DE2813947C2 - Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des VerfahrensInfo
- Publication number
- DE2813947C2 DE2813947C2 DE2813947A DE2813947A DE2813947C2 DE 2813947 C2 DE2813947 C2 DE 2813947C2 DE 2813947 A DE2813947 A DE 2813947A DE 2813947 A DE2813947 A DE 2813947A DE 2813947 C2 DE2813947 C2 DE 2813947C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- phase
- measuring
- voltage
- potential
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R13/00—Arrangements for displaying electric variables or waveforms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem
elektronischen Bauelement mit einem getasteten Primärelektronenstrahl, der an der Meßstelle Sekundärelektronen
auslöst, deren Energie vom Potential an der Meßstelle bestimmt wird, sowie auf eine Anordnung zur
Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 2.
Der Potentialverlauf in Leiterbahnen eines integrierten Schaltkreises kann bekanntlich mit Hilfe einer auf
die Meßstelle aufgesetzten mechanischen Spitze gemessen werden, deren Durchmesser aber aus Festigkeitsgründen einige μΐη nicht wesentlich unterschreiten
kann. Hochintegrierte Schaltkreise enthalten aber Leiterbahnen, die nur wenige μπι breit sind und an denen
somit eine Messung mit der mechanischen Spitze nicht mehr möglich ist. Außerdem ist die Kapazität der Meßspitze
verhältnismäßig hoch, so daß Messungen an dynamischen Schaltungen verfälscht werden können.
Potentialkontrastmessungen an integrierten Schaltkreisen werden deshalb mit dem Rasterelektronenmikroskop
durchgeführt, bei dem die mechanische Meßspitze durch den Elektronenstrahl ersetzt wird, der auf
einen Durchmesser von etwa 1 μπι fokussiert werden
kann (US 37 96 947). Dieser Primärelektronenstrahl löst an der Meßstelle aus der metallischen Leiterbahn Sekundärelektronen
aus, die in einem elektrischen Feld beschleunigt werden und deren Energie mit einem Gegenfeldspektrometer
gemessen werden kann. Ein zylindrischer Ablenkkondensator führt die Sekundärelektronen
durch ein Verzögerungsfeld dem Szintillator eines Elektronenkollektors zu, dem ein Regelverstärker nachgeschaltet
ist. Die Ausgangsspannung des Verstärkers steuert die Gitterspannung des Verzögerungsfeldes. Er
hält seine Ausgangsspannung bezüglich der Spannung an der Meßstelle mit Hilfe einer Rückkopplungsschleife
konstant Die Gitterspannung an der Gegenfeldelektrode des Spektrometer wird solange nachgeregelt bis die
Spannung zwischen Gitter und Meßpunkt wieder ihren ursprünglichen konstanten Wert erreicht hat Dann entspricht
die Änderung der Gitterspannung direkt der Potentialänderung an der Meßstelle der Probe.
Eine direkte Messung des Potentiaiverlaufs hochfrequenter Signale ist nicht ohne weiteres möglich, weil der
Verstärker dem hochfrequenten Signal nicht folgen kann. Es wird deshalb die stroboskopische Messung
nach Art eines Samplingoszillographen angewendet (Microelectronics and Reliability, Vol. 10, 1971,
S. 317—323). Dabei wird der Primärelektronenstrahl mit der Frequenz des zu messenden Signals getastet und
jeweils während einer sehr kurzen Zeitdauer eingeschaltet Dieser Vorgang wird so oft wiederholt, bis man
ein ausreichendes Signal-Rausch-Verhältnis erreicht hat. Dann wird nach dem sogenannten Sampling-Prinzip
die Phasenlage des Elektronenimpulses in bezug auf die Meßspannung verschoben und der Vorgang so oft
wiederholt, bis wenigstens ein Zyklus der Meßspannung ermittelt ist.
Die Probe ist in einem Hochvakuumsystem des Gegenfeldspektrometers
mit einem Vakuum von etwa 10~5Torr angeordnet. Die Oberflgdie der Probe enthält
noch verhältnismäßig viele Restgasmoleküle, die von den auftreffenden Elektronen des Primärelektronenstrahls
gecrackt werden können. Dadurch bildet sich an der Oberfläche der Meßstelle eine Kontaminationsschicht aus, die weniger Sekundärelektronen liefert als
das Metall der Leiterbahn. Dementsprechend ergibt sich eine Störung in der Messung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufes
in einem elektronischen Bauelement anzugeben,
5C- bei dem die durch Kontamination der Oberflächen verursachten
Störeinflüsse vollständig unterdrückt werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die Impulsfolge des Primärelektronenstrahls jeweils abwechselnd eine Impulsfolge mit fester Bezugsphase in
bezug auf den Potentialverlauf der Meßspannung und eine Impulsfolge mit über einen Phasenbereich verschiebbarer
Meßphase enthält, und daß die Potentialdifferenz zwischen der Bezugsphase und der Meßphasen
gemessen wird. Durch diese Verzögerungszeitmodulation wird die Meßgröße in einen Wechsel- und einen
Gleichstfömänteil aufgespalten. Störungen durch Kontamination sind im Gleichstromanteil enthalten. Der
Wechselstromanteil entspricht dem Potentialverlauf der Meßspannung an der Probe und wird deshalb unabhängig
vom Gleichstromanteil, vorzugsweise mit einem Lock-in-Verstärker, ermittelt.
Bezüglich der Anordnung zur Durchführung des Verfahrens wird die Aufgabe durch die im Anspruch 2 an-
gegebenen Merkmale gelöst
In dieser Meßanordnung wird die mechanische Meßspitze durch den berührungslosen, leicht positionierbaren
und feinfokussierbaren, sowie kapazitätsarmen Elektronenstrahl ersetzt Der Elektronenstrahltastkopf
wird auf die Probe aufgesetzt die in einem Vakuumsystem angeordnet ist Der getastete Primärelektronenstrahl
erzeugt an der Meßstelle des elektronischen Bauelements Sekuiidärelektronen, die an der Oberfläche
der Meßstelle aus einem oberflächennahen Bereich von etwa 5 mm Dicke in das Vakuum austreten und deren
Energie in bezug auf eine Resonanzelektrode vom Potential an der Meßstelle bestimmt wird und mit einem
Spektrometer ermittelt wird, das vorzugsweise ein Gegenfeldspektrometer
sein kann. Die Sekundärelektronen werden von Elektroden abgesaugt, die sich oberhalb
des Bauelementes befinden. Mit einer Spannung von beispielsweise 300 V zwischen dem Bauelement und
den Absaugelektroden werden die Sekundärelektroden beschleunigt und einem Eiektronenkoüektor zugeführt
dem ein Regelverstärker nachgeschaltet ist
Durch die Verzögerungszeitmodulation wird jeweils nur die Potentialdifferenz gemessen und der Regelverstärker
liefert ein Ausgangssignal mit einem Wechselspannungsanteil, welcher der Meßspannung an der Probe
entspricht Ein besonderer Vorteil der Anordnung besteht darin, daß dieser Wechselstromanteil im Ausgangssignal
des Regelverstärkers unabhängig vom Gleichstromanteil mit einem Lock-in-Verstärker gemessen
werden kann.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in deren
F i g. 1 eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung schematisch veraschaulicht
ist,
F i g. 2 zeigt die Phasenlage der Primäreiektronenimpulse,
und
Fig.3 den Verlauf der Meßspannung jeweils in einem
Diagramm, in
F i g. 4 sind die Ausgangsspannungen des Treppengenerators veranschaulicht in der
Fig.5 ist die Ausgangsspannung des Regelverstärkers,
und in
Fig.6 die Ausgangsspannung des Lock-in-Verstärkers
dargestellt.
In F i g. 1 ist ein Rasterelektronenmikroskop mit 2 bezeichnet, das eine Elektronenkanone 4, ein Strahltastsystem
8, das auch als Chopper bezeichnet wird, sowie eine Strahlablenkung 10 enthält, deren Steuereinrichtung
nicht dargestellt ist. Die Elektronenkanone 4 besteht im wesentlichen aus einer Kathode 5, einer Wehnelt-Elektrode
6 und einer Anode 7. Die Strahlablenkung 10 soll beispielsweise ein Spulensystem mit Ablenkspulen
11 und 12 enthalten, deren magnetisches Feld zur Positionierung des Primärelektronenstrahls 13
auf einer Probe 14 dient, die vorzugsweise ein integriertes elektronisches Bauelement sein kann, in deren Leiterbahnen
der Potentialverlauf einer MeSspannung V5
gemessen werden soll. Der Primärelektronenstrahl 13 löst Sekundärelektronen 15 aus, deren Energie als Maß
für das Potential an einer Meßstelle P\ dient
Oberhalb der Probe 14 ist ein Gegenfeldspektrometer 16 angeordnet, das eine Wehnelt-EIektrode 17 und
eine Anode 18 enthält, die als Absaugelektrode dienen. Ein zylinderförmiger Ablenkkondensator 20 ist zur Ablenkung
der Sekundärelektronen 15 vorgesehen, die auf ihrem durch einen Pfeil angedeuteten Wege über das
Verzögerungsfeld zweier Gegenfeldelektroden 24 und 25 zu einem Detektor 32 für die Sekundärelektronen 15
gelangen. Dieser besteht im wesentlichen aus einem Abschirmgitter 28 und einem Szintillator 34 mit Lichtleiter,
dem ein FotomuItipHer 35 und ein Regelverstärker 38 nachgeschaltet sind. Ein Lock-in-Verstärker 40 detektiert
den Wechselstromanteil am Meßsignal und gibt damit den Potentialverlauf der Meßspannung wieder.
Das Ausgangssignal Va des Lock-in-Verstärker 40 bestimmt
auf einem Bildschirm 42 die Abweichung in der y-Richtung, d.h. die Amplitude der Meßspannung V1.
Die Abweichung in der X-Richtung, d. h. die Zeitachse, wird mit der Sägezahnspannung U1 eines Treppengenerators
57 gesteuert, dessen Treppenspannung Ur die Phasenlage Φ der Ausgangsimpulse t/56 eines Verzögerungsgenerators
56 steuert, der mit einem Pulsgenerator 52 der Tasteinrichtung 8 zugeordnet ist. Eine Steuerlogik
44 steuert zugleich die Probe 14 und einen Rategenerator 58, der als Impulsformer für den Verzögerungsgenerator 5ö dient
Die Tasteinrichtung 8 für die Einsi^-iung der Phasenlage
#der Impulse £pdes Primärelektron.instrahls 13 in
bezug auf den Verlauf der Meßspannung V5 kann auch
durch einen nicht dargestellten Rechner gesteuert werden. Zu diesem Zweck ist die zugehörige Steuereinrichtung,
nämlich der Pulsgenerator 52, der Verzögerungsgenerator 56 und der Treppengenerator 57 digital ansteuerbar.
Das Ausgangssignal des Regelverstärkers 38 wird über eine Rückkopplungsschleife 48 einer Steuereinrichtung
50 für das Spektrometer 16 zugeführt, die das Gegenfeld der Elektroden 24 und 25 und das Potential
des Kondensators 20 sowie die Absaugelektrode 17 und 18 steuert.
Zu den Zeiten t\, k und /3 soli nach F i g. 2, in welcher
die Impulse des Primärelektronenstromes / in Abhängigkeit von der Zeit t aufgetragen sind, jeweils ein Primärelektronenimpuls
Epo mit der Bezugsphase Φο auf die Meßstelle Pi, beispielsweise auf einer Leiterbahn
eines integrierten Schaltkreises gegeben werden. Die Anzahl der Impulse Ep mit gleicher Phasenlage ist abhängig
von der Anzahl der Elektronen pro Puls. Im Diagramm sind lediglich 5 Impulse Epo dargestellt. In
der praktischen Ausführungsform des Verfahrens wird im allgemeinen mindestes η = 100 Pulse, vorzugsweise
wenigstens 1000 Pulse, gewählt. Die Pulse Epo mit der Bezugsphase Φο liegen jeweils im Beginn der Anstiegsflanke des periodischen Signals der Meßspannung V5,
die in F i g. 3 in Abhängigkeit von der Zeit t aufgetragen ist.
Die Lage der Bezugsphase Φ wird nach F i g. 4, in der die Sägezahnspannung U1 und die Treppenspannung Ur
des Treppengenerators 57 aufgetragen sind, eingestellt durch Jie Höhe der Bezugsspannung Uro zwischen den
Stufenspannungen Ut u £/r2iind Un des Treppengenerators
57. Die Wiederholrate der Treppenspaiinung Ut
wird in einem Bereich von 3 · 10~2 Hz bis etwa 100 Hz gewählt.
Nach Ablauf der Folge von Bezugsimpulsen Epo wird zur Zeit U, f5 und f6 jeweils ein Puls Ep\ mit der Phase Φ\
auf die Meßstelle P\ gegegeben. Diese Meßphase Φ\ wird bestimmt durch die Stufenspannung Ut \ der ersten
Stufe des Treppengenerators 57. Diese Pulse Ep\ liegen nach F i g. 3 in der Anstiegsflanke der Meßspannung V3.
Zur Zeit /5 wird widder eine Folge von Pulsen £po mit
der Bezugsphase Φο und zur Zeit /6 wieder eine Folge
von Pulsen Ep2 mit der Meßphase Φ2 auf die Probe gegeben,
die ebenfalls in der Anstiegsflanke der Meßspannung Vs liegt und durch die Höhe der Stufenspannung
Ut2 bestimmt ist. Die Stufenspannung Un bestimmt in
gleicher Weise die Meßphase Φι. Die Phase Φ wird so
weit verschoben bis die Meßwerte in einem Phasenbereich der Meßspannung V„ das ist im allgemeinen etwa
ein Zyklus der Meßspannung V„ nach dem Sampling-Prinzip
gesammelt sind.
Unter Umständen kann es zweckmäßig sein, auch nur einen Teil, beispielsweise nur die Anstiegsflanke eines
Zyklus abzutasten und auf dem Bildschirm 42 darzustellen.
Nach Fig. 5 enthält das Ausgangssignal VM des Regelverstärkers
38 eine Gleichspannung Vc„ die von einem
Wechselspannungsanteil V„ überlagert ist.
Der Lock-in-Verstärker 40 liefert nach dem Diagramm der F i g. 6 das Ausgangssignal K1. das der Amplitude
V1, des Wechselspannungsanteils des Verstärkerausgangssignals
Vjs proportional ist. Entsprechend der Meßphasen Φ\, Φι und Φι nach Fig.2 liegen die
. 1 I li.O, l.»_ \ H
A Λ
..„-J XM
:_ J„„
Anstiegsflanke eines Zyklus der Meßspannung Vs, und
der Lock-in-Verstärker 40 liefert mit diesen Werten zunächst ein ansteigendes Ausgangssignal. Wird die Meßphase
Φ weiter verschoben, so liefert der Lock-in-Verstärker 40 den gesamten Zyklus, der in Fig.6 dargestellt
ist und auf dem Bildschirm 42 sichtbar gemacht wird.
Die Flanken der Treppenspannung Ut nach Fig. 4 liegen im μ5-ΒεΓείΰη. Während dieser Zeit wird der Rategenerator
58 gegatet. Auf diese Weise wird vermieden, daß der Primärelektronenstrahl 13 während einer
undefinierbaren Phase auf die Probe 14 trifft und dadurch Meßfehler entstehen.
Die Wiederholrate der Treppenspannung Ut kann beispielsweise über einen Frequenzteiler von der Frequenz
der Meßspannung V5 so abgeleitet werden, daß
sie innerhalb der Bandbreite von beispielsweise 300 kH? der Riickknnplungsschleife 48 liegt. In diesem
Fall enthält das Rückkopplungssignal den Wechselstromanteil Vw, dessen Amplitude gleich der
Potentialänderung zwischen der Bezugsphase Φα und
den Meßphasen Φ\, Φ-,, Φι ist. Dieser Wechselstromanteil
wird mit dem Lock-in-Verstärker 40 vom Gleichstromanteil Vc getrennt. Das Ausgangssignal Va des
Lock-in-Verstärkers 40 ist dann der Spannung V5 an der
Meßstelle P1 proportional. Dargestellt wird das Signal
auf dem Bildschirm 42, dessen Zeitachse χ von dem Treppengenerator 57 mit einer Sägezahnspannung U%
gesteuert wird.
Das Verfahren nach der Erfindung zur Messung des Potentialverlaufs in elektronischen Bauelementen in der
Art eines Samplin^-Oszillographen mit einem berührungslosen
Elektronenstrahl-Tastkopf, wie er in Fig. 1 angedeutet ist, kann beispielsweise in der Eingangskontrolle
integrierter Schaltkreise sowie auch zu deren Qualitätsprüfung eingesetzt werden. Wegen der leichten
Positionierbarkeit des auf sehr geringen Durchmessern fokussierten Elektronenstrahls und dessen niedriger
Kapazität kann dieses Gerät auch für die Prüfung hoch integrierter Schaltungen mit entsprechend schmalen
Leiterbahnen eingesetzt werden.
Das Meßverfahren kann ferner bei der Messung des Potentialverlaufs in ferroelektrischen und piezoelektrischen
Bauelementen angewendet werden. Außerdem ist die Messung an einer Sperrschichtkondensatorkeramik
möglich.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement
mit einem getasteten Primärelektronenstrahl, der an der Meßstelle Sekundärelektronen auslöst,
deren Energie vom Potential an der Meßstelle bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet,
da3 die Impulsfolge des Primärelektronenstrahls jeweils abwechselnd eine Impulsfolge (Ef>o) mit fester
Bezugsphase (Φο), in bezug auf den Fotentialverlauf
der Meßspannung (Vs) und eine Impulsfolge (Ep\,
Ep2, Efr) mit über einen Phasenbereich verschiebbarer
Meßphase, (Φ\, 02, Φ3) enthält, und daß die Potentialdifferenz
zwischen der Bezugsphase (Φο) und den Meßphasen (Φ\, Φ2, Φι) gemessen wird.
2. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem Rastelektronenmikroskop,
das reu einer Tasteinrichtung für den Primärelektronensirahl
versehen ist und mit einem Gegenfeldspektrometer, das einen Sekundärelektronenkollektor
mit einem Regelverstärker enthält, und mit einer Steuerlogik, die sowohl dem integrierten elektronischen
Bauelement als auch der Tasteinrichtung zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der
Tasteinrichtung (8) für den Pvimärelektronenstrahl (13) ein Verzögerungsgenerator (56) zugeordnet ist,
bei dem die Phasenlage (Φο, Φ\, Φ\ Φ 3) der Ausgangsimpulse
(Ux) von einem Treppengenerator
(57) vorgegeben ist, dessen Stufenspannungen (Un, Uti, Un) jeweils eine Meßphase (Φ\, Φϊ, Φζ) des
Verzögerungsgeneratcrs (56; bestimmen und der zwischen den Stufenspacnimgen (Un, UT2, Un) jeweils
eine konstante Bezugsspc .inung (Uto) liefert,
welche die einstellbare Bezugsphase (Φο) des Verzögerungsgenerators
(56) bestimmt.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Darstellung des Wechselspannungsanteils
des Ausgangssignals (Va) des Regelverstärkers (38) ein Lock-in-Verstärker (40) vorgesehen
ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2813947A DE2813947C2 (de) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
US06/022,484 US4220854A (en) | 1978-03-31 | 1979-03-21 | Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and apparatus for implementing the method |
JP3830179A JPS54134570A (en) | 1978-03-31 | 1979-03-30 | Method of and device for measuring nonncontact potential elapse in electronic part |
GB7911284A GB2017939B (en) | 1978-03-31 | 1979-03-30 | Monitoring variable voltage by means of an electron beam |
NLAANVRAGE7902517,A NL188482C (nl) | 1978-03-31 | 1979-03-30 | Werkwijze voor het meten van het verloop van een in een elektronische keteninrichting heersende spanning onder toepassing van een elektronenbundel. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2813947A DE2813947C2 (de) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2813947A1 DE2813947A1 (de) | 1979-10-11 |
DE2813947C2 true DE2813947C2 (de) | 1986-09-04 |
Family
ID=6035857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2813947A Expired DE2813947C2 (de) | 1978-03-31 | 1978-03-31 | Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4220854A (de) |
JP (1) | JPS54134570A (de) |
DE (1) | DE2813947C2 (de) |
GB (1) | GB2017939B (de) |
NL (1) | NL188482C (de) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2903077C2 (de) * | 1979-01-26 | 1986-07-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
DE3036660A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-05-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung fuer stroboskopische potentialmessungen mit einem elektronenstrahl-messgeraet |
DE3110138A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde |
DE3110140A1 (de) * | 1981-03-16 | 1982-09-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung und verfahren fuer eine rasche interne logikpruefung an integrierten schaltungen |
DE3138990A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Koaxiales gegenfeld-spektrometer hoher akzeptanz fuersekundaerelektronen und elektronenstrahl-messgeraet |
DE3138927A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Abbildendes spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik und elektronenstrahl-messgeraet |
DE3138992A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Abtastverfahren zur schnellen potentialbestimmung inder elektronenstrahl-messtechnik |
DE3206309A1 (de) * | 1982-02-22 | 1983-09-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sekundaerelektronen-spektrometer und verfahren zu seinem betrieb |
DE3375438D1 (en) * | 1982-03-01 | 1988-02-25 | Toshiba Kk | Stroboscopic scanning electron microscope |
US4520313A (en) * | 1982-03-30 | 1985-05-28 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor testing and apparatus therefor |
DE3227426A1 (de) * | 1982-07-22 | 1984-01-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ablenkstruktur fuer ein korpuskularstrahl-austastsystem und verfahren zu seinem betrieb |
DE3235484A1 (de) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur unterdrueckung einer stoerung bei der messung von signalverlaeufen mit einer korpuskularsonde und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
JPS59220940A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Toshiba Corp | 電子ビ−ムによる半導体装置の内部動作電圧波形の測定方法 |
JPS6010739A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | ストロボ電子ビ−ム装置 |
DE3334530A1 (de) * | 1983-09-23 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum raschen messen von elektrischen signalen an schaltungsknoten integrierter schaltungen, bei dem auch stoersignale erfasst werden, und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
DE3334494A1 (de) * | 1983-09-23 | 1985-04-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum messen niederfrequenter signalverlaeufe innerhalb integrierter schaltungen mit der elektronensonde |
DE3335671A1 (de) * | 1983-09-30 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur lokalisierung von zeitkritischen vorgaengen im innern einer getakteten elektronischen schaltung |
DE3407041A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-09-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur automatischen einstellung des arbeitspunktes bei signalverlaufsmessungen mit korpuskularstrahl-messgeraeten |
SE452526B (sv) * | 1984-05-09 | 1987-11-30 | Stiftelsen Inst Mikrovags | Forfarande for att inspektera integrerade kretsar eller andra objekt |
DE3482769D1 (de) * | 1984-05-30 | 1990-08-23 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung eines messpunkts, der eine spannung wenigstens einer bestimmten frequenz fuehrt. |
DE3519401A1 (de) * | 1984-05-30 | 1985-12-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung eines punktes einer probe, der ein signal wenigstens einer bestimmten frequenz fuehrt |
DE3428965A1 (de) * | 1984-08-06 | 1986-02-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung von messpunkten, die einen bestimmten signalverlauf aufweisen |
EP0196531B1 (de) * | 1985-03-28 | 1991-01-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Verfahren zur indirekten Bestimmung der Intensitätsverteilung der in einem Korpuskularstrahl-Messgerät erzeugten Korpuskularstrahlpulse |
US4670710A (en) * | 1985-03-29 | 1987-06-02 | International Business Machines Corporation | Noncontact full-line dynamic AC tester for integrated circuits |
JPH0775155B2 (ja) * | 1985-08-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | ストロボ電子ビーム装置 |
JPS62174937A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Hitachi Ltd | ストロボ方式の電位測定装置 |
EP0310816B1 (de) * | 1987-09-30 | 1991-11-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Automatische Frequenznachführung bei Korpuskularstrahlmessverfahren unter Anwendung eines modulierten Primärstrahls |
JP2941328B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 荷電ビーム装置 |
US5210487A (en) * | 1991-06-04 | 1993-05-11 | Schlumberger Technologies Inc. | Double-gated integrating scheme for electron beam tester |
DE69232905T2 (de) * | 1991-08-05 | 2003-08-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Elektrooptische Messanordnung zum Messen eines elektrischen Signals in einem elektronischen Bauteil |
DE19742055C2 (de) * | 1997-09-24 | 2000-02-24 | Ita Ingb Testaufgaben Gmbh | Vorrichtung zum Testen von Schaltungsplatinen |
US6359451B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-03-19 | Image Graphics Incorporated | System for contactless testing of printed circuit boards |
AU3354401A (en) | 2000-02-14 | 2001-08-20 | Eco 3 Max Inc. | Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatustherefor |
JP2007531876A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-08 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | 超高速光電子顕微鏡のための方法およびシステム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3531716A (en) * | 1967-06-16 | 1970-09-29 | Agency Ind Science Techn | Method of testing an electronic device by use of an electron beam |
US3549999A (en) * | 1968-06-05 | 1970-12-22 | Gen Electric | Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit |
JPS4823385A (de) * | 1971-07-28 | 1973-03-26 | ||
US3796947A (en) * | 1973-02-27 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam testing of film integrated circuits |
US3956698A (en) * | 1974-02-12 | 1976-05-11 | Westinghouse Electric Corporation | Contactless test method for integrated circuits |
-
1978
- 1978-03-31 DE DE2813947A patent/DE2813947C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-03-21 US US06/022,484 patent/US4220854A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-30 JP JP3830179A patent/JPS54134570A/ja active Granted
- 1979-03-30 NL NLAANVRAGE7902517,A patent/NL188482C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-03-30 GB GB7911284A patent/GB2017939B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2017939A (en) | 1979-10-10 |
NL188482C (nl) | 1992-07-01 |
JPS54134570A (en) | 1979-10-19 |
NL188482B (nl) | 1992-02-03 |
GB2017939B (en) | 1982-09-15 |
US4220854A (en) | 1980-09-02 |
DE2813947A1 (de) | 1979-10-11 |
NL7902517A (nl) | 1979-10-02 |
JPS6333262B2 (de) | 1988-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2813947C2 (de) | Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2814049C2 (de) | ||
DE2005682C3 (de) | Vorrichtung zum Absaugen der Sekundärelektronen in einem Rasterelektronenmikroskop oder einem Elektronenstrahl-Mikroanalysator | |
DE3850926T2 (de) | Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen. | |
DE2813948C2 (de) | ||
DE2438401A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur teilchenanalyse in fluessiger suspension | |
EP0013876B1 (de) | Einrichtung zur berührungslosen Potentialmessung | |
EP0428663B1 (de) | Verfahren und anordnung zur schnellen spektrumanalyse eines signals an einem oder mehreren messpunkten | |
DE3815009C2 (de) | ||
DE2338628C2 (de) | Anordnung zum Steuern einer Alarmauslösung | |
DE2014747A1 (de) | Meßgerät und Verfahren zur Messung von Gasgeschwindigkeiten | |
DE3783766T2 (de) | Atto-amperemessgeraet. | |
DE4233830C2 (de) | Strahlpositionsmonitor | |
EP0442574A1 (de) | Anordnung zum Abtasten einer Röntgenaufnahme | |
DE2706629C3 (de) | Einrichtung zur Überwachung der Position und der räumlichen Verteilung eines Elektronenstrahlbündels hoher Energie | |
EP0226913A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Lokalisierung und/oder Abbildung der ein bestimmtes zeitabhängiges Signal führenden Punkte einer Probe | |
DE2411841B2 (de) | Auger-Elektronenspektrometer | |
EP0166815A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Spektralanalyse eines Signals an einem Messpunkt | |
DE4027062A1 (de) | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung | |
EP0310816B1 (de) | Automatische Frequenznachführung bei Korpuskularstrahlmessverfahren unter Anwendung eines modulierten Primärstrahls | |
DE1917855A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur zerstoerungsfreien Beschaffenheitspruefung von elektrisch leitenden Gegenstaenden mittels Foucaultscher Stroeme | |
EP0232790A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur Messung zeitabhängiger Signale mit einer Korpuskularsonde | |
DE4412415A1 (de) | Verfahren zur Reduzierung elektrischer Ladung auf einem Isolationsfilm während der Analyse in einem Elektronenstrahl-Testgerät | |
EP0253098A1 (de) | Messverarbeitungsanordnung für durch Korpuskularstrahlung erzeugte Signalfolgen | |
EP3837587B1 (de) | Anordnung und verfahren zum erfassen eines messwertes auf der basis von elektronenholographie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAR | Request for search filed | ||
OC | Search report available | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUER H |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |