DE2750720C2 - Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für sehr hohe Taktfrequenz - Google Patents
Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für sehr hohe TaktfrequenzInfo
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Description
Leistungsschalttransutorendstufen für sehr hohe
Taktfrequenz, die als elektronische Schalter z.B. in
:o Gleichstromstellern und Pulswechselrichtern Anwendung
finden, benötigen zur optimalen Basisansteuerung sowohl positiven als auch negativen Basisstrom. Um den
Basisstrom in beiden Richtungen erzeugen zu können, werden häufig zwei Gleichspannungen (positive Steuer-
:5 Spannungsquelle, negative Steuerspannungsquelle) in
Reihe geschaltet und ihr Mittelpunkt galvanisch mit dem Emitter des Schalttransistors T2 der Schalttransistorendstufe
verbunden (+8 V, 0 V, — 8 V in A b b. 1 bis
Trotz optimaler Basisansteuerung entstehen in den Leistungsschalttransistorendstufen beim Ein- und Ausschalten
Schaltverluste, die mit der Taktfrequenz, der Betriebsspannung und dem Laststrom wachsen. Die
Schaltverluste können bekanntlich durch besondere Entlastungsnetzwerke, nämlich Ein- und Ausschaltschutzbeschaltungen
für den Schahtransistor, erheblich vermindert werden. Die Einschaltschutzbeschaltung in
Form einer Reiheninduktivität L zur Kollektor-Emitter-Strecke
des Schalttransistors (A b b. 1 begrenzt dabei die Steilheit des Stromanstiegs beim Einschalten
(=di7dt-Begrenzung), die Ausschaltschutzbeschaltung
in Form einer Reihenschaltung eines Kondensators C und einer Diode Dc parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke
(A b b. 1 und 2) begrenzt den Sperrspannungsanstieg am Sch'alttransistor beim Ausschalten ( = du/dr-Begrenzung).
Die von der Induktivität L der d//d/-Begrenzungsschaltung in jedem Takt beim Einschalten aufgenommene
Energie muß beim darauffolgenden Ausschalten des Schalttransistors Tz wieder abgeführt werden. Ebenso
muß die vom Kondensator C der dti/d/-Begrenzungsschaltung
in jedem Takt beim Ausschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Einschalten des
Schalttransistors T2 wieder abgegeben werden.
Dies geschieht häufig durch Entladen über ohmsche Widerstände, was zwar wenig Aufwand erfordert aber
den Wirkungsgrad verschlechtert Es sind auch Rückspeisenetzwerke bekannt geworden, welche die in L und
C gespeicherte Energie wieder dem Hauptkreis
zurückliefern, an dessen Spannung der Schalttransistor T2 arbeitet Diese Rückspeisenetzwerke sind aber
relativ aufwendig.
Die nachstehend beschriebene erfindungsgemäße Anordnung, von der die A b b. 1 und 2 je eine Variante
zeigen, führt dagegen auf denkbar einfachste Weise die in L und C gespeicherte Energie in die Steuerspannungsquellen
zurück und setzt so die Steuerleistung der Leistungsschalttransistorendstufe herab, welche von
den Steuerspannungsquellen aufgebracht werden muß. Der Sachverhalt der von A b b. 1 gezeigten Variante ist
im Anspruch 1, jener von Abb.2 im Anspruch 2
wiedergegeben.
Besonders günstig ist es, wenn bei den Anordnungen gemäß A b b. 1 und 2 die Leistungsschalttransistorendstufe
erfindungsgemäß entsprechend A b b. 3 aufgebaut ist, weil dann die den Steuerspannungsquellen noch zu
entnehmende Steuerleistung bis auf Null gebracht werden kann, sodaß gesonderte Steuerspannungsquel- m
len eventuell ganz entfallen können. Der Sachverhalt
von A b b. 3 ist im Anspruch 3 wiedergegeben.
Gemäß A b b. 1 und Anspruch 1 wird die von der Induktivität L der di/df-Begrenzungsschaltung in jedem
Takt beim Einschalten aufgenommene Energie beim ü darauffolgenden Ausschalten des Schalttransistors T2
über eine Diode Dl in die positive Steuerspannungsquelle zurückgespeist, wozu die Induktivität L mit dem einen
Anschluß an den Emitter des Schalttransistors T2 und
mit dem anderen Anschluß über die Diode Dl in :·ί
Durchlaßrichtung an den positiven Pol der positiven Steuerspannungsqueile geführt ist Ferner wird die vom
Kondensator C der du/df-.Begrenzungsschaltung in jedem Takt beim Ausschalten aufgenommene Energie
beim darauffolgenden Einschalten des Schalttransistors 2>
T2 über einen induktiven Zwischenspeicher Lc in die
negative Steuerspannungsquelle zurückgespeist wozu der Kondensator C mit dem einen Anschluß an den
Kollektor des Schalttransistors T2 geführt ist, während
der andere Anschluß von C einerseits über eine Diode Dc in Durchlaßrichtung mit dem Emitter von T2 und
andererseits über den induktiven Zwischenspeicher Lc
mit dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbunden ist
Bei der Anordnung nach Abb.2 und Anspruch2
besteht gegenüber der Anordnung nach A b b. 1 der Unterschied, daß die vom Kondensator C der
du/df-Begrenzungsschaltung in jedem Takt beim Ausschalten
aufgenommene Energie beim darauffolgenden Einschalten des Schalttransistors T2 über einen induktiven
Zwischenspeicher Lc in die positive und negative Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu der
Kondensator C mit dem einen Anschluß an den Kollektor des Schalttransistors Ti geführt ist, während
der andere Anschluß von C einerseits über eine Diode Dc in Durchlaßrichtung und den Stützkondensator C+
der positiven Steuerspannungsquelle mit dem Emitter von T2 und andererseits über den induktiven Zwischenspeicher
Lc mit dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbunden ist. so
Die Wirkungsweise der in den A b b. 1 und 2 gezeigten Anordnungen ist im Prinzip gleich: Beim
Ausschalten des Schalttransistors T2 kann der in der
Induktivität L der dz/dr-Begrenzungsschaltung induzierte
Strom (vormals der Laststrom von T2) auf dem Weg
über die Diode Dl und den Stützkondensator C+ der
positiven Steuerspannungsquelle weiterfließen und abklingen. C+ wird dabei aufgeladen und die positive
Steuerspannungsquelle entsprechend entlastet Beim Einschalten des Schalttransistors T2 kann sich der auf
die Betriebsspannung von T2 aufgeladene Kondensator
C der du/di-Begrenzungsschaltung auf dem Weg über den Stützkondensator C- und die Induktivität Lc
entladen, wobei der Entladestrom wegen des sich bildenden Schwingkreises nach einer Viertelsinuswelle
ansteigt Im Scheitelpunkt des Entladestromes ist der Kondensator C praktisch entladen und seine Energie in
den induktiven Zwischenspeicher Lc gewandert Der so
in Lc entstandene Strom klingt anschließend bei der Anordnung nach A b b. 1 über die Diode Dc und den
Stützkondensator C-der negativen Steuerspannungsquelle ab. C_ wird dabei aufgeladen und die negative
Steuerspannungsquelle entsprechend entlastet Bei der Anordnung nach Abb.2 dagegen klingt der in Lc
entstandene Strom über die Diode Dc und die Reihenschaltung der Stützkondensatoren C+, C- ab. C+
und C_ werden dabei aufgeladen und die positive wie negative Steuerspannungsquelle entsprechend entlastet
Der Aufwand zur Zurückspeisung der in L und C
gespeicherten Energie beschränkt sich bei den in A b b. 1 und 2 gezeigten Anordnungen auf eine Diode
DL bzw. eine Induktivität Lc und ist damit äußerst
gering. Die gestrichelt eingezeichnete Diode Ds ist bei entsprechender Dimensionierung von Lc überflüssig.
Andernfalls unterdrückt Ds eine Schwingneigung von C mit Lcbeim Ausschalten des Schalttransistors T2.
Gemäß A b b. 3 und Anspruch 3 ist der Schalttransistor durch eine Darlingtonanordnung bestehend aus
Treiber- und Endtransistor 71, T2 ersetzt, mit einer
Überbrückung der Basis-Emitter-Strecke des Treibertransistors Ti mit einem ohmschen Widerstand R\ und
mit einer Überbrückung der Basis-Emitter-Strecke des Endtransistors T2 durch eine Reihenschaltung eines
ohmschen Widerstandes R2 und einer Induktivität L2,
wobei die Ansteuerung der Darlingtonanordnung über einen Gegentakt transistorverstärker T+, T- erfolgt
welcher im Einschaltzustand der Darlington-Endstufe Γι, T2 die Basis des Treibertransistors Ti über einen
ohmschen Widerstand R3 und die Parallelschaltung aus
einem ohmschen Widerstand Ra und einem Kondensator
G mit einem positiven Pol der positiven Steuerspannungsquelle verbindet und im Ausschaltzustand der
Darlington-Endstufe Ti, T2 die Basis des Treibertransistors
Ti über einen ohmschen Widerstand R und die Basis des Endtransistors T2 über eine Diodenkette Dmit
dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbindet
Die Wirkungsweise der Anordnung nach A b b. 3 ist wie folgt: Je nach der Polarität der Steuerspanniing am
Steuereingang des Gegentakttransistorverstärkers T+, T_ ist entweder T+ oder T_ leitend. Leitet T+, erhält die
Basis des Treibenransistors Ti positiven Basisstrom, der
die Darlington-Endstufe Ti, T2 in den Einschaltzustand
setzt. Die Anfangsspitze und der Endwert des positiven Basisstromes können in bekannter Weise durch R}, R4,
(^•eingestellt werden. Leitet T-, erhalten sowohl die Basis des Treibertransistors Γι über den ohmschen
Widerstand R als auch die Basis des Endtransistors T2
über die Diodenkette D negativen Basisstrom, der solange andauert, bis Ti bzw. T2 sperren. Die Bauteile Rt,
R2, L2 unterstützen dabei den Ausschaltvorgang von Ti
bzw. T2 in bekannter Weise. Anschließend fließt — bei
weiterhin leitendem T_ — ein Ruhestrom über L2, R2
und die Parallelschaltung aus Rt und R mit der
Diodenkette D. Die Spannungsfälle dieses Ruhestromes an den vorgenannten Bauteilen sorgen für eine
definierte negative Basis-Emitter-Spannung sowohl für den Treibertransistor Ti als auch den Endtransistor T2
während des Ausschaltzustandes der Darlington-Endstufe Ti, T2. Durch richtige Abstimmung von R (wobei
als Grenzwert Ä = 0 möglich ist), der Diodenzahl D
sowie Ru R2, L2 läßt sich mit der erfindungsgemäßen
Anordnung die Ausschaltzeit der Darlingtonanordnung Ti, Ti minimieren und eine gleichmäßige Aufteilung der
negativen Basis-Emitter-Spannung auf Tl und T2 zur
Erzielung höchster Sperrfestigkeit erreichen. Beim
Wiedereinschalten der Darlington-Endstufe T\, Ti
verkürzt der über die Basis-Emitter-Strecke des Endtransistors Ti abklingende Strom von Li (vormals
der Ruhestrom) dessen Einschaltzeit.
Obwohl die erfindungsgemäßen Anordnungen nach Abb. 1 und 2 besonders gut mit einer Leistungsschalttransistorendstufe
entsprechend Abb.3 harmonieren, können sie auch Anwendung finden, wenn als
Leistungsstellglied anstelle eines Schalttransistors ein abschaltbarer Thyristor (GTO-Thyristor) benutzt wird.
Denn auch dieser benötigt positiven und negativen Steuerstrom.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für
sehr hohe Taktfrequenz, bestehend aus dem eigentlichen Schalttransistor, seiner Basisansteuerung
mit 2 in Reihe geschalteten Gleichspannungen (positive Steuerspannungsquelle, negative Steuerspannungsquelle),
deren Mittelpunkt mit dem Emitter des Schalttransistors der Schahtransistorendstufe
galvanisch verbunden ist sowie je einer Ein- und Ausschaltschutzbeschaltung für den Schalttransistor
zur Begrenzung der Steilheit des Stromanstiegs beim Einschalten des Schalttransistors in
Form einer Reiheninduktivität L zur Kollektor-Emitter-Strecke (=d;7df-Begrenzung) sowie zur
Begrenzung des Sperrspannungsanstiegs am Schalttransistor beim Ausschalten in Form einer Reihenschaltung
eines Kondensators C und einer Diode parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke (=di//di-Begrenzung),
dadurch gekennzeichnet,
daß die von der Induktivität L der d/Vdf-Begrenzüngsschaltung in jedem Takt beim Einschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Ausschalten des Schalttransistors T2 über eine Diode Dl in die positive Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu die Induktivität L mit dem einen Anschluß an den Emitter des Schalttransistors T2 und mit dem anderen Anschluß über die Diode Dl in Durchlaßrichtung an den positiven Pol der positiven Steuerspannungsquelle geführt ist und
daß die vom Kondensator Cder do/di-Begrenzungsschaltung in jedem Takt beim Ausschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Einschalten des Schalttransistors Ti über einen induktiven Zwischenspeicher Lc in die negative Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu der Kondensator C mit dem einen Anschluß an den Kollektor des Schalttransistors Ti geführt ist, während der andere Anschluß von C einerseits über eine Diode Dc in Durchlaßrichtung mit dem Emitter von T2 und andererseits über den induktiven Zwischenspeicher Lc mit dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbunden ist.
daß die von der Induktivität L der d/Vdf-Begrenzüngsschaltung in jedem Takt beim Einschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Ausschalten des Schalttransistors T2 über eine Diode Dl in die positive Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu die Induktivität L mit dem einen Anschluß an den Emitter des Schalttransistors T2 und mit dem anderen Anschluß über die Diode Dl in Durchlaßrichtung an den positiven Pol der positiven Steuerspannungsquelle geführt ist und
daß die vom Kondensator Cder do/di-Begrenzungsschaltung in jedem Takt beim Ausschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Einschalten des Schalttransistors Ti über einen induktiven Zwischenspeicher Lc in die negative Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu der Kondensator C mit dem einen Anschluß an den Kollektor des Schalttransistors Ti geführt ist, während der andere Anschluß von C einerseits über eine Diode Dc in Durchlaßrichtung mit dem Emitter von T2 und andererseits über den induktiven Zwischenspeicher Lc mit dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbunden ist.
2. Anordnung nach Anspruch J, dadurch gekennzeichnet,
daß die vom Kondensator Cder du/df-Begrenzungsschaltung
in jedem Takt beim Ausschalten aufgenommene Energie beim darauffolgenden Einschalten
des Schalttransistors T2 über einen induktiven Zwischenspeicher Lc in die positive und
negative Steuerspannungsquelle zurückgespeist wird, wozu der Kondensator C mit dem einen
Anschluß an den Kollektor des Schalttransistors T2
geführt ist, während der andere Anschluß von C einerseits über eine Diode Dc in Durchlaßrichtung
und den Stützkondensator C+ der positiven Steuerspannungsquelle
mit dem Emitter von T2 und andererseits über den induktiven Zwischenspeicher
Lc mit dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle
verbunden ist
3. Anordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet daß der Schalttransistor durch eine
Darlingtonanordnung bestehend aus Treiber- und Endtransistor 71, Ti ersetzt ist mit einer Überbrükkung
der Basis-Emitter-Strecke des Treibertransistors 71 mit einem ohmschen Widerstand R\ und mit
einer Überbrückung der Basis-Emitter-Strecke des Endtransistors Ti durch eine Reihenschaltung eines
ohmschen Widerstandes R2 und einer Induktivität Z*,
und daß die Ansteuerung der Darlingtonanordnung über einen Gegentakttransistorverstärker T+, TL
erfolgt welcher im Ausschaltzustand der Darling-
^ ton-Endstufe Ti, Ti die Basis des Treibertransistors
Ti über einen ohmschen Widerstand R und die Basis
des Endtransistors T2 über eine Diodenkette D mit
dem negativen Pol der negativen Steuerspannungsquelle verbindet
to
4. Anordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet daß anstelle einer Leisuingsschalttransistorendstufe
ein abschaltbarer Thyristor (GTO-Thyristor) Anwendung findet
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772750720 DE2750720C2 (de) | 1977-11-12 | 1977-11-12 | Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für sehr hohe Taktfrequenz |
Applications Claiming Priority (1)
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DE19772750720 DE2750720C2 (de) | 1977-11-12 | 1977-11-12 | Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für sehr hohe Taktfrequenz |
Publications (2)
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DE2750720A1 DE2750720A1 (de) | 1979-05-17 |
DE2750720C2 true DE2750720C2 (de) | 1982-08-12 |
Family
ID=6023625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19772750720 Expired DE2750720C2 (de) | 1977-11-12 | 1977-11-12 | Anordnung zur Verringerung der Steuerleistung einer Leistungsschalttransistorendstufe für sehr hohe Taktfrequenz |
Country Status (1)
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DE (1) | DE2750720C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3133166B2 (ja) * | 1992-09-17 | 2001-02-05 | 株式会社東芝 | ゲート電力供給回路 |
-
1977
- 1977-11-12 DE DE19772750720 patent/DE2750720C2/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
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NICHTS-ERMITTELT |
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