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DE2549667A1 - Integrierter gegengekoppelter verstaerker - Google Patents

Integrierter gegengekoppelter verstaerker

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Publication number
DE2549667A1
DE2549667A1 DE19752549667 DE2549667A DE2549667A1 DE 2549667 A1 DE2549667 A1 DE 2549667A1 DE 19752549667 DE19752549667 DE 19752549667 DE 2549667 A DE2549667 A DE 2549667A DE 2549667 A1 DE2549667 A1 DE 2549667A1
Authority
DE
Germany
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amplifier
negative feedback
transistor
output
stage
Prior art date
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Application number
DE19752549667
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DE2549667B2 (de
DE2549667C3 (de
Inventor
Gerhard Krause
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
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Priority to US05/731,432 priority patent/US4090149A/en
Priority to IT28939/76A priority patent/IT1075889B/it
Priority to FR7632977A priority patent/FR2331197A1/fr
Priority to SE7612345A priority patent/SE410255B/xx
Priority to GB46044/76A priority patent/GB1571000A/en
Priority to JP51133093A priority patent/JPS60806B2/ja
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Publication of DE2549667B2 publication Critical patent/DE2549667B2/de
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/14Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with amplifying devices having more than three electrodes or more than two PN junctions
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

2^49667
SIEMENS AKTIENGESELLSOHAEiD Unser Zeichen:
Berlin und München VPA 75 P 1 f 8 7 BRD
Integrierter gegengekoppel-ter Verstärker.
Me vorliegende Erfindung "betrifft einen integrierten gegengekoppelten Verstärker, insbesondere Stromverstärker mit wenigstens zwei Verstärkerstufen, wobei ein Gegenkopplungszweig vom Verstärkerausgang auf den Verstärkereingang geführt ist.
Analogverstärker, welche zur Verstärkung von Detektorausgangssignalen verwendet werden, müssen aus Stabilitätsgründen eine Gegenkopplung aufweisen. Beispielsweise wirken Fotodetektoren als Stromquelle, so daß der Verstärker zusätzlich auch als Strom-verstärker ausgebildet v/erden muß.
Werden derartige Verstärker als integrierte Schaltungen ausgebildet, so wäre es zweckmäßig, die Schaltung möglichst ganz ohne Widerstände, insbesondere ohne Gegenkoppiungswiderstände axiszubilden, weil speziel·! Widerstände mit großem Widerstandswert in integrierter Technik schwer realisierbar sind. Integrierte Widerstände benötigen eine relativ große Fläche in der integrierten Schaltung, so daß keine großen Packungsdichten in der integrierten Schaltung zu erreichen sind. Weil die Größe des realisierbaren Widerstandswertes in der integrierten Schaltung begrenzt ist, lassen sich in vollintegrierten Verstärkern nur mäßige Stromempfindliehkeiten erzielen.
Aber auch bei Verwendung externer Gegenkopplungswiderstände gibt es bei hochempfindlichen Stromverstärkern Probleme. Beispielsweise bei Fotodioden in Belichtungsautomaten für fotografische Kameras liegt der Fotostroin im empfindlichsten Bereich bei wenigen Picoampere. Die Gegenkopplungswiderstände müßten dann größer als 10 Ohm sein. Derartige Widerstände haben aber für Belichtungsautomaten zu große Abmessungen und sind auch zu teuer.
75 E im 709820/0851
Lz-12 Nem /'4.11.1975
25A9667 ν
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker der in Rede stehenden Art ohne Gegenkopplungswiderstände anzugeben.
- Diese Aufgabe wird bei einem Verstärker der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das aktive Element der letzten Verstärkerstufe in seinem Ausgangskreis derart aufgeteilt ist, daß sich eine derartige Aufteilung des Ausgangsstromes ergibt, daß ein Teilstrom in den Gegenkopplungszweig und ein Teilstrosi in den Verstärkerausgang geführt ist.
Ist das aktive Element der letzten Verstärkerstufe ein bipolarer Transistor, so ist er zum Zweck der vorstehend definierten Stromteilung mit zwei Kollektoren versehen.
Der erfindungsgemäße Verstärker besitzt weiterhin den Vorteil, daß das aktive Element der ersten Verstärkerstufe gleichzeitig als Fotodetektor ausgebildet werden kann.
Weiterhin kann die Arbeitspunkteinstellung der aktiven Verstärkerelemente durch Ladungsträgerinjektion oder durch Lichtbestrahlung erfolgen, so daß auch gegebenenfalls notwendige Widerstände zur Arbeitspunkteinstellung entfallen können.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigt; .·-.·."
Figur 1 ein Schaltbild einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verstärkers;
Figur 2 eine Ausbildung des Verstärkers nach Fig.1 als integrierte Schaltung;
Figur 3 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verstärkers; und
Figur 4 eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verstärkers in integrierter Technik.
VPA 75 E 1177 709820/0851
Gemäß dem Schaltbild nach Pig.1 enthält ein erfindungsgemäßer Verstärker zwei Verstärkerstufen, mit Transistoren T1 und Tp, die als Darlington-Stufe geschaltet sind. An einer Klemme 1 wird dem Verstärker ein Eingangsstrom J. eingespeist. Der Darlingtonstufe ist ein Transistor T- nachgeschaltet, welcher erfindungsgemäß mit zwei Kollektoren a und b versehen ist. Die durch den Kollektor b und den Emitter dieses Transistors gebildete Strecke stellt den Ausgangskreis des Verstärkers dar, an dem an einer Klemme 3 ein Ausgangsstrom JQ abnehmbar ist. Der weitere Kollektor a ist auf den Eingang 1 des Verstärkers zurückgeführt, wodurch ein Gegenkopplungszweig gebildet wird. An einer Klemme 2 wird die Betriebsspannung zugeführt.
Von dem zu verstärkenden Eingangsstrom J. wird ein zum Stromteilertransistor T- fließender Strom J abgezweigt. Der Rest dieses
j C
Stromes wird in den als Darlington-Verstärker geschalteten Transistoren T. und Τ* verstärkt. Der Ausgangsstrom des Darlington-Verstärkers fließt in die Basis des Stromteilertransistors T-. Das Vorziehen der Stromrückführung vom Kollektor a entspricht einer Gegenkopplung, während der Kollektor b den verstärkten Ausgangsstrom J0 liefert. Das Stromverhältnis wird durch die Stromübertragungsfaktoren der beiden Kollektoren festgelegt. Dieses Verhältnis ist mit guter Näherung konstant, d.h., der gegengekoppelte Verstärker besitzt in einem großen Bereich des fiingangsstromes der Temperatur und der Frequenz eine nahezu konstante Verstärkung ohne daß ein aktives Bauelement verwendet werden muß.
Ein solcher Verstärker nach Fig.1 kann beispielsweise direkt zur Lichtmessung verwendet werden, wenn der Transistor T.. als Fotodetektor benutzt wird. Die Lichteinstrahlung ist dabei schematisch durch Pfeile 10 angedeutet. In diesem Fall entfällt eine Signaleinspeisung am Eingang 1.
Fig.2 zeigt eine Ausführungsform des Verstärkers nach Fig.1 in integrierter Technik.
VPA 75 E 1177
7 0 98 20/0851
Jr $
In einem Halbleiterkörper 20 sind zunächst in konventioneller Planartechnik die zwei Transistoren T.. rind T? hergestellt, deren Basen durch zwei Zonen 21 und 22 und deren Emitter durch zwei Zonen 23 und 24- gebildet werden. Eine weitere Zone 25 bildet die Basis des Tromteilertransistors T^, während eine Zone 26 den Emitter dieses Transistors bildet. Der Halbleiterkörper 20 bildet dabei einen Kollektor nämlich den Kollektor b während eine weitere Zone 27 einen weiteren Kollektor, nämlich den Kollektor a bildet. Durch nicht näher bezeichnete, schematisch dargestellte Kontaktierungen und Verbindungsleitungen ergibt sich insgesamt die Schaltung nach Fig.1.
Wie Pig.2 zeigt, wird der Stromteilertransistor durch einen Vertikalteiltransistor (Zonen 20, 25 und 26) sowie einen Lateraltransistor (Zonen 25, 26, 27) gebildet. Insbesondere bei einem Darlington-Verstärker als Vorstufe und bei Fotodetektoren ist diese Anordnung zweckmäßig, wenn der den Ausgangsstrom liefernde Teiltransistor eine vertikale Transistorstruktur und der das Gegenkopp^mgssignal liefernde Teiltransistor eine lateralstruktur besitzt.
Bei der Ausführungsform nach Pig. 3 in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 mit gleichen Bezugsζeichen versehen sind, entfällt eine Spannungsversorgung und wird durch Lichtbestrahlung der aktiven Bauelemente ersetzt. Die Wirkungsweise einer derartigen Form der Spannungsversorgung ist in der deutschen Patentanmeldung P 23 44 099.5 näher beschrieben.
Bei einer weiteren, in der Fig.4 dargestellten Ausführungsfonn bildet ein pn-übergang zwischen zwei Zonen 40 und 41 einen injizierenden pn-übergang, welcher die notwendigen Ladungsträger für die Spannungsversorgung bereitstellt. Die Zone, 40 ist dabei ganzflächig mit einer Elektrode 50 versehen. In einer auf der Zone 41 vorgesehenen Zone 49 mit gegenüber der Zone 41 geringer Leitfähigkeit, jedoch gleichem Leitungstyp sind Basiszonen 42, 43 und 44 vorgesehen, während Zonen 45, 46, 47 und 48 Kollektorzonen bilden.
VPA 75 E 1177 709820/0851
Die Zone 41 bildet die Emitter für die so gebildeten Transistoren T.,, !ρ» ^v Diese Ausführimgsform entspricht der Schaltung nach Fig. 3, wobei die zusätzlich notwendigen Verbindungen nicht eigens dargestellt sind.
Das erfindungsgemäße Prinzip der Stromteilung ist nicht auf M- . polare Transistoren beschränkt. Es kann vielmehr entsprechend beispielsweise durch Kanalteilung auch bei Feldeffekttransistoren verwendet werden.
Ein weiterer Vorteil beim erfindungsgemäßen Verstärker ist darin zu sehen, daß zwischen den einzelnen Stufen in der integrierten. Schaltung keine gesonderten Isolationsmaßnahinen, wie beispielsweise Isolationsdiffusionen erforderlich sind (s.beispielsweise Mg. 2).
4 Figuren
7 Patentansprüche
VPA 75 E 1177
709820/0851

Claims (7)

Patentansprüche
1.) Integrierter gegengekoppelter Verstärker, insbesondere Stromverstärker mit wenigstens zwei Verstärkerstufen, wobei ein Gegenkopplungszweig vom Verstärkerausgang auf den Verstärkereingang geführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Element der letzten Verstärkerstufe in seinem Ausgangskreis derart aufgeteilt ist, daß sich eine derartige Aufteilung des Ausgangsstromes ergibt, daß ein Teilstrom in den Gegenkopplungszweig und ein Teilstrom in den Verstärkerausgang geführt ist.
2.) Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Element der letzten Verstärkerstufe ein bipolarer Transistor mit mindestens zwei Kollektoren ist.
3.) Verstärker nach Anspruch 1 und 2, dadur. ch gekennzeichnet, daß eine Aufteilung des Ausgangskreises des bipolaren Transistors derart vorgenommen ist, daß sich eine
vertikale und eine laterale Transistorstruktur ergibt.
4.) Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzei chnet, daß das aktive Element der ersten Verstärkerstufe als Fotodetektor ausgebildet ist.
5.) Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis4, dadurch gekennzei chnet, daß die Energieversorgung der aktiven Verstärkerelemente durch Ladungsträgerinjektion oder durch Lichtbestrahlung erfolgt.
6.) Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzei chnet, daß die der letzten Verstärkerstufe vorgeschalteten Verstärkerstufen als Darlington-Verstärker ausgebildet sind.
VPA 75 E 1177
709820/08S1
ORIGINAL INSPECTED
- st -
7.) Verstärker nach, einem der Ansprüche 1 Ms 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Transistors der letzten Verstärkerstufe, der den in den Gegenkopplungszv/eig eingespeisten Teilstrom liefert, mit der Basis des Transistors der ersten Verstärkerstufe gekoppelt ist.
VPA 75 E 1177
709820/0851
DE2549667A 1975-11-05 1975-11-05 Integrierter gegengekoppelter Verstärker Expired DE2549667C3 (de)

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DE2549667B2 DE2549667B2 (de) 1978-06-22
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