DE2730161C2 - - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum
Ziehen eines Kristalls vom oberen Ende einer Kapillarform,
welche im Betriebszustand mit ihrem unteren Ende in eine
Vorratsschmelze in einem in einem Ofen angeordneten Schmelztiegel eintaucht, sowie
mit einer Einrichtung zum Abziehen des in der Ziehzone
anwachsenden Kristalls.
Verfahren dieser Art zum Kristallziehen aus einer Ziehzone
am oberen Ende eines Kapillarformgebungsteils, zu welcher
Schmelze aus einer Vorratsschmelze laufend selbsttätig
durch Kapillarwirkung nachgefüllt wird, sind in verschiedener
Form bekannt. Zwei derartige bekannte Verfahren sind
beispielsweise in den US-Patentschriften 35 91 348 (entsprechend
US 37 01 636) und 34 71 366 beschrieben. Die erstgenannten
Patentschriften beschreiben die Herstellung
kristalliner Körper nach dem sogenannten EFG-Verfahren
("edge-defined, film-fed growth technique"). Bei diesem
EFG-Verfahren wird die Form des zu ziehenden kristallinen
Körpers von der äußeren oder Kantengestalt der Endoberfläche
eines Formelements bestimmt, das in Ermangelung
eines besseren Namens als Form bezeichnet wird. Bei
diesem Verfahren
wird mit Hilfe eines Keims aus einer Schmelze, die zwischen
dem wachsenden kristallinen Körper und der Endoberfläche
der Form angeordnet ist, ein Kristall gezogen, wobei die Schmelze
kontinuierlich aus einem geeigneten Schmelzvorrat über eine oder
mehrere Kapillaren in der Form ergänzt wird. Der Kristall wächst
hierbei in der Form der Kantengestalt des oberen Endes der Form.
Die US-Patentschrift 34 71 266 beschreibt ein verwandtes Verfahren,
das ein Formelement verwendet, das eine Kapillare zur
Aufnahme eines Schmelzvorrats umfaßt, aus der ein kristalliner
Körper gezogen wird. In Abhängigkeit von der Querschnittsform
der Kapillare und durch entsprechende Steuerung der Wärmebedingungen
am oberen Ende der Kapillare ist es möglich, kristalline
Körper ausgewählter Querschnittsform herzustellen.
Beide Verfahren können beim Ziehen von Körpern aus Aluminiumoxid
oder Silizium verschiedener Form einschließlich zylindrischer
Rohre und dünner flacher Bänder verwendet werden.
Das Ziehen von Kristallen nach den beiden oben beschriebenen
Verfahren erfordert die Verwendung von Formhaltern,
Wärmeschirmen, Nacherhitzern und Führungen zusätzlich
zu den Formen. Diese Bestandteile müssen mit hoher Präzision
hergestellt werden und müssen in einer genauen Position zueinander
über einem Schmelztiegel mit geschmolzenem Material angeordnet
werden, so daß die Schmelze durch Kapillarwirkung in
die Form transportiert wird und durch Verfestigung in einen im
wesentlichen monokristallinen Körper vorgewählter Querschnittsform
überführt wird. Üblicherweise werden diese Teile in dem
kalten Ofen zusammengebaut und in ihrer richtigen Lage zu dem
Schmelztiegel installiert. Falls jedoch eines der Teile schadhaft
wird, ist es nicht nur erforderlich, den Kristallziehprozeß
zu beenden. Der Ofen muß auch auf Zimmertemperatur abgekühlt
werden, bevor das defekte Teil ersetzt werden kann. Das
Abkühlen des Ofens auf Zimmertemperatur erfordert mehrere
Stunden. Ferner erfordert üblicherweise das Austauschen
eines defekten Teils das Auseinanderbauen und
Zusammenbauen der anderen benachbarten Teile, wie auch
eine neue Ausrichtung der Teile. Diese Probleme werden
noch dadurch kompliziert, daß es bekanntlich zum
Ziehen von Kristallen mit relativ hohen Geschwindigkeiten
unter Vermeidung von Spannungen erforderlich ist,
erstens einen sehr steilen Gradienten im Bereich der
Ziehzone an der Kristallwachstumsgrenze zu erzeugen
und aufrechtzuerhalten, um die latente Schmelzhitze
abzuführen und ein schnelles Kristallwachstum zu bewirken,
und zweitens im weiteren Verlauf des Abzugswegs
für eine lineare Herabsetzung der Temperatur längs
des Kristalls von einem Punkt in der Nähe des Schmelzpunktes
bis auf geeignete niedrige Temperaturen zu
sorgen, um Wärmespannungen in dem Kristall zu vermeiden.
Für die Einstellung dieses gewünschten Temperaturgradientenverlaufs
sind verschiedenartige Mittel in
Form von Wärmeleitelementen, Wärmeschirmen, Kühleinrichtungen,
Heizeinrichtungen (Nacherhitzern) usw.
erforderlich, welche den Auseinanderbau und Zusammenbau
der Vorrichtung besonders kompliziert gestalten.
Der Erfindung liegt als Aufgabe die Schaffung einer
Vorrichtung der eingangs genannten Art zum Ziehen eines
Kristalls vom oberen Ende einer Kapillarform zugrunde,
die in ihrem Aufbau konstruktiv so verbessert ist,
daß sich die Wartung, Reparatur oder gegebenenfalls
das Auswechseln eines für den Ziehvorgang kritischen
Teils (Kapillarform, Temperaturgradientensteuermittel)
wesentlich vereinfacht und insbesondere ohne vorherige
Abschaltung und Abkühlung des Ofens oder anderweitige
einschneidende Änderung der Umgebungsziehbedingungen
bewerkstelligen läßt.
Gelöst wird die gestellte Aufgabe bei einer Vorrichtung der
eingangs genannten Art gemäß der Erfindung durch die im Kennzeichnungsteil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale.
Durch die erfindungsgemäße Zusammenfassung der Kapillarform
und wesentlicher mit ihr in enger räumlich-
geometrischer und funktioneller Zuordnung zusammenwirkender
Teile zu einer geschlossenen Baueinheit in
Form einer einsetzbaren und auswechselbaren Patrone
wird sowohl der Erst-Zusammenbau der Vorrichtung wie
auch die Wartung und gegebenenfalls Reparatur der für
den Ziehvorgang kritischen Teile der Vorrichtung wesentlich
vereinfacht. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
kann diese Patrone, welche für das Ziehen wesentliche
Teile, nämlich die Kapillarform sowie dieser
räumlich eng benachbarte und/oder funktionell unmittelbar
zugeordnete Teile wie Formhalter, Wärmeschirme,
Heizelemente und andere kritische Elemente als Bauelemente
zusammengefaßt enthält, bei Betriebstemperatur
in den Ofen eingesetzt werden und aus diesem wieder
entnommen werden, ohne daß der Ofen zuerst auf
Zimmertemperatur abgekühlt werden muß. Diese Teile
können daher schnell untersucht, gewartet und ggf. ersetzt
werden, ohne daß zuerst die Abkühlung des Ofens
abgewartet werden muß.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführung der Erfindung
können dabei in einer Vorrichtung mehrere Patronen angeordnet
werden, die zur gleichzeitigen Herstellung
mehrerer Kristalle gleicher oder verschiedener Querschnittsform
Verwendung finden können. Jede dieser
Patronen kann dabei jeweils unabhängig von den anderen
aus dem Ofen herausgezogen und eingesetzt werden, so daß
auch eine Reparatur oder ein Ersatz einer einzelnen
Patrone ohne Störung des Betriebs der anderen Patronen
stattfinden kann. Auch können die Temperatur und die
Wachstumsbedingungen der einzelnen Kristalle unabhängig
geregelt werden.
Gemäß bevorzugten Ausgestaltungen der Erfindung kann
vorgesehen sein, daß die in der Patrone angeordneten wärmeleitenden
Mittel zur Temperaturgradientensteuerung in Längsrichtung
parallel zur Ziehachse verlaufende Wärmeleitungselemente
aufweisen, welche den Abziehkanal für den
anwachsenden Kristall umgeben, und daß im unteren Teil
der Patrone eine Kühleinrichtung zur Erzeugung eines
starken Temperaturgradienten im Bereich der Ziehzone
zwischen dem oberen Ende der Kapillarform und dem
unteren Ende der wärmeleitenden Elemente angeordnet
ist.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an
Hand der Figuren beschrieben.
Fig. 1 zeigt einen Seitenriß einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
mit einem Ofen, mehreren Ziehmechanismen und mehreren
Patronen für das Kristallziehen,
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Schnittzeichnung des Ofenmechanismus
sowie einen Teil einer Patrone,
Fig. 3 zeigt einen vergrößerten Längsschnitt, der in Fig. 2
dargestellten Patrone längs der Schnittlinie 3-3 in
Fig. 12,
Fig. 4 zeigt einen Längsschnitt der Patrone längs der Schnittlinie
4-4 in Fig. 12,
Fig. 5-7 zeigen Schnittdarstellungen der Patrone längs
der Schnittlinien 5-5, 6-6 und 7-7 in Fig. 4,
Fig. 8-10 zeigen Schnittzeichnungen der Patrone längs der
Schnittlinien 8-8, 9-9 und 10-10 in Fig. 4 und
Fig. 11-13 zeigen Schnittzeichnungen der Patrone längs der
Schnittlinien 11-11, 12-12 und 13-13 in Fig. 4.
Die dargestellte Ausführungsform der Patrone dient zum
Ziehen flacher Siliziumbänder. Sie kann aber auch zum Ziehen
kristalliner Körper aus einem anderen Material und/oder anderer
Querschnittsform verwendet werden. Beispielsweise kann die Erfindung
beim Ziehen kristalliner Körper aus Aluminiumoxid oder
zum Ziehen kristalliner Körper rohrförmigen Querschnitts oder
in der Form massiver Stäbe verwendet werden. Ferner ist es
möglich, den Ofen so umzubauen, daß er zur Erhitzung des Rohmaterials
und des Schmelztiegels anstelle elektrischer Widerstandsheizkörper
eine Hochfrequenzerwärmung verwendet. Natürlich
hängt die Wahl des Materials des Schmelztiegels und auch
der Kristallziehkomponenten der Patronen von der Zusammensetzung
der Schmelze ab. Besteht beispielsweise die Schmelze
aus Aluminiumoxid, sollte vorzugsweise für den Schmelztiegel
die Form, den Formhalter und die Hitzeschirme Molybdän oder
Wolfram verwendet werden, während im Falle von Silizium der
Schmelztiegel und der Formhalter vorzugsweise aus den im folgenden
beschriebenen Stoffen bestehen sollte.
In der Beschreibung und den Ansprüchen werden die Bezeichnungen
"Kapillarformelement" (capillary die member) und "Kapillarformanordnung"
(capillary die assembly) mit der in den US-Patentschriften
35 91 348, 34 71 366 und 38 70 477 definierten Bedeutung
verwendet. Die Bezeichnung "Wachstumsgrenzfläche" wird
zur Beschreibung der Flüssig-Fest-Grenzfläche zwischen der
durch die Kapillarform zugeführte Schmelze und dem aus der
Schmelze gezogenen festen Körper verwendet.
In den Fig. 1 und 2 ist eine Vorrichtung dargestellt, die
einen Ofen in Form einer horizontalen Hülle 2 zeigt, die von
einem Rahmen 4 getragen wird und eine doppelwandige äußere
Hülse aus konzentrischen Stahlzylindern 6 und 8 umfaßt, die mit
ringförmigen Stirnwänden 10 einen Wassermantel bilden mit einem
Hohlraum 12, in dem Wasser zirkuliert. Der Ofen umfaßt wenigstens
eine und vorzugsweise zwei Sichtöffnungen 14, in die hermetisch
abgedichtete Fenster 16 eingesetzt sind. In die äußere Hülse
des Ofens ist eine innere Hülse 18 eingesetzt, die aus Stahl besteht
und die auf ihrer Innenseite mit einer relativ steifen
Auskleidung aus Isoliermaterial 20, z. B. faserförmigen
Graphit, ausgekleidet ist. Die innere Hülse 18 wird von
der äußeren Hülse mit Hilfe einer Halteanordnung an jedem Ende
gehalten. Jede Halteanordnung kann aus einem Paar von ersten
Haltegliedern 22 bestehen, die an dem inneren Zylinder 8 der
äußeren Hülse befestigt sind und einem Paar sich horizontal
ausdehnenden zweiten Haltegliedern 24, die an den ersten Haltegliedern
und auch der inneren Hülse 18 befestigt sind.
Die innere Oberfläche der Isoliermaterial-Auskleidung 20 ist von einer zweiten
isolierenden Auskleidung 26 bedeckt, die vorzugsweise aus
mehreren Lagen von Graphitplatten (wie sie in der US-PS 34 04 061
beschrieben sind) bestehen, die dort durch einen Kleber befestigt
sind. Die innere Hülse 18 und ihre Auskleidungen 20
und 26 sind mit ausgerichteten Öffnungen ausgebildet, die zusammen
einen Sichtkanal 28 bilden, der zu jeder der Sichtöffnungen
14 ausgerichtet ist. Innerhalb der Auskleidung 26 sind
drei längliche elektrische Graphitwiderstandsheizkörper 30, 32
und 34 bogenförmigen Querschnitts angeordnet. Die Heizwiderstände
32 bis 34 erstrecken sich längs des Ofens, und je ein
Ende jedes Heizwiderstandes ist mit einem besonderen elektrisch
leitenden Heizwiderstandsträgerstab 36, der sich durch eine
Durchlaßöffnung 38, die aus zueinander ausgerichteten Öffnungen
in der inneren Hülse 18 und den dazugehörigen Auskleidungen 20
und 26 besteht, erstreckt. Jeder Heizwiderstandsträgerstab 36
ist an seinem äußeren Ende mit einem besonderen elektrisch leitenden
Anschlußstück 40 verbunden. Jedes Anschlußstück 40 wiederum
ist mit einem besonderen hohlen elektrischen Leiter verbunden.
Die beiden Anschlußstücke 40, die mit jedem Heizwiderstand
verbunden sind, sind mit einem entsprechenden Paar von
hohlen Leitern 42 mit einer (nicht gezeigten) elektrischen Stromquelle
verbunden, die außerhalb der Ofenumhüllung angeordnet
ist. Die Leiter 42 sind hohl, so daß Wasser zur Kühlung hierin
zirkulieren kann.
In dem von den Heizwiderständen 30 bis 34 umgebenen Hohlraum
ist ein Schmelztiegelhalter 44 aus Graphit angeordnet, der sich
längs des Ofens erstreckt und einen bogenförmigen Querschnitt
aufweist. Der Schmelztiegelhalter 44 wird an mehreren Punkten
durch einzelne Tragstäbe 46 getragen, die sich durch
Öffnungen in den Auskleidungen 20 und 26 erstrecken und die
mit der inneren Oberfläche der inneren Hülse 18 verbunden sind.
Der trogförmige Schmelztiegelhalter 44 trägt einen länglichen
Quarz-(oder Graphit-)Schmelztiegel 48.
Der Schmelztiegel 48 wird zur Aufnahme des Beschickungsmaterials
verwendet, das bei richtiger Wirkungsweise der Heizwiderstände
in die Schmelze 50 umgewandelt wird. Jedes Ende des Ofens ist
durch eine kreisförmige Deckplatte 51, die mit der entsprechenden
Stirnwand 10 durch Bolzen verbunden ist, verschlossen.
In Betriebsverbindung mit dem Ofen stehen einige Patronen 52,
von denen jede vorzugsweise, aber nicht notwendigerweise, mit
einer getrennten Abzieheinrichtung 54 verbunden ist und von diesem
gehaltert wird, welcher vorzugsweise so angeordnet ist, daß er
in der im folgenden beschriebenen Weise gehoben und abgesenkt
werden kann.
Wie im folgenden im einzelnen beschrieben, enthält jede Patrone
eine Kapillarform sowie mehrere damit verbundene Kristallziehkomponenten.
Die Patronen sind länglich und für das Eintauchen
in die innere Hülse 18 des Ofens ausgebildet. Daher weisen die
innere Hülse 18 und ihre Auskleidungen 20 und 26 für jede Patrone
fluchtende Öffnungen auf, die einen Zugang 56 (Fig. 2)
bilden, durch den die Patrone in ihre Betriebsstellung gebracht
werden kann. Jeder Zugang 56 hat eine solche Größe, daß er eng
an die entsprechende Patrone 52 anschließt.
Wie in Fig. 2 gezeigt, umfaßt und hält das untere Ende jeder
Patrone eine Kapillarform 58, die zum Ziehen von Siliziumbändern
ausgebildet ist. Wenn die Patrone richtig in ihre Betriebsstellung
in bezug auf den Ofen gebracht wird, taucht das
untere Ende der Kapillarform in die Schmelze 50, wie das Fig. 2
zeigt.
Vorzugsweise, aber nicht notwendigerweise, weist die äußere
Hülse des Ofens einen einzelnen länglichen Zugang auf, der durch
die Öffnung 60 gebildet wird, durch die mehrere Patronen 52 in
die Ofenhülle eingeführt und in die in Fig. 2 dargestellte
Stellung gebracht werden können. Die Zugangsöffnung 60 ist mit
einem horizontalen Flansch 62 versehen, der als Anschlag für
die Patrone dient, wenn sie in den Ofen eingeführt wird. Der
Flansch 62 bildet eine Anzahl von Öffnungen 63, die mit den
verschiedenen Zugängen 56 fluchten. Die Öffnungen 63 sind in
ihrer Größe und Anzahl so gewählt, daß sie das Einführen und
Herausziehen der Patronen in bzw. aus dem Ofen gestatten.
Jede Patrone 52 ist mit einer getrennten Kristall-Abzieheinrichtung
54 verbunden, die getragen wird von einem Halter 66 an
dem Rahmen 4 gegenüber dem er hin- und herbewegt werden kann.
Jeder Halter 66 umfaßt ein paar vertikaler Gleitstäbe 68A und
68B, die zur Führung und gleitenden Halterung eines Ziehmechanismus
dienen. Die unteren Enden der Gleitstäbe 68 sind mit dem
Flansch 62 am unteren Ende der Öffnung 60 des Ofens verbunden.
Auf eine detaillierte Beschreibung der Konstruktion der Abzieheinrichtung
54 wird verzichtet, da für die Durchführung der Erfindung
verschiedene Kristallziehmechanismen verwendet werden
können. Vorzugsweise verwendet man jedoch ein Paar einander
gegenüberstehender endloser Bänder, die den wachsenden Kristall
erfassen und transportieren und in ihrer Konstruktion der US-
PS 36 07 112 entsprechen. In der dargestellten Ausführungsform
der Erfindung umfaßt jeder Ziehmechanismus eine Grundplatte 70,
mit der die Patrone 52 sowie eine obere Platte 76 verbunden
ist, die mit Hilfe eines Seils 78 mit einer an dem Rahmen 4 befestigten
Winde 80 verbunden ist. Die Grundplatte 70 und die
obere Platte 76 haben fluchtende Löcher zur gleitenden Aufnahme
der Stäbe 68A und 68B. Die Welle 82 jeder Winde 80 wird
von einem Motor 84 mit umkehrbarer Drehrichtung angetrieben
und läßt das Seil 78 den Ziehmechanismus und die Patrone anheben
oder absenken. Der Halter 66 ist derart angeordnet, daß
die Winden die Patrone vollständig aus dem Ofen zurückziehen
können und sie heben sie vorzugsweise so weit an, daß die unteren
Enden der Kapillarformen 58 um mindestens 12,5 oder 15 cm über
dem Flansch 62 stehen. Die Patrone 52 ist daher voll zugänglich
für Wartungszwecke und Reparaturen. Es ist auch sehr günstig,
daß jede Patrone durch Bolzen und Nuten oder Schrauben lösbar
mit ihrem Ziehmechanismus verbunden ist, so daß eine vollständige
Patroneneinheit entfernt und durch eine andere gleiche oder
verschiedene ersetzt werden kann.
In der in den Fig. 3 bis 12 dargestellten bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung weist jede Patrone im wesentlichen
eine Kapillarform 58, einen Formhalter, eine Kühleinrichtung,
die einen relativ steilen Temperaturgradienten unmittelbar über
der Form aufrechterhält zur Erhöhung der Kristallwachstumsgeschwindigkeit
und eine wärmeleitende Struktur auf, um den Kristall
gemäß einem relativ flachen sorgfältig gesteuerten Temperaturgradienten
zu kühlen, um Spannungen zu reduzieren, sowie
andere Bestandteile, die zu einer einheitlichen Struktur zusammengebaut
sind, die in einem Ofen in kaltem Zustand eingesetzt
werden können. Wie man am besten in den Fig. 3 bis 5
erkennt, besteht die Patrone aus einer Bodenwand 90 aus Graphit,
die mit einem hohlen Gehäuseunterteil 92A mit rechteckigem Querschnitt
verbunden ist. Das Gehäuse besteht aus Graphitplatten
und weist relativ schmale Seitenwände 94A und 96A und relativ
breite Seitenwände 98A und 100A auf. Die Bodenwand 90 besteht
in Wirklichkeit aus zwei Graphitplatten 90A und 90B, die sich in
Schlitzen in den Wänden 94A und 96A erstrecken, und durch Graphitstifte
102 mit diesen fest verbunden sind, während die unteren
Enden der Wände 98A und 100A, wie in Fig. 3 gezeigt, eine
Zunge/Nut-Verbindung mit der gleichen Bodenwand bilden. Das
obere Ende des Gehäuseunterteils 92A ist lösbar mit Schrauben
101 mit einem hohlen Gehäuseoberteil 92B verbunden, das aus den
Wänden 94B, 96B, 98B und 100B aus rostfreiem Stahl besteht. Die
oberen Enden dieser Wände sind mit einem im folgenden im einzelnen
beschriebenen Kopfteil verbunden.
Wie in den Fig. 3, 4, 11 und 12 dargestellt, besteht jedes
Kopfteil aus einem metallischen Kopfblock 104, der an einem U-
förmigen Kanal 106 befestigt ist. Die Ausbuchtung 107
des Kanals 106 ist mit einer rechteckigen Öffnung versehen, durch
die sich die oberen Gehäusewände 94B bis 100B erstrecken. Mit
jedem Ende eines Kanals 106 ist eine Klammer 110 verbunden mit
einem Flansch 112, der durch Schrauben mit der Grundplatte
70 der entsprechenden Kristallzieheinrichtung lösbar verbunden
ist. Wie in Fig. 3 zu erkennen, weist der Kopfblock 104
zwei gleiche im Abstand voneinander angeordnete Montageblöcke
114A und 114B auf. Schrauben 113 dienen dazu, die oberen Enden
der Wände 94B bis 100B mit den Montageblöcken 114A, 114B zu verbinden,
wodurch die Kopfanordnung mit dem Gehäuseoberteil 92B verbunden
wird. Der Kanal 106 ragt seitlich über
die relativ breiten Seitenwände 98B und 100B des Gehäuseoberteils
92B hinaus und wird auf diese Weise von dem Flansch 62
der Zugangsöffnung 60 beim Absenken der Patrone in den Ofen abgefangen.
Bei geeigneter Bestimmung der Länge der Patrone
wirken der Kanal 106 und der Flansch 62 als Anschlag, der das Absenken
der Patrone beendet, wenn das untere Ende der Kapillarform
58 kurz vor dem Schmelztiegelboden angekommen ist, wie dies
Fig. 2 zeigt.
Mit der Unterseite des Kopfblocks 104 sind zwei längliche im
Abstand angeordnete Tragblöcke 116A und B (Fig. 3 und 11) mit
vier Schrauben 115 (Fig. 11 bis 13) verbunden, die voneinander
einen solchen Abstand aufweisen, daß sie an die oberen Enden
der beiden wärmeleitenden Graphitplatten 118A und 118B, die
gleiche Form aufweisen, angepaßt sind. Wie im folgenden im einzelnen
beschrieben, bilden die Graphitplatten 118A und 118B
eine Struktur, die die Kühlung des Kristalls nicht nur fördert,
sondern auch einen kontrollierten Temperaturgradienten längs
der Ziehachse sicherstellt, so daß thermische Spannungen in dem
Endprodukt vermieden bzw. reduziert werden. Die oberen Enden
der Graphitplatten 118A und 118B sind mit den Tragblöcken 116A, 116B
durch Schrauben 120 verbunden. Innerhalb des Gehäuseunterteils
92A und mit dessen Schmalseiten 94A und 96A verbunden sind zwei
gleiche Paßplatten 122A, 122B angeordnet, die mit Rippen versehen
sind, die in Leitschlitze in den schmalen Seitenwänden 94A und
96A passen. Die Paßplatten 122A, B sind an ihren gegenüberstehenden
Oberflächen eingekerbt, um die wärmeleitenden Graphitplatten
118A und 118B und zwei Einsatzplatten 128A und 128B aufzunehmen.
Die letzteren sind in zusammenpassenden Kerben in den Graphitplatten
118A und B angeordnet und wirken mit den Paßplatten 122A, B
zusammen, um die unteren Enden der gleichen Platten dicht gegeneinander
und fest gegenüber den übrigen Bestandteilen der Patrone
zu halten. Die
inneren Flächen der Graphitplatten 118A und 118B weisen flache Vertiefungen
130 als Abziehkanal auf, die einen engen Durchlaß für das zu ziehende
flache Band bilden.
Insbesondere aus Fig. 12 ist ersichtlich, daß der Kopfblock
104 fünf Öffnungen 132, 134, 136, 138 und 140 aufweist. Die
Öffnungen 132 und 134 sind Wassereinlaß- und -auslaßöffnungen,
die mit einer Kühlwasserquelle durch Rohre 133 und 135 und einer
Pumpe verbunden sind. Die Öffnung 132 steht über einen inneren
Kanal in dem Kopfblock 104 mit einem Metallrohr 142A in Verbindung,
das mit dem Montageblock 114A verbunden ist. Die Öffnung
134 steht über einen inneren Kanal in dem Kopfblock 104
mit einem Metallrohr 142C in Verbindung, das mit dem Montageblock
114B verbunden ist. Ein weiteres Metallrohr 142D (Fig. 12)
ist mit dem Montageblock 114B verbunden und steht über einen
inneren Kanal in dem Kopfblock 104 mit der Öffnung 138 in Verbindung.
Zwischen den Öffnungen 136 und 138 ist ein Verbindungsrohr
139 angeordnet. Mit den Rohren 142C und D verbunden ist
ein U-förmiges Metallrohr 143B, das ein paar paralleler, sich
vertikal erstreckender Abschnitte 144A (Fig. 4) umfaßt, die an
ihren unteren Enden durch einen Querabschnitt 144B verbunden
sind. Ein zweites U-förmiges Rohr 143A (Fig. 3) ist mit den Rohren 142A
und 142B verbunden. Die unteren Abschnitte 144B der U-förmigen
Rohre 143A und B sind in Höhlungen in den beiden gleichen Kühlschuhen
146A und B aus Molybdän angeordnet. Diese Kühlschuhe
sind mit den Rohren 143A und B derart verbunden, daß die Kühlschuhe
in Wirklichkeit diese Rohre tragen. Die Kühlschuhe 146A
und B sind in der Nachbarschaft der unteren Enden der Graphitplatten
118A und B angeordnet und mit den gegenüberliegenden
Seiten einer Kühlplatte 148 verbunden, die in einer Ebene V-
förmig ausgebildet ist (Fig. 3) und ein längliches Mittelloch
149 aufweist, durch das der wachsende Kristall gezogen
werden kann. Die Enden der Kühlplatte 148 weisen Zungen 148A
und B auf, die in Führungsnuten in den schmalen Seitenwänden
94B und 96A passen. Die Kühlplatte 148 besteht aus Metall und
erstreckt sich unterhalb der Graphitplatten 118A und B unmittelbar
über dem oberen Ende der Kapillarform. Mehrere Strahlenschutzschirme
sind zwischen der Kühlplatte 148 und den
Graphitplatten 118A und B verteilt, um den Wärmeübergang zwischen
beiden zu vermindern. Die Kühlplatte 148 kann unterschiedliche
Formen annehmen, vorzugsweise ist sie jedoch auf
beiden Seiten des Mittelloches 149 geneigt, wie das Fig. 3
zeigt.
Auf Grund der obigen Beschreibung erkennt man, daß ein Kühlflüssigkeitskreislauf
vorgesehen ist, in dem Kühlwasser in die
Patrone über ein Rohr 133 geleitet wird, das von dort wiederum
durch Rohre 142A, 143A, 139 und 143B fließt und über das Rohr
135 austritt, wobei Wärme aus den Kühlschuhen 146A und 146B
und von der Kühlplatte 148 abgeführt wird.
Es sind auch Vorkehrungen zur Zufuhr eines Kühlgases getroffen.
Hierzu ist ein Paar von Rohren 150A und 150B mit relativ
kleinem Durchmesser vorgesehen, die mit den Tragblöcken
116A und B verbunden sind. Das Rohr 150B steht über einen inneren
Kanal in dem Kopfblock 104 und den Tragblöcken 116A und B
mit der Öffnung 140 in Verbindung. Das Rohr 150A steht mit
einem Kanal im Kopfblock 104 in Verbindung. Dieser Kanal
steht über zusätzliche innere Kanäle mit der
Öffnung 140 in Verbindung. Die letztere ist über ein Rohr 141
mit einer Kühlgasquelle verbunden. Die unteren Enden der Rohre
150A und 150B sind in Öffnungen der Einsatzplatten 128A und
128B festgelegt. Jede Einsatzplatte 128A und B weist eine Kerbe
auf, so daß jede Platte und die benachbarte mit kleinen Öffnungen 158 versehene Kühlplatte 118 (A
oder B) eine Sammelkammer 156 bilden, so daß Gas, das über die
Rohre 150A und B eingeführt wird, über die Sammelkammer 156
in den Abziehkanal 130 zwischen den Graphitplatten
118A und B gelangt. Das Rohr 141 ist (obwohl nicht dargestellt)
mit einer Quelle eines geeigneten Kühlgases mit einer
bestimmten Wärmeleitfähigkeit verbunden. Vorzugsweise ist
dieses Gas Helium oder Argon, das über die Einlaßleitung
141 unter leichtem positiven Druck und mit einer Geschwindigkeit,
die gerade zur Aufrechterhaltung einer Gasatmosphäre
zwischen den Graphitplatten 118A und B ausreicht, zugeführt
wird.
Wie in den Fig. 3 und 9 zu erkennen, sind die unteren Enden
der Graphitplatten 118A und B zur Bildung zweier länglicher
paralleler Ausnehmungen eingekerbt, die die Seitenteile eines
elektrischen Widerstandsnacherhitzers 170 aus Graphit aufnehmen.
Fig. 9 zeigt, daß der Widerstandsnacherhitzer 170 die Form
einer rechteckigen Schiene aufweist mit einer rechteckigen Öffnung, deren
Seitenabschnitte 171 sich längs der Ausnehmung 168 erstrecken,
und deren Endabschnitte 172 sich längs gegenüberliegender
Flächen der Graphitplatten 118A und B erstrecken. Der Widerstandsnacherhitzer
170 wird von einem Paar elektrischer Stromzuführungsschienen
173A und B gehalten (Fig. 9, 12 und 13),
die sich durch Löcher in dem Kopfblock 104 erstrecken.
Gemäß Fig. 3 bis 6 weist die Patrone auch
ein Formoberflächenheizelement 174 und ein Paar von Formendheizelementen
176 und 178 auf. Das Formoberflächenheizelement
174 besteht aus einem elektrisch leitenden Material und umfaßt
ein Paar paralleler Oberflächenheizbereiche 180A und B und ein
paar Anschlußbereiche 182A und B. Die letzteren sind mit einem Paar
elektrischer Stromzuführungsschienen 184A und B verbunden. Das
Formendheizelement 176 ist in zwei leitenden Blöcken 186A und
B montiert, die mit der Stromzuführungsschiene 184A und einer
elektrischen Stromzuführungsschiene 188 verbunden sind. Das
Formendheizelement 178 ist in zwei leitenden Blöcken 190A und
B montiert, die mit elektrischen Stromzuführungsschienen 192
und 184B verbunden sind. Die Heizelemente 174, 176 und 178 bestehen
aus Graphit und sind derart angeordnet, daß sie die Seiten
und Enden des Oberteils der Kapillarform 58 beheizen.
Wie aus Fig. 5 bis 13 ersichtlich, erstrecken sich die
oberen Enden der sechs Stromzuführungsschienen 173A und B,
184A und B, 188 und 192 durch den Kopfblock 104. Sie erstrecken
sich auch nach unten durch die Paßplatten 122, die aus elektrisch
isolierendem Material bestehen. Die unteren Enden der
Stromzuführungsschienen 173A und B enden an dem und tragen das Widerstandsheizelement
170. Zu diesem Zweck wird
jede Stromzuführungsschiene 173A, B einen Endabschnitt mit reduziertem
Durchmesser auf, der sich durch die beiden Endbereiche des Heizelementes
170 (Fig. 9) erstrecken und die zur Aufnahme je einer Schraubenmutter
175 (Fig. 4) mit einem Gewinde versehen sind, die die Stromschienen 173A, B an dem
Heizelement 176 befestigen.
Die unteren Enden der Stromzuführungsschienen 184A und B,
188 und 192 sind ebenfalls zur Aufnahme von Schraubenmuttern 195 (Fig. 4) mit
Gewinden versehen, mit deren Hilfe die Blöcke 186A und B und
190A und B mit den Stromzuführungsschienen fest verbunden sind.
Diese Stromzuführungsschienen gehen auch durch mehrere flache
im Abstand voneinander angeordnete Platten 196, die ein Mehrlagenstrahlungsschild
bilden. Die Platten 196 ruhen auf Schultern,
die in den Seitenwänden 94A und 96A des Unterteils des
Patronengehäuses ausgebildet sind. Die Platten 196 haben alle
längliche Schlitze, durch die sich die oberen Enden der Kapillarform
58 erstreckt. Die Platten 196 sind derart angeordnet,
daß die oberste mit der oberen Endoberfläche der Kapillarform
fluchtet oder ein wenig darunterliegt.
In den Fig. 3 und 7 bis 10 erkennt man, daß zur Messung
der Temperatur im Bereich des oberen Endes der Kapillarform 58
ein Thermoelement angeordnet ist. Der Thermoelementkopf 203
wird von einem Keramikrohr 202 nahe an der Kapillarform gehaltert,
während die Drahtzuführungen des Thermoelements in einem
Keramikrohr 204 befestigt sind, das in einem Durchlaß des Kopfblocks
104 angeordnet ist. Die oberen Enden der Thermoelementzuleitungen
werden durch das obere Ende des Kopfblocks 104
nach außen geführt und sind mit den Anschlüssen eines Verbindungssteckers
206 verbunden, der an dem Kopfblock befestigt
ist. Ein zweiter Verbindungsstecker 207 ist zum Anschluß eines
zweiten Thermoelements 208 (Fig. 4) vorgesehen, das in einem
Loch in der Einsatzplatte 128B (Fig. 10) für die Gaszuführung
angeordnet ist, um die Temperatur unmittelbar über dem Widerstandsnacherhitzerelement
170 zu überwachen. Die Zuleitungen
des Thermoelements 208 sind durch ein Keramikrohr 210 durch
den Kopfblock 104 zu den Anschlüssen des Verbindungssteckers 207
nach außen geführt.
Die wärmeleitende Struktur mit den Graphitplatten 118A und 118B
ist derart geformt, daß sie einen kontrollierten Temperaturgradienten
längs dieser Platten gewährleistet. Daher weisen die
Graphitplatten 118A und B, wie in Fig. 3 dargestellt, entlang
ihrer Längsausdehnung keine einheitliche Stärke auf. Statt dessen
erstrecken sich ausgehend von den unteren Enden ein kurzes Stück
lang die äußeren Oberflächen 212 der Graphitplatten 118A und B
parallel zu ihren geraden inneren Oberflächen, worauf, wie bei
212A angedeutet, die äußeren Oberflächen geneigt sind und unter
einem festen Winkel der inneren Oberfläche zustreben. Im Bereich
ihrer oberen Enden erstrecken sich die äußeren Oberflächen
wiederum parallel zu den inneren Oberflächen, wie dies bei 212B
angedeutet ist. Auf Grund dieser keilförmigen Gestalt sind in
den äußeren Oberflächen 212 der Graphitplatten 118A und B, wie
Fig. 3 zeigt, Vertiefungen vorgesehen, in denen Teile der Kühlgasrohre
150A und 150B untergebracht sind.
Die Kapillarform 58 besteht aus Graphit und umfaßt, wie die
Fig. 3 bis 5 zeigen, einen oberen Kapillarenabschnitt 215 mit
einem engen horizontalen Kapillarschlitz 216, der sich über
die gesamte Länge des oberen Endes erstreckt, sowie mehrere
vertikale Bohrungen 218, die den Schlitz 216 schneiden. Das
untere Ende des oberen kapillaren Abschnitts ist zwischen zwei
Platten 220A und 220B gelegt, die eine untere Kapillare 224
bilden. Die Platten 220A und B wiederum liegen zwischen Platten
90A und 90B. Die oberen und unteren Formabschnitte sind
durch zwei Graphitstifte 226 verbunden, die sich durch die
Platten 90A und 90B, wie in Fig. 5 gezeigt, erstrecken. Die
Platten 90A und 90B sind
im Bereich der Schmalseiten der Kapillarformanordnung mit Ausschnitten
228, um den Hitzeübergang in diesen Bereichen der Kapillarform
zu vermindern.
Neben den bereits beschriebenen Teilen ist eine Wärmeisolierauskleidung
230 in das Gehäuse um die Platten 118A und B gepackt,
um den Wärmeverlust zu vermindern. Zur Erleichterung
der Darstellung ist nur ein Teil des Isoliermaterials in den
Fig. 3, 4 und 11 gezeichnet. Als Isoliermaterial kann Graphitfilz
verwendet werden.
Wie in den Fig. 3, 4, 12 und 13 zu erkennen, liegt über der
oberen Oberfläche des Kopfblocks 104 ein Laminat aus zwei Aluminiumplatten
232, 234 und einer dazwischenliegenden Kupferlage 236 aus
sechs einzelnen flachen Kupferplatten 238, 239, 240, 241, 242, 243, die gegenüber
den benachbarten Aluminiumplatten isoliert sind. Dieses
Laminat ist durch Schrauben 246 mit dem Kopfblock verbunden.
Ein Ende jeder Platte 238 bis 243 steht über ein Ende des
Kopfblocks 104 über und bildet eine Anschlußfahne 248 für den
Anschluß einer elektrischen Stromquelle.
Die oberen Enden der Stromzuführungsschienen 184A und B, 188,
192, 173A und B weisen einen verminderten Durchmesser auf, wodurch
Schultern gebildet werden, auf denen die Kupferplatten
ruhen. Auch weisen sie Gewinde auf, auf denen Schraubmuttern 250
aufgeschraubt sind, die die Kupferplatten gegen die Schultern
pressen.
Wie in Fig. 12 und 13 zu erkennen, weisen der Kopfblock 104
und das darüberliegende Laminat längliche Öffnungen 252 und 254
auf, die mit der Kapillarform 58 fluchten und eine solche
Größe aufweisen, daß sie das Zurückziehen des wachsenden Bandkristalls
gestatten. Wenn das auch nicht dargestellt ist, so
ist es doch klar, daß die obere Platte 76 und die Grundplatte 70
jedes Ziehmechanismus entsprechend geformte und ausgerichtete
Öffnungen aufweist, durch die das Band von dem Ziehmechanismus
gezogen werden kann.
Die folgende Beschreibung der Funktion erfolgt im
folgenden nur für eine Patrone. Unter
der Annahme, daß der Schmelztiegel mit Schmelze gefüllt ist,
wird eine der Patronen derart abgesenkt, daß das untere Ende
der Kapillarform in Kontakt mit dem geschmolzenen Beschickungsmaterial
gelangt. Das geschmolzene Beschickungsmaterial steigt
bis zur Spitze der Form. Hierauf wird in der in den US-Patentschriften
35 91 348 und 36 07 112 beschriebenen Weise ein Keimkristall
mit Hilfe des Ziehmechanismus abgesenkt, bis er mit
der Spitze der Kapillarform in Kontakt kommt. Das untere Ende
des Keimkristalls schmilzt und verbindet sich mit dem geschmolzenen
Material am oberen Ende der Form. Hierauf werden
die Kristallziehbänder des Ziehmechanismus angetrieben, um den
Keimkristall bei einer ausgewählten Geschwindigkeit nach oben
zu ziehen. Während der Keimkristall nach oben gezogen wird,
wird kontinuierlich neues kristallines Material an dem Keimkristall
gebildet.
Die Zieheinrichtung ermöglicht es, im wesentlichen monokristalline
Siliziumbänder kontrollierter Größe und bei optimalen
Geschwindigkeiten und mit genauer Steuerung der verschiedenen
Kristallwachstumsparameter zu ziehen. Das System gestattet es
auch, aus einem einzelnen Ofen bei verschiedenen Ziehgeschwindigkeiten
mehrere Kristalle zu ziehen, da jede Patrone mit ihrem
eigenen Ziehmechanismus verbunden ist. Die horizontale Reihenanordnung
der Mehrpatronenanordnung nach Fig. 1 hat eine Reihe
von vorteilhaften Eigenschaften. 1. Sind die Wärmeverhältnisse
längs des Ofens komplementär zu dem was benötigt wird an der
Wachstumsgrenze jeder Form unabhängig von der Bandbreite.
2. Steht um jede Form ein im wesentlichen freier Raum zur Verfügung,
und es ist auf Grund der Anordnung der Patronen und des
Ofens möglich, jede Bandform von zwei Seiten zu beobachten.
Die Verwendung mehrerer Heizelemente, wie das in den Fig. 3,
4 und 6 gezeigt wird, ermöglicht es, die thermischen Bedingungen
jeder einzelnen Form einfacher einzustellen. Die von der Vorrichtung
148 direkt über der Form geschaffene Kühlzone gestattet
es, die Schmelzwärme schnell abzuführen. Ferner erlaubt es diese
Kühlzone in Verbindung mit den Graphitplatten 118A und 118B in
dem Band bei dessen Abkühlung ein ganz bestimmtes Temperaturprofil
zu schaffen. Dies hilft dazu, restliche Spannungen in
dem Band zu verhindern und gestattet auch das Ziehen kristalliner
Körper bei relativ hoher Geschwindigkeit. Beispielsweise wurde
ein System, das ähnlich dem beschriebenen aufgebaut war, zur
Verwendung einer 5 cm breiten Kapillarform betrieben. Hierbei
wurden 5 cm breite Siliziumbänder bei einer Geschwindigkeit von
5 cm/min hergestellt, ohne daß in dem Band hohe Restspannungen
aufgetreten wären.
Weitere Vorteile ergeben sich aus der besonderen Konstruktion
der Patronen. Wie man aus den Fig. 4 und 5 erkennt, ist die
Bodenwand der Patrone mit dem Rest der Patrone mit Hilfe von
Graphitstiften verbunden, die leicht entfernt und ersetzt werden
können. Dies ist dort von Vorteil, wo die Kapillarform
oft ersetzt werden muß. Die Kapillarform wird leicht von der
Bodenwand der Patrone durch Entfernen der Graphitstifte 226
gelöst. Auch gestattet die Patronenanordnung die Verwendung von
Wärmeschilden, wie dies bei den Platten 196 gezeigt ist, die thermisch die
Formheizelemente 174, 176 und 178 gegenüber dem Raum über der
Form, in den das neu kristallisierte Material gezogen wird, isolieren.
Natürlich kann die Anzahl der Wärmeschilde nach Bedarf
geändert werden. Die beschriebene Verwendung von Thermoelementen
gestattet die genaue Steuerung der Temperatur am oberen
Ende der Form, an dem die Kristallisation auftritt, wie auch an
dem unteren Ende der Graphitplatten 118A und 118B. Die letztgenannten
sind wiederum mit einer zentralen Öffnung einer solchen
Form versehen, die sich eng der Querschnittsform und Größe des
zu erzeugenden Kristalls anpaßt. Auf Grund der relativ großen
Stärke und hohen thermischen Leitfähigkeit der Graphitplatten
118A und 118B tritt ein gleichmäßiger Wärmestrom längs ihrer
Länge von einem Bereich in der Nähe der Form bis zu dem Kopfblock
104 auf, der durch in den Rohren 133, 135 und 139 zirkulierendes
Wasser gekühlt wird. Das Heizelement 170 an dem
unteren Ende der Graphitplatten 118A und 118B unterstützt die
Steuerung und Änderung der Temperatur längs der Plattenlänge.
Im wesentlichen leiten die beiden Kühlblöcke die Wärme in Längsrichtung
auf Grund der Tatsache, daß die Isolierauskleidung 230 Strahlungswärmeverlust
seitlich von dem Kristall verhindert. Ein weiterer Vorteil
der Patronenkonstruktion ist, daß Rohre 150A und 150B zur Gaszufuhr
zum Abziehkanal 130 vorgesehen sind, durch den der Kristall
gezogen wird. Dieser Gasfluß sichert eine saubere Umgebung des
neugeformten Kristalls und verbessert die Wärmeleitung in dem
schmalen Spalt zwischen dem Kristall und der umgebenden Struktur
der Graphitplatten 118A und 118B. Weitere Vorteile ergeben
sich aus der Tatsache, daß die verschiedenen elektrischen und
Flüssigkeitsverbindungen zu der Patrone hergestellt werden, wenn
diese aus dem Ofen entfernt ist. Da die Patronen aus dem Ofen entfernbar
sind, ist ein Austausch von Teilen in einem von dem
Kristallziehbereich getrennten Arbeitsraum möglich, so daß die
Wahrscheinlichkeit einer Verschmutzung des Ziehbereiches vermindert
wird.
Das Kühlgasrohrsystem kann in der Weise geändert
werden, daß das Kühlgas durch Öffnungen in der Kühlplatte 148
zugeführt wird. Auch die Montageblöcke 114A und B und/oder die
Rohre 142A und B und/oder die Rohre 143A und B können derart
geändert werden, daß das Heben und Senken der Kühlplatte 148
in bezug auf das obere Ende der Kapillarform möglich ist. Eine
weitere mögliche Modifikation besteht darin, eine Form zum
Ziehen eines kristallinen Körpers anderer Querschnittsform zu
verwenden und entsprechend die Form der inneren Oberfläche der
Platten 118A und B zu ändern. So kann beispielsweise die Form
so gestaltet sein, daß sie das Ziehen von zylindrischen Rohren
gestattet, wobei die innere und äußere sich längs erstreckenden
Oberflächen der Platten 118A und B eine kreisförmige Kurvenform
aufweisen, um an die Querschnittskurvenform des wachsenden
Kristalls angepaßt zu sein.
Ein besonderer Vorteil der erfindungsgemäßen Patrone besteht
auch noch darin, daß sie außerhalb des Ofens bei Zimmertemperatur
zusammengebaut werden kann und in den Ofen eingesetzt und
aus diesem entfernt, ohne daß dieser gekühlt werden muß.
Claims (11)
1. Vorrichtung zum Ziehen eines Kristalls vom oberen Ende
einer Kapillarform, welche im Betriebszustand mit ihrem unteren
Ende in eine Vorratsschmelze in einem in einem Ofen angeordneten Schmelztiegel
eintaucht, sowie mit einer Einrichtung zum Abziehen des
in der Ziehzone anwachsenden Kristalls,
gekennzeichnet durch
- - eine als Baueinheit in die Vorrichtung einsetzbare bzw. herausnehmbare Patrone (52),
- - mit der Maßgabe,
- - daß die Patrone (52) in ihrem unteren Teil die Kapillarform (58) haltert,
- - daß die Patrone (52) entlang ihrem Hauptteil oberhalb der Ziehzone der Kapillarform einen Kanal (130) zum Durchtritt des abgezogenen Kristalls sowie entlang diesem Kanal angeordnete wärmeleitende Mittel zur Einstellung eines gewünschten Temperatur-Gradienten-Verlaufs entlang dem Abziehkanal (130) aufweist,
- - und daß in der betriebsmäßig eingesetzten Stellung der Patrone (52) der Abziehkanal (130) mit der oberhalb der Patrone angeordneten Abzieheinrichtung (54) für den anwachsenden Kristall ausgerichtet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die in der Patrone (52) angeordneten
wärmeleitenden Mittel zur Temperaturgradientensteuerung in
Längsrichtung parallel zur Ziehachse verlaufende Wärmeleitungselemente
(118A, 118B) aufweisen, welche den Abziehkanal (130)
für den anwachsenden Kristall umgeben.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß im unteren Teil der Patrone (52)
eine Kühleinrichtung zur Erzeugung eines stark Temperaturgradienten
im Bereich der Ziehzone zwischen dem oberen Ende
(216) der Kapillarform (58) und dem unteren Ende der Wärmeleitungselemente
(118A, 118B) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung symmetrisch bezüglich
dem Abziehkanal (130) angeordnete Kühlschuhe (146A,
146B) und/oder Kühlplatten (148) aufweist.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 3
oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß in der Patrone in Abzugsrichtung
auf die Kühleinrichtung(en) (146A, 146B, 148) folgend eine
elektrische Nacherhitzungseinrichtung (170) angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche,
gekennzeichnet durch
einen Kühlgaskreislauf (150A, 150B) zur Kühlgasbeaufschlagung
des Abziehkanals (130) für den anwachsenden Kristall.
7. Vorrichtung nach einem der mehreren der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Patrone (52) im Bereich der
gesamten Längserstreckung der Mittel zur Temperaturgradienteneinstellung
mit einer Isolierauskleidung (230) versehen ist.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung Positioniermittel
(62, 68A, 68B, 70) zur höhenverstellbaren Lagerung der
Patrone aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Gleitführung
(70, 76, 68A, 68B) aufweist zum Verfahren der Patrone zwischen
einer abgesenkten Betriebsstellung, in welcher die Kapillarform
(58) mit ihrem unteren Ende (224) in die Vorratsschmelze (50)
eintaucht, und einer nach oben aus dem den Schmelztiegel umgebenden
Ofen (2) ausgefahrenen Stellung.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Patrone (52) im eingesetzten
Zustand mit der darüber angeordneten Abzieheinrichtung (54)
für den anwachsenden Kristall zu einem Aggregat verbunden ist,
derart, daß dieses Aggregat aus Patrone und Abzieheinrichtung
als Einheit ggf. höhenverschiebbar ist.
11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß sie mehrere Patronen (52) mit
vorzugsweise jeweils gesonderten Abzieheinrichtungen (54) für
die anwachsenden Kristalle umfaßt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/761,941 US4118197A (en) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | Cartridge and furnace for crystal growth |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2730161A1 DE2730161A1 (de) | 1978-07-27 |
DE2730161C2 true DE2730161C2 (de) | 1991-02-21 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772730161 Granted DE2730161A1 (de) | 1977-01-24 | 1977-07-04 | Vorrichtung zum ziehen eines kristalls |
Country Status (10)
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US (1) | US4118197A (de) |
JP (1) | JPS597676B2 (de) |
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CA (1) | CA1087073A (de) |
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NL (1) | NL7705395A (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4335081A (en) * | 1979-01-15 | 1982-06-15 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Crystal growth furnace with trap doors |
US4415401A (en) * | 1980-03-10 | 1983-11-15 | Mobil Solar Energy Corporation | Control of atmosphere surrounding crystal growth zone |
US4267010A (en) * | 1980-06-16 | 1981-05-12 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Guidance mechanism |
US4443411A (en) * | 1980-12-15 | 1984-04-17 | Mobil Solar Energy Corporation | Apparatus for controlling the atmosphere surrounding a crystal growth zone |
US4390505A (en) * | 1981-03-30 | 1983-06-28 | Mobil Solar Energy Corporation | Crystal growth apparatus |
US4410494A (en) * | 1981-04-13 | 1983-10-18 | Siltec Corporation | Apparatus for controlling flow of molten material between crystal growth furnaces and a replenishment crucible |
US4937053A (en) * | 1987-03-27 | 1990-06-26 | Mobil Solar Energy Corporation | Crystal growing apparatus |
DE3890206C2 (de) * | 1987-03-27 | 2001-05-17 | Ase Americas Inc N D Ges D Sta | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines hohlen Kristallkörpers |
DE69017642T2 (de) * | 1989-12-22 | 1995-07-06 | Shinetsu Handotai Kk | Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren. |
US5037622A (en) * | 1990-07-13 | 1991-08-06 | Mobil Solar Energy Corporation | Wet-tip die for EFG crystal growth apparatus |
US6602345B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-08-05 | American Crystal Technologies, Inc., | Heater arrangement for crystal growth furnace |
US6537372B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-03-25 | American Crystal Technologies, Inc. | Heater arrangement for crystal growth furnace |
JP2007532464A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | ファクルダデ デ シエンシアス ダ ユニベルシダデ デ リスボア | 半導体リボンを成長させるための方法 |
US7959732B1 (en) * | 2005-06-17 | 2011-06-14 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Apparatus and method for monitoring and controlling crystal growth |
CA2701822A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Evergreen Solar, Inc. | Removable thermal control for ribbon crystal pulling furnaces |
WO2009028974A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Faculdade De Ciências Da Universidade De Lisboa | Method for the production of semiconductor ribbons from a gaseous feedstock |
CN102124150B (zh) | 2008-08-18 | 2013-07-31 | 长青太阳能股份有限公司 | 控制气载污染物跨晶带表面的转移 |
US8263914B2 (en) * | 2008-08-27 | 2012-09-11 | AMG IdealCast Corporation | Cartridge heater and method of use |
US9206525B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-12-08 | General Electric Company | Method for configuring a system to grow a crystal by coupling a heat transfer device comprising at least one elongate member beneath a crucible |
KR20170095336A (ko) * | 2014-12-15 | 2017-08-22 | 코닝 인코포레이티드 | 몰드에 프리폼을 위치시키는 방법 및 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2927008A (en) * | 1956-10-29 | 1960-03-01 | Shockley Transistor Corp | Crystal growing apparatus |
DE1090868B (de) * | 1958-10-15 | 1960-10-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Ziehen von einkristallinen Halbleiterstaeben aus Schmelzen |
NL264214A (de) * | 1960-05-02 | 1900-01-01 | ||
DE1193475B (de) * | 1962-08-23 | 1965-05-26 | Westinghouse Electric Corp | Vorrichtung zum Drehen, Heben und Senken des Tiegels beim Ziehen von dendritischen Einkristallen |
US3291571A (en) * | 1963-12-23 | 1966-12-13 | Gen Motors Corp | Crystal growth |
US3265469A (en) * | 1964-09-21 | 1966-08-09 | Gen Electric | Crystal growing apparatus |
US3453352A (en) * | 1964-12-14 | 1969-07-01 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon |
US3471266A (en) * | 1967-05-29 | 1969-10-07 | Tyco Laboratories Inc | Growth of inorganic filaments |
US3650703A (en) * | 1967-09-08 | 1972-03-21 | Tyco Laboratories Inc | Method and apparatus for growing inorganic filaments, ribbon from the melt |
US3591348A (en) * | 1968-01-24 | 1971-07-06 | Tyco Laboratories Inc | Method of growing crystalline materials |
US3701636A (en) * | 1970-09-23 | 1972-10-31 | Tyco Laboratories Inc | Crystal growing apparatus |
BE811057A (fr) * | 1974-02-15 | 1974-08-16 | Elphiac Sa | Machine universelle pour l'elaboration de monocristaux de materiaux semiconducteurs ou autres suivant les methodes classiques. |
US3961905A (en) * | 1974-02-25 | 1976-06-08 | Corning Glass Works | Crucible and heater assembly for crystal growth from a melt |
DE2557186A1 (de) * | 1975-12-18 | 1977-06-23 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleitermaterialstaeben, insbesondere von siliciumstaeben mit grossen durchmessern, durch tiegelfreies zonenschmelzen |
-
1977
- 1977-01-24 US US05/761,941 patent/US4118197A/en not_active Expired - Lifetime
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