt© bzw. Basisplatte ein organisches fotoleitendes Material durch Überziehen oder Dampfabscheidung zu bilden. B©i einem anderen System bringt man das genannte Material auf der

15 Grundplatte zusammen mit einem geeigneten organischen Bindemittel auf. Es ist ferner möglich, eine Bindemittelschicht auf der Grundplatte zu bilden, wobei die Bindemittelschicht ein anorganisches fotoleitendes Material

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dispergiert enthält, wie z.B. ZnO, CdO oder TiO₀. BeJ einem weiteren System bildet man eine Schicht von amorphem Selen oder einer seiner Legierungen auf der Basisplatte durch Dampfabscheidung. Es ist ferner möglich, zwei oder mehrere der beschriebenen fotoleitenden Schichten auf einer Basisplatte laminiert vorzusehen (vergl. z.B. die ua-PSon 3 850 630 und 4 175 960). Um sowohl gute elektrische und optische Eigenschaften als auch gute mechanische Eigenschaften zu erzielen oder sie zu verbessern und zu stabilisieren oder ggf. die charakteristischen Eigenschaften für das Arbeiten bzw. die Arbeitsmethoden zu verbessern, wie z.B. für das Entwickeln dieser lichtempflindlichen Materialien, wurde vorgeschlagen, eine Oberflächenschicht auf der Oberfläche des lichtempflindlichen Materials vorzusehen.

Eine dieser Oberflüchonschichten ist eine sogenannte Schutzschicht. Beispielsweise bildet man eine dünne Harzschicht auf der Oberfläche einer fotoleitenden Schicht und erzeugt latente Bilder, indem man das Aufladen und die Belichtung mit dem Bild bzw. Bildbelichtung durchführt (Carlson-Methode). Die Verwendung eines lichtempfindlichen Materials mit einer derartigen Schutzschicht bewirkt jedoch oft das Auftreten von hohem Restpotential (residual potential) und eines großen Anstiegs des Restpotentials in einem Arbeitszyklus (large cycle increase of residual potential), wodurch man Kopien mit einer verschlechterten Bildqualität durch Auftreten von Schleiern erhält. Das Auftreten des hohen Restpotentials und des großen Anstiegs des Restpotentials während des Arbeitszyklus kann man merklich ver- : mindern bzw. verbessern, indem man die Dicke der Schutz- ,

schicht bei weniger 1 ,um hält, aber in diesem Fall neigt die Schicht dazu, sich abzulösen. Daher kann man ein derartiges lichtempfindliches Material nicht für längere Zeit» räume verwenden. Ein weiteres Beispiel für eine Oberflächenschicht ist eine sogenannte Isolationsschicht, d.h.

eine Harzschicht mit einem hohen elektrischen Widerstand,

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worin man latente Bilder durch eine spezifische Methode erzeugt, die eine Methode der Eliminiorung von Elektrizität (electricity eliminating process) umfaßt (s. z.B. US-PS 3 041 167). Das lichtempflindliche Material mit einer Iso» lationsschicht erfordert jedoch eine spezifische Methode der Bildung des latenten Bildes. Beispielsweise erfordert ein derartiges Material mindestens zwei Ladungsstufen. Demgemäß braucht man eine komplizierte Vorrichtung.

Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Material mit einer Schutzschicht von bekanntem Typ, das latente Bilder durch eine sogenannte Carlson-Methode bilden kann, ohne daß man irgendeine spezifische Methode zur Bildung von latenten Bildern benötigt.

Es wurde versucht durch Verwendung einer Schutzschicht mit einem niederen Widerstand die genannten Schwierigkeiten zu üborwinden (s. z.B. die JA-Patentanmeldungen Nr. 42 118/197% 42 118/1979, 65 671/1979, 65 672/1979 und 65 673/1979).

Indem man eine derartige Schutzschicht mit einem niederen Widerstand bildet, kann man die Dicke der Schutzschicht auf 10 bis 20 ,um steigern und man kann das Auftreten des hohen Rostpotentials und des hohen Anstiegs während des Arbeitszyklus verhindern. Es wurde Jedoch festgestellt, daß bei dieser Methode die Ladungseigenschaften des gesamtem lichtempfindlichen Materials beeinträchtigt werden, üaher ist es nicht möglich, Bilder mit ausreichendem Kontrast zu erzielen. Diese Neigung ist besonders bei lichtempfindlichen Materialien mit einer hochempfindlichen fotoleiten« den Schicht bemerkbar.

Es ist Aufgabe der Erfindung,ein elektrofotografischos lichtempfindliches Material vorzusehen, das die genannten Schwierigkeiten Überwindet.
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Die Aufgabe der Erfindung kann man mit einem elektrofotografischen lichtempfindlichen Material lösen, das einen toitenden Träger und darauf ausgebildet nacheinander eine fotoloitonde Schicht, eine Zwischenschicht, die eine organische Metallverbindung als Hauptbestandteil enthält, und eine Schutzschicht mit geringem Widerstand umfaßt.

Die Erfindung wird durch eine Figur näher erläutert, die einen Querschnitt durch das elektrofotografische lichtempfindliche Material gemäß der Erfindung zeigt.

Dor Aufbau des elektrofotografischen lichtempfindlichen Materials gemäß der Erfindung ist in der Figur erläutert. In der Figur bezeichnet 1 eine transparente Schutzschicht mit geringem Widerstand, die ein organisches Polymeres umfaßt, das eine geeignete organische oder anorganische Verbindung zugesetzt enthält, 2 eine Zwischenschicht, die eine organische Metallverbindung enthält, 3 eine fotoleitende Schicht und 4 einen leitenden Träger.

Die Zwischenschicht 2 1st derart ausgebildet, daß sie durch das Lösungsmittel nicht angegriffen wird (z.B. gelöst oder durchdrungen wird), das man zum Aufbringen der oberen Schutzschicht verwendet. Die Zwischenschicht kann sowohl als Sperrschicht als auch als Haftschicht für eine fotoleitende Schicht und eine Schutzschicht wirken.

Beispiele für organische Metallverbindungen, die für die Zwischenschicht 2 geeignet sind, sind Metall-acetylacetonat-Verbindungen, wie z.B. Aluminium-tris-(acetylacetonat), Eisen-tris-Cacetylacetonat), Cobalt-bis-(acetylacetonat), · Kupfer-bis-Cacetylacetonat), Magnesium-tis-Xacetylacetonat), Mangan-(II)-bis-(acetylacetonat), Nickel-(II)-bis-(acetylacetonat), Vanadium-tris-Cacetylacetonat), Zink-bis-(acetylacetonat) und Zinn-bis-(acetylacetonat); Metallalko-

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holatverbindungon, wie z.B. Aluminiumisopropylat, Mono-(sek-butoxy)-alutniniumdiisopropylat , Aluminium-sekbutyrat,Ethylacetoacetataluminium-diisopropylat, Vanndium» ethylat, Vanadium-n-propylat und Vanadiumisobutyrat; und derartige Verbindungen, wie Aluminium-di-n-butoxid-monoethylacotoacetat, Aluminiumoxidoctat, Aluminiumoxidstearat und Aluminiumoxidacrylat. Von diesen Verbindungen sind Aluminium-tris-(acetylacetonat), Cobalt~bis-(acetylacetonat) und Zink-bis-(acetylacetonat) besonders bevorzugt.

Ferner wurde erfindungsgemäß festgestellt, daß eine Anzahl von organischen Titanverbindungen als organischo Metallverbindungen für die Zwischenschicht 2 geeignet sind. Beispiele für derartige Verbindungen sind organisch® Derivate von Orthotitansäure wie z.B. Titanorthoester; Polyorthotitansäureester; und Titanchelate.

Ein Titanorthoester 1st eine Verbindung mit der nachstehenden allgemeinen Formel (I):

OR₁
I ^x
R₄O - Ti - OR₂ (I)

^0R3

worin OR₁, OR₂, OR₃ und OR₄ jeweils einen Alkoxyrest, einen Carboalkoxyrost, einen Phenoxyrest, einen Sulfoxyrest oder einen Phosphoxyrest bedeuten. Beispiele für Titanorthoester sind Tetramethylorthotitanat, Tetracthylorthotitanat, Tetra-n-propylorthotitanat, Tetraisopropylorthotitanat, Tetrabutylorthotitanat, Tetraisobutylorthotitanat, Tetracresyltitanat, Tetrastearyltitanat, Tetra- -2-ethylhexyltitanat, Tetranonyltitanat, Tetraacetyltitanat, Isopropyltriisostearyltitanat oder Isopropyl-

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trlisostearoyltitanat, Isopropyltridodecylbonzolsulfonyltitanat und Isopropyl-tris-(dioctylpyrophosphat)-titnnat. Davon sind Tetramothylorthotitanat, Tetraethylorthotitanat, Tetra-n-propylorthotitanat, Tetraisopropylorthotitanat, Tetrabutylorthotitanat, Tetraisobutylorthotitanat und Tetracresyltitanat besonders bevorzugt.

Ein Polyorthotitansüureester ist eine Verbindung der nach stehenden allgemeinen Formel (II):
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OR₀

(R₁O),Ti-i-O-Ti-i- 0-Ti(OR₄), (II)

worin OR₁, OR₂, OR₃ und OR₄ die gleiche Bedeutung wio in Formel (I) haben. Beispiele für Polyorthotitansäuree.ster sind Tetrabutylpolytitanat, Tetracresylpolytitanat und Tetraacetylacetonato-polytitanat, wobei Tetrabutylpolytitanat besonders bevorzugt ist·

Ferner ist ein Titanchelat eine Sauerstoff-Koordinationsverbindung mit der nachstehenden allgemeinen Formel (III):

^T1<^L>n^X4-n ^(III)

worin L einen Chelatrest bedeutet, X einen Esterrest bedeutet und η eine ganze Zahl von 1 bis 4 ist. Beispiele für den Liganden sind Glycole wie z.B. Octylenglycol und riexandiol; ß-Diketone wie z.B. Acetylaceton; Hydroxycarbonsäuren, wie z.B. Milchsäure, Apfelsäure, Weinsaure und Salicylsäure; Ketoester, wie z.B. Acetessigsäureester; und Ketoalkohole, wie z.B. Diacetonalkohol. Beispiele für Titanchelate sind Diisopropoxytitan-bis-(octandiol), Diiso propoxytitan-bis-(hexandiol), Diisopropoxytitan-bis-

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(acetylacetonat), Titantetralactat, Titantetralactatothyl» ester und Tetratriethanolamintitan-chelat, wobei Dii.sopropoxytitan-bis-(aeetylacetonat) besonders bevorzugt ist»

Andere organische Titanverbindungen, als in den Formeln (I), (II) und (III) beschrieben sind, kann man auch für den Zweck der Erfindung verwenden, wie z.B. Titantetraammoniumlactat, Titan-(tetraacetylacetonato)-ammoniumlactat, Tetraisopropyl-bis-(dioctylphosphat)~titanat oder Tetraisopropyl-bis-(dioctylphosphyt)-titanat, Tetraoctylbis-(ditridecylphosphat)-titanat oder Tetraoctyl-bis-(ditridecylphosphyt)-titanat, Tetra~(2,2-diallylo:cymethyl-l-butyl)~bis-(ditridecylphosphat)-titanat oder Tetra-(2,2«-diallyloxymethyl-l-butyl)-bis-(ditridecylphosphyt)-titanat, Bis-(dioctylpyrophosphat)«oxyacetat~ titanat oder Bis-(dioctylpilophosphat)-oxyacetattitanat₉ Tris-(dioctylpyrophosphat)-ethylentitanat oder Tris-(dioctylpylophosphat)-othylentitanat, Diisopropyl-(dt~ triethanolamino)-titanat und Bis-(acetylacetonat)-titanoxid.

Es ist ferner möglich, eine Anzahl von organischen Zirconverbindungen, wie z.B. Zirconkomplexe und Zirconester, für die Zwischenschicht 2 zu verwenden. Beispiele für die Zirconkomploxe sind Zirconchelatverbindungen, wio z.B«, Zircon-tetrakis-iacetylacetonat), Zircondibutoxy-bis-(acetylacetonat), Zircontributoxyacetylacetonat, Zircontetrakis-(ethylacotoacetat), Zirconbutoxy-tris-(ethylacetoacetat), Zircondibutoxy-bis-iethylacetacetat), Zircontributoxymonoethylacetoacetat, Zircon-tetrakis-(ethyllactat), Zircondibutoxy-bis-iethyllactat), Bis-(acetylacetonat)-bis-(ethylacetoacetat)-zircon,^y Monoacetylacetonat» tris~(ethylacetac©tat)-zircon und Bis-(acetylacetonat)-bis-(ethylacetat)-zircon oder Bis-(acetylacetonat)-bis-(ethyllactat)-zircon; und andere Komplexe, wie z.B.

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Zircontrifluoracetylaceton· Beispiele für Zirconester sind Zircon-n-butyrat und Zircon-n-propylat. Von diesen organischen Zirconverbindungen sind Zircon-tetrakis-(acetylacetonat), Zircondibutoxy-bis-Cacetylacetonat), Zircontributoxyacetylacetonat und Zircon-n-butyrat besonders bevorzugt· Unter Zirconverbindungen sind Verbindungen des Metalls Zirconium zu verstehen.

Diese organischen Metallverbindungen kann man allein oder

in beliebiger Kombination verwenden. Ferner kann man zur Verbesserung ihrer Haftfähigkeit, zur Regelung ihres Widerstandes und fUr andere Zwecke die genannten Verbindungen in Form einer Mischung mit anderen organischen Harzverbindungen verwenden·

Die Zwischenschicht verhindert das Eindringen von elektrischen Ladungen auf der Oberfläche der Schutzschicht in die fotoleitende Schicht. Wenn die Zwischenschicht zu stark elektrisch isolierend ist, werden jedoch die Ladungen an der Grenzfläche zwischen der Schutzschicht und der Zwischenschicht angesammelt und erhöhen das Restpotential« Das erhöhte Restpotontial bewirkt die Bildung von Schleiern. Daher muß die Zwischenschicht in einem solchen Ausmaß elektrisch isolierend sein, daß sich die Ladungen nicht an der Grenzfläche sammeln und die Bildung von Schleiern bewirken,sondern die Ladungen an der Grenzfläche aufgefangen werden und beim Belichten sich mit den Ladungen vereinigen können, die in der fotoleitenden Schicht erzougt werden. Daher weist die Zwischenschicht im allgemeinem einen elektrischen Widerstand von 10 bis 10 Ά cm, vorzugsweise 10 bis 10 *A»cm auf. Zu diesem Zweck kann man ggf. ein den Widerstand regelndes Mittel zu der Zwischenschicht zugeben. Das den Widerstand regelnde Mittel darf nicht die Lichtdurchlässigkeit verhindern und die Haftung zwischen der Schutzschicht und der fotoleitenden Schicht verschlechtern.

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Beispiele für Mittel, die den Widerstand regeln, sind Silicatverbindungen, wie z.B. Tetramethylorthosilicat, Tetraethylorthosilicat, Tetra-n-propylsilicat, Tetraniothylglycolsilicat, Tetraethylglycolsilicat, Silikonaluminiumester oder Siliciumaluminiumester, Methylpolysilicat und Ethylpolysilicat; und Silankopplungsmittol, wie z.B«, Vinyltrichlorsilan, Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Vinyl-tris-(ß-mothoxyethoxy)-3ilan, JT-Aminopropyltriethoxysilan, ÜT-Aminopropyltrimethoxysilan, Imidazolinsilan, N-Aminoethylaminopropyltrimethoxysilan, Triaminosilan, ,^-Chlorpropyltrimethoxysilan, Ä^-Chlorpropyltriethoxysilan, ^-Methacryloxypropyltrimethoxysilan,, Jf-Glycidyloxypropyltrimethoxysilan, y-Mercaptopropylmethoxysilan und ß-Mercaptoethyltriethoxysilan. Von diesen Verbindungen sind Tetramothylorthosilicat, Tetraethylorthosilicat, Ethylpolysilicat, Vinyl-tris-(ß~methoxyethoxy)-silnn und ^-Glycidyloxypropyltrimethoxysilan besonders bevorzugt. Das Mittel, das den Widerstand regelt„ wird in einer Menge von 1 bis 45 Gew.-%, vorzugsweise 10 bis 35 Gew.-% zu,bezogen auf das Gesaratgewicht der Zwischenschicht, zugegeben.

Es gibt keine spezielle Begrenzung der Dicke der Zwischenschicht 2. Die Dicke beträgt jedoch vorzugsweise weniger als 10 /um und insbesondere weniger als 1 /um.

Die Zwischenschicht kann man mit einer beliebigen üblichen Beschichtungsmethode aufbringen, wie z.B. Sprühauftrag, Auftrag durch Tauchen, Aufstreichen mit dom Messer oder Aufwalzen. Die Überzugslösung der Zwischenschicht härtet man vorzugsweise bei normaler Temperatur oder nahe dor Temperatur nach dem Aufbringen der fotoleitenden Schicht _t da die fotoleitende Schicht kristallisieren und sich in ihrer Sensibilität aufgrund der Wärme verschlechtern kann, wenn man den Überzug bei einer hohen Temperatur härtet,

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Dahor gibt man vorzugsweise einen Katalysator zur Beschleunigung der Iltlrtungsreaktion in der Uborzugslösung zu, um den Überzug bei normaler Temperatur zu härten. Beispiele für derartige Katalysatoren sind Naphthenate von Aluminium, Zink, Blei, Cobalt, Mangan oder Zircon und Octenate von Cobalt oder Mangan. Den Katalysator gibt man in einer Menge von 1 bis 10 Gew.-% zu, bezogen auf das Gewicht des festen Bestandteils in der Uberzugslösung.

Die fotoleitende Schicht für dae lichtempfindliche Material gemäß der Erfindung ist beispielsweise eine im Vakuum abgeschiedene Schicht von Se, So/Te-Legierun|pöder Se/As-Legierung; im Vakuum abgeschiedene mehrfache Schichten einer geeigneten Kombination der genannten Materialien; oder eine Schicht aus einem organischen Fotoleiter bzw. Lichtleiter, wie z.B. Polyvinylcarbazol/ 2,4,7-trinitro-9-fluorenon (PVK/TNF), oder aus einem anorganischen Fotoleiter, wie z.B. ZnO oder CdS, disporgiert in einem Bindemittel. Man kann ferner eine Verbundfolie (Laminat) bzw. dünne Schicht aus einer ladungserzeugenden Schicht und einer ladungstransportierenden Schicht verwenden.

Die Schutzschicht kann eine Schicht aus einem organischen Polymeren umfassen, das eine geeignete organische Verbindung oder eine anorganische Verbindung zugesetzt onthält. Ausgezeichnete Ergebnisse erzielt man, wenn man ein elektrisch leitendes Material verwendet, das aus einom organischen Polymeren mit ^einem Gehalt an einem Elektronendonor und/oder einem Elektronenakzeptor gebildet ist.

Ähnliche Ergebnisse erzielt man unter Verwendung einos elektrisch leitenden Materials, das aus einem organischen Polymeren gebildet ist, das darin disporgiert ein elektrisch leitendes Metall oder Metalloxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von weniger als 0,3 ,um,

insbesondere weniger als 0,15 /Um enthält. Wenn di· Teil-Fuji Xerox-3528 -11-

chengröße mehr als ο,3 ,um beträgt, wird die Schicht opak, wohingegen bei einer Teilchengröße von weniger als 0,3 ,um die Schicht im wesentlichen transparent wird und daher di® Lichtdurchlässigkeit nicht verhindert.

Beispiele für organische Polymere, die man als Bindemittel für die Schutzschicht verwenden kann, sind P lystyrol, Acrylharze, Polyamide, Polyester, Polyurethane, Polycarbonate, Polyvinyl» formaldehyd, Polyvinylacetat Polyvinylbutyraldehyd, Ethylcellulose, Nitrocellulose und Celluloseacetat. Praktische Beispiele für Materialien, die man einer derartigen Schutzschicht zugeben kann, sind Metallocen und eine Verbindung, die mindestens ein Metallocengerüst in der Molekülstruktur aufweist; Tetrazol und eine Verbindung, die mindestens ein Tetrazolgerüst in dor Molekülstruktur aufweist; das Pulver eines Metalls, wie z.B. Gold, Silber, Aluminium, Eisen, Kupfer oder Nickel mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 0,3 /Um; das Pulver eines Metalloxides, wie z.B. Zinkoxid, Titanoxid, Zinnoxid, Bismutoxid, Indiumoxid oder Antimonoxid, mit einer mittleren Teilchengröße von weniger als 0,3 ,um; und ein Pulver mit einem Gehalt an Zinnoxid und Antimonoxid in einem einzelnen Teilchen.

Die Erfindung betrifft also ein elektrofotografisches lichtempfindliches Material. Das Material enthält eine leitende Trägerbasis. Auf der Oberfläche der Basis ist eine fotoleitende Schicht vorgesehen. Aus der Oberfläche der fotoleitenden Schicht ist eine Zwischenschicht vorgesehen, die eine organische Metallverbindung als Hauptbestandteil enthält. Oben auf der Zwischenschicht ist eine Schutzschicht mit einem geringen Widerstand vorgesehen. Das Material kann einen elektrostatischen Kontrast erzielen, der jenen von üblichen lichtempfindlichen Materialien stark überlegen ist.

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Die elektrofotografischen lichtempfindlichen Materialien gemäß der Erfindung werden nachstehend durch Beispiele und Vergleichsbeispiele näher erläutert.

Vergleichsbeispiel 1;

In Dichlormethan löste man 80 Gew.-Teile Polycarbonat und 20 Gew.-Teile Dimethylferrocen. Die Lösung brachte man als Überzug auf eine aus dem Dampf abgeschiedene Schicht (55 ,van dick) von As₃So₃ auf, die man auf einer Aluminiumgrundplatte gebildet hatte, trocknete und erhielt ein lichtempfindliches Material mit einer Schutzschicht von 10 /um Dicke.

Die aus dem Dampf abgeschiedene Schicht von As₀Se., dos lichtempfindlichen Materials (ohne die Schutzschicht) lud man positiv auf und belichtete sie mit einer Wellenlänge von 4CO nm bei einem Anfangspotential von 800 V.

Diosen Arbeitsgang wandte man wiederholt auf die Schicht mit einor Geschwindigkeit von 40 Arboitsgiingen/min an. Das Itestpotontial war bei 0 V stabil. Wenn man andororseits die aus dem Dampf abgeschiedene Schicht von As₀Se,, des lichtempfindlichen Materials mit der Schutzschicht dem Aufladen und der Belichtung unter den gleichen Bedingungen unterwarf, betrug das Anfangspotential 200 V, und das Restpotential war bei 100 V stabil.

Daher zeigte das lichtempfindliche Material vom Aa₀So.,-Typ mit einer Schutzschicht einen wesentlich geringeren elektrostatischen Kontrast als das lichtempfindliche Material ohne eine derartige Schutzschicht.

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Beispiel 1:

Eine aus dem Dampf abgoschiodono Schicht von As_oSe.> bildet® man auf einer Aluminiumgrundplatte wie in Vergleichsbeispiel 1. Die Schicht überzog man ferner mit einer Harzlösung, die 1 Gew.-Teil Ethylacetoacetataluminiumdiisopropylat (ALCH von Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.) und 10 Gew.-Teile Isopropylalkohol enthielt, durch Eintauchen und Trocknen bei 50 ⁰C 2h und bildete eino Zwischenschicht von 0,5 /Um Dicke. Danach bildete man eine Schutzschicht von 10 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie im Vergleichsboispiel 1 zusätzlich auf der Schicht, Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsboispiel

1 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangs-

potential 910. V und das Restpotential war bei 105 V stabil«, Daher betrug der elektrostatische Kontrast 305 V, und war jenen des lichtempflindlichon Materials überlegen, das nur die Schutzschicht aufwies, und war gleich wie jener des lichtempfindlichen Materials ohne Schutzschicht.

Beispiel 2:

Eine aus dem Dampf abgeschiedene Schicht von As₂Se₃ bildet© man auf einer Aluminiumgrundplatte wie in Vergleichcbeispiol 1. Die Schicht überzog man mit einer Harzlösunc, die

2 Gew.-Teile Zink-bis-(acetylacetonat), 1 Gew.-Teil Silankopplungsmittel (KBM 503 von Shinetsu Chemical Co., Ltd.) und 20 Gew.-Teile n-Butylalkohol enthielt. Den Überzug formte man durch Aufsprühen und Trocknen bei 100 ⁰C 30 min und bildete eine Zwischenschicht von 0,5 ..um Dicke. Danach bildete man eine 10 ,um dicke Schutzschicht dor gleichen Zusammensetzung wie in Vergloichsboispiel 1 auf der Schicht. Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 1 wiederholt auflud und belichtete,

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botrug das Anfangspotential 900 V und das Rostpotontial botrug 105 V, Daher botrug der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials 795 V und war der gleiche wie jener des lichtempfindlichen Materials ohne Schutz» schicht.

Beispiel 3:

Eine aus dem Dampf abgeschiedene Schicht von As₃Se₃ bildete ' man auf einer Aluminiumgrundplatte wie in Vergleichsbeispiel 1.

Danach überzog man die Schicht mit einer Lösung, die 1 Gew„-Teil Cobalt-(II)-acetylacetonat und 10 Gew.-Teile n-Butylalkohol enthielt. Die als Überzug aufgebrachte Schicht trocknete man 2 h bei 50 ⁰C und bildete eine Zwischenschicht von 0,3 /um Dicke, Eine Schutzschicht von 10 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Beispiel 1 bildete man auf der Schicht.

Als man die lichtempfindliche Schicht wie in Vergleichsbeispiel 1 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 910 V und das Restpotential betrug 100 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast des licht- \ empfindlichen Materials 810 V, der dem elektrostatischen | Kontrast des lichtempfindlichen Materials ohne Schutzschicht weiter überlegen war·

Vergleichsbeispiel 2:

In Dichlormethan löste man 80 Gew.-Teile eines PoIyacrylatharzes (U-Polymeres von UNITIKA Ltd.) und 20 Gew.-Teile Ferrocen. Die Lösung brachte man als überzug

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auf einon Fotoleiter vom Doppelschichttyp auf, der eine aus dem Dampf abgeschiedene Se-Sehicht (50 ,um dick) und eine aus dem Dampf abgeschiedene Se/Te-Legierungsschicht (1 ,um dick) enthiolt, die auf einer Aluminiumtrommol von 300 mm Länge ausgebildet waren, trocknete und erhielt ein lichtempfindliches Material mit einer Schutzschicht von 15 ,um Dicke·

Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleich©» beispiel 1 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 400 V₁ und das Restpotential war boi 90 V stabil.

Wenn man andererseits das lichtempfindliche Material mit der beschriebenen aus dem Dampf abgeschiedenen Se-Se/Te» Doppelschicht, jedoch ohne Schutzschicht unter don beschriebenen Bedingungen wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 900 V und das Restpotential betrug 10 V. Domgemäß wies das lichtempfindliche Material vom So-Se/Te-Doppelschichttyp mit der Schutzschicht einen sehr geringen elektrostatischen Kontrast im Vergleich zu dem lichtempfindlichen Material ohne Schutzschicht auf.

Beispiel 4i

Auf gleiche Weise wie im Vergleichsbeispiel 2 bildete man eine lichtempfindliche Schicht, die eine aus dem Dampf als überzug abgeschiedene Doppelschicht vom Se-Se/Te-Legierung umfaßte, auf einer Aluminiumtrommel. Danach brachte man eine Lösung, die 1 Gew.-Teil von Zink-bis-(acetylacetonat) und 10 Gew.-Teile n-Butanol enthielt, auf der Schicht durch Aufsprühen auf. Den Überzug trocknote man 3 h bei 40 ⁰C und bildete eine Zwischenschicht von 0,3 ,um Dicke. Danach bildete man eine Schutzschicht von

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15 yum Dicke dor gleichen Zusammensetzung wie im Vergloichsboispiel 2. Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsboispiel 2 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 990 V, und das Uestpotential betrug 100 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials 890 V und war der gleiche wie der des lichtempfindlichen Materials ohne Schutzschicht.

Als man einen Kopiertest mit einer Entwicklungsmethode mit einer magnetischen Bürste (magnetic brush development process) unter Verwendung des lichtempfindlichen Materials durchführte, erhielt man sehr scharfe Bilder, die dem Belichtungsmuster entsprachen«

Vergleichsbeispiel 3:

Das lichtempfindliche Material mit einer aus dom Dampf abgeschiedenen Doppelschicht von Se-Se/Te wie in Vergleichsbeispiel 2 überzog man mit einer Harzdispersion, die man hergestellt hatte, indem man 30 Gew.-Teile Zinnoxid mit einer Teilchengröße von weniger als 0,1 ,um in 70 Gew.-Teilen (als Feststoffgehalt) Polyurethanharz (Rethan 4000 von Kansai Paint Go., Ltd.) dispergierte. Den Überzug trocknete man und bildete eine Schutzschicht von 10 ,um Dicke. Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 1 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 150 V und das Restpotential betrug 35 V, wobei der elektrostatische Kontrast sehr gering war.

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Beispiel 5:

Eine lichtempfindliche Schicht, die eine So-Se/Te-Doppelschicht wie in Vergleichsbeispiel 2 umfaßte, überzog man mit einer Lösung, die 1 Gew.-Teil Ethylacetoacetataluninium isopropylat (ALCII von Kavaken Fine Chemical Co., Ltd.) und 10 Gew.-Teile n-Butanol enthielt, durch Überziehen durch Eintauchen. Den Überzug trocknete man und bildete ©ine Zwischenschicht von 0,5 »um Dicke. Danach bildeto man eine Schutzschicht von 10 Atm Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vergleichsbeispiel 3.

Als man das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsboispiel 1 wiederholt auflud und belichtete, betrug das Anfangspotential 990 V, und das Restpotontial war bei 100 V stabil. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 890 V und war der gleiche wie jener des lichtempfindlichen Materials ohne Schutzschicht.

Als man einon Kopiertest mit einer Entwicklungsmethode mit einer magnetischen Bürste unter Verwendung des lichtempfindlichen Materials durchführte, erzielte man sohr scharfe Bilder, die dem Belichtungsmuster entsprachen.

Beispiel 6:

Eine aus dom Dampf abgeschiedene ASoSo^-Schicht bildete man auf oinor Al-Grundplatte, wie in Vergleichsboispiel 1. Danach brachte man auf der Schicht durch Eintauchen eine Harzlösung als Überzug auf, die 1 Gew.-Teil Totra-n-butylorthotitanat (Orgatics TA 25 von Matsumoto Kosho K.K.) und 10 Gow.-Teile Isopropylalkohol enthielt, trocknete danach 2 h bei 100 ⁰C und erhielt eine Zwischenschicht von 0,5 y

Dicke. Danach bildete man auf der Schicht eine Schutz-Fuji Xerox-3528 -18-

schicht von 10 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzunn wie in Vergleichsboispiel 1. Als man den Arbeitsgang dos AufIadons und Belichtons wiederholt auf das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 1 anwandte, betruc das Anfangspotential 900 V_t und das Restpotential betrug 105 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 795 V, und demgemäß waren die Eigenschaften im Vergleich zu dom lichtempfindlichen Material stark verbessert, dasnur eine Schutzschicht aufwies. Die charakteristischen Eigonschaf-

3-0 ton waren die gleichen wie die des lichtempfindlichen Materials ohne eine derartige Schutzschicht.

Beispiel 7ϊ
15

Eine aus dem Dampf abgeschiedene ASgScg-Schicht bildete man auf «iner Al^-Grundplatte wie in Vergleichsbeispiel 1. Danach brachte man auf der Schicht durch Aufsprühen eine Harzlösung als Überzug auf, die 1 Gew.-Teil Totra-nbutylorthotitanat, 1 Gew.-Teil Methyl-(trimethoxy)-silan, 30 Gew.-Teile Isopropylalkohol und 5 Gew.-Teile n-Butylalkohol enthielt. Die als Überzug aufgebrachte Schicht unterwarf man danach der Hydrolyse bei 50 ⁰C und einer hohen Feuchtigkeit von 80 % relativer Feuchtigkeit (RH). Don überzug trocknete man danach 2 h bei 100 ⁰C und bildote eine Zwischenschicht von 0,3 ,um Dicke. Danach bildete man auf der Schicht eine Schutzschicht von 15 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vergleichsbeispiol 1. Den Vorgang des Aufladens und Belichtens wandte man danach auf das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 1 an. Das Anfangspotontial betrug 935 V, und das Restpotential betrug 140 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 795 V und war der gleiche wie der des lichtempfindlichen Materials ohne eine derartige Schutzschicht.

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Beispiel 8:

Eine aus dem Dampf abgeschiedene As_oSe«-Schicht bildet® man auf einer Al-Grundplatte wie in Vergloichsboispiel I Danach brachte man auf der Schicht durch Aufsprühen oine Lösung als Überzug auf, die 2 Gew_o<- Teile Diisoproporcytltan-bls-iacetylacetonat), 1 Gew„-T©il iT-Acryloxypropyl· trimethoxysilan (KBM 503 von Shinetsu Chemical Co», Ltd«) und 20 Gew.-Teile n-Butanol enthielt, trocknet© danach 2 h bei 100 ⁰C und bildete ein© Zwischenschicht von 0,6 y Dicke. Danach bildete man auf d®r Schicht ©in© Schutzschicht von 10 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vergleichsbeispiel 1.

Als man don Arbeitsgang dos Aufladens und Bolichtons wiederholt auf das lichtempfindliche Material wi© in Vergleichsbeispiel 1 anwandte, betrug das Anfangspotential 920 V₁ und das Restpotential betrug 120 V_e Demgemäß uetrug der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials 800 V und war der gleic.b© vie der elektrostatische Kontrast d©s licht©mpfiadll©&©a Materials ©ha© oin©$ derartige Schutzschicht„

Beispiel 9:

Auf eine lichtempfindliche Schicht vom. Se»So/T©-Doppol« schichttyp wie in Vergleichsbeispiel 3 brachte man durch Aufsprühen eine Lösung als Überzug auf _g die 2 Gow.-Toile Diisopropoxytitan-bis-iacotylacetonat), 1 Gew.-Teile eines Slliconopoxyharzes (SR 2115 von Toray Silicone Co., Ltd«) und 20 Gew.-Teile Butylacetat enthielt, trocknete danach 3 h bei 40 ⁰C und bildete ein® Zwischenschicht voa 0,5 /um Dicke.

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Danach bildete man auf der Schicht eine Schutzschicht von 20 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vorgleichsbeispiel 3. Als man den Arbeitsgang des Aufladens und Belichtens wiederholt auf das lichtempfindliche Material wie in Vergloichsbeispiel 3 anwandte, betrug das Anfangspotontial 1000 V und das Restpotential betrug 200 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 300 V und war der gleiche wie Jener des lichtempfindlichen Materials ohne eine derartige Schutzschicht. Als man einen Kopiertest mit einer Entwicklung mit einer magnetischen Dürste unter Verwendung des lichtempfindlichen Materials durchführte, erzielte man ein sehr klares Bild des Belichtungsmusters.

Beispiel 10:

Eine aus dem Dampf abgeschiedene ASgSe-j-Schlcht bildote man auf einer Al-Grundplatte wie in Vorgleichsbeispiol Eine Ilarzlösung, die 1 Gew.-Teil Zircontetra-n-butyrnt und 10 Gew.-Teile Isopropylalkohol enthielt, brachte man als Überzug auf der Schicht durch Überziehen durch Eintauchen auf, trocknete 2 h bei 40 ⁰C und bildete eine Zwischenschicht von 0,5 ,um Dicke. Eine Schutzschicht von 10 ,um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vergleichsbeispiel 1 brachte man danach auf der Schicht auf. Als man den Arbeitsgang des Aufladens und Belichtens wiederholt auf das lichtempfindliche Material wie in Vorgleichsbeispiol 1 anwandte, betrug das Anfangspotential Θ00 V, und das Restpotential betrug 103 V,

Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 797 V und es waren die charakteristischen Eigenschaften im Vergleich zu jenen des lichtempfindlichen Materials stark verbossort, das nur die Schutzschicht aufwies. Die charakteristischen

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Beispiel 11:

Eine aus dem Dampf abgeschieden© As₀Se^-SChIcUt bildete ma» auf einer Al-Grundplatte wie in Vergleichsbeispiol 1» Danach brachte man auf der Schicht durch Aufsprühen eine Harzlösung als Überzug auf, die 1 Gew.-Teil Zircon-totrakie» (acetylacetonat), 1 Gew.-Teil Methyl~(trimethoxy)-silan, 30 Gew.-Teile Isopropylalkohol und 5 Gow„-Toile n-Butylalkohol enthielt. Den Überzug trocknete man 2 h bei 40 ⁰C und bildete eine Zwischenschicht von O₉3 ,um Dicke.

Danach bildete man auf der Zwischenschicht eine Schutzschicht von 15 /um Dicke wie in Vergleichsbeispiel 1. Als man den Arbeitsgang des Aufladens und Bolichtens wie in Vergleichsbeispiel 1 wiederholt auf das lichtempfindliche Material anwandte, betrug das Anfangspotential 935 V, und das Rostpotential betrug 145 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials 790 ¥ und war der gleiche wie jener des lichtempfindlichen Materials ohne eine derartige Schutzschicht.

Beispiel 12:

Eine aus dem Dampf abgeschieden© ASnSOg-Schicht bildete man auf einer Al-Grundplatte wie in Vorgleichsbeispiel 1. Danach sprühte man eine Lösung, die 2 Gew.-Teile Zircontetrakis-(acetylacetonat), 1 Gew.-Teil if-Acryloxypropyl» trimethoxysilan (KBM 503 von Sinetsu Chemical Co., Ltd.) und 20 Gew.-Teile n-Butanol enthielt, als überzug auf die Schicht auf. Den überzug trocknet® man 2 h bei 100 ⁰C

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und bildete eine Zwischenschicht von 0,6 .um Dicke. Danach bildoto man auf der Schicht eine Schutzschicht von 10 /Um Dick© der gleichen Zusammensetzung wie in Vergleichsbolspiel 1.

Als man den Arbeitsgang des Aufladens und Bolichtens wiederholt auf das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 1 anwandte, betrug das Anfangspotontial 915 V, und das Restpotential betrug 115 V. Demgemäß betrug.

der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials 300 V und war der gleiche wie der elektrostatische Kontrast des lichtempfindlichen Materials ohne eine Schutzschicht.

Beispiel 13:

Auf eine lichtempfindliche Schicht vom Se-Se/Te-Doppolschichttyp wie in Vergleichsbeispiel 3 sprühte man eine Lösung als Überzug auf, die 2 Gew.-Teile Zircontetran-butyrat, 1 Gew.-Teil Dimethyl~(dimethoxy)-silan und 20 Gew.-Teile Isopropylalkohol enthielt. Den Überzug trocknete man 3 h bei 40 ⁰C und bildete eine Zwischenschicht von 0,5 ,um Dicke.

Danach bildete man auf der Zwischenschicht eine Schutzschicht von 20 /Um Dicke der gleichen Zusammensetzung wie in Vorgleichsbeispiol 3. Als man den Arbeitsgang des Aufladens und Belichtons wiederholt auf das lichtempfindliche Material wie in Vergleichsbeispiel 3 anwandte, betrug das Anfangspotential 995 V, und das Restpotential betrug 195 V. Demgemäß betrug der elektrostatische Kontrast 800 V und war der gleiche wie jener des lichtempfindlichen Materials ohne eine derartige Schutzschicht. Als man einen Kopiertest mit einer Entwicklungsmethode mit einer magnetischen

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Dürsto unter Verwendung des lichtempfindlichen Materials durchführte, erzielte man ©in sehr klares Bild des Bolthtungsnuasters.

Die elektrofotografischen lichtempfindlichen Materialien mit einer Zwischenschicht gemäß der Erfindung weisen folgende Vorteile gegenüber üblichen elektrofotografie schon lichtempfindlichen Materialien mit einer Schutzschicht mit geringem Widerstand auf, die auf dor Ob©rfläche der fotoleitendon Schicht ausgebildet istt

II) das Restpotential wird stabil;

III) die Veränderungen des Anfangspotentials und des

Itestpotontials sind sogar bei wiederholten Kopierarbeitsgilngen minimalisiert bsw* auf das Mindestmaß gebracht;

IV) das Ablösen der Schutzschicht von der fotoleitenden Schicht kann vorhindert werden; und

V) weil man die Zwischenschicht bei einer normalen Temperatur bilden kann, ist die fotololtende Schicht frei von Beeinträchtigungen (z.B. Kristallisation und Veränderungen in der Empfindlichkeit), di® auf der Wärme während der Bildung der Zwischenschicht

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Claims

Patentansprüche:

1. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material, gekennzeichnet durch

- einen leitenden Träger mit einer Oberfläche;

- eine fotoleitende Schicht, die auf der Oberfläche ausgebildet ist;

- eine Zwischenschicht, die auf der fotoleitenden Schicht ausgebildet ist, wobei die Zwischenschicht eine organische Metallverbindung als ihren Hauptbestandteil enthält; und

- eine Schutzschicht mit geringem Widerstand«

2. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Verbindung aus der aus Aluminium-tris-(acetylacetonat), Eisen-tris-Cacetylacetonat), Cobalt-bls-(acetylacetonat), Kupfer-bis-iacetylacetonat), Magnesium-bis-Cacetylacetonat), Mangan-(II)-bis~(acetylacetonat), Nlckel-(II)-bis-(acetylacetonat), Vanadium-tris-(acetylacetonat), Zink-bis-(acetylacetonat), Zinn-bis-Cacetylacetonat), Aluminiumisopropylat, Mono-(sok-butoxy)-aluminiumdiisopropylat, Aluminiumsek-butyrat,Ethylacetoacetataluminiumdilsopropylat, Vanadiumethylat, Vanadlum-n-propylat, Vanadiumisobutyrat, Aluminium-di-n-butoxid-mono-ethylacetoacetat, Aluminiumoxidoctat, Aluminoxidstearat und Aluminiumoxidacrylat bestehenden Gruppe als organische Metallverbindung.

3. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material

nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch Aluminium-tris-(acetylacetonat), Cobalt-bis-(acetylacetonat) oder Zink-bis-(acetylacetonat) als organische Metallverbindung·

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4. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine organische Titanverbindung als organische Metallverbindung·

5. Elelctrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Verbindung aus der aus Titanorthoestern, PoIyorthotitansäureestern und Titanchelaten bestehenden Gruppe als organische Titanverbindung.

6. Elelctrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Verbindung aus der aus Tetramethylorthotitanat, Tetraethylorthotitanat, Tetra-n-propylorthotitannt, Tetraisopropylorthotitanat,

Tetrabutylorthotitanat, Tetraisobutylorthotitanat, Tetracresyltitanat, Tetrabutylpolytitanat und Diisopropoxytitan-bis-(acetylacetonat) bestehenden Gruppe als organische Titanverbindung.

7. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine organische Zirconverbin» dung als organische Metallverbindung.

8. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine Verbindung aus der aus Zirconkomplexen und Zirconestern bestehenden Gruppe als organische Zirconvorbindung.

9. Elektrofotografiscb.es lichtempfindliches Material nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Verbindung aus der aus Zircon-tetrakis-(acetylacotonat)_p

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Zircondibutoxy-bis-iacetylacetonat), Zircontributoxyacetylacetonat und Zircon-n-butyrat bestehenden Gruppe als organische Zirconverblndung.

10. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 ,um oder weniger.

11. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Zwischenschicht mit einer Dicke von 1 ,um oder weniger.

12. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Zwischenschicht mit einem

ft t Λ

elektrischen Widerstand von 10 bis 10 Λ cm.

13. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine

Zwischenschicht mit einem elektrischen Widerstand von 10¹⁰ bis 10¹³Λαη.

14. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere Anspruch 1, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht ein den Widerstand regelndes Mittel enthält.

15. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch ein den Widerstand regelndes Mittel aus der aus Sillcatverbindungen und Silankopplungsmitteln bestehenden Gruppe.

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IS«, EI@ktr©£©tog2°aflaches lichtempfindliches Material »aeii

einem ä@v vorhergehend©« kennzeichnet ©Iraen Katalysator

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einem der k β η η ζ

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Ansprüche „ dadurch g © ■=> © t _v daß di@ Schutzschicht οία s mit ©ia©säfä (Satolt an ®ia©ra

umfaßt,

18, Elektrofotegs'aflscfe@s llchtempfiiadlichos Material aaeli IS einem der i7or!ierg®h©stdea Anspruch®

kennzoiehöet „ daß di© organisches Polymeres umfaßt_p das tendes Metalloxid mit ein@p

ctotzschicht ©ia ©!©ktrisch l©i

19. Elektrofotografische© licht®mp£indlich©s

einem d©r v©rherg@li©mci©n Anspruch® _p g © k θ a a = zeichnet durch ©ia® fot®l©it@nd© Schicht_p di© ein© im Vakuum abgeschieden© Schicht von S©„ S©/T®«= 25 Legierung oder Se/As-Legierung ist.

20. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Schicht eines organischen 30 Potoleiters als fotoleitende Schicht.

21. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine in einem Bindemittel 35 gierte ZnO-Schicht als fotoleitende Schicht.

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22. Elektrofotografisches lichtempfindliches Material nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine in einem Bindemittel dispergierte CdS-Schicht als fotoleitende Schicht. 5

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