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DE2407377A1 - Kontaktaufbau fuer halbleiteranordnungen - Google Patents

Kontaktaufbau fuer halbleiteranordnungen

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Publication number
DE2407377A1
DE2407377A1 DE19742407377 DE2407377A DE2407377A1 DE 2407377 A1 DE2407377 A1 DE 2407377A1 DE 19742407377 DE19742407377 DE 19742407377 DE 2407377 A DE2407377 A DE 2407377A DE 2407377 A1 DE2407377 A1 DE 2407377A1
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DE
Germany
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area
conductive
region
substrate
contact surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19742407377
Other languages
English (en)
Inventor
William Folsom Davis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE2407377A1 publication Critical patent/DE2407377A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

PAIENTAnWAUE 7 LQl 3Π
DIPL.-iNG. LEO FLEUCHAUS
DR.-ING. HANS LEYH DIPL.-ING ERNGT RATHWANN
Melchlorstr. 42
Unser Zeichen: M0127P-1119
Motorola, Inc. 9U01 West Grand Avenue Franklin Park, Illinois V. St. A.
Kontaktaufbau für Halbleiteranordnungen
Die Erfindung betrifft einen Kontaktaufbau für Halbleiteranordnungen mit in einem Substrat einer ersten Leitfähigkeit angeordneten, ersten und zumindest zweiten Bereich einer zweiten Leitfähigkeit sowie einer zumindest den ersten Bereich überdeckenden Isolationsschicht und einer darauf ausgebildeten Kontaktfläche.
Halbleiteranordnungen und insbesondere integrierte Schaltkreise finden immer* größere Anwendung in der modernen Autoelektrik» Dabei können diese Halbleiteranordnungen sowohl für Züiidsysteme als auch für Steuer- und überwachungseinrichtungen Verwendung finden, wobei fsich durch die Verwendung von derartigen Halbleiteranordnungen auch erhebliche Kostenersparungen erzielen lassen. Die Verwendung von Halbleiter-^ 'anordnungen und integrierten Schaltkreisen im Rahmen der
Fs/Itu - ' Autoelektrik
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Autoelektrik ist jedoch nicht ohne Problematik, da diese Teile ungünstigen elektrischen Bedingungen ausgesetzt sind, was insbesondere für integrierte Schaltkreise gilt. Die ungünstigen Bedingungen können durch Temperaturbelastungen in einem großen Temperaturbereich ausgelöst sein, aber auch durch Stör- und Rauschsignale, die beim Betrieb des elektrischen Systems in einem Kraftfahrzeug nicht zu vermeiden sind. Diese Störsignale können z. B. aus verhältnismäßig energiearmen positiven oder negativen Impulsen bestehen, mit sehr großer Amplitude, die mehrere 100 Volt annehmen kann. Derartige Signale werden nachfolgend als Rauschsignale bezeichnet und treten typischerweise in Leitungen auf, die zur Signalübertragung z. B. Fühlelemente und Sehalteinrichtungen mit der integrierten Schaltung verbinden. Diese Rauschsignale können eine Fehlfunktion bei bisher verwendeten integrierten Schaltkreisen auslösen oder sogar zerstörend wirken. Es wurde auch festgestellt, daß selbst -relativ robuste und widerstandsfähige diskrete Halbleiteranordnungen, wie z. B. Leistungstransistoren, die über die integrierten Schaltungen gesteuert werden, durch derartige Rauschsignaleinflüsse beschädigt wurden, Außerdem ist es bekannts daß. in den Hauptversorgungsleitungen des elektrischen Systems äev Autoelektrik durch Abschalten von Verbrauchern von der Batterie,die üblicherweise eine 12 V-Batterie ist, sehr haehenergetische Ausgleichsspannungen auftreten könnens die bis su iOO Volt Spannungsspitze erreichen. Derartige Ausgleichsspannungen zerstören die bisher bekannten integrierten Schaltkreise, wenn keine besonderen SchutZEchaltungen verwendet werden«
Bisher bekannte integrierte Schaltkreise haben einen Kontaktciufbau, der aus einem N-leitenden Bereich innerhalb eines P-leitendea Substrates bestallt, wobei die Kontakt-
- 2 '- fläche
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fläche über dem N-leitenden Bereich verläuft. Zwischen der Kontaktfläche und dem N-leitenden Bereich befindet sich eine Oxydschicht als isolierende Schicht. Während des Kontaktierens treten extreme mechanische Beanspruchungen im Bereich der Kontaktfläche auf, wodurch die Oxydschicht reissen kann, so daß ein elektrischer Kurzschluß zwischen der Kontaktfläche und dem N-leitenden Bereich entsteht. Das Vorhandensein des N-leitenden Bereiches verhindert jedoch, daß der Kurzschluß auch zu dem Substrat hin erfolgt. Wenn jedoch negative Impulse in Form von Rauschsignalen mit ausreichend hoher Amplitude an der Kontaktfläche wirksam werden, können diese den zwischen dem P-leitenden Substrat und dem N-leitenden Bereich befindlichen PN-Übergang in Durchlaßrichtung vorspannen, so daß Minoritätsträger in das Substrat injiziert werden. Jeder in der Nähe liegende N-leitende Bereich, der in Sperrichtung vorgespannt ist, kann dann wie ein Kollektor für die injizierten Leitungsträger wirken und einen Stromfluß auslösen, der die Wirkungsweise der Schaltung beeinträchtigt und z. B. bei einem Flipflop oder einer Speicherschaltung den Schaltzustand ändert, wodurch die gespeicherte Information verlorengehen kann. Es ist wünschenswert, diese Schwierigkeiten zu Uberwirden, welche sich aufgrund der bei bekannten integrierten Schaltkreisen üblichen Kontaktaufbauten ergebens um das Injizieren von Minoritätsträgern in das Substrat zu vermeiden.
Der -Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, zur Erreichung dieses Zieles für Halbleiteranordnungen und insbesondere integrierte Schaltkreise einen Kontaktaufbau zu schaffen, der die Verwendung derartiger Schaltungen in einer Umgebung mit hohen Rauschsignalen zuläßt, ohne daß diese Rauschsignale beim Wirksamwerden an der Schaltung die Betriebsfunktion beeinflussen bzw. die Schaltung beschädigen.
- 3 - Dadurch
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Dadurch sollen Halbleiteranordnungen geschaffen v;erden, die insbesondere unter den ungünstigen Bedingungen eines Kraftfahrzeugbetriebes in der Autoelektrik Verwendung finden
können.
Diese Aufgabe wird ausgehend von dem eingangs erwähnten Kontaktaufbau erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein dritter
Bereich von der ersten Leitfähigkeit innerhalb des ersten
Bereiches ausgebildet ist.
Weitere Merkmale und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren Ansprüchen.
Die Merkmale und Vorteile ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Εε zeigt
Fig. 1 ein Blockschaltbild, mit welchem die elektrischen Verhältnisse in einem Kraftfahrzeug im Modell
nachgebildet sind;
Fig. 2 eine graphische Darstellung eines abklingenden
Laststromes sowie elektrischer Rauschsignale, wie sie in dem elektrischen System eines Kraftfahrzeuges auftreten können;
Fig. 3 einen Schnitt durch einen Kontaktaufbau auf einem Halbleiterplättchen mit einem daneben angeordneten Transistor zur Erläuterung des der Erfindung zugrundeliegenden Problemes;
Fig. 4 einen Schnitt durch einen Kontaktaufbau einer Ausführ ungsform gemäß der Erfindung.
- 4 - . Die
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Die elektrischen Schaltungsverhältnisse, bei denen sich die Problematik ergibt, für welche die vorliegende Erfindung eine Lösung gibt, wird anhand der Fig. 1 beschrieben. Dieses Blockschaltbild gibt das elektrische System 100 in einem Kraftfahrzeug wieder, das an einer 12 Volt-Batterie 102 über die negative Klemme 104 und die positive Klemme 106 angeschlossen ist. Die negative Klemme 104 steht mit der Masseleitung 105 in Verbindung, die bei dem Kraftfahrzeug in der Regel aus dem Chassis und an verschiedenen Stellen an dieses angeschlossenen Drahtleitungen besteht. Der Chassis-Widerstand ist gemäß Fig. 1 in mehrere diskrete Widerstände 108, 110, 112, 114, 116 und 118 aufgeteilt. Es ist bekannt, daß diese Widerstände z. B. infolge von Korrosion oder dem sich mechanischen Lösen von Anschlußverbindungen an das Chassis im Laufe des Kraftfahrzeugalters in ihrem Wert ansteigen können. Die positive Klemme 106 der Batterie 102 ist mit der Feldwicklung 120 und der Ausgangsseite des Wechselstromgenerators verbunden, der durch die Stromquelle 121 representiert wird. Die andere Seite des Wechselstromgenerators liegt an Masse. Die positive Versorgungsleitung 122 liegt ebenfalls an der positiven Klemme 106. Diese Versorgungsleitung 122 verläuft durch das elektrische Leitungsbündel 124, wobei die verteilte Induktivität dieser Versorgungsleitung 122 in mehrere Einzelinduktivitäten 126, 128 und 130 in der Darstellung gemäß Fig. 1 unterteilt ist. Eine integrierte Schaltung 132 ist über die positive Versorgungsklemme 134 im Punkt 139 mit der Versorgungsleitung 122 verbunden, wogegen die negative Versorgungsklemme 136 im Punkt 140 an der Masseleitung 105 liegt. Eine Eingangsklemme 138 dieser integrierten Schaltung ist über eine Leitung 142 an einen Schalter 143 angeschlossen j wobei diese Leitung 142 durch das Leitungsbündel 124 in der Nähe der Versorgungsleitung 122 verläuft. Wenn der Schalter geschlossen wird, ist
- 5 - die
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die Leitung 142 im Punkt 14l* an den Masseleiter 105 angeschlossen. Die verteilte Induktivität der Leitung 142 ist in mehrere diskrete Induktivitäten 145, 146 und 147 unterteilt. Die zwischen der Versorgungsleitung 122 und der Signalleitung 142 vorhandenen Koppelkapazitäten werden durch die diskreten Kondensatoren 12 3, 12 5 und 12 7 verwirklicht. Ein erstes elektrisches Zubehörgerät 150 liegt zwischen dem Punkt 151 der Versorgungsleitung 122 und dem Punkt 152 der Masseleitung dO5. Ein zweites Zubehörgerät 154, das z. B. der Motor einer Klimaanlage sein kann, liegt zwischen dem Punkt 155 der Versorgungsleitung 122 und dem Punkt 156 der Masseleitung 105. Ein drittes Zubehörgerät 158, das z. B. ein Antriebsmotor für die elektrische Scheibenbetätigung sein kann, ist zwischen dem Punkt 159 der Versorgungsleitung 122 und dem Punkt 160 der Masseleitung 105 geschaltet. Die verschiedenen Induktivitäten und Kapazitäten, wie sie sich aus der Darstellung gemäß Fig. 1 ergeben, sowie die zwischen diesen Elementen bestehende Kopplung führt dazu, daß auf der Signalleitung 142 und der Versorgungsleitung Rausahsignale in einem bemerkenswerten Umfang auftreten, wenn die verschiedenen Zubehöx^geräte an-und abgeschaltet werden. Wenn z. B. das Zubehörgerät 128 in Betrieb ist, fließt ein verhältnismäßig großer Strom von der positiven Klemme 106 über die Versorgungsleitung 122, die Induktivitäten 126 und 128 sowie die Widerstände 114, 112 und 108 zur negativen Klemme 104. Die Widerstände in der Masseleitung 105 sind üblicherweise ausreichend groß, um einen wesentlichen Spannungsabfall zwischen dem Punkt 166 und der negativen Klemme 104 entstehen zu lassen. Wenn das Zubehörgerät 158 ausgeschaltet wird, entsteht aufgrund des Stromes durch die Induktivitäten 12 6 und 12 8 eine verhältnismäßig große positive Ausgleichsspannung, die sowohl am Punkt 159 als auch am Punkt 139 in Erscheinung tritt, Folglich wirkt auch zwischen
- 6 - den
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den■Versorgungsklemmen 134 und 136 der integrierten Schaltung 132 eine große positive Spannung. Ferner kann durch eine gegenseitige Verkopplung der Induktivitäten 12 6 und 145 sowie der Induktivitäten 12 8 und 14 6 ein großer positiver Ausgleichsimpuls auf der Signalleitung 142 entstehen und damit an der Eingangsklemme 138 der integrierten Schaltung 132 wirksam werden, insbesondere, wenn der Schalter 143 nicht geschlossen ist. Das gleiche gilt für das An- und Abschalten der weiteren Zubehörgeräte 150 und 154, wodurch sowohl positive als auch negative impulsförmige Ausgleichsspannungen auf der Versorgungsleitung 122 und damit an der Versorgungsklemme 134 und ebenfalls auf der Signalleitung 142 und damit an der Eingangsklemme 138 auftreten können. Im * allgemeinen kann davon ausgegangen werden, da/?, jegliche integrierte Schaltung in einem elektrischen System, wie es in Fig. 1 dargestellt ist, welche in einer gewissen Entfernung von der Batterie 102 zwischen die Versorgungsleitung 122 und die Masseleitung 105 geschaltet ist, mit Ausgleichsspannungen beaufschlagt werden, kann, die zwischen den Versorgungsklernmen beim Schalten der Zubehör geräte auftreten. Man kann auch aus der vorausstehenden Betrachtung entnehmen, daß die Massebezugsspannung nicht genau festliegt, aufgrund des über die verteilten Widerstände 108, 110 usw. fließenden Stroms. Ferner werden in Signalleitungen, die durch das Leitungsbündel 12 4 verlaufen, durch die induktive und kapazitive Verkopplung der Versorgungsleitung 12 2 Rauschsignale eingekoppelt. Weitere Rauschsignale, die von den beschriebenen abweichen, können auftreten, wenn die Batterie von der positiven Anschlußklemme 106 abgeschaltet wird und noch ein Strom in der Feldspule 120 fließt. In diesem Fall tritt eine positive Ausgleichsspannung mit großem Energieinhalt auf der Versorgungsleitung 122 auf, die auch als. abklingende Lastspannung bezeichnet wird.
- 7 - Sowohl
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Sowohl die abklingende Lastspannung ale auch die Rauschsignale sind in Fig. 2 dargestellt. Dabei ist die abklingende Lastspannung auf der linken Seite der Abszisse zwischen den Punkten A und B dargestellt. Aus der Darstellung kann man entnehmen, daß die Amplitude dieser abklingenden Lastspannung 100 Volt übersteigen kann, wobei zwischen den beiden Punkten A und B eine Zeitdauer von typischerweise einer halben Sekunde liegt. Diese Ausgleichsspannung auf der Versorgungsleitung 122 hat eine ausreichend große Amplitude und einen ausreichend großen Energieinhalt, um bisher verwendete integrierte Schaltkreise und auch diskrete Halbleiterkomponenten, z. B. Leistungstransistoren j zu zerstören, wenn nicht spezielle Verfahren verwendet werden, um die integrierten Schaltkreise zu schützen. Die Schwingungsform C auf der rechten Seite der Abszisse in Fig. 2 stellt ein Rauschen mit hoher Spannung und hohen Frequenzen dar, das sowohl auf der Versorgungsleitung 122 als auch auf der Signalleitung 142 auftreten kann. Die Amplitude solcher Rauschsignale kann 300 Volt übersteigen, wobei die Signale typischerweise für eine Zeitdauer von etwa einer Mikrosekunde bis etwa fünfzig Mikrosekunden wirksam sein können. Auch diese Rauschimpulse haben einen ausreichend hohen Energieinhalt, um gelegentlich integrierte Schaltkreise zu zerstören. Eine Spektralanalyse der in Fig. 2 dargestellten Rauschsignale zeigt, daß sehr hochfrequente Komponenten mit Amplituden von mehreren Volt und Frequenzen etwa 100 Megahertz auftreten können. Da bipolare integrierte Schaltungen in der Regel HF-Schaltkreise umfassen, reagieren diese auf hohe Rauschfrequenzen sehr empfindlich, so daß Vorkehrungen beim Entwurf derartiger Schaltkreise getroffen werden müssen, wenn diese im Rahmen der Autoelektrik Verwendung finden sollen. Aufgrund der hohen, über die Chassiswiderstände fließenden Ströme, die viele Ampere groß sein können,
- 8 - entstehen
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entstehen wesentliche Spannungsabfälle auf der Masseleitung, so daß sich die Situation ergeben kann, daß Schalter oder Fühlelemente auf einem anderen Massepotential liegen, als die integrierte Schaltung, die über eine lange Signalleitung mit einem solchen Schalter oder Fühlelement verbunden ist.
Die vorliegende Erfindung soll die Schwierigkeit überwinden, die sich im Zusammenhang mit dem Kontaktaufbau bei integrierten Schaltkreisen einstellen, wenn diese in der Autoelektrik Verwendung finden. In Fig. 3 ist ein bekannter Kontaktaufbau dargestellt, bei dem sich erhebliche Schwierigkeiten bei der Verwendung einer damit versehenen integrierten Schaltung in der Autoelektrik einstellen. Die integrierte Schaltung 300 gemäß Fig. 3 ist mit einer metallischen Kontaktfläche 302 versehen, mit der eine Drahtleitung 30H verbunden ist. Die Kontaktfläche 302 liegt auf einer Siliciumdioxydschicht 306, die auf der Oberfläche eines P-leitenden Substrates 308 ausgebildet ist. Die Kontaktfläche 302 ist mit weiteren Schaltteilen der integrierten Schaltung 300 verbunden, obwohl dies aus der Darstellung nicht hervor geht» Deshalb kann diese Kontaktfläche einen verhältnismäßig schmalen metallischen Streifen umfassen, der über die Oberflache der Siliciumschicht 306 verläuft und in einem gewissen Abstand mit einer Elektrode eines nicht dargestellten Transistors durch eine Öffnung in der Siliciumdioxydschicht 306 verbunden sein kann. Innerhalb des Substrats 308 ist ein N-leitender Bereich 310 vorgesehen der Teil des Kontaktgesamtaufbaus 311 ist. Im Substrat 308 ist ein weiterer N-leitender Bereich 312 angebracht, wobei dieser N-leitende Bereich von dem N-leitenden Bereich -310 durch einen stark N+-leitend dotierten Isolationsbereich 3m getrennt ist„ Dieser N-leitende Bereich 312 stellt den Kollektorbereich eines
- 9 - Transistors
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Transistors 316 dar.und ist mit einem P-leiteriden Basisbereich 318 versehen, in dem der stark N+-leitende Emitterbereich 320 ausgebildet ist. Ein N+-leitend dotierter Kontaktbereich 322 für den Kollektor ist innerhalb des N-leitenden Bereiches 312 vorgesehen. Der Emitter 320, die Basis 318, der Kollektorkontaktbereich 322 sind über entsprechende Leitungen 324, 326, 328 an nicht dargestellte weitere Schaltkreiskomponenten angeschlossen, wobei diese Leitungen durch öffnungen in der Siliciumdioxydschicht 306 verlaufen.
Der Grund für den N-leitenden Bereich 310 im Rahmen des Kontaktgesamtaufbaus 311 gemäß Fig. 3 besteht darin, daß dieser Bereich 310 verhindern soll, daß die Kontaktflache 302 zum Substrat 308 hin kurzgeschlossen wird, wenn in der Siliciumdioxydschicht 306 ein Defekt, z. B. in Form einer nicht beabsichtigten öffnung 32 2 vorhanden ist. Eine mit dem Substrat 308 kurzgeschlossene Kontaktfleiche 302 bewirkt, daß der integrierte Schaltkreis 300 nicht arbeitet. Wenn jedoch die Kontaktfläche 302 einen Kurzschluß nach dem N-leitenden Bereich 310 hat, dann ergibt sich für normale Betriebsbedingungen ein in Sperrichtung vorgespannter PN-Übergang 330, so daß .die Schaltung weiterhin funktionsfähig bleibt.
Ein Gesamtkontaktaufbau 311 wird nur dann problematisch, wenn die über die Drahtleitung 304 angelegte Spannung genügend negativ wird, um den PN-Übergang 330 in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Dann wird über einen Defekt in der Siliciumdioxydschicht 306s z. B« das Loch 332, die Kontaktfläche 302 mit dem N-leitenden Bereich -310 kurzgeschlossen, und veranlaßt eine Injektion von Minoritätsträgern 33U in das Substrat 308« Defekte dieser Art, wie z. B, des Loches 332, treten bei integrierten Schaltungen wegen der hohen
- 10 - _ mechanischen
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mechanischen Kräfte, die beim Aufschweißen der Drahtleitung 304 unvermeidbar sind, verhältnismäßig häufig auf. Wenn der Transistor 316 z. B. der eine Transistor eines kreuzweise gekoppelten Flipflops, auf der integrierten Schaltung 300 ist und an der Leitung 32 8 eine positive Spannung wirksam ist, dann ist der PN-Übergang 3 36 zwischen dem Substrat 308 und dem N-leitenden Bereich 312 in Sperrichtung vorgespannt, so daß einige injizierte Minoritätsträger 334 von diesem Bereich 312 eingefangen werden. Wenn ein ausreichend negativer Rauschimpuls über die Draht leitung 304 wirksam ist, können genügend Ladungsträger injiziert und von Bereich 312 eingefangen werden, um den Schaltzustand des Flipflop zu ändern, womit die gespeicherte logische Information verändert wird.
In Fig, 4 ist eine Ausführungsform der Erfindung dargestellt, wobei sich aus dem Vergleich der beiden Darstellungen gemäß Fig. 3 und Fig. 4 ergibt, daß sich die Schaltung gemäß Fig. H durch das Hinzufügen eines P-leitenden Bereiches 340 und einer Flipflopschaltung 329 ergibt. Der P-leitende Bereich 340 ist innerhalb des N-leitenden Bereiches 310 ausgebildet und erstreckt sich unter der Kontaktfläche 302, womit sich ein verbesserter Kontaktgesamtaufbau 311' ergibt und der Defekt in der Siliciumdioxydschicht 306 unterhalb der Kontaktfläche 302 nur einen Kurzschluß zum P-leitenden Bereich 340 herstellen kann, jedoch nicht mehr mit dem N-leitenden Bereich 310. Die im Block 329 dargestellte Schaltung ist mit dem Transistor 316 über die Leiter 324, 326 und 328 verbunden. Daraus ergibt sich, daß ein Kurzschluß von der Kontaktfläche 300 zu dem darunterliegenden Halbleitermaterial des P-leitenden Bereiches 340 an dem PN-Übergang 342 zwischen den beiden Bereichen 310 und 340 eine Sperrvorspannung bewirkt, wenn große negative Rauschspannungen Über die Draht-
- 11 - leitung
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leitung 304 einwirken. Damit wird der N-leitende Bereich 310 nicht in Durchlaßrichtung vorgespannt, so daß auch keine Trägerinjektion in das Substrat 308 erfolgen kann. Damit bleibt der Transistor 316 und die angeschlossene Schaltung durch Rauschsignale unbeeinflußt.
Aus dem vorausstehenden ergibt sich, daß eine integrierte Schaltung mit einem Kontaktgesamtaufbau 311' gemäß Fig. 4 sehr zuverlässig, auch in der Autoelektrik mit hohen störenden Rauschsignalen verwendbar ist. Die integrierte Schaltung 300 gemäß Fig. 4 kann der integrierten Schaltung 132 gemäß Fig. 1 entsprechen, wobei die Eingangsklemme 138 gemäß Fig. 1 der Drahtleitung 304 gemäß Fig. 4 entspricht, Wenn große negative Spannungsimpulse über die Signalleitung 142 wirksam sind, kann keine Elektroneninjektion im Substrat 308 ausgelöst werden, womit auch die gespeicherte Information z. B. in einem Flipflop nicht mehr über den Transistor 316 beeinflußt werden kann, bzw. vorhandene integrierte Schaltkreise auch nicht mehr zerstört werden können.
Die Erfindung gewährleistet somit in vorteilhafter Weise, daß die durch Minoritätsträgerinjektion in das Substrat auftretenden Schwierigkeiten durch eine geringfügige, kaum Kosten verursachende Maßnahme bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ausgeschaltet werden können, was von besonderer Bedeutung in der Autoelektrik ist, bei der die solche Störrungen auslösenden Einflüsse nicht auszuschalten sind.
- 12 - Patentansprüche
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Claims (7)

  1. MO127P-1119
    Patentansprüche
    Kontaktaufbau für Halbleiteranordnungen, mit in einem Substrat einer ersten Leitfähigkeit angeordneten ersten und zumindest einem zweiten Bereich einer zweiten Leitfähigkeit, sowie einer zumindest den ersten Bereich überdeckenden Isolationsschicht und einer darauf ausgebildeten Kontaktfläche, dadurch gekennzeichnet , daß ein dritter Bereich (340) von der ersten Leitfähigkeit innerhalb des ersten Bereiches (30) ausgebildet ist.
  2. 2. Kontaktaufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet j daß die Kontaktfläche aus Metall besteht und über dem dritten Bereich verläuft,
  3. 3. Kontaktaufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Isolationsschicht aus Siliciumdioxyd besteht.
  4. 4. Kontaktaufbau nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Kontaktfläche (302) mit einer Anschlußleitung (304) verbunden ist.
  5. 5. Halbleiteraufbau nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat und der dritte Bereich P-leitend und daß der erste sowie zweite Bereich N-leitend sind.
    -· 13 - 6^.
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    Mj MO127P-1119
  6. 6. Kontaktaufbau nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Bereich (312) der Kollektor eines NPN-Transistors einer Speicherschaltung ist.
  7. 7. Kontaktaufbau für Halbleiteranordnungen, insbesondere für eine integrierte Schaltung zur Verwendung in der Autoelektrik, mit in einem P-leitenden Substrat angeordneten ersten N-leitenden und zumindest einem zweiten N-leitenden Bereich sowie einer, zumindest den ersten N-leitenden Bereich überdeckenden Siliciumdioxydschicht und einer darauf ausgebildeten metallischen Kontaktfläche, wobei zwischen dem ersten N-leitenden und dem zweiten N-leitenden Bereich ein P-leitender Isolationsbereich vorgesehen ist, dadurch g~e kennzeichne t , daß innerhalb des ersten N-leitenden Bereiches (310) an der Oberfläche des Substrates (308) ein P-leitender Bereich (340) ausgebildet ist, daß über dem P-leitenden Bereich auf der Siliciumdioxydschicht (306) die metallische Kontaktfläche (302) ausgebildet ist und daß beim Einwirken eines negativen Impulses über die metallische Kontaktfläche keine Minoritätsträgerinjektion in das P-leitende Substrat erfolgt, wenn die metallische Köntaktflache durch einen Kurzschluß in einem defekten Bereich der Siliciumdioxydschicht mit dem P-leitenden Bereich (3M0) verbunden ist.
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    Leerseite
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