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DE2415187B2 - Halbleiterbatterie und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Halbleiterbatterie und Verfahren zu deren Herstellung

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DE2415187B2
DE2415187B2 DE2415187A DE2415187A DE2415187B2 DE 2415187 B2 DE2415187 B2 DE 2415187B2 DE 2415187 A DE2415187 A DE 2415187A DE 2415187 A DE2415187 A DE 2415187A DE 2415187 B2 DE2415187 B2 DE 2415187B2
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Franz 8025 Unterhaching Koehler
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Airbus Defence and Space GmbH
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Messerschmitt Bolkow Blohm AG
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterbatterie gemäß dem Oberbegriff des ersten Patentanspruches und auf ein Verfahren zu deren Herstellung.
Eine Halbleiterbatterie dieser Art zur Umwandlung von Licht in elektrische Energie ist in der Deutschen Offenlegungsschrift 15 64 935 beschrieben.
Hier sind die Halbleiterkörper auf der Oberfläche des Trägers angeordnet und vorzugsweise durch Aufdampfen von Kontakt- und Halbleitermaterial hergestellt, wobei der Träger an den nicht zu belügenden Stellen mittels MetaHmasken abgedeckt wird. Als Träger kann z. B. Glas, Kunststoff oder Keramik verwendet werden.
Um die einzelnen Halbleiterkörper der bekannten Halbleiterbatterie beim Einsatz auf der Erde vor Verwitterungsschäden oder beim Einsatz im Weltenraum vor Strahlungsschäden zu schützen, müssen nun unbedingt die auf der Oberfläche des Trägers angeordneten Halbleiterkörper geschützt werden, sei es durch die Abdeckung der einzelnen Halbleiterkörper durch Deckgläser oder durch eine Abdeckung der gesamten Halbleiterbatterie durch eine transparente Schicht
Des weiteren verursachen bei der bekannten Halbleiterbatterie Knick- oder Biegekräfte in einer weiten Umgebung um den Angriffspunkt Spannungen innerhalb des Trägers, die damit auch auf die einzelnen Halbleiterkörper und die elektrischen Verbindungen wirken. Hierdurch ist es möglich, daß die auf den Träger aufgedampften Kontaktbahnen oder die Halbleiterkörper von dem Träger losgelöst werden. Eine besonders anfällige Stelle sind die Berührungkanten zwischen den Halbleiterkörpern und den Kontaktbahnen. Durch Knick- oder Biegekräfte können die elektrischen Verbindungen längs dieser Kanten aufgebrochen werden, so daß dadurch die Funktion der gesamten Halbleiterbatterie in Frage gestellt wird.
Trotz der einfacheren Herstellung der bekannten Halbleiterbatterie gegenüber sonstigen, aus einzelnen kleinen Halbleiterkörpern aufgebauten Batterien sind für die Herstellung immer noch mindestens drei Masken notwendig. Schmutzeinflüsse, Auflageschwierigkeiten und Toleranzabweichungen bei dieser Technik sind Probleme, die bei großflächigen Halbleiterbatterien nur durch eine hochpräzise, teuere und für die Serienproduktion kaum geeignete Fertigung überwunden werden können.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer Halbleiterbatterie der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art den Träger und die Anordnung der Halbleiterkörper sowie der Kontaktbahnen auf dem Träger so zu gestalten, daß die Verbindungen zwischen Halbleiterkörpern und Kontaktbahnen durch auf den Träger wirkende Knick- oder Biegekräfte möglichst nicht beeinflußt weiden und -daß für die Herstellung der Halbleiterbatterie die Maskentechnik vereinfacht bzw. ganz vermieden wird.
Diese Aufgabe ist durch die im kennzeichnenden Teil des ersten Patentanspruches angegebenen Merkmaie gelöst.
Die Form des Trägers, der auch aus flexiblem Material bestehen kann, bietet durch die Vertiefungen mit den darin verlaufenden Kontaktbahnen die Gewähr, daß Biege- bzw. Knickkräfte hauptsächlich im Bereich der Einschnitte im Träger aufgefangen werden und nicht auf die die Halbleiterkörper tragenden Stege und deren Kanten, längs denen die elektrische Kontaktierung der einzelnen Halbleiterkörper untereinander verläuft, weitergeleitet werden.
Besonders günstig ist ein dreieckförmiger Querschnitt der Vertiefungen, da in diesem Falle die Spannungen im Träger annähernd nur im Bereich der Spitze der Vertiefungen auftreten und somit der größte Teil der Kontaktbahnen lind der Halbleiterkörper im spannungsfreien Gebiet des Trägers liegen. Zwar ist die Ausdehnung der einzelnen Stege und der Vertiefungen in Breite und Länge an sich beliebig. Wenn der Träger eine Folie ist, so sind die Stege zweckmäßig nur bis zu einigen Millimetern breit Die Handhabung der Halbleiterbatterie, beispielsweise bei der Verpackung oder beim Versand, aber auch bei einer Anwendung zur Stromversorgung eines Satelliten, wird durch eine derartige Ausführung vereinfacht, da die Halbleiterbatterie aufgerollt werden kann, ohne daß die einzelnen
ίο Halbleiterkörper oder Kontaktbahnen unter einer solchen Spannung stehen, die zu einer Ablösung von dem Träger führen könnte.
Um die gesamte Halbleiterbatterie wirkungsvoll vor Beschädigungen zu schützen, wird die gesamte Unter seite des Trägers mit einer elektrisch isolierenden und vorzugsweise elastischen Schutzschicht, z. B. aus Kunststoff versehen.
Bei der Verwendung einer Halbleiterbatterie als Solarbatterie ist man bestrebt, einen möglichst großen Teil des auf die Halbleiterbatterie auffallenden Lichtes in elektrische Energie umzuwandeln. Bei der oben zitierten bekannten Halbleiterbatterie gemäß der DE-OS 15 64 935 ist das auf die Kontaktbahnen fallende Licht für eine Umwandlung in elektrische Energie verloren, so daß nur etwa 80 bis 90% des gesamten auf die Halbleiterbatterie fallenden Lichtes zur elektrischen Energiegewinnung ausgenutzt werden kann.
Bei einer Halbleiterbatterie gemäß der Erfindung kann dieser Prozentsatz allein schon durch die
3» Querschnittsform der Vertiefungen auf der Unterseite des Trägers verbessert werden. Da das an den Wänden der Vertiefungen anliegende Material der Kontaktbahnen als Spiegel für auffallendes Licht wirkt, sind die Vertiefungen vorzugsweise derart geformt daß zumin dest ein Teil des auffallenden Lichtes auf die Halbleiterkörper reflektiert wird.
Die Lichtausbeute läßt sich jedoch noch erheblich steigern, wenn die der Seite mit den Vertiefungen gegenüberliegende Oberflächenseite des Trägers in
■»o einzelne aneinanderstoßende Zylinderlinsen unterteilt ist, derart, daß jedem mit einem Halbleiterkörper versehenen Steg eine einzige Zylinderlinse zugeordnet ist und senkrecht auf diese Linse einfallendes Licht auf den zugeordneten Halbleiterkörper gelenkt wird.
4> Auf diese Weise kann die Lichtausbeute bis nahe an 100% gesteigert werden.
Ein Verfahren zur Herstellung der beschriebenen Halbleiterbatterie ist im Patentanspruch 10 angegeben. Ein besonderer Vorteil dieses Verfahrens ist darin zu
'"■' sehen, daß die Halbleiterkörper auf den Träger aufgedampft werden können, ohne daß Masken benutzt werden, da die links- und rechtsseitigen Kanten der Stege auf der Unterseite des Trägers als Aufdampfblenden wirken.
Lediglich vor dem Aufdampfen des Halbleitermaterials müssen die die Halbleiterkörper aufnehmenden Stege abgedeckt werden. Dies ist möglich, indem beispielsweise zuerst die gesamte Unterseite des Trägers mit einer Lackschicht belegt wird und danach
μ die Vertiefungen in der Unterseite des Trägers angebracht werden. Selbstverständlich können auch zuerst die Vertiefungen in den Träger eingefräst und dann die Stege mit einer Lackschicht, vorzugsweise in einem Druckverfahren versehen werden.
h5 Bei einer derart hergestellten Halbleiterbatterie sind die beiden unterschiedlichen Leitungstyp aufweisenden Schichten eines jeden Halbleiterkörpers jeweils längs der Kante der in den Vertiefungen angeordneten
Kontaktbahnen mit diesen verbunden. Durch diese elektrische Hintereinanderschaltung der einzelnen Halbleiterkörper steht beim Anlegen einer Last an der Batterie eine Spannung zur Verfügung, die durch die Anzahl der Halbleiterkörper bestimmt ist, sowie ein Strom, der durch die Länge der einzelnen Halbleiterkörper bestimmt ist. Da bei den erreichbaren Abmessungen nur ein Strom geringer Stromstärke erzielbar ist, können die Kontaktbahnen und die elektrischen Berührungsflächen zwischen Kontaktbahnen und Halbleiterkörpern schmal gehalten werden, ohne daß die Halbleiterbatterie übermäßig erwärmt wird Es ist jedoch möglich, zur besseren Wärmeabfuhr und Kontaktierung die Kontaktzonen dadurch zu vergrößern, daß die dem Träger abgewandte Schicht jedes Halbleiterkörners mit einer Kontaktierungsschicht versehen ist die elektrisch leitend mit derjenigen Kontaktbahn verbunden ist mit der auch die von der Kontaktierungsschicht belegten Schicht elektrisch leitend verbunden ist Besonders einfach wird dies durch die im Patentanspruch ti angegebenen Verfahrensschritte erreicht
Die Erfindung ist in einem Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung näher erläutert Die einzelnen Figuren, die nicht maßstäblich sind, zeigen jeweils in perspektivischer Darstellung
F i g. 1 einen zu einer Rolle aufgewickelten Träger einer Halbleiterbatterie,
F i g. 2 die Struktur des Trägers,
F i g. 3a bis f Teilansichten einer Halbleiterbatterie in aufeinanderfolgenden Fertigungsphasen,
Fig.4 eine Ansicht auf die Unterseite einer Halbleiterbatterie zur Darstellung der elektrischen Kontaktierung einzelner Halbleiterkörper,
F i g. 5 schematisch eine Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterbatterie,
F i g. 6 eine elektrische und mechanische Verbindung zweier Halbleiterbatterien.
Als Träger 1 einer Halbleiterbatterie wird eine wickelbare Folie aus transparentem Material verwendet; vgl. Fig. 1. Quer zur Rollenablauf richtung hat die Folie eine Struktur, die in Fig.2 dargestellt ist Die Unterseite der Folie ist in regelmäßigen Abständen mit dreieckförmigen Vertiefungen versehen, die sich über die gesamte Breite der Folie erstrecken. Zwischen den Vertiefungen verbleiben Stege 3. Die Oberseite der Folie hat eine Zylinderlinsen-Struktur, derart, daß jeweils einem Steg 3 eine einzige Zylinderlinse 4 zugeordnet ist Die Zylinderlinsen haben einen Radius, der so berechnet ist daß senkrecht auf die Oberfläche der Folie auffallendes Licht auf die Stege 3 gelenkt wird. Auf die Stege 3 des derart geformten Trägers 1 werden Halbleiterkörper aufgedampft und zwar in der in den F i g. 3a bis 3f gezeigten Weise.
Zunächst werden die Stege 3 des Trägers 1 mit einer Lackschicht 5, vorzugsweise im Druckverfahren abgedeckt Danach wird senkrecht zur Unterseite des Trägers in Pfeilrichtung 6 auf den Träger ein Kontaktmaterial, z. B. Silber oder Silbertitanat aufgedampft; vgl. Fig.3a. Nachdem die Lackschicht 5 w> entfernt ist und die Stege 3 gesäubert sind, verbleibt somit das aufgedampfte Kontaktmaterial als Kontaktbahn 7 in den Vertiefungen 2; vgL Fig.3b. Durch entsprechendes Aufbringen der Lackschicht 5 ist dafür gesorgt worden, daß die Kontaktbahnen 7 nicht direkt l'5 bis an die Stege 3 reichen.
Auf die so vorbereitete Unterseite des Trägers 1 wird gemäß Fig.3c in Pfeilrichtung 8 ein elektronenleiten des Halbleitermaterial, z. B. n-Silicium aufgedampft. Die Aufdampfrichtung 8 ist hierbei so gewählt, daß in dei Figur die jeweils rechten Kanten 9 der Stege ah Aufdampfblenden wirken, und die Stege 3 voll, die Kontaktbahnen 7 jedoch lediglich auf einem schmaler Streifen an den rechtsseitigen Wänden der Einschnitte 7 bedeckt werden. An den linksseitigen Wänden der Einschnitte 2 ist zwischen der so aufgedampften Schicht 10 des Halbleitermaterials und der Kontaktbahn 7 kein Kontakt vorhanden.
Im nächsten Schritt vgL die Fig.3d, wird in Pfeilrichtung 11 auf die Unterseite des Trägers 1 ein löcherleitendes Halbleitermaterial, z. B. p-Silicium aufgedampft Die Richtung 11 ist so gewählt daß nunmehr die linksseitigen Stegkanten 12 mit der aufgedampften Schien? 10 als Aufdamnfblenden wirken; dadurch werden die Schicht 10 mit einer Schicht 13 des p-leitenden Halbleitermaterials und die Kontaktbahnen 7 an den linksseitigen Wänden der Einschnitte 2 innerhalb eines Streifens bedeckt Zwischen den Kontaktbahnen an den rechtsseitigen Wänden der Vertiefungen und der aufgedampften Schicht 13 ist kein Kontakt vorhanden.
Nach diesem Verfahrensschritt ist die Halbleiterbatterie funktionstüchtig, da die einzelnen aus den zwei Schichten 10 und 13 bestehenden Halbleiterkörper S durch die geschilderte Art des Aufdampfens elektrisch in Serie geschaltet sind, indem jeweils die elektronenleitende Schicht 10 eines Halbleiterkörpers Si über eine Kontaktbahn 7 mit der löcherleitenden Schicht 13 eines benachbarten Halbleiterkörpers Sj verbunden ist In der F i g. 3d könnte somit zwischen den Punkten 14 und IS bei Lichteinfall auf den Träger 1 eine Spannung abgenommen werden.
Um bei höheren Stromstärken bei dem Betrieb der Halbleiterbatterie eine allzugroße Erwärmung der Halbleiterkörper des Trägers zu vermeiden und eine wirkungsvolle elektrische Kontaktierung zu erreichen, ist es sinnvoll auf die löcherleitende Schicht 13 noch eine weitere Kontaktierungsschicht 16 aufzudampfen, und zwar, wie in F i g. 3e gezeigt in Richtung des Pfeiles 17. Diese Richtung ist derart gewählt daß die Schicht 13 über ihren ganzen Bereich bedeckt ist und das Kontaktmaterial teilweise die linksseitigen Wände der Kontaktbahnen belegt Diese Schicht 16 darf jedoch nicht mit der unter der Schicht 13 liegenden Schicht 10 in Berührung kommen, da sonst die Batterie kurzgeschlossen würde, so daß die Richtung 17 mit der Unterseite des Trägers 1 einen kleineren Winkel einschließt als die Richtung 11.
Bei der Aufdampfung der Schicht 16 unter der Richtung 17 wird über die Länge der p-Schicht 13 der einzelnen Halbleiterkörper kein Kontakt mit den Kontaktbahnen 7 auf den linksseitigen Wänden der Vertiefungen 2 erreicht Um eine elektrische Kontaktierung zu erzielen, werden daher die einzelnen Schichten der Halbleiterkörper und die Kontaktmaterialien gemäß Fig.4 in unterschiedlicher Breite aufgedampft Die Schicht 10 aus elektronenleitendem Halbleitermaterial ist über die Länge der Stege 3 mit der kleinsten Breite aufgedampft und wird von der Schicht 13 aus löcherleitendem Halbleitermaterial überlappt Die Kontaktbahnen 7 sowie die Kontaktierungsschicht sind über eine noch größere Breite als die Schichten 13 auf der Unterseite des Trägers aufgedampft, so daß die Schichten 16 jeweils auf den linksseitigen Wänden der Vertiefungen 2 mit den Kontaktbahnen 7 im Bereich K elektrisch verbunden sind. Die an den flächigen
pn-Übergängen entstehenden freien Ladungen der Halbleiterkörper werden auf diese Weise in den Schichten 16 gesammelt und im Bereich K über die Kontaktbahnen 7 dem jeweils benachbarten Halbleiterkörper zugeführt.
Zum Schutz der Halbleiterkörper wird die gesamte Unterseite der fertiggestellten Halbleiterbatterie mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht 18, z. B. aus Kunststoff belegt. Vorzugsweise wird dabei der Kunststoff aufgespritzt.
Da bei dem geschilderten Fertigungsverfahren für eine Halbleiterbatterie gemäß der Erfindung keine Maskentechnik notwendig ist, ist eine rationelle Fertigung der Halbleiterbatterie möglich, vgl. Fig. 5. Das Trägermaterial 1 wird zuerst einem Druckstand 20 zugeführt, in dem die Stege 3 mit der Lackschicht 5 versehen werden. Danach wird das Trägermaterial durch eine erste Aufdampfkammer 21 geleitet, in de- auf die Unterseite des Trägers in Richtung 6 die Kontaktbahnen 7 in die Vertiefungen des Trägers aufgedampft werden. Nach Durchgang durch ein Waschbad 22, in dem die Lackschicht 5 wiederum entfernt wird, wird das Trägermaterial aufgerollt und in eine Aufdampfkammer 23 eingesetzt, in der nacheinander in den Richtungen 8,11 und 17 die Halbleiterschichten 10 und 13 sowie die Kontaktierungsschicht 15 auf die Unterseite des Trägers in jeweils verschiedenen Breiten gemäß der Fig.4 aufgedampft werden. In einem weiteren Arbeitsvorgang wird bei 26 schließlich die Rückseite des Trägers mit der Schutzschicht 18 aus Kunststoff und bei 27 die Oberseite des Trägermaterials 1 zur besseren Lichtausbeute mit einer Antireflexschicht 28 versehen, vgl. auch F i g. 3f. Die Antireflexschicht kann natürlich auch in einer der Aufdampfkammern 21 oder 23 auf das Trägermaterial aufgebracht werden. Danach wird das Trägermaterial 1 entweder wiederum auf einer Rolle aufgewickelt oder wie in Fig. 1 gestrichelt angedeutet, in kleinere Trägerplatten 31 zerschnitten.
Diese Trägerplatten können gemäß Fig.6 durch Verbindungsstücke 32 verbunden werden, die jeweils eine solche Trägerplatte mit einer Gummiüppe 33 längs einer Zylinderlinse umfassen, während je ein federnder Kontaktstreifen 34| bzw. 342 in eine Vertiefung 2 der Trägertafeln 311 bzw. 3I2 eingreift und dort mit den jeweiligen Kontaktbahnen 7 elektrisch verbunden ist. Die Kontaktstreifen 34| bzw. 342 sind mit mehreren
lü Steckbuchsen 35| bzw. 35? verbunden; im gezeigten Falle ist der Kontaktstreifen 342 mit der Steckbuchse 3S2 verbunden, während der Kontaktstreifen 34t mit der Steckbuchse 35| verbunden sein soll. Durch entsprechende Beschallung der Steckbuchsen 35 ist es nun möglich, die Trägertafeln 311 und 3I2 hintereinander bzw. parallel zueinander zu schalten.
Die Abmessungen der beschriebenen Halbleiterbatterie können, wie bereits erwähnt, beliebig gewühlt werden. Hierbei ist lediglich zu berücksichtigen, daß die elektrische Spannung pro Flächeneinheit verkleinert wird, wenn die Breite der Stege 3 auf der Unterseite des Trägers vergrößert wird. Wird für die Halbleiterbatterie die beschriebene flexible Folie benutzt, so hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Breite der Stege im Millimeterbereich liegt.
Ferner sei darauf hingewiesen, daß außer den beschriebenen photosensitiven Halbleiterkörpern auch auf Temperaturdifferenzen ansprechende Halbleiter-Thermoelemente auf einen solchen Träger aufgedampft werden können. Zum Betrieb dieser Halbleiterbatterie wird die Rückseite der Batterie im Bereiche der Schutzschicht 18 gekühlt. Die verwendete Kühlflüssigkeit kann wiederum einen Wärmespeicher betreiben, so daß die Ausbeute der beschriebenen Vorrichtung vergrößert wird. Ferner ist es möglich, neben den erwähnten photosensitiven Halbleiterkörpern zusätzlich auch wärmesensitive Halbleiterkörper auf den Träger aufzudampfen.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

1 Patentansprüche:
!. HaJbleiterbatterie mit mehreren streifenförmigen Halbleiterkörpern, die parallel zueinander auf einem elektrisch isolierenden Träger angeordnet sind und jeweils aus zwei zueinander entgegengesetzten Leitungstyp aufweisenden Schichten beste hen, wobei bei allen Halbleiterkörpern jeweils die Schicht des einen Leitungstyps dem Träger zugewandt ist und je zwei unterschiedlichen Leitungstyp aufweisenden Schichten zweier benachbarter Halbleiterkörper durch Kontaktbahnen, die sich fiber die gesamte Länge der Haltleiterkörper erstrecken, elektrisch leitend verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (1) auf seiner einen Seite zueinander parallele Vertiefungen (2) aufweist, daß unmittelbar auf den zwischen den Vertiefungen (2) verbleibenden Stegen (3) des Trägers (1) die Halbleiterkörper (St, S2) aufgebracht sind und daß schließlich die Kontaktbahnen (7) zwischen zwei benachbarten Halbleiterkörpern (Si, S2) in den Vertiefungen (2) verlaufen und entlang der einen Stegkante (12) mit der dem Träger (1) zugewandten Schicht (10) des einen Halbleiterkörpers (Α) und entlang der anderen Stegkante (9) mit der dem Träger (1) abgewandten Schicht (13) des benachbarten Halbleiterkörpers (S2) in Kontakt stehen.
2. Halbleiterbatterie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (1) flexibel ist.
3. Halbleiterbatterie nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (1) insbesondere bei Verwendung der Halbleiterbatterie als Solarbatterie, transparent ist.
4. Halbleiterbatterie nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Kontaktbahnen (7) belegten Wände der Vertiefungen (2) derart geformt sind, daß zumindest ein Teil des auffallenden Lichts auf die Halbleiterkörper (Si, S2) reflektiert wird.
5. Halbleiterbatterie nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die der Seite mit den Vertiefungen gegenüberliegende Oberflächenseite des Trägers (1) in einzelne, aneinanderstoßende Zylinderlinsen (4) unterteilt ist, derart, daß jedem mit einem Halbleiterkörper (Si, S2) versehenen Steg (3) eine einzige Zylinderlinse (4) zugeordnet ist und senkrecht auf die Linse (4) einfallendes Licht auf diesen Halbleiterkörper (Si, S2) gelenkt wird.
6. Halbleiterbatterie nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (2) einen dreieckförmigen Querschnitt aufweisen.
7. Halbleiterbatterie nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Träger (1) abgewandte Schicht (13) jedes Halbleiterkörpers (Si, S2) mit einer Kontaktierungsschicht (16) versehen ist, die elektrisch leitend mit derjenigen Kontaktbahn (7) verbunden ist, mit der auch die von der Kontaktierungsschicht (16) belegte Schicht (13) elektrisch leitend verbunden ist.
8. Halbleiterbatterie nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterbatterie auf der Seite der Halbleiterkörper mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (18) versehen ist.
9. Halbleiterbatterie nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (18) elastisch ist.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbatterie nach Anspruch 1, bei dem auf einen elektrisch isolierenden Träger metallisches Kontaktmaterial und darauf unter Ausbldung streifenförmiger, aus zwei Schichten bestehender Halbleiterkörper, zu nächst Halbleitermaterial des einen und dann Halbleitermaterial des entgegengesetzten Leitungstyps aufgedampft wird, gekennzeichnet durch folgende Verfahrenssekritte:
auf den Träger (I1), der auf seiner einen Seite mit zueinander parallelen Vertiefungen (2) versehen ist und dessen zwischen den einzelnen Vertiefungen (2) verbleibenden Stege (3) abgedeckt sind, wird senkrecht (in Pfeürichtung6) zu der Trägerfläche auf die gesamte mit den Vertiefungen versehene Seite das metallische Kontaktmaterial aufgedampft; danach werden die Stege (3) gesäubert, wodurch in den Vertiefungen die Kontaktbahnen (7) gebildet werden;
danach wird die mit den Vertiefungen versehene Seite des Trägers (1) mit Halbleitermaterial zur Bildung der Schicht (10) des einen Leitungstyps aus einer solchen Richtung (Pfeilrichtung 8) bedampft, daß die rechtsseitigen Kanten (9) der Stege (3) als Aufdampfblenden wirken und das Halbleitermaterial die Stege (3) bedeckt und an den rechtsseitigen Wänden der Vertiefungen (2) teilweise auf dem Kontaktmaterial aufliegt;
schließlich wird die mit den Vertiefungen versehene Seite des Trägers (1) mit Halbleitermaterial zur Bildung der Schicht (13) des entgegengesetzten Leitungstyps aus einer solchen Richtung (Pfeilrichtung 11) bedampft, daß nunmehr die linksseitigen Kanten (12) der Stege (3) als Aufdampfblenden wirken und die Schicht (13) des entgegengesetzten Leitungstyps auf den Stegen die Schicht (10) des einen Leitungstyps und gleichzeitig an den linksseitigen Wänden der Vertiefungen (2) jeweils einen Streifen des Kontaktmaterials bedeckt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die mit den Vertiefungen versehene Seite der Halbleiterbatterie zusätzlich mit einem Kontaktmaterial zur Bildung einer Kontaktierungsschicht (16) aus einer Richtung (Pfeilrichtung 17) bedampft wird, die mit dieser Seite des Trägers (1) einen kleineren Winkel einschließt, als die Richtung (Pfeilrichtung 11), unter der die dem Träger (1) abgewandte Schicht (13) jedes Halbleiterkörpers (Si, S2) aufgedampft wurde, und daß die Bedampfung so durchgeführt wird, daß die Breite der durch das aufgedampfte Kontaktmaterial gebildeten Kontaktbahnen (7) und die Breite der Kontaktierungsschicht (16) bezüglich der Längsrichtung der Stege (3) die Breite der dem Träger (1) abgewandten Schicht (13) jedes Halbleiterkörpers (Si, S2) und deren Breite wiederum diejenige der dem Träger (1) zugewandten Schicht (10) jedes Halbleiterkörpers (Si, S2) überragt.
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