DE2347651B2 - Signaltorschaltung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine im Oberbegriff des Anspruchs 1 beschriebene Torschaltung.

Torschaltungen werden verwendet, um gewisse Informationssignale aus einer Anzahl derartiger Signale auszuwählen und diese Auswahl auf der Basis der Zeit zu machen, in welcher das ausgewählte Signal erscheint.

Diese Schaltungen finden bevorzugt Anwendung bsi Fa;bfernsehempfängern, um Farbsynchronsignale aus einem kompletten Ferbfernsehsignal auszuwählen. Farbsynchronsignale erscheinen zu einer bekannten Zeit in jeder zeilenfrequenten Austastlücke, wobei es verhältnismäßig leicht ist, ein Torimpulssignal zu erzeugen, um auf eine Torschaltung angelegt zu werden, und um zu bewirken, daß die Torschaltung Farbsynchronsignale durchläßt. Die Farbsynchronsignale werden dann verwendet, um die Frequenz und Phase eines Ortsoszillators zu steuern.

Zwischen den Torimpulsen soll die Torschaltung das Farbfernsehsignal nichi durchlassen, da dieses Komponenten enthält, welche bewirken können, daß der Ortsoszillator ein Signal erzeugt, das die falsche Phase hat. Eine häufige Ursache für unerwünschtes Übersprechen besteht häufig darin, daß die Torimpulssignale nicht exakt rechteckig sind, sondern schräge Flanken haben, die ein Schalten zu einem genauen Zeitpunkt nicht zulassen. Es besteht dadurch die Möglichkeit, daß manche unerwünschte Informationssignale durch die Torschaltung am Beginn und am Ende der Torimpulssignale durchkommen.

Die Grundanordnung von Differentialtorschaltungen der zur Zeit verwendeten Bauart weist drei Transistoren auf. Die Emitter zweier dieser Transistoren sind miteinander verbunden sowie mit dem Kollektor des dritten Transistors. Die beiden ersten Transistoren werden als differential verbundene Transistoren bezeichnet, da die Schaltung bestimmt ist, auf solche Weise /u arbeiten, daß der Strom durch den ersten Transistor zunimmt, wenn der Strom durch den zweiten Transistor abnimmt oder umgekehrt. Da der dritte Transistor mit dem differential verbundenen Paar in Reihe geschaltet ist, muß Strom entweder durch den ersten oder den /weiten Transistor und durch den in Reihe geschalteten Transistor fließen.

Bei manchen bestehenden Differentialtorschaltungen wird das Informationssignal, welches torgesteuert bzw. aufgetastet werden soll, auf den ersten differential verbundenen Transistor angelegt. Der in Reihe geschaltete dritte Transistor wird durch ein Torimpulssignal gesteuert, welches es ermöglicht, daß sämtliche drei Transistoren nur während dieses Torimpulssignals leitend sind.

Diffcrentialtorschiihungen dieser Art weisen ein tibermäßig starkes Üöcrsprechen von Informationssi-

gnalen vom Eingangsanschluß zum Ausgangsansehluß zu den Zeilabschnitten zwischen den Torimpulsen auf. wenn der Weg für solche Signale nichtleitend sein sollte. Dieses Übersprechen erfolgt auf Grund der Tatsache, daß nur ein einziger nichtleitender Transistor im Signalweg vorhanden ist. Streukapazität bildet unvermeidlich einen Extraweg, um einen nichtleiiemden Transistor herum, und obwohl das Signal bei seinem Durchgang durch diesen Extraweg ged impft ist, kann der Sireustrom immer noch zu groß sein.

Das Obersprechen wird bei anderen bestehenden Torschaltungen reduziert, indem das lnformationssignal mit dem in Reihe geschalteten Transistor verbunden und d>.-r erste differential verbundene Transistor torgeschaltet wird, wobei letzterer das Ausgangssignal des in Reihe geschalteten Transistors verstärkt. Der zweite differential verbundene Transistor ist während der Intervalle zwischen den Tcvimpulssignalen leitend, wobei das Ausgangssignal des in Reihe geschalieten Transistors durch den zweiten Transistor während dieser Intervalle praktisch kurzgeschlossen wird. Während der Intervalle zwischen den Torinipulssignalen kann ein Übersprechen nur über Streukapazitäten parallel zu dem nichtleitenden, in Reihe geschalteten Transistor herum sowie parallel zu dem nichtleitenden, ersten differential angeschlossenen Transistor erfolgen. Die Dämpfung des Streustroms über einen solchen Weg ist groß, und der Ausgangsansehluß ist gegenüber dem Eingangsanschluß besser isoliert. Zurr^;ndest der eine oder der andere der differential geschalteten Transistoren ist jedoch stets leitend zusammen mit dem in Reihe geschalteten Transistor, was zu einem unerwünscht hohen durchschnittlichen Stromverbrauch zusammen mit einer entsprechend hohen Wärmcverlustleistung führt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Torschaltung der zuletzt beschriebenen Art so zu gestalten, daß der Vorteil des geringen Übersprechens vom EingangsanschluU zum Ausgangsanschluli bleibt. jedoch die Wärmeverlustleistung erniedrigt wird.

Die Lösung dieser Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegeben.

Über den Kopplungsschaltungsteil wird der erste Transistor so lange nichtleitend gesteuert, wie kein Torimpulssignal auftritt. Da die beiden differential geschalteten Transistoren mit lern ersten Transistor in Reihe liegen, sind auch sie nichtleitend, so lange kein Torimpulssignal auftritt. Demnach sind die Wärmcverlustleistung und der Stromverbrauch sehr gering.

Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemä-Ben Torschaltung sind Gegenstand der Unteransprüche. Bei der erfindungsgemäßen Toi schaltung werden also der in Reihe geschaltete Transistor und einer der differential verbundenen Transistoren durch das Torimpulssignal so gesteuert, daß diese beiden Transistoren nur während des Auftretens des Torinipulssignals leitend sind. Die weitergebildeten Schaltungen nach den Unteransprüchen zeichnen sich nun speziell dadurch aus, daß der andere differential geschaltete Transistor so vorgespannt ist, daß er nur am Anfang und am Ende jedes Torimpulssignals, jedoch nicht während des mittleren Teils leitet. Dadurch wird erreicht, daß der Ausgang des erstgenannten differential geschalteten Transistors am Anfang und am Ende jedes Torimpulssignals praktisch kurzgeschlossen wird, wodurch am Anfang und am Ende jedes Torimpulssignals keine Übertragung erfolgt. Die in dem Bereich der schrägen Flanken am Anfang und am Ende jedes Torimpulssignals fallenden Störsignale werden auf diese Weise nicht durchgelassen.

Beispiele des Standes der Technik und der Erfindung werden nachfolgend an Hand der Zeichnungen beschrieben.

In den Zeichnungen zeigt

F i g. 1 ein Schaltbild der Abschnitte eines Farbfernsehempfängers, die sich auf die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen Schaltung beziehen,

F i g. 2 und 3 schematische Schaltbilder von Torschaltungen nach dem Stand der Technik,

F i g. 4 und 5 schematische Schaltbilder von Torschaltungen nach der vorliegenden Erfindung,

Fig.6A bis 6D Wellenformen, welche die Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 5 darstellen, und

Fig. 7 ein schematisches Schaltbild einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Farbfernsehempfängerkomponenten, die in Fig. ! dargestellt sind, weisen eine Antenne 1 auf, die mit einer Abstimmeinrichtung 2 verbunden ist, welche den Fernsehkanal auswählt, welcher gesehen werden soll. Der Ausgang der Abstimmeinrichtung ist mit einem ZF-Verstärker 3 verbunden, welcher Signale einem Videodetektor 4 zuführt. Ein Ausgang des Detektors 4 ist mit einem Helligkeitssignalkanal 5 und mit einem Chrominanzverstärker 6 in einem Chrominanzkanal verbunden. Der Detektor 4 liefert auch Signale an eine Synchronisiersignaltrenn- und -ablenkschaltung 7. Diese Schaltung liefert Horizontal- und Vertikalablenksignale über die Schaltungen X und Y an ein Ablenkjoch in einer Kathodenstrahlbildröhre.

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer Torschaltung, welche beispielsweise für eine Farbsynchronsignalirenneinrichtung R verwendet werden kann. Diese Schaltung empfängt ein Informationssignal in Form des Chrominanzsignals aus dem Chrominanzverstärkers 6 und ein Auftastsignal H aus der Synchronisiersignaltrennschaltung 7.

Der Ausgang der Farbsynchrontrennschaltung 8 ist mit einer Farbsynchronsignalübcrsehwingerschaltung 9 verbunden, in welcher eine scharf abgestimmte Schaltung, welche einen Kristall Ai aufweist, die intermittierenden Farbsynchronsignale in ein kontinuierlicheres Signal ändert. Dieses Signal wird verwendet, um die Frequenz der Schwingungen zu steuern, die durch einen Oszillator 10 erzeugt sind. Der Ausgang der Farbsynchronüberschwingerschaltung 9 ist auch mit automatischen Farbsteuerungs- und Farbkillcrschaltungen 11 verbunden, welche die Arbeitsweise im Chrominanzverstärker 6 steuern. Der gesteuerte Ausgang des Chrominanzverstärkers ist an einen Farbdemodulator 12 angelegt, der auch das gesteuerte Signal aus dem Oszillator 10 empfängt, um die Chrominanzsignale zu demodulieren. Die demodulierten Signale werden zusammen mit den HelUgkeitssignaien aus dem Helligkeitskanal 5 an eine Matrixschaltung 13 angelegt, um getrennte Rot-, Grün- und Blaufarbsignale zu erzeugen. Diese werden an eine Farbkathodenstrahlbildröhre angelegt, um ein Farbfernsehbild zu erzeugen.

Fig. 2 zeigt eine Bauart einer Torschaltung 8 nach dem Stand der Technik, die bei dem Empfänger nach F i g. 1 verwendet wird. Diese Schaltung empfängt ein Chrominanzsignal C als Informationssignal an einer Informationssignaieingangsklemme 21. Diese Klemme ist mit der Basis des Transistors ζ>ι verbunden, dessen Emitter durch einen Widerstand mit Erde und dessen Kollektor unmittelbar mit den Emittern der beiden differential verbundenen Transistoren Q2 und Qi

verbunden ist.

Das Torimpulssignal /-/wird an eine Torimpulssignaleingangsklemme 22 angelegt, die mit der Basis des Transistors Qi verbunden ist. Das Ausgangssignal der Schaltung 8 befindet sich zwischen den beiden Klemmen 23 und 24, während die Primärwicklung eines Transformators Γι an diesen Klemmen angeschlossen ist. Fin Kondensator G stimmt den Transformator ab, wobei Ausgangsklemmen 25 und 26 mit den Enden der Sekundärwicklung verbunden sind. Der Gleichstrom, der die Schaltung betreiben soll, wird an zwei Speisestromklemmen geliefert, wovon die eine mit dem Bezugszeichen 27 bezeichnet und die andere die Erdungsklemme ist.

Im Arbeitszustand der Schaltung nach F i g. 2 sind die Vorspannungen an den drei Transistoren der Art, daß die Transistoren Qi und Qi leitend sind, wobei jedoch der Transistor Qi normalerweise nichtleitend ist. Informationsschaltungen C, die an die Eingangsklemme 21 angelegt sind, werden durch den Transistor Qi nur dann verstärkt, wenn ein Torimpuls H den Transistor leitend macht. Wenn der Transistor Qi leitend wird, bewirkt die Differentialarbeitsweise der Transistoren Q2 und Qi, daß der letztgenannte nichtleitend wird. Zwischen den Impulsen H ist der Transistor Q2 nichtleitend und daher nicht imstande, irgendein Signal am Kollektor des in Reihe geschalteten Transistors C>i zu verstärken. Wenn der Transistor Qi nichtleitend ist. macht der Differentialvorgang ferner den Transistor Qi leitend und bewirkt, daß der Kollektor des Transistors ζ>ι an eine Festspannung festgelegt wird, die gerade etwas niedriger als die Spannung V_n an der Klemme 27 ist. Etwaiger Informationssignalstrom würde ziemlich klein am Kollektor des Transistors Q\, und zwar infolge dieser Festklemmwirkung, und würde weiterhin gedämpft bei dem Durchgang durch einen etwaigen Weg. der durch die Streukapazität Cni zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors Q2 oder durch die Streubasis-Emitterkapazität Cbei gebildet wird, die mit der Streubasis-Kollektorkapazität Cba in Reihe geschaltet ist.

Die Schaltung nach Fig. 2 hat einen sehr unerwünschten Nachteil. Gleichstrom fließt immer durch den Transistor Q\ und entweder durch den Transistor Qi oder durch den Transistor Qi. Dieser Gleichstrom ist bei tragbaren Empfängern und bei integrierten Schaltungen unerwünscht, was diese Schaltung für diese Zwecke nicht zufriedenstellend macht.

Die Schaltung nach F i g. 3 ist jener nach F i g. 2 ähnlich, mit Ausnahme, daß die Eingangsklemmen 21 und 22 umgekehrt sind und der Transistor Q vorgespannt ist, um normalerweise nichtleitend zu sein, während der Transistor Qi so vorgespannt ist, daß er normalerweise leitend sein würde, falls der in Reihe geschaltete Transistor Q\ erlauben würde, daß Strom durchfließt.

Im Arbeitszustand wird das Auftastsignal H an die Auftastsignaleingangsklemme 22 angelegt, um den Transistor Qi leitend zu machen. Dies ermöglicht auch dem Transistor Qi, das Informationssignal C zu verstärken, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist. Zwischen Torimpulsen ist der Transistor Qi nichtleitend, so daß kein Strom durch einen der differential verbundenen Transistoren Qi und Qi fließen kann. Dadurch wird der Durchschnittsstrom durch die Schaltung und folglich auch die Wärmeableitung wesentlich reduziert, wobei es jedoch möglich ist, daß Streustrom um den nichtleitenden Transistor Qi herumfließt, indem er aus der Eingangsklemme 21 zur Ausgangsklemme 24 über die Streukapazität Cbd fließt. F i g. 4 zeigt eine Grundausführungsform der vorliegenden Erfindung. Viele der Komponenten sind dieselben wie bei den Schaltungen nach den Fig. 2 und 3. Die wichtigen Unterschiede bestehen darin, daß die lnformationssignaleingangsklemme 21 mit der Basiseingangselektrode des in Reihe geschalteten Halbleitertransistors Qi verbunden ist, der vorgespannt wird, um

ίο normalerweise nichtleitend zu sein; die Auftastsignaleingangsklemme 22 ist mit der Basiseingangselektrode einer der differential verbundenen Halbleitervorrichtungen, des Transistors Qi, verbunden, der auch normalerweise nichtleitend ist, und eine Schaltung, welche einen Widerstand /?·ι aufweist, verbindet die Eingangselektroden der Transistoren Qi und Qi.

Im Arbeitszustand ist die Emitterkollektorausgangsschaltung des Transistors Qi normalerweise nichtleitend. Dies hindert etwaigen Gleichstrom daran, durch die Emitterkollektorausgangsschaltung der Transistoren Qi oder Qi zu fließen. Damit das Informationssignal C das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist, Strom aus der Ausgangsklemme 24 unter derartigen Bedingungen erzeugt, würde Streustrom durch die Streukapazität Cm und entweder die Streukapazität C«.-2 oder die Streukapazität Cbd und Cbci fließen müssen. Der Streustrom würde daher gedämpft werden.

Wenn das Abtastsignal /Van die Klemme 22 angelegt wird, so erhält es die Vorspannung an der Basis des Transistors Qi auf den Pegel, bei welchem dieser Transistor leitet, wodurch ermöglicht wird, daß Strom durch die Transistoren Qi und Qi fließt. Während das Abtastsignal H weiter ansteigt, wird der Transistor Qi leitend und bewirkt, daß der Transistor Qi nichtleitend wird. Dann wird das Informationssignal C, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist, durch die Transistoren Q und Qi verstärkt und an die Primärwicklung des Transformators Γι über die Ausgangsklemme 24 und die gemeinsame Klemme 23 angelegt.

Es ist klar, daß die Schaltung nach Fig. 4 das wichtige Merkmal der Schaltung nach F i g. 3, d. h. das Merkmal des niedrigen Durchschnittsstromes, hat, wobei sie auch das Merkmal der Schaltung nach Fig. 2, d.h. das Merkmal des Stromes mit kleiner Streuung, hat, wobei sie jedoch die Nachteile jeder Schaltung nach dem Stand der Technik nicht hat.

Fig.5 zeigt eine abgewandelte erfindungsgemäße Ausführungsform, wobei wiederum Komponenten, die jenen bei den früheren Schaltungen ähnlich sind, durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet sind. Anstatt unmittelbar mit der Basis des Transistors Qi verbunden zu sein, ist die Informationssignaleingangsklemme 21 mit der Basiseingangselektrode des Transistors Qa verbunden, der als Emitterfolger mit einem Emitterbelastungswiderstand /?4a verbunden ist. Eine Diode D\ verbindet den Emitter des Transistors Q> mit der Basis eines anderen Transistors Qi, der auch als Emitterfolger angeschlossen ist und einen Emitterbelastungswiderstand /?5 hat. Die Auftastsignaleingangsklemme 22 ist mit der Basis eines Transistors Qe zusätzlich dazu verbunden, daß sie mit der Basis des Transistors Qi verbunden ist. Ein Widerstand Rf, ist zwischen den Kollektor des Transistors Qo und die Speisestromklemme 27 geschaltet, während ein anderer Widerstand Ri zwischen den Emitter des Transistors Qb und die Basis des Transistors Q, geschaltet ist.

Die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig.5 wird unter Bezugnahme auf die Wellenformen in den

F i g. 6A bis 6D beschrieben. Zunächst ist die Diode D und sämtliche Transistoren, mit Ausnahme des Transistors Qa, nichtleitend. Das an die Eingangsklemme 21 angelegte Informalionssignal C wird somit von der Ausgangsklemme 24 durch die Diode D\ und die Transistoren Qi, Q\ und Q2 getrennt, die sämtlich nichtleitend sind. Dies isoliert die Klemmen 21 und 24 voneinander sogar mehr, als dieselben Klemmen bei der Schaltung in Fig. 4 es tun.

Fig.6A zeigt die Wellenform des Auftastsignals H, wie es an die Eingangsklemme 22 angelegt ist. Die Transistoren Qb, Qi und Qi werden sämtlich zum Zeitpunkt leitend, wenn das Signal f/den Spannungspegel Vi erreicht. Dies erfolgt zur Zeit ti. Während das Signal H weiter zunimmt, nimmt der Strom durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q\ zu, wie in der Wellenform nach F i g. 6B gezeigt. Da der Transistor Qi zu dieser Zeit nichtleitend ist, muß der Strom durch die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Ch durch die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q3 fließen, wie bei der Wellenform in Fig.6Dgezeigt.

Wenn das Auftastsignal Hden Pegel Vi erreicht, wird der Transistor Qi leitend, wobei ein weiterer Anstieg der Spannung H bewirkt, daß die Leitfähigkeit in der Differcntialschaltung aus dem Transistor Qi auf den Transistor Qi verschoben wird. In der Praxis ist nicht wahrscheinlich, daß dieser Differentialvorgang so augenblicklich stattfindet, wie es in den F i g. 6C und 6D erscheint. Fig.6C zeigt den Stromfluß durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Qi. Der Transistor Qi leitet jedoch nur während des mittleren Teils des Impulses H zwischen den Zeiten ti und n. Von der Zeit η bis zur Zeit Ia ist der Transistor Qi nichtleitend, während derTransistor Qi leitend ist.

Der Grund für die soeben beschriebene Arbeitsfolge besteht darin, daß Farbsynchronsignale sich dort befinden, was als hintere Schwarzschulter oder Schwarztreppe !lorizontaler Austastsignale bekannt ist. Die Cjesamtdauer jedes Torimpuises H kann großer als die Zeit sein, die für die hintere Schwarzschulter oder Schwarztreppe des horizontalen Austastsignals erforderlich ist. Vorhergehend ist die hintere Schwarzschulter das Horizontalsynchronisiersignal, welche keine Komponente mit derselben Frequenz, wie das Farbsynchronsignal, hat, so daß es unwahrscheinlich ist. Schwierigkeiten bei der Synchronisierung des Oszillators 10 zu machen. Hat jedoch das Signal H eine Dauer, die lang genug ist, um die Transistoren Qi. Qi und Qb leitend zu halten, nachdem das Horizontalaustastintervall beendet wurde, was geschehen kann, so würde es möglich, daß unerwünschte Chrominanzsignalkomponenten in dem an die Eingangsklemme 21 angelegten Bildungssignal Cdie Ausgangsklemme 24 erreichen.

Der Pegel V2 des Impulses H. bei welchem der Transistor Q2 nichtleitend wird, wenn die Amplitude des Impulses abnimmt, ist so ausgewählt, daß der Transistor Qi nichtleitend und der Transistor Qi wieder leitend wird, bevor das Horizontalaustastsignal zu Ende geht. Sogar dann, wenn das Horizontalaustastsignal zwischen den Zeiten fi und Ia. wie in Fig.6D gezeigt,endet, wird der Transistor Qi leitend sein und die Amplitude des Informationssignals niedrighalten. Der Transistor Qi wird nichtleitend sein, so daß sehr wenig Lecksignal die Ausgangsklemme 24 erreichen wird, wobei sogar dieses Lecksignal niedriger Amplitude zum Zeitpunkt Ia enden wird, wenn der Transistor Q zusammen mit dem Transistor Q>, der Diode Di und dem Transistor Qo nichtleitend wird.

Typische Parameter für die Schaltung nach Fig. 5 sind wie folgt:

Kl	150 0hm
Ri	4,3 K
Ri	2,2 K
Ra	1 K
/?5	1,5 K
Rt	1 K
Ri	5,1 K
G	68 pF
Kv	12VoIt

F i g. 7 zeigt eine andere Ausführungsform der F.rfindung. bei welcher die Polarität des Auftastsignals H eher negativ als positiv ist, wie sie bei den zuvor erörterten Ausführungsformen gewesen ist. Bei Fig. 7 ist die Eingangsklemme 21 mit der Basis des Transistors Qi verbunden, der als Emitterfolger angeschlossen ist und einen Emitterwiderstand Rb hat. Ein Widerstand /?t verbindet den Emitter des Transistors Qi mit der Basis des Transistors Qi. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung eines Schalttransistors Qi ist unmittelbar zwischen die Basis des Transistors Qi und Erde geschaltet. Die Basis des Transistors Qx ist durch eine Zenerdiode ZDi mit der Basis des Transistors Qi verbunden.

Bei dieser Ausführungsform ist die Auftastsignaleingangsklemme 22 unmittelbar mit der Basis des Transistors Ch, statt mit der Basis des Transistors Qi, verbunden, wie bei den vorherigen Ausführungsformen. Die Emitter der Transistoren Qi und Qi sind direkt mit dem Kollektor des Transistors Qi verbunden, wie es zuvor der Fall war, wobei der Kollektor des Transistors Qi unmittelbar mit der Ausgangsklemme 24 verbunden ist, die zusammen mit der Klemme 23 das Ausgangssignal an die Primärwicklung des Transistors Γι liefert. Die Basis des Transistors Qi ist vorgespannt, indem sie mit dem gemeinsamen Übergang zwischen den beiden Transistoren Ri und Ri verbunden ist, die als Spannungsteiler zwischen die Speisestromklemme 27 und Erde geschaltet sind.

Im Arbeitszustand ist der an die Eingangsklemme 22 zwischen den Torimpulsen H angelegte Ruhepotentialpegel genügend positiv, um den Transistor Qr durch die Zenerdiode ZDi leitend zu machen. Der Transistor Qi ist auch zunächst leitend, wobei jedoch sein Ausgangssignal, welches das Informationssignal C ist, an einen Spannungsteiler angelegt ist. der den Widerstand Rt und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors φ aufweist. Wenn der letztere leitend ist, so ist die Impedanz seiner Ausgangsschaltung sehr niedrig, so daß der Bruchteil der Signalspannung am Emitter des Transistors Qr, die an die Basis des Transistors Qi übertragen wird, sehr niedrig ist. Der Transistor φ ist zu dieser Zeit infolge der niedrigen Impedanz der Ausgangsschaltung des Transistors Qi nichtleitend, die zwischen die Basis des Transistors Qi und Erde geschaltetet ist. Dadurch wird nicht nur der Transistor (?i daran gehindert, als Verstärker für solches Informationssignal zu wirken, das an der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Qs vorliegen kann, sondern auch die beiden Transistoren Q2 und Qi werden nichtleitend gemacht, wobei der Transistor Qi daran gehindert wird, Signale zu verstärken, die an die Ausgangsklemme 24 angelegt werden sollen. Die

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iingangsklemme 21 ist von der Ausgangsklcmme 24 gut soliert. Zwei der Transistoren Qi und Qn sind zwischen Jen Torimpulsen H leitend, wobei jedoch diese Transistoren an der Eingangsseite der Schaltung liegen jnd ihr Durchschnittsstrom daher verhältnismäßig niedrig ist.

Wenn der Torimpuls H an die Eingangsklemme 22 angelegt wird, wird die relativ festgelegte Spannung an den Zenerdioden ZOi aufrechterhalten, wobei bewirkt wird, daß die Spannung an der Basis des Transistors Qs mit der gleichen Geschwindigkeit wie der Impuls H abfällt. Die Spannung an der Basis des Transistors Qi ist hoch genug, so daß dieser Transistor leitend sein wird, und zwar sogar dann, falls es möglich wäre, daß der durch die Emiiter-Kollektorausgangssehaitung dieses Transistors fließende Strom durch den Transistor Q\ fließt. Wenn die Spannung an der Basis des Transistors Qi den Pegel erreicht, bei welchem der Transistor Qh nicht mehr leitend ist, so kann der Transistor Qi leitend werden. Dann kann Strom durch die Emitter-Kollektorschaltungen der Transistoren Q und Qi fließen, bis der Torimpuls H einen Pegel erreicht, der niedrig genug ist, um zu bewirken, daß der Transistor Qi nichtleitend wird. Ein Differentialvorgang überträgt dünn die Leitfähigkeit auf den Transistor Qi, wobei dieser Transistor dann imstande ist, das Eingangssignal zu verstärken, welches durch die Transistoren Qi und Qi durchgegangen und am Kollektor des Transistors Qi verfügbar ist.

Nachdem der Impuls H seinen negativsten Pegel erreicht hat und beginnt, positiv zu werden, erreicht die an die Basis des Transistors Qi angelegte Spannung den Pegel der Leitfähigkeit, wobei sie durch einen Differcntialvorgang bewirkt, daß der Transistor Q] nichtleitend wird, wodurch der Durchgang eines wesentlichen Betrages eines Signals zur Ausgangskleminc 24 verhindert wird. Etwas Lecksignal wird über die Streukapazitäten um den Transistor Q2 herum bestehen, wobei jedoch ein derartiges Streu- oder Lecksignal durch den leitenden Transistor Q? wirksam kurzgeschlossen wird. Dadurch wird das Lccksignal an der Ausgangsklemme 24 wesentlich reduziert. Wenn die Spannung des Torimpulses H weiter in Richtung auf seinen Ruhepegel zunimmt, wird ein Pegel erreicht, welcher derart ist, daß der Transistor Qa wieder leitend wird und den Transistor Qi nichtleitend macht. Dies reduziert weiter die Möglichkeit, daß ein Lecksignal die Ausgangsklemme 24 erreicht, bis der nächste Torimpuls an der Eingangsklemme 22 empfangen wird.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Torschaltung mit einem ersten Eingangsanschluß zum Zuführen eines Informationssignals, mit einem zweiten Eingangsanschluß zum Zuführen eines Torimpulssignals, mit einem ersten und einem zweiten Stromversorgungsanschluß, mit zwei Ausgangsanschlüssen, und mit einer Differentialschaltung, welche einen ersten, zweiten und dritten Transistor enthält, wobei die Emitterelektroden des zweiten und dritten Transistors miteinander und mit der Kollektorelektrode des ersten Transistors verbunden sind, wobei die Basiselektrode des ersten Transistors mit dem ersten Eingangsanschluß gekoppelt ist, wobei die Kollekiorelektroden des zweiten und dritten Transistors mit den Ausgangsanschlüssen gekoppelt sind, wobei die Kollektorelektrode des dritten Transistors ferner mit dem einen Stromversorgungsanschluß verbunden ist. wobei die Emitterelektrode des ersten Transistors mit dem zweiten Stromversorgungsanschluß gekoppelt ist, wobei die Basiselektrode eines von zwei Transistoren, bei denen es sich um den zweiten und dritten Transistor handelt, mit dem zweiten Eingangsanschluß gekoppelt ist und wobei mit der Basiselektrode des anderen der beiden zuletzt erwähnten Transistoren ein Vorspannungsschaltungsteil verbunden ist, mittels welchem dieser andere Transistor so vorgespannt wird, daß er normalerweise leitend ist dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des ersten Transistors fQi^mitder Basiselektrode des einen der erwähnten beiden Transistoren (Qi oder Qi) durch einen Kopplungsschaltungsteil (Ra oder Qb, Rl Q, oder ZDi, Qh) verbunden ist, mittels welchem der erste Transistor (Q\) nur während eines Teiles des Zeitabschnittes, in welchem an den zweiten Eingangsanschluß (22) ein Torimpulssignal (H) auftritt, in den leitenden Zustand gesteuert wird, während der zweite Transistor (Qt) über ein Zeitintervall in den leitenden Zustand gesteuert wird, das nicht langer als der Zeitabschnitt-Teil ist, in welchem der erste Transistor (Qi) leitend ist.

2. Torschaltung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden erwähnten Transistoren (Q2, Qi)der zweite Transistor (Qi) und der andere der dritte Transistor (Qi) ist und daß der Vorspannungsschaltungsteil so dimensioniert ist, daß der dritte Transistor (Qi) bei einem niedrigeren Pegel des Torimpulssignals (H) leitend wird als der zweite Transistor (Qi).

3. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der die Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors (Q\ und Qi) verbindenden Kopplungsschaltungsteil ein Widerstand (T?^ ist.

4. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode des ersten Transistors (Q\) mit dem ersten Eingangsanschluß (21) über eine Diode (Ch) gekoppelt ist und daß der die Basiselektroden des ersten und zweiten Transistors (Q\ und Qi) verbindende Kopplungsschaltungsteil einen vierten Transistor (Q=,) und einen fünften Transistor (Qb) enthält, wobei der vierte Transistor (Qi) als Verstärker zwischen die Diode (D\) und den ersten Transistor (Q\) geschaltet ist, und wobei der fünfte Transistor (Qb) mit dem zweiten Eingangsanschluß (22) verbunden und mit dem Verbindungspunkt zwischen der Diode (Ch)und dem vierten Transistor (^gekoppelt ist.

5. Torschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der erwähnten beiden Transistoren (Q2, Qi) der dritte Transistor (Qi) ist und daß das dem zweiten Eingangsanschluß (22) zugeführte Torimpulssignal (H)so polarisiert ist, daß der dritte Transistor (Qi) in seinen nichtleitenden Zustand gesteuert wird.