DE2733187A1 - Photoempfindliches material auf selenbasis fuer die elektrophotographie - Google Patents
Photoempfindliches material auf selenbasis fuer die elektrophotographieInfo
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Description
DR BERG DIPL -ING. STAPF
DIPL ING. SCHWOF DR DR. SA VDMAIR
PATEiNTANWALTt
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8 MÜNCIIFN 86. POSTIACH 8602 45 £. I -J -J I O .
Ricoh Company Ltd, Tokyo/Japan
Photoempfindliches Material auf Selenbasis für die
Elektrophotographie
Die Erfindung betrifft ein photoempfindJiches Material auf
Selenbasis für die Elektrophotographie, und insbesondere photoempfindliche MateriiiJien mit Selen oder Selenlegierungen,
wobei das Selen oder die Seienlegierungcn nuf feinpolierte
bzw. -gehonte Träger oder Unterlagen aufgebracht sind.
Üblicherweise werden die photoempfindlichen Materialien auf
Selenbasis für die Elektrophotographie dadurch aufbereitet, daß eine dünne Selenschicht oder photoleitendes Material auf
vn/xx/h. 70flR8i/1077
f Ι08Ί 91t 82 72 8 München 80. MaucrkirchrMralle 45 Bjnken Ba\ensche Vereinsbank München 45} l«i
9(17043 Telegramme BI R^sPklftHHl'Ü>'f,Mjfm^i:iQ *J f
Hypii Bank München 389«*)2624
»833 10 TlUX 05 24 56OBIRt)J Postscheck München 65343 80«
Selenbasis auf einen leitenden Träger bzw. eine entsprechende Unterlage durch Aufdampfen im Vakuum u.a. aufgebracht werden.
Die photoleitende Schicht aus Selen oder aus Selenlegierungs-Photoleitern (die nachstehend der Einfachheit halber als "Selenschicht" bezeichnet wird) wird elektrisch geladen und dann
bildmäßig belichtet, und auf diese Weise ein latentes elektrostatisches Bild auf der photoleitenden Schicht geschaffen. Während dieses Vorgangs bewegen sich Ladungsträger über die Selenschicht und die leitende Unterlage.
Infolgedessen werden die Kenndaten der photoempfindlichen Teile,
insbesondere durch den Zustand der Grenzfläche zwischen der Selenschicht und der Unterlage stark beeinflußt.
Materialien auf Aluminiumbasis, rostfreier Stahl u.a. werden
als Materialien für die Unterlagen oder Träger in Verbindung mit Photoleitern aus Selen oder auf Selenbasis verwendet. Insbesondere Unterlagen auf Aluminiumbasis werden sehr häufig verwerndet, da sie preiswert und leicht zu verarbeiten sind.
Bei einem auf Hochglanz polierten Träger ist nachteilig, daß er schwierig zu verarbeiten ist, da eine aufgebrachte Selenschicht sich schon bei einem leichten Stoß oder leichten Erschütterungen von der Unterlage ablöst. Infolgedessen sind verschiedene Untersuchungen durchgeführt worden, um die Hafteigenschaften zwischen photoleitenden Selenschichten und deren Un-
- 3 709884/1077
terlagen zu verbessern. Beispielsweise ist in dem veröffentlich'
ten japanischen Patent 44-32^68 ein Verfahren beschrieben, um
eine organische Haftschicht auf eine Unterlage als Zwischenschicht aufzubringen und dann durch Aufdampfen im Vakuum eine
Selenschicht auf die Zwischenschicht aufzubringen.
Dies Verfahren ist jedoch mit sehr schwierigen technischen Problemen verbunden. Beispielsweise ist es beim Herstellen eines
photoleitenden Teils schwierig, eine gleichförmige organische
Haftschicht auszubilden. Darüber hinaus wird der Grad des Vakuums während der Vakuumaufdampfung des Selens durch die Emission
von Gasen aus der organischen Haftschicht infolge der Erwärmung der Unterlage während der Vakuumaufdampfung gesenkt, und auch
die Selenschicht kann mit gewissen Verunreinigungen von der organischen Haftschicht verunreinigt werden.
Wenn die oben angeführten photoempfindlichen Selenmaterialien
bei herkömmlichen elektrophotographischen Verfahren, wie beispielsweise dem sogenannten Carlson-Verfahren, verwendet werden, werden einige Fallen oder Fangstellen erzeugt, welche
elektrische Träger in der organischen Haftschicht und in der Selenschicht einfangen, was unvermeidlich zu der Erzeugung
eines Hestpotentials führt.
Wie dem obigen Beispiel zu entnehmen ist, hat der Versuch, die Haftung zwischen der Unterlage und der Selenschicht zu erhöhen,
indem eine derartige Zwischenschicht aufgebracht wird, nicht
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nur die Schwierigkeit, daß die elektrostatischen Kenndaten der photoempfindlichen Materialien verschlechtert werden, sondern auch die Schwierigkeit zur Folge, daß eine entsprechende
Auswahl von organischen Materialien für die dazwischen angeordnete Haftschicht getroffen werden muß.
Ein weiteres Verfahren, die Haftung zwischen der Unterlage und der Selenschicht zu verbessern, besteht darin, die Oberfläche
der Unterlage uneben oder rauh zu machen, so daß die Haftung zwischen der Selenschicht und der Unterlagevverbessert wird.
Ein Verfahren, das hierzu gehört, ist ein mit Flüssigkeit arbeitendes Honverfahren, das sogenannte Strahlhonverfahren, bei
welchem Wasser, das feinstverteilte Schleifpartikel enthält, gegen die Oberfläche einer Unterlage gespritzt wild. Ortlich
wird durch dieses Verfahren die Oberfläche rauh genug, und folglich ist die Haftung zwischen der Unterlage und der Selenschicht merklich verbessert. Eine Schwierigkeit ergibt eich jedoch dadurch, daß dies zur Folge hat, daß die Unterlage eine
ziemlich lange periodische Wellenform auf der Oberfläche hat. Selbst wenn eine Selenschicht auf dieser Unterlage ausgebildet
wurde, ist sie infolgedessen nicht immer gleichmäßig dick, was dann eine nachteilige Wirkung auf die Bildausbildung zur Folge
hat. Darüber hinaus werden, wenn die Oberfläche einer Unterlage übermäßig uneben ist, die elektrischen Kenndaten des photoempfindlichen Selenmaterials, wie beispielsweise das elektrische
Oberflächenpotential (das nachstehend als Oberflächenpotential
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bezeichnet wird) verschlechtert. In diesem Fall besteht die Schwierigkeit, bei welchem Oberflächenpotential (V) das photoempfindliche Teil verwendet werden sollte, da in einem Kopiergerät die maximal zulässige Hauhigkeit der Unterlage durch das
erforderliche Oberflächenpotential festgelegt ist. Im allgemeinen kann gesagt werden, daß ein photoempfindliches Material
das nicht mehr als ein Oberflächenpotential von 1 25OV und
nicht mehr als ein Dunkelabfallverhältnis von 0,80 hat, nicht in entsprechender Weise verwendet werden kann.
Wenn darüber hinaus das photoempfindliche Material wiederverwendet wird, hat sich die Selenschicht von der Unterlage abzuschälen bzw. zu lösen. Wenn in diesem Fall die Unterlage zu
rauh ist, wird das Abschälen bzw. Lösen der Selenschicht schwierig.
Infolgedessen hat das Strahlhonverfahren den Nachteil, daß es
zu einer ziemlich langen periodischen Welligkeit auf der Oberfläche einer Unterlage kommt und es schwierig ist, die erhöhte
Haftfähigkeit der Selenschicht im Hinblick auf eine Minderung beim Lösen der Selenschicht, wenn sie wiederverwendet wird, auszugleichen bzw. entsprechend abzustimmen.
Gemäß der Erfindung soll daher das Haftvermögen der photoleitenden Schichten auf den Unterlagen der photoempfindlichen Materialien verbessert werden, für welche bei der Elektrophotographie Selen oder Selenverbindungen verwendet werden. Darüber
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- Jir -
hinaus sollen photoempfindliche Materialien»bei welchen Selen
oder Selenverbindungen verwendet werden, geschaffen werden, die im Hinblick auf ihre elektrostatischen Kenndaten in der Praxis
gut verwendet werden können, und deren Selenschichten ohne weiteres abgeschält bzw. gelöst werden können, wenn sie wiederverwendet
werden.
Gemäß der Erfindung ist dies dadurch erreicht, daß die Oberfläche einer Unterlage durch ein Feinpolier- bzw. Feinhonverfahren
rauher gemacht wird und eine photoleitende Schicht, die im wesentlichen aus Selen besteht, auf der Unterlage ausgebildet
wird.
Hierbei ist mit dem Feinpolier- bzw. Feinhonverfahren, das bei
der Erfindung verwendet wird, ein Verfahren bezeichnet, bei welchem eine Unterlage in der Weise geschliffen wird, daß ein
Schleifstein mit leichtem Druck an der Oberfläche der Unterlage mit kleinen periodischen Bewegungen in Anlagegebracht wird, wäh
rend der Schleifstein auf der Unterlage bewegt wird. Durch dieses Verfahren ist ein gleichförmiges und sehr genaues Schleifen erreicht,
wodurch in kurzer Zeit eine sehr feine Rauhigkeit auf der Unterlage ausgebildet und es selten durch ein derartiges
Schleifen zu einer Härtung der geschliffenen Oberfläche kommt.
Gemäß der Erfindung sind somit photoempfindliche Materialien
auf Selenbasis für die Elektrophotographie geschaffen, bei wel
chen eine leitende Schicht, die im wesentlichen aus Selen b·-
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steht, auf einer Unterlage bzw. einem Träger gebildet wird, deren Oberfläche durch ein Feinpolier- bzw. Feinhonverfahren
rauher gemacht ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig.1 ein Meßergebnis der Oberflächenunebenheit oder
Rauhigkeit einer durch Feinpolieren bzw. durch Feinhonen behandelten Al-Mn-Unterlage, wobei die
Meßergebnisse mit dem Kosaka-Kauhigkeitsmesser (einer anliegenden Schreibnadel) erhalten werden;
Fig.2 ein Meßergebnis der Oberflächenrauhigkeit der
durch ein anschließendes Strahlhonen feinpolierten bzw. feingehonten Al-Mn-Unterlage der Fig.l,
wobei das Ergebnis durch den Kosaka-Hauhigkeitsmesser
erhalten worden ist;
Fig.3 die Deziehung zwischen den elektrostatischen
Kenndaten (dem Oberflächenpotential und dem Dunkelabfall)
und der Oberflächenrauhigkeit eines photoempfindlichen Materials gemäß der Erfindung;
Fig.4 die Änderung des Oberflächenpotentials eines
photoempfindlichen Materials gemäß der Erfindung,
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die über der Zeit aufgetragen ist, wenn eine Al-Mn-Unterlage
oder eine Al-Mg-Unterlage verwendet wurde; und
Fig. 5 die Änderung des Dunkelabfalls über der Zeit bei
den entsprechenden photoempfindlichen Materialien der Fig.k.
Die Bedingungen, unter welchen das Feinpolier- bzw. Feinhonverfahren
angewendet wird, können geändert werden. Jedoch wird bei der Erfindung das Schleifen mittels des Feinpolier- bzw. Feinhonverfahrens
vorzugsweise unter den folgenden Bedingungen durchgeführt:
Art des Schleifsteins: FBB GC 600 - GC 1200, der von Nihon Tokushu
Kento hergestellt wird (GC 1000 6H- 4,5 ist der beste). Anzahl der Schwingungen des Schleifsteins: 2 000 bis 2 500 Schwingungen/Min
Schleifamplitude: 1,5 bis 2,5mm
Schleifgeschwindigkeit: 250 bis 35Omm/Min Anzahl der Drehungen des Schleifsteins: 200 bis 250 Umdrehungen/Min
Schleifgeschwindigkeit: 250 bis 35Omm/Min Anzahl der Drehungen des Schleifsteins: 200 bis 250 Umdrehungen/Min
ο
Schleifdruck: 0,8 +_ 0,2kg/cm
Schleifdruck: 0,8 +_ 0,2kg/cm
Schleifflüssigkeit: Unionbase + Kerosin
Das Feinpolier- bzw. Feinhonverfahren erlaubt eine starke dauerhafte
Haftung der Selenschicht an einer Unterlage, selbst wenn die Oberflächenrauhigkeit der Unterlagen nicht mehr als 2,0/U
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ist. Infolgedessen hat dies eine geringe Welligkeit mit einer langen Periode auf der Oberfläche zurFolge, und die auf der
Unterlage ausgebildete Selenschicht kann ohne weiteres von der Unterlage abgeschält bzw. abgelöst werden, wenn sie wiederverwendet wird.
Wenn jedoch die Oberflächenrauhigkeit der Unterlage kleiner als
0,3/U wird, wird das Haftvermögen der Selenschicht an der Unterlage schwächer. Polglich liegt bei der Erfindung die Oberflächenrauhigkeit im Bereich von etwa 0,3 bis 2,0 ,u.
Es besteht jedoch ein Unterschied zwischen einem Feinpolierbzw. Feinhonverfahren und dem Strahlhonverfahren bezüglich der
geschaffenen Oberflächenrauhigkeit und dem Haftvermögen. Der
Grund hierfür liegt möglicherweise darin, daß es gewisse Unterschiede in der Form der geschaffenen Rauhigkeit gibt.
Anhand von Fig.l und 2 sollen derartige Unterschiede zwischen
dem feinpolieren und dem Strahlhonen im Hinblick auf die Form der geschaffenen Rauhigkeit erläutert werden.
In Fig.l ist ein Meßergebnis der Oberflächenrauhigkeit einer
Unterlage mit einem Al-Mn-Material dargestellt, welches unter
den Bedingungen des später beschriebenen Beispiels 1 einem Feinpolieren unterzogen wurde. Ein Rauhigkeitsmesser, der bei
dieser Messung verwendet wurde, war ein Kosaka-Rauhigkeitsmesser mit einer Vergrößerung von 10 000 in der vertikalen Rich-
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tung und einer Vergrößerung von 100 in der horizontalen Richtung. Die Oberfläche hatte eine durchschnittliche Rauhigkeit
von 1,3 bis l,4,u und hatte keine Welligkeit.
In Fig.2 ist ein Meßergebnis der Oberflächenrauhigkeit der
feinpolierten Al-Mn-Unterlage der Fig.1 dargestellt, die unter
den folgenden Bedingungen anschließend durch Strahlhonen poliert wurde. Wie aus diesem Ergebnis ersehen werden kann, hat
die Oberfläche eine gleichförmige Rauhigkeit, aber auch eine
Welligkeit.
Abstand zwischen dem Wasserauslaß und der Substratoberfläche: etwa 10cm
Spritzwinkel der Schleifflüssigkeit: 90°
Wenn die Unterlage unter den obigen Bedingungen durch Strahlhonen poliert wurde, ohne daß sie feinpoliert worden ist, wurde
eine Welligkeit der Oberfläche festgestellt. Infolgedessen wurde eine derartige Welligkeit auch auf der Selenschicht festgestellt, wenn das Selen durch Aufdampfen im Vakuum auf die Unterlage aufgebracht wurde.
Wenn die Oberflächenrauhigkeit der Unterlage mehr als 2,0,u betrug, wurde festgestellt, daß sich die elektrostatischen Kanndaten des photoempfindlichen Materials verschlechtert haben.
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Die Selenschicht kann von der Unterlage abgeschält bzw. gelöst werden, indem das photoleitende Material bei höheren Temperaturen
von 70 bis 100 C etwa 1 bis 5 Min lang in flüssiges oder
dampfförmiges Trichloräthylen oder Perchloräthylen gebracht
wird.
Andere photoempfindliche Materialien, die bei der Erfindung ver
wendet werden können, sind Materialien, die im wesentlichen aus Selen bestehen, wie beispielsweise Legierungen aus Selen, Tellur
und/oder Arsen und außerdem amorphes Selen, das im allgemeinen auf dem Gebiet, mit welchem sich auch die Erfindung beschäftigt,
verwendet wird.
Vorzugsweise liegt die Dicke der photoleitenden Schichten, bei welchen diese Photoleiter benutzt werden, im Bereich von etwa
30 bis 80.u. Wenn die photoleitende Schicht dünner als 30/U ist,
werden die Ladeeigenschaften verschlechtert. Wenn sie anderer
seits dicker als 80>u ist, neigen die Kestpotentiale dazu, unzulässig hoch zuwerden.
Ferner kann gemäß der Erfindung erforderlichenfalls eine Überzugsschicht aus organischen Polymeren oder anderen organischen
Materialien als den Hauptbestandteilen auf den Photoleiter aufgebracht werden, um das Abschleifen der Oberfläche der photoleitenden Schicht zu verhindern. Hierbei gibt es zwei Arten von
Überzugsschichten, die gemäß der Erfindung verwendet werden, nämlich organische und anorganische Überzugsschichten.
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Als Materialien für die organischen Überzugsschichten können beispielsweise die folgenden Verbindungen oder deren Mischungen verwendet werden: Polyvinylformal, Polyvinyl-Butyral,
Polyvinylazetal, Polystyrol, Polyäthylen-Terephthalat, fluor -atomhaltige Polymere, Silikonharz, Akrylharz, Zelluloseharz,
Silankupplungsharz, Polyvinylkarbazol,oder Mischungen dieser
Verbindungen. Erforderlichenfalls können sie ferner auch zusätzlich zu verschiedenen Arten von Zusatzstoffen verwendet
werden.
Als Materialien für die anorganischen Überzugsschichten können beispielsweise die folgenden Verbindungen allein oder in Kombinationen verwendet werden: A1_O_, SiO., TiO , CaO, PbS, Fe0O ,
Λ J ί. Α Λ }
Bariumtitanat, anorganisches Glas, SnO oder andere Metalloxyde, Metallsulfide, Metallfluoride.
Als Materialien für die Unterlagen der Photoleiter kann irgendein leitendes Material verwendet werden, wenn es auf dem Gebiet
der Erfindung benutzt wird, beispielsweise zusätzlich ,zu Aluminium Metalle mit nicht mehr als 10 -Q- cm, wie beispielsweise
rostfreier: Stahl, Messing u.a.
Das Hauptziel der Erfindung, d.h. ein Erhöhen des Haftvermögens
zwischen den Selenschichten und den Unterlagen und das Beseitigen der Schwierigkeiten im Hinblick auf das Abschälen oder Lösen der Selenschichten, kann erreicht werden, ohne daß die elektrostatischen Kenndaten der photoempfindlichen Materialien ver-
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schlechtert werden. Außerdem sind bei der Erfindung die Änderungen der elektrostatischen Kenndaten der photoleitenden Materialien über der Zeit im Hinblick auf die Materialien der
Unterlagen untersucht worden. Für geeignete photoempfindliche
Materialien, die bei der Elektrophotographie verwendet werden,
ist eine unabdingbare Voraussetzung, daß die anfänglichen elektrostatischen Kenndaten des photoempfindlichen Materials
ausreichend sind. Darüber hinaus sollte bei einem elektrophotographischen Kopiergerät auch die anfängliche Qualität des Kopierpapiers fortlaufend über ihre Kopiervorgänge erhalten bleiben. Folglich wird gefordert, daß ein bei der Elektrophotographie verwendeter Photoleiter sich im Hinblick auf seine elektrischen Kenndaten nicht mit der Zeit verschlechtert.
Die Ergebnisse der von der Anmelderin durchgeführten Untersuchungen der Erfindung zeigen, daß, wenn nur die anfänglichen
elektrischen Kenndaten des elektrophotographisehen photoleitenden Selenmaterials bezüglich der Unterlage berücksichtigt
wanden, die anfänglichen Kenndaten sich nicht in Abhängigkeit
von der Art der Unterlagen ändern, wenn die Unterlagen mittels des Feinpolierverfahrens behandelt werden.
Bezüglich einer Änderung der elektrischen Kenndaten im Laufe der Zeit wurden nur geringe Unterschiede in Abhängigkeit von
der Art der Unterlagen festgestellt und es wurde herausgefunden, daß Al-Mn-Material das beste ist.
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Ib Hinblick auf die üblichen Aluminium- und Aluminiumlegierungsmaterialien können die folgenden sieben Arten angegeben
werden:
(l) reines Aluminium; (2) Aluminium-Mangan; (3) Aluminium-Kupfer; (k) Aluminium-Silizium!di)oxydj (5) Aluminium-Magnesium; (6) Aluminium-Magnesium-Siliziumidi)oxyd und (7) Aluminium-Zink.
Von diesen Materialien eignen sich reines Aluminium, Al-Mn und Al-Mg sehr gut, wenn die Korrosionsbeständigkeit in Betracht
gezogen wird. Damit die Unterlage aus photoleitendem Material bei der Elektrophotographie verwendet werden kann, ist es eine
unabdingbare Forderung, daß es eine ausreichende Korrosionsbeständigkeit hat.
In der folgenden Tabelle 1 sind als Beispiele reines Aluminium,
Al-Mn und Al-Mg angegeben.
Art des Alu | JIS | Cu | Komponenten (.%) | Si | Fe | Mn | Mg | Zn | Cr | Al | - |
miniums | Symbol | 0,2 | 0,6 | 0,7 | 1,0 | _ | 0,1 | der | |||
Al-Mn | 3003 | oder | oder | oder | oder | Hest | |||||
we | we | we | we | ||||||||
ni | ni | ni | ni | ||||||||
ger | ger | ger | 1,5 | ger | |||||||
0,1 | 0,4 | 0,1 | 2,2 | 0,1 | 0,15 | der | |||||
Al-Mg | 5052 | oder | oder | - | oder | Rest | |||||
we | we | we | |||||||||
ni | ni | ni | |||||||||
ger | ger | 2,8 | ger | ||||||||
reines Al | IO8O | ||||||||||
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Die Erfindung wird nunmehr anhand der folgenden Beispiele erläutert.
Beispiel 1
Beispiel 1
Eine Aluminiumtrommel ( 120 j$ ) aus dem in Tabelle 1 dargestellten
Al-Mn wurde als Unterlage bzw. Träger verwendet. Das Feinpolieren bzw. Feinhonen wurde unter den folgenden Bedingungen
vorgenommen:
Art des Schleifsteins: FBB-GC 1000 Anzahl der Schwingungen
Art des Schleifsteins: FBB-GC 1000 Anzahl der Schwingungen
des Schleifsteins: 2000 bis 2500 Schwingungen/Min
Schleifgeschwindigkeit: 300mm/Min
Anzahl der Durchläufe des
Schleifsteins: zweimal
Schleifsteins: zweimal
Anzahl der Trommelumdrehun-
gen: 200 bis 220 Umdrehungen/Min
Schleifflüssigkeit: Unionbase + Kerosin (21/2201)
Unter den oben angeführten Bedingungen wurden die feingeschliffenen
bzw. feingehonten Trommeln A bis F aufbereitet, wobei der Druck des Schleifsteins während dieser Verfahren ein Paar
ame t er war.
In Tabelle 2 ist die durchschnittliche Oberflächenrauhigkeit
der entsprechendenden feinpolierten bzw. feingehonten Trommeln dargestellt.
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Trommel Uberflächenrauhigkeit (/u)
A O1 1
B 0,3
C 1,1
D 1,9
E 2,5
F 14,2
Hierbei wurde die Oberflächenrauhigkeit mit einem Kosaka-Rauhigkeitsmesser
(einer mit einem gewissen Druck anliegenden Schreibnadel) gemessen.
Tabelle 3 und Fig.3 geben die Meßergebnisse der verschiedenen
Kenndaten der photoempfindlichen Materialien wieder,
die bei den vorbeschriebenen,durch Feinpolieren bzw. Feinhonen behandelten Trommeln A und B verwendet wurden, auf
welchen durch Aufdampfen im Vakuum etwa 50/U dickes 5N-Selen bei einer Unterlagentemperatur von etwa 75 C aufgebracht wurde.
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Oberflä chenrau higkeit |
Oberflä
chenpo tential (V) |
Elektrostatische Kenndaten (1 |
negati
ves Ober flächen potential (V) |
Haftungs vermögen (2) |
I | Abschä len (3) |
|
Trommel | 0,1 | 14 ίο |
Dunkel
abfall |
-120 | X | 0 | |
A | 0,3 | i4oo | 0,91 | -120 | 0 | 0 | |
B | 1.1 | 1410 | 0,90 | -110 | 0 | 0 | |
C | 1,9 | 1380 | 0,90 | -110 | 0 | 0 | |
D | 2,5 | 1260 | 0,88 | - 70 | 0 | 0 | |
E | Ik,k | 1080 | 0,85 | - 80 | 0 | X | |
F | 0,79 | ||||||
(1) Oberflächenpotential ist das Potential eines photoempfindlibhen Materials nach 20sek, wenn es mit einer Koronaspannung von
+5,7kV geladen wird.
Dunkelabfall ist das Verhältnis des vorerwähnten Oberflächenpotentials Vs zu dem Potential Vo, nachdem es 20sek lang im Dunkeln steht, nämlich das Verhältnis Vo/Vs.
Negatives OberflächenpoteHtial ist das Oberflächenpotential
nach 20sek, wenn eine Koronaladung von -7,5kV aufgebracht worden ist.
(2) Mit 30 000 Kopien wurde ein fortlaufender Kopierversuch
mit einem Kopiergerät mit einer schneidenförmigen Reinigungseinrichtung durchgeführt (0 zeigt an, daß das Haftvermögen so
gut war, daß kein Abschälen oder Lösen der photoempfindlichen
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Shicht vorgekommen ist, während der Buchstabe χ anzeigt, daß es
zu einem Abschälen bzw. Ablösen gekommen ist.) (3) Nachdem 30 000 Kopien nacheinander kopiert worden waren,
hatte sich die Trommel auf etwa 12Ο C erwärmt und es wurde dann versucht, die photoempfindliche Schicht abzulösen. (Das Zeichen
0 zeigt an, daß das Abschälen bzw. Ablösen möglich war, während χ anzeigt, daß das Ablösen «nmöglich war.)
Die vorstehend wiedergegebenen Ergebnisse und Fig.3 zeigen, daß
das Haftvermögen ausreicht, wenn die Rauhigkeit der fünpolierten Trommel O,3,u oder mehr war.
Bezüglich der elektrostatischen Kenndaten wurden einige Veränderungen festgestellt, wenn die Oberflächenrauhigkeit mehr als
2,0/U wurde. Auf der Unterlage lag die Oberflächenrauhigkeit
dementsprechend in dem Breich von 0,3 bis 2,0 ,u. Beim Abschälen oder Lösen der photoleitenden Schicht geht, wenn die Unterlage
wiederverwendet wird, die zulässige Oberflächenrauhigkeit der
Unterlage bis zu etwa 10,u. Die Rauhigkeit der Selenschicht entspricht nicht unmittelbar der der Unterlage bei der Temperatur
der Unterlage in dem oben wiedergegebenen Beispiel. Es wurde herausgefunden, daß die erstere kleiner war als die letztere.
Es wurde ein Versuch unter denselben Bedingungen wie im Beispiel 1 durchgeführt, außer daß als Unterlage reines Aluminium
gewählt wurde. Die Ergebnisse waren in jeder Hinsicht zufrleden-
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stellend, solange die Überflächenrauhigkeit der Unterlage im
Bereich von 0,3 bis 2,0,u lag.
Es wurde ein weiterer Versuch unter denselben Bedingungen wie in den Beispielen 1 und 2 durchgeführt, außer daß als Unterlage
die Al-Mg-Legierung gewählt wurde. Es wurden dieselben Ergebnisse wie in dem Beispiel 1 erhalten.
Es wurde ein Versuch unter denselben Bedingungen wie in den Beispielen 1 bis 3 durchgeführt, außer daß als Unterlage rostfreier
Stahl gewählt wurde. Auch hier wurden dieselben Ergebnisse wie in dem Beispiel 1 erhalten.
Vie im einzelnen ausgeführt, weist das gemäß der Erfindung verwendete photoempfindliche Selenmaterial Vorteile auf, da das
Haftvermögen der Selenschicht auf den Unterlagen gesteigert ist, und für den praktischen Gebrauch ausreichende elektrostatische
Kenndaten geschaffen werden und das Abschälen bzw. Lösen der Selenschicht bei einer Wiederverwendung sehr leicht erfolgt.
Statt der feinpolierten Trommel C (mit einer Al-Mn-Unterlage)
wurde eine Selenschicht auf einer feinpolierten Trommel mit einer Al-Ng-Unterlage unter denselben Bedingungen wie im Beispiel 1 ausgebildet. Die bei diesem Versuch verwendete Trommel
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war abgesehen von der Unterlage bzw. dem Träger dieselbe Trommel wie die Trommel C in dem Beispiel 1, d.h. die Unterlage der
Trommel C war bei diesem Versuch Al-Mn.
Die elektrostatischen Kenndaten des photoempfindlichen Materials, die bei einer Selenschicht unter denselben Bedingungen wie
im Beispiel 1 erhalten wurden, wurden untersucht.
Eine Probe des photo empfindlichen Materials wurde in eine Umgebung (bzw. Atmosphäre) von 50 C gebracht und nach einer vorbestimmten Zeitdauer wurde die Verschlechterung der elektrischen
Kenndaten der Probe untersucht.
In Fig.4 ist eine Kurve dargestellt, welche die Änderung des
Oberflächenpotentials über der Zeit wiedergibt. Das Oberflächenpotential (V) gibt das Potential der geladenen Probe an, wenn
eine elektrische Ladung von +5»7kV 20sek lang an die Probe angelegt worden ist.
Fig.5 zeigt die Änderung des Dunkelabfalls über der Zeit. Der
Dunkelabfall ist durch das Verhältnis Vo/Vs dargestellt, wobei Vs das vorerwähnte Oberflächenpotential und Vo das Potential
der geladenen Probe ist, nachdem sie 20sek lang im Dunkeln gestanden hat.
Aus den Fig.k und 5 ist zu ersehen, daß das photoempfindliche
Selenmaterial mit der Al-Mn-Unterlage JIS 3003 die anfängli-
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chen elektrostatischen Kenndaten sogar noch nach etwa 50h hält.
In Unterschied hierzu zeigte das photoleitende Selenmaterial
nit der Al-Mg-Unterlage eine starke Verschlechterung der elektrostatischen Kenndaten im Vergleich zu seinen Anfangskenndaten.
Es kann somit gesagt werden, daß als Unterlage für die photoempfindlichen, in der Elektrophotographie verwendeten Selenmaterialien, insbesondere wenn die Unterlage feinpoliert bzw. feingehont ist, vorzugsweise das Al-Mn-Material nur zu geringen
Änderungen in den elektrostatischen Kenndaten der photoempfindlichen Materialien führt.
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Claims (1)
- Paten tansprüche1. Photoemprindliches Material auf Selenbasis für die Elektrophotographie, dadurch gekennzeichnet, daß eine photoleitende Schicht, die im wesentlichen aus Selen besteht, auf eine Unterlage oder einen Träger aufgebracht ist, deren Oberfläche durch Feinpolieren bzw. Feinhonen rauher gemacht ist.2. Photoempfindliches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Überflächenrauhigkeit der Unterlage oder des Trägers im bereich von 0,3 bis 2,0u liegt.3. Photoeinpfindliches Material nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht aus der Gruppe ausgewählt ist, welche Selen, eine Selen-Tellur-Legierung, eine Selen-Arsen-Legierung und eine Selen-Tellur- Arsen-Legierung aufweist.k. Photoempfindliches Material nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage oder der Träger aus der Gruppe ausgewählt ist, die Aluminium, rostfreien Stahl und Messing enthält.- 23 -709884/1077 OfMHNAL INSPEGTTOο- " 273318?5· Photoempfindliches Material nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage oder der Träger eine Aluminium-Mangan-Legierung aufweist.6. Photoempfindliches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Überfläche der photoempfindlichen Schicht durch eine Überzugsschicht geschützt ist.709884/1077
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Free format text: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM. DR.JUR. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
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8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted |