DE2944913C2

DE2944913C2 -

Info

Publication number: DE2944913C2
Application number: DE2944913A
Authority: DE
Inventors: David Emil Yardley Pa. Us Carlson
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1979-03-12
Filing date: 1979-11-07
Publication date: 1991-01-17
Also published as: IT7926484A0; DE2944913A1; FR2451637B1; US4200473A; JPS6325515B2; IT1193243B; GB2044529B; GB2044529A; FR2451637A1; JPS55121687A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Solarzelle gemäß Oberbegriff des Patentanspruchs 1 mit einem Körper aus amorphem Silizium sowie auf ein Verfahren gemäß Oberbegriff des Patentanspruches 10 zum Herstellen der Solarzelle.

Schottky-Sperrschicht-Solarzellen mit amorphem Silizium liefern (bei sonst gleichen Bedingungen) höhere Ströme aber niedrigere Spannungen als ebenfalls unter Verwendung amorphen Siliziums hergestellte PIN-Solarzellen. In der nicht vorveröffentlichten DE-OS 28 54 750 ist eine amorphes Silizium enthaltende, gattungsbildende Schottky-Sperrschicht-Solarzelle vorgeschlagen worden, welche eine an das Schottky-Sperrschicht-Metall hoher Austrittsarbeit angrenzende, dünne P⁺-dotierte Schicht aufweist. In der prioritätsälteren DE-OS 28 26 752 wird ferner eine unter Verwendung von amorphem Silizium hergestellte Solarzelle beschrieben, in der sich eine dünne isolierende Zone zwischen dem amorphen Siliziumkörper und dem eine hohe Austrittsarbeit aufweisenden Metall der Schottky-Sperrschicht befindet. Solarzellen, welche entweder die P⁺-dotierte Schicht oder die dünne isolierende Schicht enthalten, besitzen höhere Leerlaufspannungen als herkömmliche unter Verwendung amorphen Siliziums und eines Metalls hoher Austrittsarbeit hergestellte Schottky-Sperrschicht-Solarzellen. Die Größe der Leerlaufspannung der Solarzelle hängt unter anderem ab von der Höhe des Potentialwalls zwischen dem amorphen Siliziumkörper und dem Schottky-Sperrschicht-Metall.

Ähnlich ist aus dem US-Buch: Proc. of the 13th Photovoltaic Specialists Conference, 5. bis 8. Juni 1978 in Washington, New York 1978, Seiten 755 bis 760, zum einen (vgl. Seite 756, linke Spalte der Tabelle 1) eine Solarzelle bekannt, bei der auf dem i-Silizium eine Tunnelschicht und eine Metallschicht, jedoch kein p-Silizium angeordnet sind, und zum zweiten (vgl. rechte Spalte der Tabelle 1) eine Solarzelle, bei der auf dem i-Silizium dünnes p-Silizium und eine Metallschicht, jedoch keine Tunnelschicht angeordnet sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Höhe des Potentialwalls und die Leerlaufspannung zu vergrößern, ohne andere Parameter der Solarzelle, z. B. den Kurzschlußstrom herabzusetzen bzw. zu verschlechtern. Für eine Solarzelle mit amorphem Siliziumkörper wird die erfindungsgemäße Lösung im Patentanspruch 1, für ein Verfahren zum Herstellen der Solarzelle im Patentanspruch 10 angegeben.

Zu der unter Verwendung von amorphem Silizium hergestellten Solarzelle gehören also eine dünne hochdotierte Zone im amorphen Siliziumkörper, eine dünne, die hochdotierte Zone kontaktierende Isolierschicht und eine darauf angeordnete Metallschicht, die mit der hochdotierten Zone eine Schottky-Sperrschicht bildet. Durch die dünne hochdotierte Zone und die dünne Isolierschicht werden die Potentialschwelle des Übergangs und die Leerlaufspanung der Solarzelle über die entsprechenden Werte herkömmlicher MIS-Solarzellen und diejenigen von Schottky-Sperrschicht-Solarzellen mit amorphem Silizium oder Schottky-Sperrschicht-Solarzellen mit an das Schottky-Sperrschicht-Metall angrenzender dünner hochdotierter Zone angehoben. bei einer vorteilhaften Ausführung der erfindungsgemäßen Solarzelle hat die hochdotierte dritte Zone eine Dicke von etwa 5 bis 10 Nanometern, während die zwischen der Metallschicht und der dünnen hochdotierten Zone liegende Isolierschicht etwa 1 bis 5 Nanometer dick sein sollte.

Anhand der schematischen Darstellung wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert. In der Figur ist eine armorphes Silizium enthaltende Solarzelle dargestellt, in der eine dünne Isolierschicht und eine dünne P⁺-dotierte Zone zwischen dem Schottky-Sperrschicht-Metall und den eigenleitenden bzw. N-leitenden Zonen des Körpers aus hydriertem, amorphem Silizium vereinigt sind.

Die in der Zeichnung dargestellte Solarzelle mit Schottky-Sperrschicht und hydriertem, amorphem Siliziumkörper wird insgesamt mit 10 bezeichnet. Alle Schichten oder Zonen der Solarzelle 10 werden in bestimmter Weise in bezug auf die auffallende Sonnenstrahlung 100 ausgerichtet, die als Bezugsrichtung für die Einfallfläche der Schichten anzusehen ist. Zu der Solarzelle 10 gehört ein Substrat 12 aus elektrisch gut leitendem und einen ohmschen Kontakt mit dem hydrierten, amorphen Siliziumkörper 14 bildenden Material. Als Substratmaterial sind beispielsweise geeignet: Aluminium, Chrom, rostfreier Stahl, Niob, Tantal, Eisen, Molybdän, Titan, Indium-Zinn-Oxid auf Glas mit Indium-Zinn-Oxid als leitendem Material.

Der aus hydriertem, amorphem Silizium bestehende Körper 14 kann durch Glimmentladung hergestellt werden. Bei dem unter der Bezeichnung "Glimmentladung" bekannten Verfahren zum Abscheiden der jeweiligen Schichten wird ein Gas relativ geringen Druckes von etwa 7 Millibar oder weniger elektrisch entladen. Für die Entladung können sowohl Hochfrequenz- oder Wechselstrom-Energie als auch Gleichstrom-Kathodenentladung oder -Nahentladung benutzt werden. Unter einer Gleichstrom-Nahentladung versteht man eine Gleichstrom-Entladung, bei der das Substrat nahe bzw. in unmittelbarer Nachbarschaft einer Kathodenschirmelektrode angeordnet wird. Bei einer Gleichstrom-Nahentladung wird die negative Klemme der Spannungsquelle mit der Schirmkathode verbunden, während die positive Klemme der Spannungsquelle auf eine getrennte, als Anode fungierende Elektrode geschaltet wird. Als geeignete Parameter für Gleichstrom-Nahentladungen kommen Temperaturen von etwa 250 bis 350°C, Drücke von etwa 0,25 bis 1,0 Millibar und Stromdichten von etwa 0,20 bis etwa 0,50 mA/cm² in Frage.

Der aus hydriertem, amorphem Silizium bestehende Körper 14 wird aus drei Zonen 14a, 14b und 14c unterschiedlicher Leitfähigkeit zusammengesetzt. Die auf das Substrat 12 folgende und auf dieses niedergeschlagene Zone 14a wird mit Hilfe geeigneter Dotierstoffe, wie Phosphor und Arsen oder mit Antimon, Wismut, Cäsium oder Natrium, N⁺-dotiert. Mit Hilfe der N⁺-dotierten Zone 14a wird ein ohmscher Kontakt zum leitenden Substrat 12 sichergestellt. Die Zone 14a kann eine Dicke von bis zu etwa 1000 Nanometern haben, wenn das Substrat 12 eine rauhe Oberfläche besitzt; vorzugsweise liegt die Dicke der Zone 14a jedoch im Bereich zwischen etwa 10 und 50 Nanometern.

Nach dem Niederschlagen der N⁺-leitenden Zone 14a wird das Dotiergas aus dem System abgepumpt und das Abscheiden mit Hilfe einer Silizium und Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre fortgesetzt, um eine aus eigenleitendem, hydriertem, amorphem Silizium bestehende Zone 14b auf die Zone 14a aufzubringen. In einem dotierstofffreien Abscheidesystem durch Glimmentladung hergestelltes eigenleitendes, hydriertes, amorphes Silizium ist leicht N-leitend. Die Zone 14b besitzt im dargestellten Ausführungsbeispiel eine Dicke von etwa 200 bis 1000 Nanometern, vorzugsweise von etwa 400 Nanometern. Die Dicke der Zone 14b soll so eingestellt werden, daß sie annähernd mit der Stärke der durch die Solarzelle während einer Beleuchtung bei Null-Vorspannung erzeugten Raumladungszone zuzüglich der Löcher-Diffusionslänge im Bauelement übereinstimmt.

Der Körper wird durch das Aufbringen einer P⁺-leitenden Zone 14c vervollständigt. Die P⁺-leitende Zone 14c soll eine Dicke von bis zu etwa 20 Nanometern, vorzugsweise von etwa 5 bis 10 Nanometern aufweisen. Geeignete P-Dotierstoffe sind Bor oder Aluminium.

Die Konzentration der P-Dotierstoffe in der Glimmentladungsröhre kann zwischen 0,001 und 1,0% der Atmosphäre aus Silan oder einer ein Halogen enthaltenden Siliziumverbindung betragen. Vorzugsweise beträgt die Konzentration der P-Dotierstoffe etwa 0,10 Volumen-% der Glimmentladungsatmosphäre. Eine solche P-Dotierstoffkonzentration führt zu einer P-leitenden Zone mit einer Dotierstoffkonzentration von etwa 5×10¹⁸ bis 5×10²⁰ P-Dotierstoff-Atomen pro cm³. Die Dotierstoffkonzentration und die Dicke der P⁺-leitenden Zone werden so eingestellt, daß das später aufzubringende Schottky-Sperrschicht-Metall die P⁺-Zone 14c völlig verarmt.

Auf der P⁺-leitenden Zone 14c wird vor dem Aufbringen der Schottky-Metallschicht 18 eine dünne isolierende Schicht 16 mit einer Dicke zwischen etwa 1 und 5 Nanometern gebildet. Die dünne Isolierschicht 16 kann durch Aufdampfen, Aufsprühen oder durch Glimmentladung aus Siliziumnitrid (Si₃N₄), SiO₂ und ähnlichem oder durch thermisches Oxidieren des Substrats 12 einschließlich des Körpers 14 in Luft bei einer Temperatur zwischen etwa 300 und 350°C für eine Zeitdauer von etwa 10 bis 30 Minuten gebildet werden. Die die dünne, hochdotierte P⁺-Zone 14c kontaktierende dünne Isolierschicht soll so ausgebildet sein, daß sie den Elektronenfluß durch die Schicht verhindert. Das läßt sich dadurch erreichen, daß die Isolierschicht durch Dotieren während des Aufwachsens oder Abscheidens negativ beladen wird.

Wenn es sich bei der Solarzelle 10 um ein Schottky-Sperrschicht-Bauelement mit einem eine N⁺-Schicht kontaktierenden Metall handelt, muß die Isolierschicht 16 den Löcherfluß in Richtung auf die Schottky-Sperrschicht verhindern. Das läßt sich erreichen, indem eine Isolierschicht mit leichter Plus-Ladung verwendet oder ein Bandaufbau der Isolierschicht vorgesehen wird, durch welchen der Löchertransport unterbunden, aber das Tunneln von Elektroden durch die Schicht gesteigert bzw. nicht behindert wird.

Auf die Isolierschicht 16 wird durch Aufdampfen oder auf andere Weise eine gegenüber Sonnenstrahlen wenigstens halbdurchsichtige bzw. durchscheinende, elektrisch gut leitende Metallschicht 18 aufgebracht. Wenn die Zone 14c P⁺-leitend ist, besteht die Metallschicht 18 aus einem Metall hoher Austrittsarbeit, d. h. 4,5 eV oder mehr, wozu sich Gold, Palladium, Platin, Iridium, Rhodium oder ähnliches eignen.

Nach dem Aufbringen der Metallschicht 18 wird die Solarzelle 10 in einer Atmosphäre aus Wasserstoff, Stickstoff oder Mischungen dieser Gase bei einer Temperatur von etwa 150 bis 250°C während einer Zeitdauer von mehreren Minuten bis zu einer Stunde wärmebehandelt bzw. getempert. Statt dessen kann die Solarzelle 10 auch vor dem Aufbringen der Metallschicht bei Temperaturen bis zu etwa 400°C behandelt werden.

Auf der Metallschicht 18 befindet sich eine Gitterelektrode 20 aus einem elektrisch gut leitenden Metall. Die Gitterelektrode 20 soll nur einen kleinen Teil der Oberfläche der Metallschicht 18, d. h. nur etwa 5 bis 10% der Oberfläche, einnehmen, da auf die Gitterelektrode 20 anfallende Sonnenstrahlung von dem Körper 14 wegreflektiert werden kann. Durch die Gitterelektrode 20 soll ein gleichmäßiges Sammeln des Stromes an der Metallschicht 18 ermöglicht werden. Durch die Gitterelektrode 20 wird auch ein niedriger Reihenwiderstand der Solarzelle 10 sichergestellt. Mit der Abnahme der Größe der Solarzelle wird die Forderung nach der Gitterstruktur herabgesetzt. Bei einer kleinen Solarzelle kann daher zum Abziehen des bei Betrieb der Zelle 10 erzeugten Stromes eine transparente leitende Oxidschicht 22 ausreichen, welche außerdem gleichzeitig als Antireflexionsbeschichtung wirken kann und einen Flächenwiderstand von weniger als etwa 10 Ohm/Quadrat haben soll. Die transparente leitende Oxidschicht 22 wirkt als Antireflexionsbeschichtung und ergänzt die Gitterelektrode 20. Als transparentes leitendes Oxid sind Zinnoxid, Indiumzinnoxid, Cadmiumstanat und ähnliches geeignet.

Obwohl vorstehend eine Silizium-Solarzelle 10 mit einer Schottky-Sperrschicht aus einem Metall hoher Austrittsarbeit beschrieben worden ist, bezieht sich die Erfindung alternativ auch auf eine Silizium-Solarzelle mit einer Schottky-Sperrschicht aus einem Metall niedriger Austrittsarbeit. Für das Substrat 12 kommen dann Materialien in Frage, die einen ohmschen Kontakt mit einer P⁺-leitenden Zone 14a bilden. Die Zone 14c würde entsprechend N-dotiert und eine Schicht 18 aus einem Metall niedriger Austrittsarbeit, z. B. Blei, Aluminium, Barium, Wismut, Molybdän und ähnlichem kontaktieren.

Zur weiteren Erläuterung werden einige Ausführungsbeispiele im einzelnen beschrieben.

Beispiel 1

Ein aus Molybdän bestehendes Substrat von etwa 1 mm Dicke wurde unter Gleichstrom-Glimmentladung bei einem Druck von etwa 0,8 Millibar in einer 50% Argon und etwa 50% Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre bei einer Temperatur von etwa 300°C während etwa 4 Minuten sprühgereinigt. Auf das saubere Substrat wurde aus einer Phosphin (PH₃) und Silan in einem Verhältnis von etwa 2×10^-3 : 1 enthaltenden Atmosphäre bei einem Druck von etwa 0,6 Millibar und einer Temperatur von etwa 340°C eine N⁺-leitende Schicht aus hydriertem, amorphem Silizium niedergeschlagen. Die Beschichtung wurde durch eine Gleichstrom-Nahentladung bei einer Stromdichte von etwa 0,25 Milliampère (mA) pro cm² am Kathodenschirm mit einem Abstand von etwa 5 mm zwischen Kathodenschirm und Substrat abgeschieden. Es wurde in etwa 30 Sekunden eine Schichtdicke von etwa 60 Nanometern erreicht.

Nach Auspumpen wurde in die Reaktionskammer reines Silan eingelassen und das Abscheiden während einer Zeitdauer von etwa 7 Minuten fortgesetzt, bis eine etwa 1000 Nanometer dicke Schicht aus eigenleitendem, hydriertem, amorphen Silizium gebildet war. Dabei betrugen die Stromdichte etwa 0,5 mA/cm², die Temperatur etwa 310°C und der Druck etwa 0,9 Millibar.

Durch Hinzufügen von Diboran (B₂H₆) zu der Silan-Atmosphäre in solcher Menge, daß das Diboran/Silan-Verhältnis 5×10^-4 : 1 betrug, wurde als nächstes eine P⁺-Zone gebildet. Beim Abscheiden dieser P⁺-Schicht betrugen die Temperatur etwa 300°C, der Druck in dem System etwa 0,43 Millibar und die Stromdichte etwa 0,1 mA/cm². Es waren etwa 10 Sekunden erforderlich, um eine P⁺-Schicht von etwa 20 Nanometern Dicke zu erzeugen.

Anschließend wurde eine Isolierschicht von etwa 3 Nanometern Dicke auf der P⁺-Zone erzeugt, indem das beschichtete Substrat während einer Zeitdauer von etwa 15 Minuten bei 350°C in Luft erhitzt wurde.

Auf die Isolierschicht wurde zum Bilden einer Schottky-Sperrschicht ein Platin-Kontakt von etwa 5 Nanometern Dicke aufgedampft. Zum Herstellen einer Gitterelektrode wurden daraufhin in einem Gittermuster weitere 40 Nanometer Platin und daraufhin 1000 Nanometer Aluminium auf die 5 Nanometer dicke Platinschicht aufgedampft.

Abschließend wurde das Bauelement in einem Formiergas (80% Stickstoff und 20% Wasserstoff) während einer Zeitdauer von 15 Minuten bei etwa 200°C getempert.

Vergleichsbeispiele II bis IV

Die Beispiele II bis IV wurden bis auf folgende Änderungen entsprechend Beispiel I ausgeführt. Bei Beispiel II handelt es sich allerdings um eine herkömmliche Solarzelle mit amorphem Silizium und Schottky-Sperrschicht aus Platin, jedoch ohne eine Isolierschicht und ohne P⁺-Zone. Beispiel III betrifft ein Schottky-Sperrschicht-Bauelement (MIS) mit einer thermischen Oxidschicht zwischen dem Schottky-Sperrschicht-Metall (Platin) und dem Körper aus amorphem Silizium. Bei Beispiel IV ist eine Solarzelle mit amorphem Silizium und Schottky-Sperrschicht vorgesehen, welche eine dünne P⁺-Zone zwischen dem Metall (Platin) hoher Austrittsarbeit und der eigenleitenden, hydrierten, amorphen Siliziumzone enthält.

In Tabelle I sind Vergleichswerte von Leerlaufspannung (V_oc) und Kurzschlußstromdichte (J_sc) für ein erfindungsgemäßes Bauelement entsprechend Beispiel I und Bauelemente gemäß den Beispielen II bis IV zusammengestellt.

Tabelle I

Aus den Daten von Tabelle I ergibt sich, daß das Einfügen einer thermischen Oxidschicht zwischen dem Platin und dem hydrierten, amorphen Siliziumkörper oder das Vorsehen einer dünnen hoch-P-dotierten Zone zwischen dem eigenleitenden, hydrierten, amorphen Silizium und der Platinschicht die Leerlaufspannung der Solarzelle über diejenige von Zellen mit herkömmlicher Platin-Schottky-Sperrschicht anhebt. Unerwartet führt nun der erfindungsgemäße Einbau von sowohl der dünnen hoch-P-dotierten Zone als auch der dünnen thermischen Oxidschicht zu einer Leerlaufspannung des Bauelements, die sowohl größer als diejenige eines Bauelements mit dünner Isolierschicht (Beispiel III) als auch eines Bauelements mit dünner P⁺-Zone (Beispiel IV) ist. Die Kurzschlußströme gemäß Beispiel I sind zwar ein wenig kleiner als diejenigen eines herkömmlichen Schottky-Sperrschicht-Bauelements, das scheint aber daran zu liegen, daß die im Ausführungsbeispiel vorgesehene dünne Isolierschicht und die dünne P⁺-Zone etwas dicker waren, als sie optimal sein sollten. Durch entsprechendes Anpassen der Dicke der Schichten kann der Kurzschlußstrom des Bauelements gemäß Beispiel I soweit erhöht werden, daß er gleich dem Kurzschlußstrom eines herkömmlichen Platin- Schottky-Sperrschicht-Bauelements gemäß Beispiel II wird.

Claims

1. Solarzelle mit

a) einem elektrisch leitenden Substrat (12);
b) einem hydrierten, amorphen Siliziumkörper (14), welcher aus einer das Substrat (12) kontaktierenden, aus hydriertem Silizium des einen Leitungstyps bestehenden ersten Zone (14a), einer an der ersten Zone anliegenden, aus eigenleitendem hydriertem Silizium bestehenden zweiten Zone (14b) und aus einer an die zweite Zone angrenzenden, in Abhängigkeit von ihrer Dicke und Dotierstoffkonzentration durch eine Schottky-Sperrschicht völlig verarmten, dritten Zone (14c) des anderen Leitungstyps gebildet ist;
c) einer die Schottky-Sperrschicht erzeugenden und der Sonnenstrahlung auszusetzenden Metallschicht (18); und
d) Mitteln (20) zum elektrischen Kontaktieren der Metallschicht (18),

gekennzeichnet durch eine zwischen der dritten Zone (14c) und der die Schottky-Sperrschicht erzeugenden Metallschicht (18) liegende Schicht (16) aus elektrisch isolierendem Material.

2. Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Zone (14c) P-Leitung erzeugende Störstellen enthält.

3. Solarzellen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Zone (14c) etwa 5 bis 10 Nanometer dick ist.

4. Solarzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der P-Leitung erzeugenden Störstellen etwa 5×10¹⁸ bis 5×10²⁰ Dotierstoff-Atome pro cm³ beträgt.

5. Solarzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die die Schottky-Sperrschicht bildende Metallschicht (18) aus Gold, Platin, Palladium, Iridium und/oder Rhodium besteht.

6. Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Zone (14c) N-Leitung erzeugende Störstellen enthält.

7. Solarzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der N-Leitung erzeugenden Störstellen etwa 5×10¹⁸ bis 5×10²⁰ Dotierstoff-Atome pro cm³ beträgt.

8. Solarzelle nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die die Schottky-Sperrschicht erzeugende Metallschicht (18) aus Aluminium, Blei, Barium, Wismut und/oder Molybdän besteht.

9. Solarzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die aus isolierendem Material bestehende Schicht (16) etwa 1 bis 5 Nanometer dick ist.

10. Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,

a) daß eine aus hydriertem, amorphem Silizium des einen Leitungstyps bestehende erste Zone bzw. Schicht (14a) auf ein Substrat (12) aufgebracht und damit ohmisch kontaktiert wird;
b) daß auf die erste Zone (14a) eine aus eigenleitendem, hydriertem, amorphem Silizium bestehende zweite Schicht bzw. Zone (14b) aufgebracht wird;
c) daß auf die zweite Zone (14b) eine aus hydriertem, amorphem Silizium des anderen Leitungstyps bestehende dritte Schicht bzw. Zone (14c) aufgebracht wird, wobei das Aufbringen der ersten, zweiten und dritten Zone (14a, b, c) durch Gleichstrom-Nahentladung bei einer Stromdichte von etwa 0,20 bis 0,50 mA/cm², einer Temperatur von etwa 250 bis 350°C und einem Druck von etwa 0,25 bis etwa 1,0 Millibar erfolgt;
d) daß auf der dritten Zone (14c) eine Isolierschicht (16) gebildet wird; und
e) daß auf die Isolierschicht (16) eine in der dritten Zone (14c) eine Schottky-Sperrschicht bildende Metallschicht (18) aufgebracht wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (16) durch Aufheizen des mit dem hydrierten, amorphen Silizium vereinigten Substrats (12) in Luft bei einer Temperatur von etwa 300 bis etwa 350°C während einer Zeitdauer von etwa 10 bis 30 Minuten gebildet wird.

12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Solarzelle (10) während einer Zeitdauer von mehreren Minuten bis zu einer Stunde bei etwa 150 bis 250°C wärmebehandelt bzw. getempert wird.