DE2364967C3 - Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf elektrophotographisches Auf/cichnungsm.itcrial und insbesondere auf ein derartiges Material, dis bei negativer oder positiver Aufladung hochempfindlich ist.

Herkömmliche elcklrophotographische Auf/.eichnungsmalcrialien. die ein phoioleitfähiges Material, insbesondere ein anorganisches photoleitfähiges Material aufweisen, sind im wesentlichen nur dann lichtempfindlich, wenn ihre Oherfläche durch eine bestimmte positive oder relative Ladung aufgeladen wird. Im Fall der sog. p-leitunden photoleitfähigen Werkstoffe wie Selen, das in großem Umfang als lichtempfindlicher Werkstoff für Elektrophotographie verwendet wird. (ritt beispielsweise eine Lichtempfindlichkeit nur bei positiv er And; dung atf; wenn sie negativ aufgeladen werden, wird «eine I.;jhlcmpfindlichkcit erhalt'Mi. Im ('egensat/ da/u zeiger sog. ti-leilende photoleitfahige Werkstoffe Wh· Zinkovi.l und (admiiimsulfid nur dann .ichtcmpfiinllii'hkeit. venn sie negativ aufgeladen u erdet'

Wenn eine ii.'hlcuipimdliclu· l'l.itte fur I leklropholo-ί'ΐ .ιpine die i'iyens( liafi hai. daß sie sowohl bei positiver als auch negativer Aufladung lichtempfindlich ist, ergibt sich dadurch der Vorteil, daß von einem positiven oder negativen Originalbild einfach durch Änderung der Polarität der angelegten Ladung ohne Änderung des verwendeten Entwicklers eine gewünschte positive oder negative Vervielfältigung erhalten werden kann. Derartige lichtempfindliche Aufzeichnungsmaierialien sind auch insofern vorteilhaft, als sie in einfacher Weise alle in handelsüblichen elektrophotographischeti Vervielfältigungsmaschinen verwendeten lichtempfindlichen Platten ersetzen kann, d. h. sowohl in elektrophotographischen Vervielfältigungsmaschinen, bei denen die lichtempfindlichen Platten durch Anlegen einer positiven Ladung sensibiiisiert werden, als auch bei so'chen Maschinen, die die lichtempfindlichen Platten durch Anlegen einer negativen Ladung sensibilisieren.

Wenn ferner die Eigenschaft, daß entweder ein positives oder ein negatives vervielfältigtes Bild einfach durch Ändern der Polarität der Ladung beim Auflade-Vorgang erhalten werden kann, wirksam ausgenutzt und die Größe oder Art einer anorganischen photoleitfähigen Schicht oder eines Substrats so gewählt wird, daß das photoleitfähige Aufzeichnungsmaterial lichtdurchlässig und flexibel ist, ist es leicht möglich, ein Diapositiv oder einen Mikrofilm mit wahlweise positivem oder negativem Bild zu erhalten.

Es ist bereits beksant, photoleitfähige Platten für elektrophotographische Zwecke unter Verwendung eines .Schichtkörpers oder Laminats mit einer etwa aus Selen bestehenden anorganischen photoleitfähigen Schicht und einer etwa aus Poly-N-vinylcarbazol bestehenden organischen Isolierschicht herzustellen.

Aus der US-PS 35 73 906 ist beispielsweise eine photoleitfähige Platte für Elektrophotographie bekannt, die durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer organischen Isolierschicht und einer photoleitfähigen Schicht (in dieser Reihenfolge) hergestellt ist.

Diese lichtempfindliche Platte weis' gute Lichtdurchlässigkeit und niedrigen Dunkelabfall auf und hat den Vorteil, daß die Ladung erhöht werden kann, obwohl die photoleitfähige Schicht dünn ist.

Nachteilig bei diesem bekannten photoleitfähigen Aufzeichnungsmaterial ist allerdings, daß es nur dann lichtempfindlich ist, wenn die angelegte Ladung eine bestimmte Polarität aufweist, also entweder positiv oder negativ ist; diese Selektivität hängt davon ab. ob die photoleitfähige Schicht aus einem p-leitenden oder einem η-leitenden Material besteht. Es ist daher sehr schwierig, eine lichtempfindliche Platte mit der beschriebenen spezifischen Eigenschaft zu erhalten.

Aus der JA-AS 5349/70 ist ferner ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial für Elektrophotographie bekannt, das durch Beschichten eines elektrisch leitenden Substrats mit einer photoleitfähigen Schicht und einer organischen Halbleiterschicht (in dieser Reihenfolge) hergestellt ist.

Dieses Material weist zwar auch gute Lichtdurchlässigkeit und Flexibilität auf.

Nachteilig ist jedoch auch hierbei, daß das Material nur dann lichtempfindlich ist, wenn an die organische Halbleiterschicht eine Ladung einer bestimmten Polarität angelegt wird.

Vor einiger Zeit wurde ferner eine lichtempfindliche

'"' l'lalte angegeben aus speziell behandeltem Zinkoxid, das dadurch bei Anlegen von Ladungen nut positiver odei negativer Polarität empfindlich gemacht werden kann: keine der lichtempfindlichen Platten diesel Art tsl

jedoch praktisch verwendbar.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit sehr guter Empfindlichkeit anzugeben, bei dem die auf die Oberfläche aufgebrachte Ladung wahlweise positiv oder negativ sein und eine positive oder negative Vervielfältigung eines gewünschten Bildes einfach dadurch erhalten werden kann, daß die Polarität der angelegten Ladung geändert wird, ohne daß deshnlb der verwendete Entwickler geändert werden muß. ₍₀

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein wahlweise negativ oder positiv aufladbares elektrophotograhisches Aufzeichnungsmaterial aus einem elektrisch leitenden Schichiträger, einer ersten photoleitfähigen Schicht mit.einem anorganischen Photolei- ter, einer isolierenden oder photoleitfähigen Schicht aus einem organischen Isolierstoff oder organischen Photoleiter und einer zweiten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter in der angegebenen Reihenfolge und ist dadurch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige Schicht mindestens 0.2 μπι dick und vom gleichen Leitfähigkeitstyp ist wie dk zweke photoleitfähige Schicht, daß die zweite photoleitfähige Schicht 0.2 —1,0 μπι dick ist, daß bei η-Leitfähigkeit der beiden photoleilfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus Polyvinylanthracen, Tetracyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-fluoren, Dinitroanthracen oder Dinitroacridin besieht und daß bei p-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus N-Äthylcarbazol, Poly-N-vinylcarbazol, Tetraphenylpyren, Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2,3-Benzchrysen oder 6.7-Benzpyren besteht.

Die Erfindung gibt also ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial an, das unabhängig von der Polarität der angelegten Ladung lichtempfindlich ist.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Schnittdarstellung einer Platte aus dem erfinclungsger-äßen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial.

Fig. 2-A und 2-B Ladungs-Belichtungs-Kennlinien herkömmlicher lichtempfindlicher Materialien und

Fig. 3 Ladungs-Belichtungs-Kennlinien des erfin dungsgemäßen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmate rials.

Gemäß Fig. 1 ist durch Vakuumbedampfen oder -beschichten eine anorganische photoleitfähige Schicht 2 einer Dicke von 0,2 bis zu einigen μπι auf einem elektrisch leitenden Substrat 1 erzeugt, die mit einer organischen lichtdurchlässigen Isolierschicht 3 einer Dicke von einigen weniger, bis 30 μπι beschichtet ist. Auf dieser organischen Isolierschicht 1 ist eine anorganische photoleitfähige Schicht 4 einer Dicke von 0.2— 1,0 μπι im Vakuum aufgedampft.

Als elektrisch leitendes Substrat 1 kann irgendein herkömmliches Substrat benutzt werden, beispielsweise Metallfolien oder -platten wie Aluminium und leitfähig gemachtes Papier, Glasplatten oder Kunststoffilme. Wenn die lichtempfindliche Platte lichtdurchlässig und flexibel sein soil, wird vorzugsweise ein elektrisch leitendes Substrat dadurch gebildet, daß eine dünne Knpferschicht auf einen lichtdurchlässigen Kunststofffilin im Vakuum aufgedampft und jnd mit der gebildeten kupferschicht /ur Reaktion gebrach; wird, oder < >' dadurch, daß auf einen lichtdurchlässigen kunststoffilm eine dünne Chromschic.t, oder eine Chrom Nickels' liichi im Vakuum aufgedampft wird, oilc daß als Substrat ein lichtdurchlässiger Film benutzt wird, der aus einem Kunstharz relativ hoher Leitfähigkeit wie hydratisiertt Cellulose und Polyvinylalkohol besteht.

Für die anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 können alle anorganischen photoleitfähigen Materialien benutzt werden, beispielsweise p-leitende Materialien wie Selen und Selen-Tellur-Legierungen sowie η-leitende Werkstoffe wie Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinkoxid, Zinksulfid und Titandioxid. Es ist auch möglich. Materialien zu verwenden, die durch Sensibilisierung dieser photoleitfähigen Werkstoffe mit Störstellen oder Farbstoffen erhalten werden, so daß bei Auftreffen von Lichtstrahlung Elektronen-Loch-Paare gebildet werden können.

Gemäß der Erfindung ist eine organische Isolierschicht 3 zwischen der ersten und der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 bzw. 4 vorgesehen. Damit das erhaltene lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial unabhängig davon, ob die Polarität der auf die Oberfläche einwirkenden elektrischen Ladung positiv oder negativ ist. eine sehr gute Photoleitfähigkeit besitzt, ist es in diesem Zusammenhang von Bedeutung, daß der Leitungstyp des photoleilfähigen Materials, also n- oder p-Leitung'typ. bei beiden photoleitfähigen Schichten 2 und 4 gleich ist. Dies bedeutet, daß es wichtig ist, daß die Polarität der Majoritätsträger der ersten anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 gleich der Polarität der Mehrheit der Ladungsträger der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 ist. Es ist erwünscht, daß beide anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus dem gleichen anorganischen photoleitfähigen Material bestehen.

Die Dicke der anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 ist so gewählt, daß die Bildung von Elektronen-Loch-Paaren beim Auftreffen von Lichtstrahlung nicht unterdrückt wird. Es ist im wesentlichen ausreichend, die Dicke so zu wählen, daß die Lichtdurchlässigkeit 80% nicht übersteigt, wobei sich dieser Grenzwert in Abhängigkeit von der Art des photoleitfähigen Materials etwas ändert. Auch ist es erforderlich, daß die Dicke der zweiten anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 das Einfallen von Licht in die erste anorganische photoleitfähige Schicht nicht unterbindet und sich hierbei eine Lichtdurch'ässigkei; von wenigstens 50% ergibt. Damit diese Bedingungen für die erste und die zweite photoleitfähige Schicht 2 und 4 erfüllt werden können, ist es ganz allgemein wichtig, daß jede Schicht eine Dicke von wenigstens 0,2 μηι hat. und es ist erwünscht, daß die zweite photoleitfähige Schicht eine Dicke von bh zu 1 μιη, im Fall von Selen vorzugsweise bis zu 0,4 μιη hat.

Bei Verwendung photoleitfä'higer Materialien unterschiedlicher spektraler Empfindlichkeit als anorganische photoleitfähige Schichten 2 und 4 ist es möglich, je nach Polarität der angelegten Ladung (positiv oder negativ) ein lichtempfindliches Material mit unterschiedlicher Abhängigkeit der Empfindlichkeil von der Wellenlänge zu erhalten. Beispielsweise werden Selen-Tcllur-Legierungen, die für Strahlung im Wellcnlängenliereicli /wischen 3iO lint' 75Π πιμ empfindlich sind, .ils anorganische photoleitfähige Schicht 2 urd fielen mit einer Strahlungsempfindlichkeit im Wellenlangenbe reich /wischen 350 und 500 ιτιμ als anorganische photoleitfähige Sch chi 4 benutzt: die erhaltene lichtempfindliche Platte isi bei positiver Ladung hauptsächlich für Strahlung einer Wellenlänge /wischen 350 und 500 πιμ und bei negativer Ladung für jede

Strahlung im sichtbaren Bereich empfindlich.

Die organische Isolierschicht 3 ist vorgesehen, um di: Ladung auf der Oberflache zu hallen und das Materiel entweder für negative oder positive Ladungen empfin.llich zu machen. Da die Isolierschicht i im wesentliche ι lichtdurchlässig ist. können hierfür alle Materialien verwendet werden, die in tier Lage sind, diui Ladungsträger zu transportieren, ohne ihn em/ufangett; sie brauchen dabei nicht photolcitfähig zu scm. Bei d;r Erfindung ist es wichtig, daß als organische Isolier schicht 3 cm organisches Isoliermaterial verwendet wird, das einen Ladungsträger gleicher Polarität wie die Majoritätsträger der anorganischen photolcitfähigen Werkstoffe tier anorganischen photolcitfähigen Schier ten 2 und 4 transportieren kann. Wenn also als anorganische pholoicitfähige Schichten 2 und 4 ρ leitende photoleitfähige Werkstoffe benutzt werden, so werden vorzugsweise organische Isoliermatcrialien mit einem langen Bereich für positive Löcher benutzt wie beispielsweise N-Athvlcarbazol. Polv-N-vinylcarb azol. Tetraphenylpvren. Polyacenaphlhylen. Peryler. (. hrysen. 2.3-üeh/chrvsen und bJ-Ben/pyren; bei Verwendung η-leitender Werkstoffe werden dafü · vorzugsweise organische Isoliermatenalicn mit einen weiten Bereich für Elektronen benutzt wie beispielsweise Polyvmylanthracen. Telrucvanpyren. 2.4.7-Trinitre>-') fluoren. Dimtroanthracen und Dinitroacridin.

Vorzugsweise sind die als anorganische photoleitfähi gen Schichten 2 und 4 und die als organisch'· Isolierschicht 3 zu verwendenden Werkstoffe iii Hinblick auf das Energieniveau des Leitungsbandes ti«·. Ma loritalsträgers nahe beieinander angeordnet, da d« lii|cktion des Ladungsträgers von der photoleitfahigc ι Schicht zur Isolierschicht oder von tier Isolierschicht /u photoleilfähigen Schicht einfach durchführbar ist.

Wenn die photolcitfähigen Schichten 2 und 4 au unterschiedlichen anorganischen photoleitfahigc ι Materialien bestehen, im es nicht leicht, ein geeignet«· organisches Isohermatruil fur die organische Isolic" schicht 3 aufzufinden.;!.is die obige förderung erfüllt.

Wenn ledoch beide photolcitfahigen Schichten au . dem gleichen anorganischen photr.lcitfähigen Material bestehen, ist die Auswahl des bevorzugten organische Isoliermaterials leichi zu trefien

l.rf'ndungsgemäß wird daher beispielsweise amo' phes Selen ftir die beiden photoleitlahigcn Schichte herangezogen, das ein anorganisches photoleitfähigo Material darstellt, dessen Energieniveau sehr nahe a" l.nergiemveau von Polv-N-v m\ lcarbazol liegt, das al organisch'? Isolierschicht verwendet wird. Die Komti nation von amorphem Seien ur-.l PoK-N-vinvlcarbaz ^s! daher fur die erfindungsiremaNcn Aufzeichnung; materialien am meisten bevorzugt.

l..^:m ein lichtempfindliches Material fur ElektrophoM graphic mit sehr guter Empfindlichkeit ^für positive w . negative I..'.düngen zu erhalten, isi es bei der Erfindui .: wichtig, daß die den oben beschriebenen Anfordern" cen genügende organische Isolierschicht zwischen el·:' ers!en und der zweiten, ebenfalls diesen Arforderun;;: η genügenden anorganischen photoieitfähigen Schic-; angeordnet wird.

Im tau einer herkömmlichen iichtempfindlic τί·η Plane, die durch Aufbringen einer PoIv -N-v inylci·.r 3 ,i/oj-Isoiierschich'i und einer phoioleitfähigen Sc-'cn- -ige

Substrat hergestellt 'Aurde. wird gemäß Fig. 2-A eine sehr gute Lichtempfirdiichkeit bei Anlegen einer positiven Ladung erhallen, icdoch wird bei negativ er Ladung keine ncnnenswi.-te Lichtempfindlichkeit er zielt Im degensalz dazu wird im l-al· einer anderen herkömmliehen liehtcmpf ndlichen Platte, die durch Aufbringen einer photo !'!!fähigen Selenschicht und einer Poly N-vinylcarbazol-Schicht in dieser Reihenfolge auf ein elektrisch leitendes Substrat hergestellt wurde, gemäß I ig 2-B bei Anlegen einer negativen Ladung eine sehr gute Lichtempfindlichkeit erhalten; die bei Anlegen einer positiven Ladung erhaltene Lichtempfindlichkeit ist jedoch so gering, daß sie fur ein elektrophotographischcs Verfahren nicht ausgenutzt werden kann.

In Anbetracht tier genannten Tatsachen ist es überraschend, tlaß das crf ndiingsgemäße lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial mil einem bestimmten Schichlaiifbati aus einer ersten und einer zweiten photoleilfähigen Schicht und einer anorganischen Isolierschicht gemäß I ig 3 bei Anlegen sowohl einer positiven wie auch einer negativen Ladung sehr gute Lichtempfindlichkeit hat. ll'ie Erfindung beruht darauf, tlaß bei einem aus Schichten aufgebauten lichtempfindlichen Material mit zwei lichtempfindlichen Schichten, ti. h. tier ersten und der /weiten anorganischen photoleilfähigen Schicht 2 und 4. hei Belichtung gleich/eilig in beiden phoioleitfähigen Schichten Elektronen Loch-Paare erzeugt werden, die die Obcrflächenladung durch verschiedene, von de- Polarität der angelegien Ladung abhängige Pro/esse löschen. Wenn insbesondere jede der anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus einem p-leilendcn anorganischen photoleitcndcn Werkstoff und ehe organische Isolierschicht aus einem Isoliermaterial mit einem weilen Bereich für positive Lö'her besteht werden bei positiver Polarität der Ladung bei Belichtung gleichzeitig Elektronen-Loch-Paati: in beiden anorganischen phololeilfähigen Schichter 2 und 4 erze igt. wobei in der anorganischen photolcitfihigen Schicht 4 erzeugte Elektronen die Oberfiäch«;nladung löschen und in der anorganischen photolcitf i ligcn Schi« In 4 erzeugte positive Löcher durch die organische isolierschicht 3 und die anorganische phololeitfahigc Schicht 2 wandern und zum elektrisch leiterden Substrat 1 tun geerdet werden. Wenn die Polarität der angelegten Ladung negativ ist. werden gleiche'maßen in den anorganischen photoleilfähigen Schichten 2 und 4 Elektronen-Loch-Paare erzeugt, und in der anorganischen photoleitfähigen Schicht 4 erzeugte positive Löcii;r löschen die Oberflächcnladung, wobei i'.leichzeitig i:i der anorganischen photoleitfähigen Schicht 2 erzeugte positive Löcher durch die organische Isolierschicht 3 wandern und in der anorganischen phoioleitfähigen Schicht 4 vorhandene Elektronen neutralisieren Es wird angenommen, daß bei ecm beschriebenen Ablauf das positive Loch de Hauptrolle spi; t. Wenn die anorganischen photoleitfähigen Schichten 2 und 4 aus einem n-leiienden anorganischen nhotoietfähiger Werkstoff und die organische Isolierscl· ;:h'. 3 aus einerr Isolicmaterial nil weitern Bereich Ijr Elektroner besteht, wird angenommen, daß im Gegensatz dazu da< Elektron die Haupt-;;lle spielt und die Oberflächendung löscht.

Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung dei Erfindung.

Beispiel 1

Auf Polyethylenterephthalat wurde Cirom in solchei Menge im Vakuum aufgedampft, daß d e Durchlässig keit fur weißes Lieht etwa 80% betrug. Sodann wurde

durch Aufdampfen mi Vakuum amorphes Selen in cm .τ Dicke vim 0.2 μfi- ;iiif die Cliromschichi aufgebracht. Dann wurde eine Losung mn 40 ί iewichtsieilen I'ölv N wiivlearba/ol, IbO ι je wich I steilen Toluol und 40 (icwichlsieilen C">klohcx.inoti .iiif die Selenschicht in solche Menge aufgetragen, daß die Dicke nach dem I'rocknci ^r» IO lim betrug.

Kvr fertige Schichtkörper wurde bei Raumteniperalur vollständig getrocknet, worauf im Vakuum amorphes Selen in einer Dicke von 0.2 (im auf d.e Poly-N-vmylcarba/ol Schicht aufgedampft wurde. Die Durchlässigkeit der Platte für weißes Licht war elwa 4 V/o. Die so erhaltene lichtempfindliche Platte wurde durch eine Koronaenthdungscinrichuing positiv geh den und mit einem Original, das ein I lell-Dunkel-Dild aufwies, mit weißem Licht bei 20 Ix/s belichtet. Nach dem Lnlwickeln der belichteten Plane unter Verwendung eines negativ aufgeladenen l'arbpulvers und mit einem bekannten Verfahren, beispielsweise nut magnetischer Dürste und Kaskadenentwicklung, wurde ein Positiv erhalten, das so klar und deutlich war wie das Originalbild. Auch als die Polarität der Koronaentladung negativ gemacht wurde wurde in gleichci Weist cm klares und deutliches Negativ erhallen. De l'ro|cklion der so erhaltenen Ii !der unter Verwendung eines Diapositivs waren ilii proji/ierlen Dildcr in ^s wesentlichen frei w>n auf d; · Selen /iirückgeheiulet Iarbuiigeii und konn'en prakl '( h verwendet werden.

De ιs ρ ι ■ I 2

Amorphes Selen wurde in c ner Dicke von I μιη aiii einer ausreichend polierten Al iminiumplalte im Vakuum aufgedampft; anschließend vvurde eine Losung au* 10 (iewichtsleilen Polyaeenap lthylen und 50 (iewichlsteilen Toluol in solcher Metip: aufgebr.icht, daß el ic Dicke nach dem Trocknen 5— ΙΟμηι betrug. Die Platte wurde sodann bei Räumten peratur vollständig gegrocknet. worauf im Vakuum amorphes Selen in einer Dicke VOIl 0.2 Ulli ;Hlll»etl:nilfll wiirdf Π11; erhül'.CiVJ

Platte wurde in der gleichen 'Veise wie in liehpiel I positiv oder negativ aiifgelad( 1 belichtet und entwikkelt, und das entstandene DiId »' irde auf weißes Papier übertragen. Hs wurde so ein d■: itliches DiId mit hohem Kontrast erhalten.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Wahlweise negativ oder positiv aufladbarcs elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial aus einem elektrisch leitenden Schichtträger, einer ersten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter, einer isolierenden oder photoleitfähigen Schicht aus einem organischen Isolierstoff oder organischen Photoleiter und einer zweiten photoleitfähigen Schicht mit einem anorganischen Photoleiter in der angegebenen Reihenfolge, d a durch gekennzeichnet, daß die erste photoleitfähige .'Schicht mindestens 0,2 μιη dick und vom gleichen Leitfähij^keitstyp ist wie die zweite photoleitfähige Schicht, daß die zweite photoleitfähige Schicht 0,2—1 0 μπι dick ist,daß bei n-Leitfähigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. pf otoleilfähige Schicht aus Polyvinylanthracen, Tetr.icyanpyren, 2,4,7-Trinitro-9-fluoren, Dininoanihrajen oder Dinitreacridin besieht und daß bei p-Leitnihigkeit der beiden photoleitfähigen Schichten die isolierende bzw. photoleitfähige Schicht aus N-Äthulcarbazol, Poly-N-vinylcarbazol, Tetraphenylpyren. Polyacenaphthylen, Perylen, Chrysen, 2",3-Benzi"irysen oder 6,7-Benzpyren besteht.

2. Aufzeichnunismaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden photoleitfähigen Schichten aus dem gleichen Photoleiter bestehen.

J. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die oeiden photoleitfähigen Schichten aus CdS, ZnO₁ ZpS, CdSe, TiO₂, Se oder einer .Se-Te-L· !gierung bestehen.

4. Aufzeichnung::material nach den Ansprüchen 1 und 3, dajurch ^kennzeichnet, daß die beiden photoleitfähigen Schichten aus amorphem Selen bestehen, daß die solierende oder photoleitfähige Schicht au; PoIy-P' -vinylcarbazol besteht, und daß die zweite phololc:!fähige Schicht 0.2—0,5 um dick ist.