DE2315797C3 - Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für DünnschichtschaltungenInfo
- Publication number
- DE2315797C3 DE2315797C3 DE2315797A DE2315797A DE2315797C3 DE 2315797 C3 DE2315797 C3 DE 2315797C3 DE 2315797 A DE2315797 A DE 2315797A DE 2315797 A DE2315797 A DE 2315797A DE 2315797 C3 DE2315797 C3 DE 2315797C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrates
- thin
- average value
- production
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 alkylphenyl ether Chemical compound 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000754 repressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
- Press-Shaping Or Shaping Using Conveyers (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen, bei
dem eine durch Brennen in einen keramischen Körper überführbare Gußmasse hergestellt wird, die dann zum
Trocknen auf eine Unterlage schichtförmig ausgegossen wird, wobei eine lederartige zähe, »grüne« Substratfolie
entsteht, aus der gewünschte Formen ausgestanzt und dann gebrannt werden.
Auf Grund ihrer hervorragenden Isolatoreigenschaften sind die keramischen Werkstoffe ein bevorzugtes
Material für die Herstellung von Substraten für elektronische Schaltungen. Dünnschichtelemente stellen
besondere Anforderungen an die Oberflächengüte der Substrate, denn die Schichtdicken auf einem solchen
Substrat liegen im Bereich von 100 bis mehreren 1000 Ä.
Bei zu großer Oberflächenrauheit der Substrate ergeben sich keine geschlossenen Schichten dieser
Dicke.
Für Dünnschichtschaltungen geeignete Substrate werden in bekannter Weise beispielsweise gemäß der
Auslegeschrift 17 71216 hergestellt. Aufgabe dieses bekannten Verfahrens ist es, eine Substratmasse
anzugeben, die beim Brennen besonders homogen und porenfrei bleibt. Hier wird insbesondere die Verwendung
einer Tonerde vorgeschlagen, deren Korngrößenverteilung in einem breiten Bereich gestaffelt ist. Um
Verwerfung beim Brennen der Substrate zu vermeiden, sollen die Substrate beim Brennen mit vorgebrannten
Formteilen beschwert werden. Eine starke Belastung durch die Formteile verhindert eine Schrumpfung der
Substrate während des Brennens. Es bilden sich jedoch Risse. Andererseits ist eine geringere Belastung durch
die Formteile beim Brennen nicht ausreichend, um das Aufwerfen und Wellen der Substrate zu verhindern.
Eine Aufgabe der Erfindung isi es, Substrate mit noch
weiter verbesserter Oberfläche ohne Verwerfungen und rißfrei herzustellen.
Die Lösung besteht in einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art und ist erfindungsgemäß dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate im grünen, luftgetrockneten Zustand zwischen hochglatten, planparallelen
Flächen einem Druck bis ca. 1000 kp/cm- ausgesetzt
werden.
Mit diesem überraschend einfachen Verfahrensschritt v/erden geringfügige Dickenunterschiede der Substrate
-, ausgeglichen und die Oberflächengüte durch die angepreßten glatten Stempel verbessert, so daß
schließlich beim Brennen keine Verwerfungen auftreten. Die Dauer der Druckeinwirkung beträgt ca. 1 bis 3
min.
ίο Für die Preßstempel sind hochglanzpolierte Metallflächen
vorgesehen. Vorteilhaft ist es, diese mit extrem oberflächenglatten Kunststoffolien zu beschichten.
Dadurch vermeidet man Anklebeerscheinungen des Substrates an die Stempel.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens besteht darin, die auf diese Weise vorbehandelten
dünnen Substrate beim Brennen mit vorgebrannten Substraten oder Formteilen abzudecken; damit schützt
man die Oberflächen vor Ofenschmutz. Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß das
Beschweren der zu brennenden Substrate ohne Qualitätseinbuße unterbleiben kann.
Die so hergestellten Substrate weisen gegenüber den nach herkömmlichen Verfahren erzeugten eine um ca.
30% verringerte Oberflächenrauheit auf. Ungleichmäßigkeiten in der Schichtdicke sind ausgeglichen.
Nach dem Brennen wurde die Oberflächengüte mit dem Penh-O-Meter der Firma Perthen gemessen.
Dabei wird die Bewegung einer Diamantnadel entsprechend dem abgetasteten Profil durch elektrische Mittel
vergrößert und aufgezeichnet. Dabei ergab sich bei Substraten, die nach dem Verfahren der Erfindung
hergestellt wurden, eine mittlere Rauhtiefe Ra von 0,07 bis 0,10 (im. Substrate, die hergestellt wurden, ohne daß
!5 die grünen Substratfolien gemäß der Erfindung gepreßt
wurden, wiesen Ra-Werte zwischen 0,10 und 0,170 μΐπ
auf. Diese Werte beziehen sich auf das unten angegebene Gußmasserezept.
Auf Wunsch der Prüfungsstelle wurde am 26. 7. 1978
an noch vorhandenen, alten Reststücken bei einer Vorführung die Oberflächenverbesserung durch Nachpressen
an 15 ungebrannten Proben demonstriert. Die Ergebnisse der Messungen wurden über den gesamten
Bereich verteilt und die Werte von 7 Proben in der auf die Beschreibung folgenden Liste zusammengestellt.
Dabei wurden die in der Liste enthaltenen Probenwerte gemessen. Mit Seite 1 ist die Brandoberseite und mit
Seite 2 die Brandauflagenseite bezeichnet.
Die Proben I und X waren zwischen hochglanzpolierten Stahlplatten gepreßt und erbrachten Durchschnittsrauhigkeitswerte
an der Brandoberseite von 0,132 bis 0,1 51, wobei jedoch die Probe X ein gegossenes Substrat
darstellte.
Die nicht nachgepreßten Proben VIII und IX erbrachten Durchschnittsrauhigkeitswerte an der
Brandoberseite von 0,363 bis 0,450.
Die zwischen unpolierten Platten nachgepreßten Proben VI und VII ergaben Durchschnittsrauhigkeitswerte
an der Brandoberseite von 0,406 bis 0,442.
do Die zwischen zwei unpolierten Platten nachgepreßte aber gegossene Probe XIII erbrachte einen Durchschnittsrauhigkeitswert an der Brandoberseite von 0,217.
do Die zwischen zwei unpolierten Platten nachgepreßte aber gegossene Probe XIII erbrachte einen Durchschnittsrauhigkeitswert an der Brandoberseite von 0,217.
Das Nachpressen zwischen hochglanzpolierten Plat- '■>=>
ten brachte eine deutliche Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit besonders bei stranggepreßten Substraten.
Zur Herstellung der Gußmasse wird Tonerde
genahlen und mit einem Lösungsmittel und einem Bindemittel versehen, wobei das Lösungsmittel gegenüber
dem Bindungsmittel lösungsfähig ist und bereits bei niedrigen Temperaturen bei der Trocknung der
Gußmasse entweicht. Das Bindemittel hält auch nach Entweichen des Lösungsmittels die Tonerdepartikel
zusammen. Es entweicht erst bei der Brenntemperatur, ohne Risse und Löcher zu hinterlassen.
Das erfindungsgemäße Verfahren verbessert bei jeder Gußmasse die Oberflächengüte des fer igen
Substrates.. Die folgende Gußmasse ist jedoch besonders vorteilhaft:
Al2O3 60,6 g
Polyvinylbutyral 3,3 g
Polyäthylenglycol-bis-2-äthylcapronat 4,8 g
Alkylphenyläther des Polyäthylenglycols 1,2 g
Äthanol 23,0 g
Toluol 9,7 g
Talk OJ g
Die Brenntemperatur liegt zwischen 1200° und 1500 C.
Oberflächenaufnahmen mit eisern Rasterelektronenmikroskop
zeigen, daß der günstigste Brennbereich bei 1450° bis 1530° C liegt, weil in diesem Bereich ein
Dichtsintern erfolgt und das grundsätzlich immer vorhandene Kornwachstum noch nicht zu einer zu
starken Verschlechterung der Oberflächenrauhigkeit führL Bei wesentlich höheren Temperaturen würde ein
derart großes Kornwachstum auftreten, daß die durch Hochglanz-Vorpressen erzielten Oberflächenverbesserungen
wahrscheinlich nicht mehr nachweisbar wären.
Die Proben, bei denen die unterschiedlichen Oberflächengüten
gemessen wurden, sind zwischen 1450° und 1530° C gebrannt worden.
Oberflächenrauhigkeitswerte nachgepreßter und nicht nachgepreßter AKOj-Folien
Brandoberseite Brandauflageseite
Probe I (slranggepreßte Folie zwischen zwei hochglanzpolierten Folien nachgepreßt)
0,180 0,075 0,190 0,055 0,158 *) Durchschnittswert 0,132 am
Durchschnittswert
0,185 0,292 0,152 0,214 (U68 0,222 am
Probe VI (stranggepreßte AljOi-Folie zwischen unpolierten Platten nachgepreßt)
0,628 0,730
0,398 0,452
0,342 0,427
0,402 0,495
0,438 0,462
*) Durchschnittswert 0,442 am Durchschnittswert 0,513 um
Probe VII (wie Probe VI)
0,345 0,475 0,392 0,435 0,382 *) Durchschnittswert 0,406 μηι
0,415 0,212 0,640 0,405 0,417 Durchschnittswert 0,418 μηι
Probe VIII (stranggepreßte Al2Oj-FoHe nicht nachgepreßt)
0,318 0,345
0,300 0.345
0,340 0.853
0,387 0,332
0,408 0.376
*) Durchschnittswert 0,351 am Durchschnittswert 0.450 um
Forlsetzung
Brandobcrscitc
Brandauf-Uigcscitc
Probe IX (wie Probe VIII)
0,208 0,350 0,486 0,351 0,419 *) Durchschnittswert 0,363 a
0,333 0,335 0,467 0,430 0,351 Durchschnittswert 0,383 am
Probe X (gegossene AbOi-Folie zwischen zwei hochglanzpolierten Folien nachgepreßt)
0,132 0,142 0,170 0,148 0,162 *) Durchschnittswert 0,151 am
0,145 0,200 0,260 0,125 0,142 Durchschnittswert 0,174 am
Probe XIIl (gegossene AI2Oi-FoUe zwischen zwei unpolierten Platten nachgepreßt)
0,185 0,220 0,210 0,238 0,232 *) Durchschnittswert 0,217 am
0,200 0,265 0,288 0,282 0325 Durchschnittswert 0,272 am
*) Durchschnittswert = Mittelwert aus 5 llinzclmcssungen der Rauhticfc R11 (McUslrcckc 5 mm) gemessen
parallel zujcdcrdcr4 Ränder der Folie und über die Diagonale, bei Brandoberseite und BrandauHagcscitc.
Hier/u 5 BhUt /.eichiiuimcn
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von Kerarniksubstraten für Dünnschichtschaltungen, bei dem eine durch
Brennen in einen keramischen Körper Oberführbare Gußmasse hergestellt wird, die dann zum Trocknen
auf eine Unterlage schichtförmig ausgegossen wird, wobei eine lederartige zähe, »grüne« Substratfolie
entsteht, aus der gewünschte Formen ausgestanzt und dann gebrannt werden, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrate im grünen, lufttrokkenen Zustand zwischen hochglatten, planparalleSen
Flächen einem Druck bis ca. 1000 Kp/cm2 ausgesetzt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Preßstempel hochglanzpolierte
Metallflächen besitzen.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Preßstempel hochglatte Kunststoffoberflächen
besitzen.
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2315797A DE2315797C3 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen |
| GB386474A GB1414595A (en) | 1973-03-29 | 1974-01-28 | Cermaic substrates for thin-film circuits |
| AT128574A AT348022B (de) | 1973-03-29 | 1974-02-18 | Verfahren zur herstellung von keramiksubstraten fuer duennschichtschaltungen |
| CH327474A CH599068A5 (de) | 1973-03-29 | 1974-03-08 | |
| US05/449,751 US4009238A (en) | 1973-03-29 | 1974-03-11 | Process for the production of ceramic substrates for thin layer circuits |
| FR7409458A FR2223331B1 (de) | 1973-03-29 | 1974-03-20 | |
| NL7403842A NL7403842A (de) | 1973-03-29 | 1974-03-21 | |
| JP49033622A JPS49129702A (de) | 1973-03-29 | 1974-03-27 | |
| CA196,157A CA1050739A (en) | 1973-03-29 | 1974-03-27 | Process for the production of ceramic substrates for thin layer circuits |
| LU69717A LU69717A1 (de) | 1973-03-29 | 1974-03-27 | |
| IT49871/74A IT1005901B (it) | 1973-03-29 | 1974-03-29 | Procedimento per fabbricare substra ti di ceramica per circuiti elettri ci a strato sottile |
| BE142610A BE813023A (fr) | 1973-03-29 | 1974-03-29 | Procede de fabrication de substrats en ceramique pour des circuits a couches minces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2315797A DE2315797C3 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2315797A1 DE2315797A1 (de) | 1974-10-10 |
| DE2315797B2 DE2315797B2 (de) | 1980-09-25 |
| DE2315797C3 true DE2315797C3 (de) | 1981-07-30 |
Family
ID=5876396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2315797A Expired DE2315797C3 (de) | 1973-03-29 | 1973-03-29 | Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4009238A (de) |
| JP (1) | JPS49129702A (de) |
| AT (1) | AT348022B (de) |
| BE (1) | BE813023A (de) |
| CA (1) | CA1050739A (de) |
| CH (1) | CH599068A5 (de) |
| DE (1) | DE2315797C3 (de) |
| FR (1) | FR2223331B1 (de) |
| GB (1) | GB1414595A (de) |
| IT (1) | IT1005901B (de) |
| LU (1) | LU69717A1 (de) |
| NL (1) | NL7403842A (de) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165226A (en) * | 1977-03-29 | 1979-08-21 | Narumi China Corporation | Process for preparing an element of a dual-in-line ceramic package provided with a layer of sealing glass |
| DE2727364A1 (de) * | 1977-06-16 | 1979-01-04 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von keramiksubstraten |
| US4221047A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-09 | International Business Machines Corporation | Multilayered glass-ceramic substrate for mounting of semiconductor device |
| US4259061A (en) * | 1979-12-07 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Method of achieving uniform sintering shrinkage in a laminated planar green ceramic substrate and apparatus therefor |
| JPS58154293A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | 株式会社日立製作所 | グリ−ンシ−トの寸法安定化法 |
| US5130067A (en) * | 1986-05-02 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Method and means for co-sintering ceramic/metal mlc substrates |
| US4684339A (en) * | 1986-06-13 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Gas-loaded pressure diaphragm |
| JPS63240096A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | 富士通株式会社 | グリ−ンシ−ト多層法 |
| US5194196A (en) * | 1989-10-06 | 1993-03-16 | International Business Machines Corporation | Hermetic package for an electronic device and method of manufacturing same |
| DE69514987T2 (de) * | 1994-11-09 | 2000-06-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Keramische Grünfolie und Verfahren zur Herstellung keramisches Substrat |
| US6066350A (en) * | 1997-02-07 | 2000-05-23 | Cargill Incorporated | Method and arrangement for processing cocoa mass |
| US6639508B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-10-28 | Aptek Williams, Inc. | Electrical switch device and process for manufacturing same |
| US6692598B1 (en) * | 1999-10-18 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Method of producing ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic part |
| DE60102652T2 (de) * | 2000-10-31 | 2005-03-31 | NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya | Vakuumschalterbehälter, Vakuumschalter, Verfahren zum Herstellen des Vakuumschalterbehälters und Verfahren zum Herstellen des Vakuumsschalters |
| US9206086B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-12-08 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for sintering flat ceramics |
| US9205571B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-12-08 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for sintering flat ceramics |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA842129A (en) * | 1970-05-19 | Duplate Canada Limited | Method of making ceramic articles and the product thereof | |
| US2539446A (en) * | 1947-07-12 | 1951-01-30 | Sprague Electric Co | Process for producing dielectric sheets |
| US2582993A (en) * | 1948-10-29 | 1952-01-22 | Glenn N Howatt | Method of producing high dielectric high insulation ceramic plates |
| US2966719A (en) * | 1954-06-15 | 1961-01-03 | American Lava Corp | Manufacture of ceramics |
| US2952877A (en) * | 1954-11-22 | 1960-09-20 | American Lava Corp | Method of making ceramic insulators |
| US3016598A (en) * | 1958-09-30 | 1962-01-16 | Gladding Mcbean & Co | Method of making dense refractory objects |
| US3192086A (en) * | 1960-06-16 | 1965-06-29 | Rca Corp | Methods for manufacturing multilayered monolithic ceramic bodies |
| US3096545A (en) * | 1960-07-20 | 1963-07-09 | Rowland Products Inc | Resilient spacer for press-finishing of plastic sheet |
| US3274311A (en) * | 1963-04-25 | 1966-09-20 | Reynolds Metals Co | Method of molding alumina |
| US3516840A (en) * | 1964-10-22 | 1970-06-23 | Aluminum Co Of America | Production of ceramic bodies |
| US3794707A (en) * | 1968-04-03 | 1974-02-26 | Atomic Energy Authority Uk | Production of refractory artefacts |
| US3696923A (en) * | 1970-07-28 | 1972-10-10 | Bethlehem Steel Corp | Method for recovering fine coal and coal-containing particles in a coal recovery circuit |
| US3879509A (en) * | 1971-09-07 | 1975-04-22 | Gilbert James Elderbaum | Method of producing thin ceramic sheets with minimal distortion |
| US3794704A (en) * | 1971-11-17 | 1974-02-26 | J Strong | Method of forming refractive optical elements for infrared radiation |
-
1973
- 1973-03-29 DE DE2315797A patent/DE2315797C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-01-28 GB GB386474A patent/GB1414595A/en not_active Expired
- 1974-02-18 AT AT128574A patent/AT348022B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-03-08 CH CH327474A patent/CH599068A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-03-11 US US05/449,751 patent/US4009238A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-03-20 FR FR7409458A patent/FR2223331B1/fr not_active Expired
- 1974-03-21 NL NL7403842A patent/NL7403842A/xx unknown
- 1974-03-27 JP JP49033622A patent/JPS49129702A/ja active Pending
- 1974-03-27 CA CA196,157A patent/CA1050739A/en not_active Expired
- 1974-03-27 LU LU69717A patent/LU69717A1/xx unknown
- 1974-03-29 IT IT49871/74A patent/IT1005901B/it active
- 1974-03-29 BE BE142610A patent/BE813023A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2315797A1 (de) | 1974-10-10 |
| CA1050739A (en) | 1979-03-20 |
| AT348022B (de) | 1979-01-25 |
| JPS49129702A (de) | 1974-12-12 |
| BE813023A (fr) | 1974-07-15 |
| US4009238A (en) | 1977-02-22 |
| LU69717A1 (de) | 1974-07-17 |
| GB1414595A (en) | 1975-11-19 |
| NL7403842A (de) | 1974-10-01 |
| FR2223331B1 (de) | 1983-09-30 |
| CH599068A5 (de) | 1978-05-12 |
| FR2223331A1 (de) | 1974-10-25 |
| ATA128574A (de) | 1978-06-15 |
| IT1005901B (it) | 1976-09-30 |
| DE2315797B2 (de) | 1980-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2315797C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Keramiksubstraten für Dünnschichtschaltungen | |
| DE2740808C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Varistors | |
| EP0527775B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines sensors zum bestimmen von druckkräften | |
| DE3900160C2 (de) | ||
| DE10051388B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Grünfolie und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtbauelements | |
| DE69031839T2 (de) | Geschichtete Keramikanordnung und Verfahren zur deren Herstellung | |
| DE69604867T2 (de) | Verfahren zum Verschliessen der Endfläche einer keramischen Wabenstruktur | |
| DE2227343A1 (de) | Verfahren zum herstellen gesinterter, dielektrischer keramikstrukturen | |
| EP0074471B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Wärmetauschern aus keramischen Folien | |
| DE4012694A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines sinterkoerpers aus indium-zinnoxid | |
| DE3100776A1 (de) | Verfahren zur herstellung von folien aus gesintertem polykristallinen silizium | |
| DE3031751A1 (de) | Verfahren zur herstellung elektrotechnischer bauteile und nach diesem verfahren hergestellter schiebe- oder drehwiderstand | |
| DE2309385C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Aluminiumoxydsubstrats | |
| EP0750597B1 (de) | Verfahren zur herstellung von keramischen verbundkörpern | |
| DE1514216A1 (de) | Kernbrennstoffelement | |
| DE2445086C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines für die Herstellung eines Kondensators geeigneten Keramikkörpers | |
| DE19927725C2 (de) | Haftfeste Dickschicht-Sauerstoffsensoren für Magermotoren | |
| DE19801440A1 (de) | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Elektroden-Elektrolyt-Einheit | |
| DE19807818C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer von organischen Lösungsmitteln freien Folie | |
| DE2337141C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Verbund-Sinterstruktur | |
| DE102008043763A1 (de) | Verbindungsmaterial und Verfahren zum Herstellen eines Keramikverbindungskörpers | |
| DE2459599C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines aufgrund der Zusammensetzung seiner Masse selbst spannungsabhängigen Widerstandskörpers auf der Basis von Zirkoxid | |
| DE10309608A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Stapelstruktur | |
| DE1514216C (de) | Verfahren zur Herstellung von umklei deten Kernbrennstoffelementen | |
| DE102022109683A1 (de) | Selektiv verdichtetes membrandichtmittel und verfahren zur herstellung davon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |