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SIEMENS AKTIENGESELLSOHAEiD Unser Zeichen:
Berlin und München VPA 75 P 1 f 8 7 BRD
Integrierter gegengekoppel-ter Verstärker.
Me vorliegende Erfindung "betrifft einen integrierten gegengekoppelten
Verstärker, insbesondere Stromverstärker mit wenigstens zwei Verstärkerstufen, wobei ein Gegenkopplungszweig vom Verstärkerausgang
auf den Verstärkereingang geführt ist.
Analogverstärker, welche zur Verstärkung von Detektorausgangssignalen
verwendet werden, müssen aus Stabilitätsgründen eine Gegenkopplung aufweisen. Beispielsweise wirken Fotodetektoren
als Stromquelle, so daß der Verstärker zusätzlich auch als Strom-verstärker
ausgebildet v/erden muß.
Werden derartige Verstärker als integrierte Schaltungen ausgebildet,
so wäre es zweckmäßig, die Schaltung möglichst ganz ohne Widerstände, insbesondere ohne Gegenkoppiungswiderstände axiszubilden,
weil speziel·! Widerstände mit großem Widerstandswert in
integrierter Technik schwer realisierbar sind. Integrierte Widerstände benötigen eine relativ große Fläche in der integrierten
Schaltung, so daß keine großen Packungsdichten in der integrierten
Schaltung zu erreichen sind. Weil die Größe des realisierbaren Widerstandswertes in der integrierten Schaltung begrenzt
ist, lassen sich in vollintegrierten Verstärkern nur mäßige Stromempfindliehkeiten erzielen.
Aber auch bei Verwendung externer Gegenkopplungswiderstände gibt es bei hochempfindlichen Stromverstärkern Probleme. Beispielsweise
bei Fotodioden in Belichtungsautomaten für fotografische Kameras liegt der Fotostroin im empfindlichsten Bereich bei wenigen
Picoampere. Die Gegenkopplungswiderstände müßten dann größer als
10 Ohm sein. Derartige Widerstände haben aber für Belichtungsautomaten zu große Abmessungen und sind auch zu teuer.
75 E im 709820/0851
Lz-12 Nem /'4.11.1975
25A9667 ν
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker der in Rede stehenden Art ohne Gegenkopplungswiderstände
anzugeben.
- Diese Aufgabe wird bei einem Verstärker der eingangs genannten
Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das aktive Element der
letzten Verstärkerstufe in seinem Ausgangskreis derart aufgeteilt ist, daß sich eine derartige Aufteilung des Ausgangsstromes ergibt,
daß ein Teilstrom in den Gegenkopplungszweig und ein Teilstrosi
in den Verstärkerausgang geführt ist.
Ist das aktive Element der letzten Verstärkerstufe ein bipolarer
Transistor, so ist er zum Zweck der vorstehend definierten Stromteilung
mit zwei Kollektoren versehen.
Der erfindungsgemäße Verstärker besitzt weiterhin den Vorteil,
daß das aktive Element der ersten Verstärkerstufe gleichzeitig als Fotodetektor ausgebildet werden kann.
Weiterhin kann die Arbeitspunkteinstellung der aktiven Verstärkerelemente
durch Ladungsträgerinjektion oder durch Lichtbestrahlung
erfolgen, so daß auch gegebenenfalls notwendige Widerstände zur Arbeitspunkteinstellung entfallen können.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigt; .·-.·."
Figur 1 ein Schaltbild einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Verstärkers;
Figur 2 eine Ausbildung des Verstärkers nach Fig.1 als integrierte
Schaltung;
Figur 3 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Verstärkers; und
Figur 4 eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verstärkers
in integrierter Technik.
VPA 75 E 1177 709820/0851
-γ
Gemäß dem Schaltbild nach Pig.1 enthält ein erfindungsgemäßer
Verstärker zwei Verstärkerstufen, mit Transistoren T1 und Tp,
die als Darlington-Stufe geschaltet sind. An einer Klemme 1 wird dem Verstärker ein Eingangsstrom J. eingespeist. Der Darlingtonstufe
ist ein Transistor T- nachgeschaltet, welcher erfindungsgemäß mit zwei Kollektoren a und b versehen ist. Die durch den
Kollektor b und den Emitter dieses Transistors gebildete Strecke stellt den Ausgangskreis des Verstärkers dar, an dem an einer
Klemme 3 ein Ausgangsstrom JQ abnehmbar ist. Der weitere Kollektor
a ist auf den Eingang 1 des Verstärkers zurückgeführt, wodurch ein Gegenkopplungszweig gebildet wird. An einer Klemme 2
wird die Betriebsspannung zugeführt.
Von dem zu verstärkenden Eingangsstrom J. wird ein zum Stromteilertransistor
T- fließender Strom J abgezweigt. Der Rest dieses
j C
Stromes wird in den als Darlington-Verstärker geschalteten Transistoren
T. und Τ* verstärkt. Der Ausgangsstrom des Darlington-Verstärkers
fließt in die Basis des Stromteilertransistors T-. Das Vorziehen der Stromrückführung vom Kollektor a entspricht einer
Gegenkopplung, während der Kollektor b den verstärkten Ausgangsstrom J0 liefert. Das Stromverhältnis wird durch die Stromübertragungsfaktoren
der beiden Kollektoren festgelegt. Dieses Verhältnis ist mit guter Näherung konstant, d.h., der gegengekoppelte
Verstärker besitzt in einem großen Bereich des fiingangsstromes der
Temperatur und der Frequenz eine nahezu konstante Verstärkung ohne daß ein aktives Bauelement verwendet werden muß.
Ein solcher Verstärker nach Fig.1 kann beispielsweise direkt zur
Lichtmessung verwendet werden, wenn der Transistor T.. als Fotodetektor
benutzt wird. Die Lichteinstrahlung ist dabei schematisch
durch Pfeile 10 angedeutet. In diesem Fall entfällt eine Signaleinspeisung am Eingang 1.
Fig.2 zeigt eine Ausführungsform des Verstärkers nach Fig.1 in
integrierter Technik.
VPA 75 E 1177
7 0 98 20/0851
Jr
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In einem Halbleiterkörper 20 sind zunächst in konventioneller Planartechnik die zwei Transistoren T.. rind T? hergestellt, deren
Basen durch zwei Zonen 21 und 22 und deren Emitter durch zwei Zonen 23 und 24- gebildet werden. Eine weitere Zone 25 bildet die
Basis des Tromteilertransistors T^, während eine Zone 26 den
Emitter dieses Transistors bildet. Der Halbleiterkörper 20 bildet dabei einen Kollektor nämlich den Kollektor b während eine weitere
Zone 27 einen weiteren Kollektor, nämlich den Kollektor a bildet. Durch nicht näher bezeichnete, schematisch dargestellte Kontaktierungen
und Verbindungsleitungen ergibt sich insgesamt die Schaltung nach Fig.1.
Wie Pig.2 zeigt, wird der Stromteilertransistor durch einen Vertikalteiltransistor
(Zonen 20, 25 und 26) sowie einen Lateraltransistor (Zonen 25, 26, 27) gebildet. Insbesondere bei einem Darlington-Verstärker
als Vorstufe und bei Fotodetektoren ist diese Anordnung
zweckmäßig, wenn der den Ausgangsstrom liefernde Teiltransistor eine vertikale Transistorstruktur und der das Gegenkopp^mgssignal
liefernde Teiltransistor eine lateralstruktur
besitzt.
Bei der Ausführungsform nach Pig. 3 in der gleiche Elemente wie in
Fig. 1 mit gleichen Bezugsζeichen versehen sind, entfällt eine
Spannungsversorgung und wird durch Lichtbestrahlung der aktiven
Bauelemente ersetzt. Die Wirkungsweise einer derartigen Form der Spannungsversorgung ist in der deutschen Patentanmeldung
P 23 44 099.5 näher beschrieben.
Bei einer weiteren, in der Fig.4 dargestellten Ausführungsfonn
bildet ein pn-übergang zwischen zwei Zonen 40 und 41 einen injizierenden
pn-übergang, welcher die notwendigen Ladungsträger für die Spannungsversorgung bereitstellt. Die Zone, 40 ist dabei ganzflächig mit einer Elektrode 50 versehen. In einer auf der Zone 41
vorgesehenen Zone 49 mit gegenüber der Zone 41 geringer Leitfähigkeit,
jedoch gleichem Leitungstyp sind Basiszonen 42, 43 und 44 vorgesehen, während Zonen 45, 46, 47 und 48 Kollektorzonen bilden.
VPA 75 E 1177 709820/0851
Die Zone 41 bildet die Emitter für die so gebildeten Transistoren T.,, !ρ» ^v Diese Ausführimgsform entspricht der Schaltung nach
Fig. 3, wobei die zusätzlich notwendigen Verbindungen nicht eigens dargestellt sind.
Das erfindungsgemäße Prinzip der Stromteilung ist nicht auf M- .
polare Transistoren beschränkt. Es kann vielmehr entsprechend beispielsweise durch Kanalteilung auch bei Feldeffekttransistoren
verwendet werden.
Ein weiterer Vorteil beim erfindungsgemäßen Verstärker ist darin zu sehen, daß zwischen den einzelnen Stufen in der integrierten.
Schaltung keine gesonderten Isolationsmaßnahinen, wie beispielsweise
Isolationsdiffusionen erforderlich sind (s.beispielsweise
Mg. 2).
4 Figuren
7 Patentansprüche
VPA 75 E 1177
709820/0851