DE2601572A1

DE2601572A1 - Hysterese-schaltung

Info

Publication number: DE2601572A1
Application number: DE19762601572
Authority: DE
Inventors: Shinichi Makino
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1975-01-17
Filing date: 1976-01-16
Publication date: 1976-07-22
Also published as: JPS5182543A; DE2601572B2; JPS576138B2; DE2601572C3; US4013898A; GB1535310A

Description

PATENTANWÄLTE F.W. HEMiViEFiiCH · GbRD MÜLLER · D. GROSSE ■ F. POLLMEIER 72

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Hysterese-Schaltung

Gegenstand dieser Erfindung ist eine Hysterese-Schaltung oder ein Hysteresekreis.

In der Vergangenheit sind Stromkreise, die mit Gleichstromverstärkern und Schmitt-Triggerschaltungen arbeiten, vielfach als Hysteresekreise verwendet worden. In einem Hysteresekreis, der mit einem Gleichstromverstärker arbeitet, wird die Eingangsspannung der Inversions-Eingangsklemme (der negativen Klemme) eines Gleichstromverstärkers aufgeschaltet, wird die Ausgangsspannung dieses Gleichstromverstärkers einer Spannungsteilung durch Widerstände unterworfen,, Nach Spannungs teilung wird die Spannung der Nichtinversions-Eingangskimme (der positiven Eingangsklemme) des Gleichstromverstärkers aufgesehaltet. Die Schwellspannung V, einer derartigen Schaltung läßt sich mit Hilfe der nachstehend angeführten Gleichung wie folgt ausdrücken:-

^R2

V = V

In dieser Gleichung steht V für die Ausgangsspannung

out

der Schaltung, während mit R- und R„ die für die Spannungsteilung verwendeten Widerstände bezeichnet sind. Zur Änderung des Hysteresebereiches einer derartigen Schaltung können die Werte für R₁, R^ oder V verän-

1' 2 out

dert werden. Für gewöhnlich werden die Widerstände R₁ oder R„ geänderte Bei einer linearen Änderung von R- oder R₂ ändert sich jedoch der Hysteresebereich nichtli near, weil die Änderungsgräße des Hysteresebereiches be stimmt wird von:-

	^R2	^R2	6	oder	0	1	8	1	1	^R1
^R1	+		0983		/0		+	^R2
						8

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Wird eine niclit line are Änderung des Hysteresebereiches gewünscht, dann muß der Widerstand R₁ oder der Widerstand R_p nichtlinear verändert werden. Soll eine derartige Widerstandsänderung elektronisch herbeigeführt werden, dann wird der dafür erforderliche Stromkreis zu kompliziert, was dann ein großer Nachteil ist, wenn es sich bei der Schaltung um einen integrierten Schaltkreis handelte

Eine typische Schmitt-Triggerschaltung besteht aus zwei npn Transistoren, deren Emitter miteinander verbunden sind und über einen Widerstand an Erde liegen, während der Kollektor des ersten dieser Transistoren über einen Widerstand auf die Basis des zweiten dieser Transistoren geführt ist. Auch die Basis des zweiten Transistors ist über einen Widerstand mit Erde verbunden. Ein jeder der Kollektoren der beiden Transistoren ist über entsprechende Widerstände auf eine Steuerspannungs-Eingangsklemme geführt. Der Basis des ersten Transistors wird die Eingangsspannung zugeführt, wohingegen vom Kollektor des zweiten Transistors die Ausgangsspannung abgenommen wird. Liegt die Eingangsspannung unter einem Schwellenwert, dann befindet sich der zweite Transistor im Einschaltzustand, liegt demgegenüber aber die Eingangsspannung über dem Schwellenwert, dann ist der zweite Transistor ausgeschaltet und befindet sich im Sperrzustand. Eine Ausgangsspannung kann somit nur dann abgenommen werden, wenn die Eingangsspannung größer als der Schwellenwert ist. Der Schaltung kann dann eine Hysteresen-Eigenschaft gegeben werden, wenn die Kreisverstärkung oder die Rückkopplungsschleifenverstärkung größer als 1 gemacht wird. Im allgemeinen kann die Kreisverstärkung

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oder die Rückkopplungsschleif eisverstärkung· nicht über einen großen Bereich verändert werden, so daß die Schaltung für den Einsatz in solchen Fällen nicht geeignet ist, in denen die Hysterese-Eigenschaften positiv genutzt werden sollen.

Darüber hinaus weisen die vorerwähnten beiden Schaltungsausführungen den Nachteil auf, daß deren Nullbereich nicht stabil ist.

Ziel dieser Erfindung, mit der die Nachteile der bisher bekannten Technik und der bisher bekannten Verfahren beseitigt werden sollen, ist die Schaffung einer neuartigen Hysterese-Schaltung mit einem großen Hysteresebereich und einem stabilen Nullbereich.

Gegenstand dieser Erfindung ist somit ein als Differentialtransformator ausgeführter Hysteresekreis. Dieser Hysteresekreis oder diese Hysterese-Schaltung mit einem ersten und einem zweiten Transistor; mit einer ersten Eingangsklemme_r die über einen ¥iderstand auf die Basis des ersten Transistors geführt ist; mit einer zweiten Eingangsklemme, die auf die Basis des zweiten Transistors geführt ist; die Emitter des ersten Transistors und des zweiten Transistors stehen mit einem Anschluß einer ersten Stromquelle in Verbindung; mit einem antiparallelen Strompfad, zu dem der dritte Transistor und der vierte Transistor gehören, wobei es sich bei diesen Transistoren um eine dem ersten und zweiten Transistor komplementäre Ausführung handelt, und dieser antiparallele Strompfad geschaltet zwischen den Kollektor des zweiten Transistors und einem Anschluß einer zweiten Stromquelle, deren Strombelastbarkeit im wesentlichen halb so groß ist wie die der ersten Stromquelle; die anderen Anschlüsse dieser Stromquellen sind miteinander verbunden; sowie mit

R P < ' ■ -VORlB

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r -Jr-

einem fünften Transistor, der entsprechend dem dritten und dem vierten Transistor ausgeführt und schaltungsmäßig zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und einem Anschluß der Stromquelle angeordnet ist, wobei die Basis des fünften Transistors mit der vorerwähnten einen Anschlußklemme der zweiten Stromquelle in Verbindung s t eht.

Diese Erfindung wird nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in:-

Fig. la Die schematische Darstellung eines bekannten

Hysteresekreises unter Verwendung eines Gleichstromverstärkers ο

Fig. Ib Ein Diagramm, das das Eingangs-und Ausgangsverhalten dieser Schaltung wierdergibt.

Fig. 2 Ein Schaltbild betreffend eine andere bekannte Ausführung mit Hysteren-Verhalten.

Fig. 3 Ein Schaltbild betreffend den Hysteresekreis

oder die Hysterese-Schaltung dieser Erfindung.

Fig. 4 Ein Diagramm zur Darstellung der Arbeits-und Funktionsweise des mit Fig. 3 wiedergegebenen Hysteresekreises.

_<Ti Der mit Fig. la dargestellte Hysteresekreis ist bekannt ° und als Gleichstromverstärker ausgeführt,

—> Wie aus Figo la zu erkennen ist, wird dem Inversionsein_o gang eines Gleichstromverstärkers 1 eine Eingangsspannung ^ V_in aufgeschaltet ο Was die Ausgangsspannung dieses Gleich-OO Stromverstärkers betrifft, so erfolgt eine Spannungsteilung durch die Widerstände R₇ und R₃. Nach Spannungsteiwird die Spannung dem nichtinversen Eingang des

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Gleichstromverstärkers 1 aufgeschaltet. Pig. Ib zeigt nun, welche Zuordnung zwischen der Eingangsspannung und der Ausgangsspannung der mit Fig. la dargestellten Schaltung gegeben ist. In diesem Diagramm, das das Eingangs-und Ausgangsverhalten erkennen läßt, ist die Schwellenspannung V mit der nachstehend angeführten Gleichung bestimmt:-

^R2

* ^R + ^R

Aus dieser Gleichung geht klar hervor, daß, um eine Änderung des Hysteresebereiches herbeizuführen, der Widerstand R₁ oder R_ oder die Ausgangsspannung geändert werden können. In diesem Fall ist die Methode der Veränderung des Widerstandswertes allgemein angenommen worden. Weil sich nun die Schwellenspannung anhand der nachstehend gegebenen Gleichungen bestimmen läßt

^R2 1

^R2

verändert sich der Hysteresebereich dann nichtlinear, wenn der Widerstand R₁ oder der Widerstand R linear geändert wird. Dies läßt sich anders dahingehend ausdrücken, daß dann, wenn der Hysteresebereich linear verändert werden soll, der Widerstand R₁ oder der Widerstand R₉ auf nichtlineare Weise verändert werden muß.

Soll nun die Änderung des Widerstandswertes elektronisch _σ> herbeigeführt werden, dann wird die elektronische Schaltung für diesen Zweck ziemlich kompliziert, was bei inte-

co grierten Schaltungen ein großer Nachteil sein kann. Fig. 2 i~. zeigt nun eine Schtnitt-Trigerschaltung, zu der die beiden ^ Transistoren Q₁ und Q₂ gehören. Liegt bei dieser Schaltung die der Basis von Transistor Q₁ aufgeschaltete Spannung oc> unter der Schwellenspannung, dann befindet sich der Transistor Q₂ im Einschaltzustand, liegt die der Basis des

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Transistors Q₁ aufgeschaltete Eingangsspannung über der Schwellenspannung, dann befindet sich, der Transistor Q₂ im Sperrzustand. Das aber bedeutet, daß die Schaltungsanordnung derart ausgelegt ist, daß nur dann eine Ausgangsspannung abgenommen werden kann, wenn die Eingangsspannung größer als die Schwellenspannung ist„ Der Schaltung kann dann eine Hysterese-Eigenschaft gegeben werden, wenn die Kreisverstärkung oder die Rückkopplungsschleifenverstärkung größer als 1 gemacht wird. Es ist jedoch, allgemein bekannt, daß es im allgemeinen unmöglich ist,, die Kreisverstärkung oder die RückkopplungsSchleifenverstärkung einer solchen Schaltung über einen weiten Bereich zu verändern, so daß sich, deswegen diese Schaltung nicht für solche Zwecke eignet, in denen die Hysterese-Eigenschaft positiv Verwendung finden soll_o

Der Nachteil der beiden vorerwähnten Schaltungen liegt darin, daß sie keinen stabilen Nullbereich haben«. So wird beispielsweise der Nullbereich der mit Fig. la dargestellten Schaltung durch das Temperaturverhalten des den Gleichstromverstärker darstellenden Transistors instabil gemacht. In ähnlicher Weise sind für die mit Fig. 2 dargestellten Schaltung die Schwellenwerte, für die Transistoren Q₁ und Q_ temperaturabhängig, so daß in diesem Fall der Nullbereich ebenfalls instabil wird. Bei dem mit Fig. 3 dargestellten Hysteresekreis dieser Erfindung wird eine Eingangsspannung V. zwischen den Anschlußklemmen lla und 11b aufgesehaltet,, Bei den Widerständen R₁ und R₂ handelt es sich um Eingangswiderstände die jeweils mit den Basisanschlussen der npn-Transistoren Q₁ und Qg verbunden sind. Die Transistoren Q₁ und Q_p bilden

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einen Differentialverstärker. Ein diodengeschalteter pnp-Transistor Q„ ist schaltungsmäßig zwischen dem Kollektor des Transistors Q₀ und der Stromquelle V angeordnet«

<c CC

der Transistor Q und ein pnp-Transistor Q. , der mit dem Transistor Q„ einen gemeinsamen Basisanschluß hat, bilden zusammen einen spiegelnden oder antiparallelen Strompfad. Ein weiterer Transistor Q ist schaltungsmäßig zwischen dem Kollektor des Transistors Q₁ und der Stromquelle V angeordnet, die Basis dieses Transistors ist auf den Kollektor des Transistors Q. geführt. Darüber hinaus ist eine Stromquelle 12 der Stromstärke i^ mit den Emittern der Transistoren Q₁ und Q verbunden, wohingegen eine Stromquelle 13 der Stromstärke l/2i mit dem Kollektor des Transistors Q. in Verbindung steht .

Wird bei dieser Schaltung eine Eingangsspannung V. zwischen den Anschlußklemmen 11a und 11b derart aufgeschaltet wird, daß das Potential an der Anschlußklemme 11a im Vergleich mit der Anschllußklemme 11b der Transistoren Q₁ und Q sehr klein wird, dann schaltet der Transistor Q₂ in den "Durchlaßzustand¹¹ um, und der gesamte Emitterstrom _i fließt durch den Transistor Q₂. Dieser Strom ± ist gleich dem Strom der durch den diodengeschalteten Transistor Q fließt. Befindet sich nun der Transistor Q_ im Durchlaßzustand, kann dabei ein Strom in den Transistor QL fließen, d.h. ein Strom _i, dann versucht die gleiche Strommenge in den anderen Transistor Q4 - dieser bildet den spielgenden oder antiparallelen Strompfad zu fließen. Die Stromquelle 13 hat aber nur eine Strombelastbarkeit oder Stromstärke von l/2 i, so daß aus diesem Grunde der Transistor Q^ in den Sättigungszustand gelangt, bei dem die Kollektorspannung dieses Transistors

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ungefähr gleich V wird_o Fenn in diesem Zustand die

C C

Kollektorspannung des Transistors Q. ungefähr gleich V geworden ist, befindet sich der Transistor Q im

CC 3

Sperrzustand, darüber hinaus befindet sich auch der Transistor Q₁ im Sperrzustand, so daß aus diesem Grunde die Kollektorpotentiale der beiden Transistoren Q und Q₁ variabel geworden sind_o

Steigt zu diesem Zeitpunkt die Spannung an der Eingangsklemme 11a allmählich an, dann vollzieht die Schaltung dieser Erfindung die nachstehend angeführte Funktion. Diese Funktion wird anhand von Figo 4 dargestellt und beschrieben, wobei die allgemeine Hinweiszahl 21a für die Spannung steht, die der Anschlußklemme 11a aufgeschaltet wird, während mit der allgemeinen Hinweiszahl 21b die Spannung kennzeichnet, die der Anschlußklemme 11b aufgeschaltet wird. Die gestrichelt wiedergegebene Linie zeigt die Basisspannung beim Transistor Q₁.

Erhöht sich die der Eingangsklemme 11a aufgeschaltete Spannung, dann kann im Transistor Q₁ ein Basisstrom fließen„ Zu diesem Zeitpunkt befindet sich jedoch der Transistor Q im Sperrzustand, so daß der Kollektorstrom des Transistors Q₁ nicht fließt, und der gesamte Strom von der Basis geliefert wird. Auf der anderen Seite wird der Emitterstrom des sich im Durchlaßzustand befindlichen Transistors Q_ dann geringer, wenn der Basissttrom im Transistor Q₁ größer wird_o

Nehmen nun die Ströme, die durch die Emitter der Transistoren Q₁ und Q_ fließen jeweils den ¥ert l/2 i an, dann wird auch die Stromstärke des durch den Transistor Q fließenden Stromes gleich l/2 i. Dementsprechend fließt

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auch, in den Transistor Q. ein Strom mit der Stromstärke 1/2 i _t und dieser Strom ist gleich dem Absorptionsstrom der Stromquelle 13. Gleich sind auch die Emitterströme bei den Transistoren Q und Q„, was bedeutet, daß auch die Basispotentiale der beiden Transistoren gleich sindο Und dieser Zustand wird mit Punkt A in dem mit Fig.4 dargestellten Diagramm wiedergegeben,, Zu diesem Zeitpunkt fließt in dem mit der Basis des Transistors verbundenen Widerstand R₁ ein Strom von l/2 i. Deshalb wird der von diesem Widerstand R herbeigeführte Spannungsabfall gleich 1/2 j Ri, deshalb liegt die Eingsngsklemme 11a an einem Potential, das um l/2i R1 größer ist als das der Eingangsklemme 11b„

Wird die der Eingangsklemme 11a aufgeschaltete Spannung etwas größer als die Spannung,die diesem Zustand entspricht, dann hat dies eine - wenn auch nur geringfügige - Abschwächung des durch den Emitter des Transistors Q fließenden Stromes zur Folge. Damit verbunden ist aber auch eine Abschwächung des durch Transistor Q. fließenden Stromes, und die Stromquelle 13 kann deswegen Strom von der Basis des Transistors Q abziehen. Das führt dazu, daß im Transistor Q„, der vom Sperrzustand in den Durchlaßzustand umschaltet, ein Basisstrom fließt, daß weiterhin im gleichen Umfange der Emitterstrom des Transistors Q₁ größer wird, die Basisstromverteilung aber geringer wird. Bei einem Anwachsen des Emitterstromes des Transistors Q₁ wird der Emitterstrom des Transistors Q„ um den gleichen Betrag kleiner. Auch die Kollektorströme der Transistoren Q„ und Q_ werden schwächer«, Das aber bedeutet, daß der Basisstrom des Transistors Q_ immer stärker wird,

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und das Basispotential am Transistor Q₁ einen immer höheren ¥ert annimmt. Damit aber wird, nachdem die Emitterströme der Transistoren Q und Q beide den Wert l/2 i angenommen haben, der Schaltung eine positive Rückkopplung oder Rückführung aufgesehaltet, wobei,(wie dies aus Fig. h zu erkennen ist), sich das Basispotential des Transistors Q₁, das sich bis dahin am Punkt A befunden hatte, in abrupter Feise zum Punkt B hin verschiebt. Zu diesem Zeitpunkt nimmt der Emitterstrom des Transistors Q₁ ungefähr den Wert j. an, und es fließt praktisch kein Strom im Transistor Q_ und deshalb auch kaum ein Strom im Transistor Q„ und im Transistor Q^, die den spiegelbildlich angeordneten Strompfad bilden. Nun fließt ein Strom, der nahezu den Wert l/2 i hat, in die Basis des Transistors Q „ Dieser Transistor Q geht in den Sättigungszustand über, wobei sein Kollektorpotential ungefähr den Wert für V annimmt.

cc

Wird nun die Eingangsspannung, die der Eingangsklemme 11a aufgeschaltet ist, allmählich schwächer, dann wird der durch den Emitter des Transistors Q₁ fließende Strom kleiner, wobei ein Strom in den Transistor Q_ fließt. In diesem Falle arbeiten die Transistoren Q₁ und Q wie ein gewöhnlicher Differentialverstärker, und die Basisspannung des Transistors Q₁ schwächt sich solange ab, bis daß die Spannung an er Eingangsklemme lla und die Spannung an der Eingangsklemme 11b den gleichen Wert annehmen und der Punkt C im Diagramm nach Fig. 4 erreicht worden ist. An diesem Punkt C sind die Kollektorströme (oder die Emitterströme) des Transistors Q₁ und des Transistors Q₂ ungefähr gleich, was zur Folge hat, daß der

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Strom des Transistors Q_ und des Transistors Qr, die den spiegelbildlichen Strompfad bilden, auch den Wert 1/2 i annimmt und ungefähr gleich dem Absorptions strom der Stromquelle 13 wird.

Fällt die der Eingangsklemme 11a aufgeschaltete Eingangsspannung etwas unter diesen ¥ert ab, dann hört der Emitterstrom des Transistors Q auf zu fließen. Hört das Fließen des Basisstromes beim Transistor Q„ auf, dann kann dieser Transistor Q- den Kollektorstrom nicht zum Fließen bringen, so daß der Zustand erreicht wird, in dem der Emitterstrom des Transistors Q₁ von dessen Basis aus zugeführt wird. Das hat zur Folge, daß vom Widerstand R₁ ein Spannungsabfall verursacht wird, daß die Basisspannung schwächer wird, daß deswegen der Emitterstrom des Transistors Q„immer stärker wird, und sich der Transistor Q_ immer mehr in den Sperrzustand bringt. Damit aber wird eine positive Rückkopplung erreicht, die sich dahingehend auswirkt, daß die Basisspannung des Transistors Q₁ sich in dem Diagramm nach Fig.,4 abrupt vom Punkt C zum Punkt D hin verschiebt,

Damit verschiebt sich die Basisspannung des Transistors Q₁ in der durch Pfeile gekennzeichneten Richtung entlang der gestrichelten Linie in dem mit Fig. h dargestellten Diagramm.

Nach Figo h- beträgt der Wert der Verschiebung von Punkt A nach Punkt B in dem Hysteresekreis - wie dies zuvor erwähnt worden ist - l/2j Ri. Dementsprechend ist in dieser Erfindung die Breite des Hysteresebereiches durch den Betrag l/2i R 1 bestimmt. Wird nun beispielsweise im Rahmen dieser Erfindung der Wert i des Stromes der Stromquelle konstant gemacht, dann ist es möglich den Hystere-

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bereich durch Veränderung des Widerstandes R₁ zu verändern. Wird aber der Widerstand R₁ als Konstante genommen, dann läßt sich alternativ der Hysteresebereich durch Veränderung des Stromwertes J₁ verändern.

In der Hystereseschaltung nach Fig. 3 kann beispielsweise der Kollektor des Transistors Q. als Mehrfachkollektor ausgeführt sein, wobei ein Teil dieses Kollektors eine Ausgangsklemme sein kann. Nach Darstellung in Fig.5 kann auch ein Teil eines Mehrfachkollektors des Transistors Qg. eine Ausgangsklemme 14 sein.

Schon im Zusammenhange mit der Beschreibung der Hystereseschaltung nach Figo 3 ist erwähnt worden, daß die Hystereseschleife mit der Größe l/2i R 1 festgelegt worden ist, daß es möglich ist, diese Größe durch Veränderung des Stroniwertes zu kontrollieren, ohne daß dabei der Widerstand geändert zu werden braucht _o Xm Hinblick auf die Änderungsgröße, die durch eine Veränderung der Stromstärke erzielt werden kann, gilt, daß die Stromstärke von 10 /UA auf ungefähr 3mA. durch Einstellung verändert werden kann, so daß es möglich ist, einen um mehr als 100 mal größeren Hysteresebereich zu erzielen. Wird der Betrag der Stromstärke als Konstante genommen, dann ist R₁ der einzige Widerstand, der für eine Änderung des Hysteresebereiches zuständig ist; wird nun dieser Widerstand R.J linear verändert, dann ist es möglich, auch den Hysteresebereich linear zu verändern. Has aber bedeutet, daß nur die Änderung von R- kontrolliert werden muß, so daß die Steuerungsschaltung sehr,sehr einfach gehalten werden kann«,

Auch die Untergrenze des üblichen Betriebes einer Hysterese-

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Al

Schaltung, der Hysterese-Schaltung dieser Erfindung, geht so weit wie der Nutzungsbereich der Stromquelle (ungefähr 0,3 Volt + V_D_). Die Obergrenze der Spannung

aiii

wird dann erreicht, wenn V__ von der Spannung der Strom-

quelle V subtrahiert wird. Der Bereich kann sehr weit cc

ausgelegt werden.

Hinzu kommt noch, daß dann, wenn der Stromkreis oder die Schaltung nach Fig. 3 verwendet wird, nur eine vergleichsweise kleine Anzahl von Schaltungselementen erforderlich sind; diese Schaltung ist deshalb für integrierte Schaltungen gut geeignet. Werden Widerstände als Stromquellen verwendet, dann können die Ströme, die die Hystereseschleife nach Fig. 3 bestimmen, vollkommen innerhalb der integrierten Schaltung erzielt werden» Darüber hinaus können die Spannungen, die an die Widerstände als die vorerwähnten Stromquellen angelegt wer_ den von außerhalb der integrierten Schaltung zum Steuern und Regeln, der Hystereseschleife kontrolliert werden. Das aber bedeutet, es kann eine HysteresevSchaltung hergestellt werden, die klein ist und leicht gesteuert und geregelt werden kann.

Wird nun der Schaltung nach Fig„ 3 die der Eingangsklemme 11b aufgeschaltete Spannung gleich Null (Erdpotential) gemacht, dann wird - dies geht aus Fig. 4 hervor - ein stabiler Nullbereich erzielt.

Wenn nach Fig. 3 und Fig. 4 auch die Transistoren Q₁ und Q₂ als npn-Transistoren dargestellt sind, und die Transistoren Q_, Q. und Q als pnp-Transistoren, so sollte doch klar sein, daß diese entsprechend der Polarität der Stromquelle umgetauscht werden können.

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In der Schaltung nach Fig. 3 sind die Widerstände R- und R mit den jeweiligen Basisanschlüssen der Transistoren Q₁ und Q. verbunden; der Widerstand R ist dies geht aus der Beschreibung hervor - jedoch nicht unbedingt erforderlich.

Der spiegelbildliche oder antiparallele Strompfad ist nicht unbedingt auf die mit Fig. 3 dargestellte Ausführung beschränkt, statt dessen kann jeder allgemein bekannter spiegelbildlicher oder antiparallele Strompfad auch verwendet werden.

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Claims

PATENTANWÄLTE F.W. HEMX'ERiCH ■ CERD MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER - bh 8.I.I976 Patentansprüche:-

1. Als Differentialverstärker arbeitende Hysterese-Schaltung. Diese Hysterese-Schaltung dadurch gekennzeich.net, daß zu ihr ein erste Transistor und ein zweiter Transistor gehören; daß eine erste Eingangsklemme über einen Widerstand auf die Basis des ersten Transistors geführt ist; daß eine zweite Eingangsklemme mit der Basis des zweiten Transistors in Verbindung steht; daß die Emitter des ersten Transistors und des zweiten Transistors verbunden sind mit einer Anschlußklemme einer ersten Stromquelle; daß ein spiegelbildlicher oder antiparalleler Strompfad, zu diesem Strompfad gehören der dritte Transistor und der vierte Transistor in einer dem ersten und dem zweiten Transistor komplementären Ausführung, schaltungsmäßig angeordnet ist zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors und dem einen Anschluß einer zweiten Stromquelle, deren Strombelastbarkeit im wesentlichen halb so groß ist, wie die der ersten Stromquelle; daß die anderen Anschlüsse der Stromquellen miteinander verbunden sind; daß schließlich ein fünfter Transistor - dieser Transistor in der dem dritten und vierten Transistor gleichen Ausführung' - schaltungsmäßig angeordnet ist zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und einer Anschlußklemme der Stromquelle, wobei die Basis dieses fünften Transistors auf einen Anschluß der zweiten Stromquelle geführt ist β

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2. Hysterese-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und/oder zweite Stromquelle aus Widerständen besteht.

3. Hysterese-Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor und der zweite Transistor als npn-Transistoren ausgeführt sind, der dritte, vierte und fünfte Transistor jeweils aber'als pnp-Transistoren_o

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