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DE320435C - Touch detector - Google Patents

Touch detector

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Publication number
DE320435C
DE320435C DE1918320435D DE320435DD DE320435C DE 320435 C DE320435 C DE 320435C DE 1918320435 D DE1918320435 D DE 1918320435D DE 320435D D DE320435D D DE 320435DD DE 320435 C DE320435 C DE 320435C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
detector
touch detector
contact
noble gas
point
Prior art date
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Expired
Application number
DE1918320435D
Other languages
German (de)
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Individual
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Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Application granted granted Critical
Publication of DE320435C publication Critical patent/DE320435C/en
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

Berührungsdetektor. Berührungsdetektoren, bei denen zwecks Steigerung der Empfindlichkeit die wellenempfindliche Berührungsstelle in einem Hochvakuum oder in verdünnten Gasen o der Dämpfen angeordnet ist, sind bereits bekannt. Bei diesen Detektoren werden infolge Abwesenheit der atmosphärischen Luft Wärmekonvektionsströme verhindert, die die Kristallspitzchen der Detektorsubstanz (Silizium usw.) abkühlen. Infolgedessen entsteht an der Berührungsstelle eine höhere Temperatur und daher bei gleicher Stärke . des aufgenommenen Wechselstromes eine größere thermoelektrische Kraft (im Falle eines Thermodetektors) bzw. ein größerer spezifischer Widerstand (im Falle eines nicht "dem Ohmschen Gesetz gehorchenden Widerstandsdetektors), so daß der Detektor verhältnismäßig mehr von dem aufgenommenen hochfrequenten Wechselstrom in den Empfänger als Gleichstrom überleitet.Touch detector. Touch detectors, in which to increase the sensitivity the wave-sensitive contact point in a high vacuum or arranged in dilute gases or vapors are already known. at These detectors are exposed to heat convection currents due to the absence of atmospheric air prevents the crystal tips of the detector substance (silicon, etc.) from cooling down. As a result, a higher temperature arises at the point of contact and therefore with the same strength. of the absorbed alternating current a greater thermoelectric Force (in the case of a thermal detector) or a larger specific resistance (in the case of a resistance detector not obeying Ohm's law), see above that the detector comparatively more of the recorded high-frequency alternating current transferred to the receiver as direct current.

Gemäß der Erfindung wird als Füllung für den Glaskolben derartiger Detektoren ein Edelgas oder Edelgasgemisch in beliebiger Verdünnung verwendet. Hierdurch wird eine höhere Unempfindlichkeit gegen Fremdeinflüsse, wie atmosphärische - Störungen oder Hochfrequenzeinwirkungen des benachbarten Senders u. dgl., erzielt. Die gesteigerte Unempfindlichkeit dürfte sich daraus erklären, daß der Störungsstrom ein verschiedenes Verhalten zeigt, je nachdem ob er in der Durchlaßrichtung des Detektors oder in der entgegen= gesetzten Richtung fließt. Im ersteren Falle gleicht er sich fast ohne Wärmeentwicklung aus, da der Widerstand, den er auf seinem Wege findet, sehr gering ist (i2W ist klein); im anderen Falle trifft er dagegen einen sehr hohen Widerstand an und zerstört alsdann mittels starker Wärmeentwicklung (i2w ist groß-) die Berührungsstelle. Im Edelgas hingegen hat der Strom auch im letzteren Falle nur einen unschädlichen Elektrizitätsübergang zur Folge. Letzterer kommt dadurch zustande, daß beim Auftreten einer relativ hohen Fremdspannung an den Polen des Detektors (5 bis 2o Volt) der Widerstand, der sonst in dieser Stromrichtung auftreten würde, sinkt, indem infolge der sehr geringen Durchbruchs-Spannung der Edelgase die freien Elektronen des Metalls resp. der leitenden Substanzen zwischen den der Berührungsstelle benachbarten Kristallkanten und -spitzen Lind der nahe gegenüberliegenden Oberfläche des Metalldrahtes schon bei sehr geringem Potential übergehen. Die für den Durchbruch der Elektronen aus der Metalloberfläche nötige kritische Feldstärke von i Million Volt pro Zentimeter ist bei einem Abstand von o,= ,u (1/"", mm) und =o Volt Elektrodenspannung erreicht (vgl. E a rh art Phil. Mag. Igor, Band VI, i, Seite 147 und ferner J. J. Thomson, Elektrizitätsdurchgang in Gasen, übersetzt von Marx, igo6, Seite 3$6, 3$7 und q.07). Eine weitere Ursache ist darin zu finden, daß bei Edelgasen wegen ihrer geringen chemischen Affinität eine Oxydation o. dgl. Verschlechterung der wirksamen Detektorstellen, wie solche bei Stromüberlastung leicht eintritt, verhindert wird.According to the invention, such a filling is used for the glass bulb Detectors use a noble gas or noble gas mixture in any dilution. Through this becomes a higher insensitivity to external influences, such as atmospheric disturbances or high frequency effects of the neighboring transmitter and the like., Achieved. The increased Insensitivity is likely to be explained by the fact that the disturbance current is a different Behavior shows, depending on whether it is in the forward direction of the detector or in the opposite = opposite direction flows. In the former case it is almost the same without heat development, because the resistance that he finds on his way is great is low (i2W is small); in the other case it hits a very high one Resistance on and then destroys by means of strong heat development (i2w is large) the point of contact. In the noble gas, on the other hand, the current also has in the latter case only result in a harmless transfer of electricity. The latter comes from it comes about that when a relatively high external voltage occurs at the poles of the Detector (5 to 2o volts) the resistance that would otherwise occur in this current direction would decrease, as a result of the very low breakdown voltage of the noble gases the free electrons of the metal, respectively. of conductive substances between the Point of contact between neighboring crystal edges and tips and the one close to one another Pass over the surface of the metal wire even at a very low potential. The for The critical field strength necessary for the electrons to break through from the metal surface of i million volts per centimeter is at a distance of o, =, u (1 / "", mm) and = 0 volt electrode voltage reached (see E a rh art Phil. Mag. Igor, Volume VI, i, Page 147 and also J. J. Thomson, Electricity Passage in Gases, translated by Marx, igo6, page 3 $ 6, 3 $ 7 and q.07). Another cause is found in that in noble gases, because of their low chemical affinity, oxidation o. Deterioration of the effective detector locations, such as those in the event of a current overload easily occurs, is prevented.

Eine Ausführungsform der Erfindung, die sich an eine bekannte Bauart des Detektors anlehnt, ist in Fig. z der Zeichnung dargestellt, während Fig. 2 in stark vergrößertem Maßstabe die Berührungsstelle im Querschnitt zeigt: In einer Glaszelle g, die einen Gewindesockel s zum Einschrauben in einen Halter besitzt, der z. B. mehrere derartige Patronen revolverartig aufnimmt, ist auf einem Träger t das wellenempfindliche Material W, das aus einem kristallinischen Stückchen Silizium o. dgl. besteht, angeordnet und ferner, durch das Material i (z. B. Bernstein) dagegen isoliert, ein Metalldraht m (z. B. Gold), der- sich mit seiner Spitze ohne Lötung gegen das Material w stützt. Diese Stelle bildet die wellenempfindliche Berührungsstelle des Detektors. Die Glaszelle g ist mit verdünntem Edelgas gefüllt. Das Material w ist in leitender Verbindung mit dem Gewinde des Sockels und der Draht in in leitender Verbindung mit dem Bodenkontakt k des Sockels, so daß beim Einschrauben der Patrone in den Halter beide Teile in leitende Berührung mit Zuleitungen kommen und der Detektor in den Stromkreis eingeschaltet wird.An embodiment of the invention which is based on a known type of the detector leans, is shown in Fig. z of the drawing, while FIG. 2 shows, on a greatly enlarged scale, the contact point in cross section shows: In a glass cell g, which has a threaded base s for screwing into a Has holder who z. B. receives several such cartridges like a revolver is on a carrier t the wave-sensitive material W, which consists of a crystalline Pieces of silicon o. The like. Is, arranged and further, through the material i (e.g. amber) on the other hand, a metal wire m (e.g. gold), which is insulated with its tip is supported against the material w without soldering. This point is the one that is sensitive to waves Contact point of the detector. The glass cell g is filled with dilute noble gas. The material w is in conductive connection with the thread of the base and the wire in conductive connection with the ground contact k of the base, so that when screwing in of the cartridge in the holder, both parts come into conductive contact with the supply lines and the detector is switched into the circuit.

Fig. 2 veranschaulicht in starker Vergrößerung die zwischen einer wellenempfindlichen Kristallspitze c des Siliziums w und der Oberfläche der abgerundeten Golddrahtspitze na gebildete Berührungsstelle, sowie diebenachbartenkleinen Gasstrecken, die kleiner als ein l/looo mm sind und die oben erwähnte unschädliche Überleitung der Fremdströme-bewirken.Fig. 2 illustrates in high magnification the between a wave-sensitive crystal tip c of silicon w and the surface of the rounded Gold wire tip na formed contact point, as well as the neighboring small gas lines, which are smaller than a l / looo mm and the harmless transition mentioned above the external currents-effect.

Claims (1)

PATENTANSPRUCH: Berührungsdetektor, dadurch gekennzeichnet, daß die wellenempfindliche Berührungsstelle in einem Edelgas oder Edelgasgemisch angeordnet ist.PATENT CLAIM: Touch detector, characterized in that the Wave-sensitive contact point arranged in a noble gas or a noble gas mixture is.
DE1918320435D 1918-08-24 1918-08-24 Touch detector Expired DE320435C (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE320435T 1918-08-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE320435C true DE320435C (en) 1920-04-22

Family

ID=6155133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1918320435D Expired DE320435C (en) 1918-08-24 1918-08-24 Touch detector

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE320435C (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE970153C (en) * 1951-04-03 1958-08-21 British Thomson Houston Co Ltd Crystal diode with a tip contact hermetically sealed in a cylindrical housing with a glass tube
DE970664C (en) * 1944-01-18 1958-10-16 Siemens Ag Process for the serial assembly of dry rectifiers enclosed in airtight soldered housings
DE1138869B (en) * 1954-08-23 1962-10-31 Gen Electric Co Ltd Method for manufacturing a semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE970153C (en) * 1951-04-03 1958-08-21 British Thomson Houston Co Ltd Crystal diode with a tip contact hermetically sealed in a cylindrical housing with a glass tube
DE1138869B (en) * 1954-08-23 1962-10-31 Gen Electric Co Ltd Method for manufacturing a semiconductor device

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