DE19605315C1 - Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur Regelung eines Verdampfungs- oder Zerstäubungsprozesses in einer Vakuumkammer. Nach dem Verfahren werden insbe­ sondere platten- und bandförmige Substrate oder Werkzeuge mit Funktionsschichten be­ schichtet.

Es bestehen hohe Anforderungen an die Beschichtungsverfahren, insbesondere hinsichtlich der Gleichmäßigkeit der Schichtdicke, der Stabilität der Beschichtungsrate über lange Zeit­ räume und hinsichtlich der exakten Zusammensetzung des Schichtmaterials. Diese hohen Anforderungen können besonders bei der Beschichtung von großflächigen Substraten nur dadurch erfüllt werden, daß die Parameter des Beschichtungsprozesses konstant gehalten werden. Die Konstanz dieser Parameter setzt voraus, daß die Parameter des Verdampfens bzw. Zerstäubens, insbesondere die Verdampfungsgeschwindigkeit und z. B. der Füllstand eines Verdampfertiegels konstantgehalten werden.

Es ist bekannt, die Beschichtungsrate an einem oder mehreren Orten in Substratnähe oder den Dampfstrom zwischen der Beschichtungsquelle und dem Substrat zu messen, wobei die Beschichtungsquelle ein Verdampfer bzw. eine Zerstäubungsquelle sein kann. Es gibt eine Vielzahl von Verfahren zur Bestimmung der Beschichtungsrate, wie z. B. die Schichtdicken­ messung mittels Schwingquarz oder Mikrowaage in Substratnähe (Kienel, G.: Vakuumbe­ schichtung Band 3 - Anlagenautomatisierung, VDI-Verlag, Düsseldorf, 1994, S. 25 ff, S. 35 ff, S. 40 ff). Nach diesen Verfahren zur Schichtdickenmessung wird die Beschichtungsrate ermit­ telt. Mit dem gewonnenen Signal wird über einen Regelkreis die Verdampfungsgeschwin­ digkeit und damit der Verdampfungs- bzw. Zerstäubungsprozeß geregelt. Der wesentlichste Nachteil dieser Verfahren besteht in der Meßanordnung. Die Sensoren müssen im Dampf­ raum angeordnet sein und unterliegen damit einer so hohen Dampf- und Wärmebelastung, daß sie nach relativ kurzer Zeit ausgetauscht werden müssen. Dadurch ist eine häufige Pro­ zeßunterbrechung nötig und ein Langzeitbetrieb kaum möglich. Aus diesem Grund sind diese Verfahren zur Regelung von Beschichtungsprozessen nur für kleine Beschichtungsraten geeignet. Desweiteren wird nur ein kleiner Teil des Dampfstromes gemessen, von dem aus auf den gesamten Dampfstrom, der das Substrat erreicht, geschlossen wird. Bei großflächi­ gen Substraten wirkt das besonders nachteilig, da die Sensoren, um das Substrat nicht abzu­ schaffen, in einem anderen Abstand und Winkel zur Beschichtungsquelle als das Substrat angeordnet sind und deshalb die Dampfstromdichte zum Sensor eine andere Größe hat als die Dampfstromdichte zum Substrat. Dadurch ergeben sich Fehler.

Zur Vermeidung dieser Fehler sind andere Verfahren zur Prozeßregelung bekannt, bei denen Meßgrößen verwendet werden, die in einem Zusammenhang zum Dampfstrom zwischen Verdampfer bzw. Zerstäubungsquelle und Substrat stehen. Dazu sind insbesondere die Auswertung der emittierten Plasmastrahlung (DD 2 39 810 A1), die Bestimmung der Ab­ sorption von Licht oder Laserstrahlen im Dampf (Gogol, C.A., Reagan, S.H., J. Vac. Sci. Tech­ nol. A1 (2), Apr/Jun. 1983, S. 252-256) oder die elektroneninduzierte Emissionsspektro­ skopie (Hegner, F.: Anwendung der Elektronen-Emissionsspektroskopie für das ratengeregel­ te Aufdampfen von Legierungen, Vak. Techn. 29, 2 (1980), S. 45-49) bekannt. Bei diesen Verfahren liegen die beteiligten Sensoren nicht unmittelbar im Dampfstrom, sondern sind seitlich versetzt zum Dampfstrom angeordnet. Der wesentliche Nachteil dieser Verfahren besteht darin, daß die Meßgrößen außer vom Dampfstrom auch in starkem Maße von weite­ ren Beschichtungsparametern, wie z. B. das Beschichtungsmaterial, Ionisierung und Anre­ gung des Dampfes, abhängen. Diese Meßanordnungen müssen deshalb für jedes Beschich­ tungsmaterial neu kalibriert werden, was sehr aufwendig ist. Ein weiterer Nachteil ist, daß die Sensoren im Dampfraum angeordnet sein müssen und somit wiederum einer allmähli­ chen Beschichtung unterliegen. Dadurch sind ebenfalls Prozeßunterbrechungen für den Wechsel der Sensoren erforderlich, was ungünstig für einen Langzeitbetrieb ist.

Beim Zerstäuben ist allgemein bekannt, die Zerstäubungsrate durch Regelung der Leistungs­ zufuhr konstant zu halten. Der Nachteil besteht darin, daß diese Regelung nicht sehr genau ist, da die Zerstäubungsrate außer von elektrischen Parametern, wie z. B. der Spannung, noch von weiteren Parametern, z. B. Erosionstiefe des Targets, abhängt. Insbesondere bei reaktiver Prozeßführung versagt diese Vorgehensweise vollständig.

Es ist allgemein bekannt, daß die Verdampfungsgeschwindigkeit bei Verdampfungsprozes­ sen bisher nur als zeitlicher Mittelwert durch Unterbrechung des Beschichtungsprozesses in größeren zeitlichen Abständen und Wägung des Verdampfungsmaterials vor und nach der Beschichtung bestimmt wird. Dieses Verfahren ist jedoch für den industriellen Einsatz unge­ eignet, da die Verdampfungsgeschwindigkeit nur über große zeitliche Abstände gemittelt wird und somit für eine ständige Regelung des Beschichtungsprozesses nicht zur Verfügung steht, bzw. der Beschichtungsprozeß für das Wägen ständig unterbrochen werden müßte. Es ist jedoch kein geeignetes Verfahren bekannt, das in der Lage ist, die aktuelle Verdamp­ fungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate während des Prozesses auszuwerten.

Weiterhin ist ein Verfahren zur Füllstandsüberwachung von Verdampfertiegeln mit Licht- oder Laserstrahlen bekannt. Dabei wird ein Lichtstrahl auf der Oberfläche des Beschich­ tungsmaterials reflektiert und aus dem Strahlengang auf den Füllstand des Tiegels geschlos­ sen (DE 38 27 920 A1). Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß durch mögliche Wellenbe­ wegungen der Oberfläche des Verdampfungsmaterials der Strahlengang gestört wird. Das Verfahren hat außerdem den Mangel, daß der Strahl, indem er durch die Bereiche höchster Dampfdichte geführt werden muß, einer Streuung und Absorption unterliegt, was zu einer Verfälschung des Meßergebnisses führt. Aus diesem Grund ist dieses Verfahren nur bedingt geeignet, einen Beschichtungsprozeß so zu regeln, um damit den hohen Anforderungen an die Stabilität der Beschichtungsrate und der exakten Zusammensetzung der aufgedampften Schicht gerecht zu werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung zu schaffen, die es gestatten, einen Vakuumbeschichtungsprozeß an eine vorgegebene Beschichtungs­ technologie anzupassen, indem der Beschichtungsprozeß, insbesondere das Verdampfen mittels Elektronenstrahlen, überwacht und seine Parameter so beeinflußt werden, daß ein­ zelne, platten- oder bandförmige Substrate reaktiv oder nichtreaktiv mit hoher Schichtquali­ tät bedampft werden, wobei insbesondere bei großflächigen Substraten gleichmäßige Schichtdicken mit einer vorgegebenen Schichtzusammensetzung erzielt werden. Das Verfah­ ren soll aber auch für Zerstäubungsprozesse, insbesondere für Langzeitprozesse, geeignet sein.

Die Zerstäubungsquellen sollen in beliebiger Lage anzuordnen sein. Der Beschichtungspro­ zeß soll über einen langen Zeitraum einfach und zuverlässig durchführbar sein. Die Einrich­ tung soll apparativ einfach ausgeführt sein.

Die Aufgabe wird nach den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 8 beschrieben. Die Einrichtung zur Durchfüh­ rung des Verfahrens ist in den Ansprüchen 9 bis 11 beschrieben.

Gegenüber den bekannten Verfahren zur Bestimmung der Beschichtungsrate durch Wägung wurde es gefunden, die Verwendung der Gewichtskraft während des Beschichtungsprozes­ ses zu messen und diesen Wert als Signal weiter zu verarbeiten. Das erfolgt dadurch, daß dieses gewonnene Meßsignal über die Zeit differenziert wird. Mit diesem differenzierten Signal und dem Meßsignal ist es möglich, über einen an sich bekannten Regelkreis Parame­ ter des Verdampfungs- bzw. des Zerstäubungsprozesses, insbesondere der nominellen Ver­ dampfungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate, zu beeinflussen.

Das ermittelte differenzierte Signal ist dabei ein direktes Maß für die effektive Verdamp­ fungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate. Es gibt die Differenz zwischen der nominellen Verdampfungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate und der Kondensationsgeschwindig­ keit von Dampf oder Gasteilchen auf das Beschichtungsmaterial an.

Der wesentlichste Vorteil ist, daß bei diesem Verfahren aus dem Verbrauch von Beschich­ tungsmaterial ein Signal ermittelt wird, um Parameter des Verdampfens bzw. des Zerstäu­ bens so zu regeln, daß die Verdampfungsgeschwindigkeit bzw. die Zerstäubungsrate kon­ stant bleibt oder während des Beschichtungsprozesses entsprechend der Beschichtungstech­ nologie gezielt verändert wird. Damit wird in direkter Weise der Beschichtungsprozeß gere­ gelt, da die Eigenschaften der aufgebrachten Schichten im wesentlichen durch das Verdamp­ fen bzw. Zerstäuben bestimmt werden.

Weitere Vorteile bestehen darin, daß die Gewichtskraft meßtechnisch einfach und kontinu­ ierlich ohne Unterbrechung des Beschichtungsprozesses gemessen werden kann, wodurch sich über das gewonnene Signal dieser auch kontinuierlich regeln läßt. Desweiteren wird über dieses Signal der gesamte Strom von Beschichtungsmaterial und nicht nur ein Teilbe­ reich zur Charakterisierung gemessen.

Die Beschichtungsquelle ist mittels Kraftzellen in der Vakuumkammer befestigt. Die Kraft­ meßzellen sind z. B. elastische Elemente mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen. Alle Versor­ gungsleitungen werden so angeschlossen, daß sie das Meßergebnis nicht beeinflussen, bzw. die dadurch entstehenden Fehler vernachlässigbar klein sind.

Die Lage der Zerstäubungsquelle in der Vakuumkammer ist ohne Einfluß auf das Verfahren. Ein weiterer Vorteil ist, daß die Kraftmeßzellen an einer dampfabgewandten Seite angeord­ net sind. Dadurch wird ihre Funktion vom Beschichtungsprozeß nicht beeinflußt und es wird eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet, so daß das Verfahren auch im Langzeitbetrieb ein­ fach und betriebssicher durchzuführen ist.

Bei reaktiven Beschichtungsprozessen werden die Oberflächen des Beschichtungsmaterials gegebenenfalls kontaminiert, was infolgedessen zu einer Veränderung der Verdampfungs­ geschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate und zu einer Veränderung der Zusammensetzung des Schichtmaterials führt. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist auch der Durchfluß des Reaktivgases in die Vakuumkammer regelbar, so daß mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen und differenzierten Signal der Gaseinlaß so geregelt wird, daß sich das diffe­ renzierte Signal auf einen vorgegebenen Sollwert einstellt.

Die Regelung eines Beschichtungsprozesses wird wie folgt durchgeführt. Die Gewichtskraft des Verdampfungs- bzw. Zerstäubungsmaterials wird zusammen mit der Gewichtskraft des Verdampfers bzw. der Zerstäubungsquelle während des Verdampfungs- bzw. Zerstäubungs­ prozesses mittels einer oder mehrerer Kraftmeßzellen kontinuierlich gemessen. Die Ge­ wichtskraft wird von den Kraftmeßzellen in ein elektrisches analoges oder digitales Signal umgesetzt. Dieses Signal der Kraftmeßzellen wird in bekannter Weise zunächst einer Filte­ rung unterzogen. Diese Filterung kann analog mit einem elektronischen Tiefpaß oder durch Digitalfilter erfolgen. Anschließend wird das gefilterte Signal über die Zeit differenziert. Diese Differentialbildung erfolgt auf analogem oder digitalem Weg. Das gefilterte Signal der Ge­ wichtskraft und das differenzierte Signal als Maß für die Verdampfungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate werden als Meßgrößen einem bekannten Regelkreis zugeführt, der auf die das Verdampfen bzw. Zerstäuben bestimmenden Parameter einwirkt.

Nach diesem Verfahren lassen sich eine Vielzahl von Parametern regeln, um das Verdampfen bzw. Zerstäuben zu kontrollieren und damit in direkter Weise Einfluß auf den Beschich­ tungsprozeß zu nehmen.

So ist es möglich, mit einem an sich bekannten Regelkreis, mit der Gewichtskraft als Meß­ größe, die elektrische Leistung zum Heizen des Beschichtungsmaterials bzw. die Zeit der Zu­ fuhr der elektrischen Leistung zu regeln, da sich diese elektrische Leistung unmittelbar auf die Verdampfungsgeschwindigkeit bzw. Zerstäubungsrate auswirkt und somit den Beschich­ tungsprozeß bestimmt.

Es ist vorteilhaft, bei Verdampfungsprozessen, bei denen die Energiezufuhr lokal erfolgt und örtlich bzw. zeitlich gesteuert wird, wie z. B. beim Elektronenstrahlverdampfen mit Strahlablenkung, das aus der Gewichtskraft gewonnene Meßsignal vorteilhaft zur Beeinflus­ sung dieser Ablenkparameter und/oder der Strahlfokussierung zu nutzen.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens zur Regelung von Beschichtungspro­ zessen besteht darin, bei Verdampfertiegeln mit kontinuierlich arbeitenden Nachfülleinrich­ tungen für das Verdampfungsmaterial das nicht differenzierte Signal zu nutzen, um die Nachfüllmenge so zu regeln, daß die Menge des Verdampfungsmaterials oder die Füllhöhe im Verdampfertiegel konstant bleibt. Dadurch wird eine Langzeitstabilität der Verdamp­ fungsrate erreicht, da diese auch von der Füllhöhe abhängt.

Bei Verdampfertiegeln ohne Nachfülleinrichtungen, bzw. Zerstäubungsquellen kann aus dem Meßsignal der Verbrauch von Beschichtungsmaterial oder die momentane Füllhöhe des Ver­ dampfertiegels bzw. die Erosionstiefe des Targets der Zerstäubungsquelle ermittelt werden. Mit diesem gewonnenen Signal wird der Beschichtungsprozeß geregelt, indem zum einen die Strahlfokussierung und/oder die Ablenkparameter beim Verdampfen bzw. ein das Target durchdringendes Magnetfeld beim Zerstäuben geregelt werden, um eine Veränderung der Beschichtungsrate zu vermeiden. Dadurch wird auch der Zeitpunkt und die Menge für das Nachfüllen von Verdampfungsmaterial bzw. der Wechsel des Targets bestimmt.

Die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens hat den Vorteil, daß auch bereits vorhan­ dene Einrichtungen ohne großen Aufwand nachgerüstet werden können, indem die Be­ schichtungsquellen nicht mehr direkt mit der Vakuumkammer verbunden sind, sondern Kraftmeßzellen zwischen Beschichtungsquelle und Vakuumkammer angeordnet sind. Des­ weiteren ist ein herkömmlicher Regelkreis notwendig, der im einfachsten Fall aus einem Fil­ ter, einem Differenzierglied und einem Regler besteht, mit dem das Meßsignal verarbeitet wird, um die entsprechenden Parameter des Beschichtungsprozesses zu regeln.

An zwei Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert. Die zugehörigen Zeich­ nungen zeigen:

Fig. 1 einen Schnitt durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einer Elek­ tronenkanone und einem Verdampfertiegel,

Fig. 2 einen Schnitt durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einer Ma­ gnetron-Zerstäubungsquelle.

In Fig. 1 ist an einer Seite einer Vakuumkammer 1 eine Elektronenkanone 2 vom Axialtyp angeordnet, deren Elektronenstrahl 3 einen mit Titan gefüllten Verdampfertiegel 4 pro­ grammiert beaufschlagt. Der Verdampfertiegel 4 ist mittels Kraftmeßzellen 5, bestehend aus elastischen Elementen mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen, in der Vakuumkammer 1 befe­ stigt. Über dem Verdampfertiegel 4 ist ein zu beschichtendes Substrat 6 angeordnet. Das den Kraftmeßzellen 5 nachgeschaltete Filter 7 bereitet die Signale der mit den Kraftmeßzel­ len 5 gemessenen Kräften auf. Die Ausgangssignale des Filters 7 werden einem Differen­ zierglied 8 zugeführt. Die Ausgangssignale des Filters 7 und des Differenziergliedes 8 werden anschließend einem Regler 9 zugeführt. Dieser verarbeitet die Signale und vergleicht sie mit vorgegebenen Sollwerten.

Bei einer Abweichung des Ausgangssignals des Differenzierglieds 8 von einem Sollwert für die Verdampfungsgeschwindigkeit wird der Sollwert für den Leistungsregler 10 der Elektro­ nenkanone 2 nachgeführt. Zusätzlich werden vom Regler 9 die Sollparameter für die Ab­ lenksteuerung 11 verändert werden.

In der Vakuumkammer 1 befindet sich zusätzlich eine Nachfülleinrichtung 12, mit der dem Verdampfertiegel 4 kontinuierlich Verdampfungsmaterial zugeführt wird. Diese Nachfüllein­ richtung 12 wird vom Regler 9 so gesteuert, daß das Ausgangssignal des Filters 7 konstant bleibt.

In Fig. 2 sind innerhalb einer Vakuumkammer 1 zwei Magnetrons 13 mit einem Titantarget und verstellbarer Magnetvorrichtung angeordnet. Die Magnetrons 13 ist mittels Kraftmeßzel­ len 5, bestehend aus elastischen Elementen mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen, in der Va­ kuumkammer 1 befestigt. Über dem Magnetron 4 ist das zu beschichtende Substrat 6 ange­ ordnet. Die den Kraftmeßzellen 5 nachgeschalteten Filter 7 bereiten die Signale der mit den Kraftmeßzellen 5 gemessenen Kräften auf. Die Ausgangssignale der Filter 7 werden einem Differenzierglied 8 zugeführt. Die Ausgangssignale der Filter 7 und des Differenziergliedes 8 werden anschließend einem Regler 9 zugeführt. Dieser verarbeitet die Signale und vergleicht sie mit vorgegebenen Sollwerten. Bei einer Abweichung des Ausgangssignals des Differen­ zierglieds 8 von einem Sollwert für die Zerstäubungsrate wird der Sollwert für die verstellbare Magneteinrichtung der Magnetrons 13 so nachgeführt, daß das Ausgangssignal des Diffe­ renziergliedes 8 konstant bleibt.

Claims (11)

1. Verfahren zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses, mit dem Substrate aus mindestens einer Beschichtungsquelle, die ein elektronenstrahlbeaufschlagter Ver­ dampfer oder eine Zerstäubungsquelle ist, wobei die Zerstäubungsquelle in beliebiger Lage in einer Vakuumkammer angeordnet ist, beschichtet werden, und mindestens ein Prozeßparameter über mindestens einen Regelkreis den Beschichtungsbedingungen angepaßt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Gewichtskraft der Beschichtungs­ quelle, die sich aus der Gewichtkraft des Beschichtungsmaterials und der Beschich­ tungsquelle zusammensetzt, gemessen wird, und aus dieser Meßgröße mindestens ein Signal gewonnen wird, welches als Regelgröße dem Regelkreis zugeführt wird, der die Prozeßparameter regelt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß aus der Meßgröße ein Signal durch Filtern und ein Signal durch Filtern mit anschließendem Differenzieren gewonnen wird, und daß beide Signale einem Regler des Regelkreises zugeführt wer­ den.

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Beschich­ tungsprozessen, bei denen ein Gas in die Vakuumkammer eingelassen wird, mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen und differenzierten Signal der Gaseinlaß so gere­ gelt wird, daß das differenzierte Signal konstant gehalten wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen und differenzierten Signal die Energiezufuhr zur Beschich­ tungsquelle so geregelt wird, daß das differenzierte Signal konstantgehalten wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß beim Beschichten von mittels Elektronenstrahlen geheizten Verdampfern mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen und differenzierten Signal die örtliche und/oder zeitliche Verteilung der Leistungsdichte auf dem Verdampfungsgut so geregelt wird, daß das differenzierte Si­ gnal konstantgehalten wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Verwen­ dung von Verdampfern mit Nachfülleinrichtungen für Verdampfungsmaterial mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen Meßsignal die Nachfüllmenge so geregelt wird, daß das gefilterte Signal konstantgehalten wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß beim Beschichten mit einer Magnetron-Zerstäubungsquelle mit dem aus der Gewichtskraft gewonnenen und differenzierten Signal ein das Target durchdringendes Magnetfeld so geregelt wird, daß das differenzierte Signal konstantgehalten wird.

8. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einer Vakuumkammer, in der mindestens ein Verdampfer angeordnet ist, mindestens einem Elektronenstrahlerzeuger, einem Gaseinlaß und einem Regelkreis zur Regelung der Prozeßparameter, dadurch gekennzeichnet, daß der Verdampfer (4) mit mindestens einer Kraftmeßzelle (5) in der Vakuumkammer (1) befestigt und die Kraftmeßzelle (5) mit dem Regelkreis elektrisch verbunden ist.

9. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einer Vakuumkammer, in der mindestens eine Zerstäubungsquelle in beliebiger Lage ange­ ordnet ist, einem Gaseinlaß und einem Regelkreis zur Regelung der Prozeßparameter, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubungsquelle (13) mit mindestens einer Kraftmeßzelle (5) in der Vakuumkammer (1) befestigt und die Kraftmeßzelle (5) mit dem Regelkreis elektrisch verbunden ist.

10. Einrichtung nach Anspruch 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kraftmeßzel­ le (5) ein elastisches Element mit aufgebrachtem Dehnmeßstreifen ist.

11. Einrichtung nach Anspruch 8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelkreis aus einem Filter (7), einem Differenzierglied (8) und einem Regler (9) besteht.