DE3047113C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs.
Durch die DE-OS 27 07 144 ist es bekannt, zur Vergleich
mäßigung der an sich linienförmigen Targeterosion das
Magnetsystem laufend parallel zur größten Ausdehnungs
richtung der Targetplatte zu verlagern. Mit einer solchen
Maßnahme kann aber nicht der Effekt verhindert werden, daß
sich der Abstand der eigentlichen Zerstäubungsfläche
innerhalb des Targets vom Magnetsystem kontinuierlich
ändert, ein Vorgang, der einen merklichen Einfluß auf das
Beschichtungsverfahren und die Eigenschaften der
Endprodukte hat. Dieser Einfluß kann damit erklärt werden,
daß die jeweils noch vorhandene Targetoberfläche all
mählich in einen Bereich größerer Magnetfeldstärken gerät,
so daß die Elektronen aus der durch das Magnetfeld ge
bildeten Elektronenfalle schwerer entweichen können. Dies
führt zu einer Verminderung der Impedanz des Plasmas bzw.
zu einer größeren Dichte der Ladungsträger. Eine Regelung
auf konstante Spannung allein genügt jedoch nicht, da
hierdurch der Entladestrom ansteigen würde, was zu einer
kontinuierlichen Erhöhung der Entladeleistung führt, ein
Vorgang, der gleichfalls unerwünscht ist.
Soweit die DE-OS 27 07 144 den Rat enthält, daß die
Bewegungsrichtung des Magnetsystems von der Katode weg
gerichtet sein soll, handelt es sich lediglich darum, den
Zerstäubungsvorgang zu unterbrechen, und nicht darum, ihn
unter möglichst konstanten Zerstäubungsbedingungen
fortzuführen.
Die DE-OS 27 35 525 befaßt sich gleichfalls mit einem
solchen Stande der Technik, gibt jedoch zu Lösung des
Problems der ansonsten linienförmigen Erosion des Targets
an, das Magnetsystem als Flachspule auszubilden, so daß
das resultierende Magnetfeld möglichst weitgehend
zumindest angenähert parallel zur Targetoberfläche
verläuft. Dies setzt jedoch zur Ausbildung eines
ausreichend starken Magnetfeldes voraus, daß die
Flachspule von einem hohen Strom durchflossen wird.
Infolgedessen ist nicht nur eine intensive Kühlung des
durch den Zerstäubungsprozeß bereits
thermisch hoch belasteten Targets erforderlich, sondern
zusätzlich auch noch eine Abfuhr der Stromwärme der
Flachspule. Die damit verbundene Leistungsvernichtung ist
bereits aus Überlegungen hinsichtlich des Wirkungsgrades
und der heutigen Energiekosten untragbar.
Durch die JA-OS 55-1 00 981 ist ein Verfahren der eingangs
beschriebenen Gattung bekannt, bei dem eine Regelung in
Richtung einer möglichst konstanten Magnetflußdichte
erfolgt. Diese Maßnahme setzt die Verwendung von
Magnetsonden in unmittelbarer Nähe der Zerstäubungsfläche
des Targets voraus. Da jedoch der Verbrauch des
Targetmaterials örtlich sehr unerschiedlich und bei
sogenannten Linear-Katoden an den Enden besonders stark
ist, müßten zur Bildung eines geeigneten Mittelwerts
zahlreiche Magnetsonden verwendet werden, die aus auf der
Hand liegenden Gründen auch nicht ständig im Raum zwischen
dem Target und den zu beschichtenden Substraten verbleiben
könnten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren der eingangs beschriebenen Gattung dahingehend
zu verbessern, daß das der Regelung zugrundeliegende
Meßverfahren automatisch einen für den Zerstäubungsprozeß
optimalen Mittelwert bildet.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs
beschriebenen Verfahren erfindungsgemäß durch die Merkmale
im Kennzeichen des Patentanspruchs.
Durch die Erfassung der Zerstäubungsspannung des
Katodensystems geht die Erfindung einen vollständig
anderen Weg: Da üblicherweise derartige Magnetronkatoden
auf konstanten Strom geregelt werden, verändert sich die
Spannung und damit auch die Leistung mit fortschreitendem
Verbrauch des Targetmaterials. Eine Messung der
Zerstäubungsspannung, die für die gesamte Oberfläche des
Targets gilt, schafft hier automatisch einen geeigneten
Mittelwert, der sich überraschenderweise als für die
Regelung besonders geeignet erwiesen hat. Sofern es
nämlich gelingt, durch die Regelanordnung außer dem
Zerstäubungsstrom auch die Zerstäubungsspannung in engen
Grenzen konstant zu halten und damit auch die
Zerstäubungsleistung, sind die erzeugten Schichten in
hohem Maße gleichförmig bzw. homogen.
Außerdem hat eine Spannungsmessung den Vorteil, daß man
die erforderlichen Spannungsabgriffe außerhalb des Vakuums
vornehmen kann, so daß auch die Gewinnung der Meßwerte und
die Signalverarbeitung keine Probleme aufwerfen.
Auf die angegebene Weise verbleibt die wirksame
Oberfläche der Targetplatte stets in etwa im Bereich
gleicher Magnetfeldstärken, so daß die Zerstäubungs
parameter nahezu unverändert eingehalten werden können,
und zwar ohne örtliche Messungen der Magnetfeldstärken.
Dies hat auf die Genauigkeit des Regelverfahrens und damit
auf die Schichteigenschaften einer Vielzahl nacheinander
eingesetzter Chargen einen sehr positiven Einfluß, weil
die Regelung nämlich nicht intermittierend sondern
kontinuierlich erfolgt.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes wird
nachfolgend anhand der Fig. 1 und 2 näher beschrieben,
die im rechten Winkel zueinander stehende Schnitte durch
eine rechteckige Katodenanordnung zeigen, wobei der
Maßstab von Fig. 2 größer gewählt ist als derjenige von
Fig. 1.
Es zeigt
Fig. 1 einen Längsschnitt durch eine rechteckige
Katode in deren größter Symmetrieebene und
Fig. 2 einen Querschnitt etwa in der Mitte des
Gegenstandes von Fig. 1 in vergrößertem
Maßstab.
In Fig. 1 ist eine Katodenanordnung 1 dargestellt, deren
räumlich fixierte Bezugsplattform durch eine Tragplatte 2
gebildet wird, durch die die Katodenanordnung innerhalb
der nicht gezeigten Vakuumkammer einer Katodenzerstäubungs
anlage befestigt ist. An der Tragplatte 2 sind wiederum
alle funktionswesentlichen Teile der Katodenanordnung
befestigt. Hierzu gehört ein wannenförmiger Hohlkörper 3,
der aus einem amagnetischen Werkstoff wie beispielsweise
Kupfer besteht und lösbar mit der Tragplatte 2 verbunden
ist. Der Hohlkörper 3 besitzt einen Boden 4, der zur
Tragplatte 2 parallel verläuft und auf dem die dem
Verbrauch unterliegende Targetplatte 5
befestigt ist. Die Targetplatte besteht aus einem
Material, welches entweder in reiner Form oder in Form
einer Verbindung mit einem reaktiven Zerstäubungsgas oder
in inerter Atmosphäre auf den nicht gezeigten Substraten
niedergeschlagen wird, die der Targetplatte 5 gegenüber
angeordnet sind. Einzelheiten einer solchen Katoden
zerstäubungsanlage sind Stand der Technik und werden daher
nicht weiter erläutert.
Im Innern des Hohlkörpers 3 befindet sich ein
Magnetsystem 6, welches aus einer zur Tragplatte 2
parallelen Magnethalteplatte 7 sowie aus einer Gruppierung
von Permanentmagneten 8 besteht, die an der Magnet
halteplatte 7 befestigt sind. Einzelheiten sind in Fig. 2
näher erläutert. Es ist zu erkennen, daß die Magnete 8 mit
abwechselnder Polanordnung auf der Rückseite der Target
platte angeordnet sind. Durch die relative Lage der
Magnete zur Targetplatte haben die Feldlinien einen
Verlauf, wie er in Fig. 2 gestrichelt angedeutet ist,
d. h. die von einem Pol ausgehenden Feldlinien treten durch
die Targetplatte aus und nach einem bogenförmigen Verlauf
im Bereich des anderen Poles in die Targetplatte wieder
ein. Aufgrund dieses Verlaufes des Magnetfeldlinien wird
ein sogenannter magnetischer Tunnel gebildet, welcher es
erlaubt, die Zerstäubungsrate wesentlich zu erhöhen,
gleichzeitig aber dazu führt, daß das Targetmaterial im
Bereich des Tunnels stärker abgetragen wird, am stärksten
in der Mitte eines jeden Tunnels.
Gemäß Fig. 1 ist zwischen der Magnethalteplatte 7
einerseits und der Tragplatte 2 andererseits eine
Verstelleinrichtung 9 angeordnet, die aus zwei
Spindeltrieben 10 und 11 besteht. Die beiden Spindeltriebe
sind im Bereich der Enden der Tragplatte 1 angeordnet und,
wie noch weiter unten aufgezeigt werden wird, gleichsinnig
antreibbar.
Zu jedem Spindeltrieb gehört eine Spindel 12, 13, deren
untere Enden 12 a, 13 a unverdrehbar in einem Halter 14, 15
befestigt sind, und zwar mit Hilfe eines Kerbstiftes 16.
Die Halter 14 und 15 sind ihrerseits unverdrehbar und
mittels einer Dichtung 17 abgedichtet auf Lagerplatten 18,
19 befestigt, die ihrerseits mit der Magnethalteplatte 7
verschraubt sind.
Die Gewindespindeln 12, 13 sind in Spindelmuttern 20, 21
gelagert, die ihrerseits drehbar über Kugellager 22 in je
einem Lagergehäuse 23, 24 gelagert sind. Diese Lager
gehäuse sind mit der Tragplatte 2 verschraubt.
Mit den Spindelmuttern 20, 21 stehen in unverdrehbarem
Eingriff Antriebswellen 25 und 26, wobei die Verdreh
sicherung durch je einen nicht näher bezeichneten Kerb
stift erfolgt. Auf den Antriebswellen 25, 26 befinden
sich, gleichfalls unverdrehbar, Zahnräder 27, 28, die über
einen Zahnriemen 29 miteinander in Verbindung stehen. Die
Antriebswelle 26 besitzt einen Fortsatz 30, auf dem ein
Servomotor 31 befestigt ist. Der Fortsatz 30 ist dabei
zweckmäßig so lang ausgeführt, daß sich der Servomotor 31
außerhalb der Vakuumkammer befindet. Ein Abschirmblech 32
im Bereich der Spindeltriebe dient zum Schutz des
Bedienungspersonals.
Der Servomotor 31 erhält seine Stellsignale von einem
Regelkreis 33, der von einer Größe beaufschlagt wird, die
der Zerstäubungsspannung proportional ist. Die
Zerstäubungsspannung wird über eine Leitung 34 von einer
Stromversorgung 36 abgegriffen, die über eine Leitung 37
mit der Katode und eine Leitung 38 mit Masse verbunden
ist. Nach Vergleich der Zerstäubungsspannung mit einem
Sollwert am Ausgang des Sollwertgebers 35 im Regelkreis 33
wird unter Berücksichtigung des Vorzeichens der Abweichung
die Verstelleinrichtung 9 durch den Servomotor 31 in der
Weise beeinflußt, daß die Zerstäubungsspannung möglichst
weitgehend konstant gehalten wird.
Die gesamte Anordnung ist mit nicht gezeigten Kühlwasser
anschlüssen und Kühlmittelkanälen versehen, um eine im
Betrieb auftretende Beharrungstemperatur einhalten zu
können.
Claims (1)
- Verfahren zur Regelung des Abstandes von Magnetsystem und Targetplatte bei einer Katodenanordnung für Katodenzerstäu bungsanlagen, enthaltend eine sich fortschreitend verbrauchende Targetplatte aus dem zu zerstäubendem Material, ein hinter der Targetplatte befindliches Magnetsystem mit entgegenge setzte Polarität aufweisenden Polen, die in einer derartigen relativen Lage zur Targetplatte angeordnet sind, daß min destens ein Teil der von den Polen ausgehenden Feldlinien durch die Targetplatte aus- und in diese wieder eintritt, sowie mit einer Verstelleinrichtung zur Veränderung des ge nannten Abstandes von Magnetsystem und Targetplatte, wobei die Bewegungsrichtung der Verstelleinrichtung im wesentli chen senkrecht zur größten Oberfläche der Targetplatte ver läuft, dadurch gekennzeichnet, daß man die Zerstäubungs spannung des Katodensystems erfaßt und mit einem Sollwert vergleicht, und daß man beim Auftreten einer Differenz den Abstand durch Betätigung der Verstelleinrichtung in Richtung auf die Einhaltung des Sollwerts verstellt.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803047113 DE3047113A1 (de) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate |
CH7107/81A CH657382A5 (de) | 1980-12-13 | 1981-11-06 | Verfahren zur regelung des abstandes von magnetsystem und targetplatte bei einer katodenanordnung fuer katodenzerstaeubungsanlagen. |
FR8122938A FR2496126B1 (fr) | 1980-12-13 | 1981-12-08 | Dispositif cathodique et procede d |
US06/330,367 US4426264A (en) | 1980-12-13 | 1981-12-14 | Method and means for controlling sputtering apparatus |
JP56200234A JPS57123976A (en) | 1980-12-13 | 1981-12-14 | Cathode apparatus for cathode sputtering apparatus and method for adjusting distance between magnet system and target plate therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
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---|---|
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3248121A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-06-28 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Hochleistungs-katodenanordnung fuer die erzeugung von mehrfachschichten |
DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
DE3411536A1 (de) * | 1983-07-06 | 1985-01-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen |
CA1242989A (en) * | 1983-07-19 | 1988-10-11 | Donald R. Boys | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
DE3331406A1 (de) * | 1983-08-31 | 1985-03-14 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Zerstaeubungskatode |
JPS60221563A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-06 | Ulvac Corp | バイアススパッタ方法 |
DE3417732A1 (de) * | 1984-05-12 | 1986-07-10 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens |
US4595482A (en) * | 1984-05-17 | 1986-06-17 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and the method of controlling magnetron sputter device having separate confining magnetic fields to separate targets subject to separate discharges |
JPS6134177A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-18 | Tokuda Seisakusho Ltd | マグネツト駆動装置 |
DE3624150C2 (de) * | 1986-07-17 | 1994-02-24 | Leybold Ag | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
DE3630737C1 (de) * | 1986-09-10 | 1987-11-05 | Philips & Du Pont Optical | Kathodenzerstaeubungseinrichtung mit einer Vorrichtung zur Messung eines kritischen Target-Abtrages |
DE3727901A1 (de) * | 1987-08-21 | 1989-03-02 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetronprinzip |
DE3800449A1 (de) * | 1988-01-09 | 1989-07-20 | Leybold Ag | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetooptischer, speicher- und loeschfaehiger datentraeger |
DE3812379A1 (de) * | 1988-04-14 | 1989-10-26 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip |
US4999458A (en) * | 1989-01-26 | 1991-03-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Electrical current lead-in device at a vacuum chamber |
DE3908252C2 (de) * | 1989-03-14 | 1996-06-20 | Leybold Ag | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
US5047131A (en) * | 1989-11-08 | 1991-09-10 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
DE4137483A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
US5482610A (en) * | 1991-11-14 | 1996-01-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode for coating a substrate |
DE4143135A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Kathode zum beschichten eines substrats |
US5407551A (en) * | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
US5599518A (en) * | 1994-12-01 | 1997-02-04 | Olin Corporation | Catalytic process for chlorine dioxide generation from chloric acid |
US5985115A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
WO2002047110A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-13 | Trikon Holdings Limited | Magnetron sputtering apparatus |
US6841050B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Small planetary magnetron |
US6852202B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Small epicyclic magnetron with controlled radial sputtering profile |
US20050133361A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
WO2012110105A1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Toyota Motor Europe Nv/Sa | Sputtering magnetron assembly |
DE102011115145A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
WO2013088615A1 (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
US9312108B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-04-12 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
US9418823B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-08-16 | Sputtering Components, Inc. | Sputtering apparatus |
CN104213089B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 磁控溅射设备及磁控溅射方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2556607A1 (de) * | 1974-12-16 | 1976-06-24 | Airco Inc | Kathodenzerstaeubungsgeraet |
DE2707144A1 (de) * | 1976-02-19 | 1977-08-25 | Sloan Technology Corp | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
DE2655942A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk | Zerstaeubungsvorrichtung |
DE2735525A1 (de) * | 1977-08-06 | 1979-02-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Katodenanordnung mit target fuer zerstaeubungsanlagen zum aufstaeuben dielektrischer oder amagnetischer schichten auf substrate |
US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
DE3027638A1 (de) * | 1980-07-22 | 1982-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Magnetron-sputtervorrichtung |
-
1980
- 1980-12-13 DE DE19803047113 patent/DE3047113A1/de active Granted
-
1981
- 1981-11-06 CH CH7107/81A patent/CH657382A5/de not_active IP Right Cessation
- 1981-12-08 FR FR8122938A patent/FR2496126B1/fr not_active Expired
- 1981-12-14 JP JP56200234A patent/JPS57123976A/ja active Granted
- 1981-12-14 US US06/330,367 patent/US4426264A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2556607A1 (de) * | 1974-12-16 | 1976-06-24 | Airco Inc | Kathodenzerstaeubungsgeraet |
DE2707144A1 (de) * | 1976-02-19 | 1977-08-25 | Sloan Technology Corp | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
DE2655942A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Tokuda Seisakusho Kawasaki Kk | Zerstaeubungsvorrichtung |
DE2735525A1 (de) * | 1977-08-06 | 1979-02-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Katodenanordnung mit target fuer zerstaeubungsanlagen zum aufstaeuben dielektrischer oder amagnetischer schichten auf substrate |
US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
DE3027638A1 (de) * | 1980-07-22 | 1982-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Magnetron-sputtervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH657382A5 (de) | 1986-08-29 |
FR2496126A1 (fr) | 1982-06-18 |
US4426264A (en) | 1984-01-17 |
DE3047113A1 (de) | 1982-07-29 |
FR2496126B1 (fr) | 1987-04-10 |
JPS57123976A (en) | 1982-08-02 |
JPS642666B2 (de) | 1989-01-18 |
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---|---|---|
DE3047113C2 (de) | ||
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EP0300995B1 (de) | Stabförmige Magnetron- bzw. Sputterkathodenanordnung, Sputterverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und rohrförmiges Target | |
DE3810197C2 (de) | ||
DE2902848C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von dünnen optischen Mehrfachschichten | |
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