DE2130909A1

DE2130909A1 - Ungesaettigte Logikschaltung fuer TTL- und DTL-Schaltungen

Info

Publication number: DE2130909A1
Application number: DE19712130909
Authority: DE
Inventors: Tu George K
Original assignee: Cogar Corp
Current assignee: Cogar Corp
Priority date: 1970-06-22
Filing date: 1971-06-22
Publication date: 1971-12-30
Also published as: US3614467A

Description

26 417 st 22. Juni 1971

COGAR CORPOPATION, Wappingers Falls, N. Y./USA

Ungesättigte Logikschaltung für TTL- und DTL-Schaltungen

Die Erfindung betrifft eine Logikschaltung für TTL- und DTL-Schaltungen, insbesondere eine ungesättigte Logikschaltung dieser Art.

In TTL-Schaltungen (Transistor-Transistor-Logik-Schaltungen) wird die Kollektorspannung des Ausgangstransistors einer Logikstufe beispielsweise zwischen Pegeln von 0,2 und 3,4 V geschaltet. Diese Pegel sind zum Sperren bzw. Leitfähigmachen des Eingangstransistors einer nachgeschalteten Stufe geeignet. Ähnliche Bemerkungen gelten für DTL-Schaltungen (Diode-Transistor-Logik-Schaltungen) , die allgemein mit denselben Spannungspegeln arbeiten. Die Unterschiede zwischen den beiden Arten von Schaltungen sind dem Fachmann bekannt. Nachstehend werden TTL-Schaltungen erläutert, doch versteht es sich, daß die Logikschaltung gemäP der Erfindung auch bei DTL-Schaltungen verwendbar ist, die mit denselben Snannungspegeln arbeiten wie TTL-Schaltungen.

Der EmitteranschluR des Ausgangstransformators einer Logikstufe ist meistens geerdet. Der Ausgang der Stufe wird an dem Kollektor des Transistors abgenommen. Bei gesperrtem

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Transistor liegt an dessen Transistor ein hohes Potential, z.B. von ^,4 V, wie vorstehend angegeben wurde. Wenn der Transistor dagegen leitet _t ist zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß des Transistors nur ein kleiner Spannungsabfall vorhanden und. sinkt die Ausgangs spannung zum Erdpotential hin. Wenn der Transistor gesättigt 1st, wie dies meistens der Fall ist, beträgt das Ausgangspotential etwa 0,2 V.

" TTL-Schaltungen der beschriebenen Art haben den-Vorteil, daß sie sehr rauschunempfindlich sind, im Bereitschaftszustand wenig Leistung verbrauchen und auf kleinen Mjkrobausteinen angeordnet werden können. TTL-Schaltungen hsben jedoch den schwerwiegenden Nachteil, daß der Transistor am Ausgang der Schaltung im leitenden Sustand gesättigt ist. Eei einer niedrigen Ausgangs- oder Kollektorspennung wird in deir Transistor eine beträchtliche Ladung gespeichert, vor allem infolge der Basis-Kollektor-Kapazität. Diese Ladung muß entfernt werden, ehe der Transistor gesperrt werden kann. Wenn man daher das Basispotential des Transistors senkt, bleibt der Transistor weiter leitfähig und das Ausgangspotential niedrig, bis die

fc gespeicherte Ladung entfernt ist. Diese Tatsache erhöht die Trägheit der Einrichtung und trägt dazu bei, daß verschiedene Transistoren, selbst wenn sie auf ein und derselben Mikrobaustein angeordnet sind, zu verschiedenen Zeitpunkten gesperrt werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer Logikschaltung, deren Ausgangstransistor nicht gesättigt wird und daher rasch gesperrt v/erden kann.

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Zu diesen Zweck wird die Spannungsveränderung an dent

Kollektor des Transistors mittels einer niode begrenzt, an der die an der Basis des Transistors liegende Steuerspannunn li^gt.

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In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die' Veränderung der Kollektorspannung des Transistors derart begrenzt,» daR sie nicht unter 0,4 V sinken kann. Zu diesem Zweck sind eine Diode und ein aus Widerständen bestehender Spannungsteiler vorgesehen, die zur Steuerung der Basisspannung des Transistors und der über die Diode an den Kollektor des Transistors angelegten Spannung dienen. Wenn die Transistorspannung des Transistors nicht unter 0,4 V sinken kann, wird der Transistor nicht gesättigt, so daR er durch Wegnehmen der Basisspannung schnell gesperrt v/erden kann.

Die Erfindung schafft somit eine ungesättigte Logikschaltung für TTL- und PTL-Schaltungen. Die Basis des Ausgangstransistors der Logikschaltung ist mit der Verbindung zwischen zwei einen Spannungsteiler bildenden Widerständen verbunden. Der Kollektor dieses Transistors ist über eine Diode mit dem Spannungseingar.g des Spannungsteilers verbunden. Wenn durch den Spannungsteiler ein solcher Strom flieft, daß der Transistor leitet, leitet auch die Diode und ist die Kollektorspannung des Ausgangstrarsistors höher, als wenn keine Diode vorhanden wäre. Der Transistor wird nicht gesättigt und kann daher schnell gesperrt werden.

Nach einem Merkmal der Erfindung ist die Basis des Ausgangstransistors einer Logikschaltung mit einer Begrenzerdiode und einem Spannungstei lcr derart verbunden, da** das Sinken der Kollektorspannung des Transistors begrenzt und eine Sättigung des leitenden Transistors verhindert wird.

Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachstehenden ausführlichen Eeschreibunc anhand der Zeichnunaen hervor. Tn diesen zeiat:

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Fig. 1 eine bekannte TTL-Schaltung und

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.

In Fig. 1 sind für verschiedene Anschlußteile von Transistoren verschiedene Potentiale angegeben. Der Transistor Ql dient als Decodiereinrichtung. An die drei Emitteranschlüsse des Transistors werden verschiedene Eingangssignale angelegt. Wenn an mindestens einem der Eingänge des Emitters ein niedriges Potential von 0,4 V liegt, leitet der Transistor und liegen an den verschiedenen Anschlüssen der Schaltung die nicht in Klammern angegebenen Spannungen. Wenn dagegen an allen Eingangsanschlüssen ein hohes Potential von 3,4 V liegt, liegen an den verschiedenen Anschlüssen die in Klammern angegebenen Spannungen.

Wenn an mindestens einem der Eingangsanschlüsse ein Potential von 0,4 V oder darunter liegt, fließt durch den Transistor Ql ein Basis-Emitter-Strom. Es sei angenommen, daß der Basis-Emitter-Spannungsabfall in jedem Transistor 0,8 V beträgt. Infolgedessen führt der Stromfluß von der Stromauelle 10 über den Widerstand 12 und den Basis-Emitter-übergang des Transistors dazu, daß an der Basis des Transistors Ql eine Spannung von 1,2 V liegt. Es sei ferner angenommen, daß das Emitter-Kollektor-Potential eines leitenden Transistors 0,2 V beträgt. Infolgedessen hat der Transistor Ql ein Kollektorpotential von 0,6 V.

Da der Emitter des Transistors Q2 über den Widerstand 22 geerdet ist und die Basisspannung des Transistors nur 0,6 V beträgt, ist der Basis-Emitter-Spannungsabfall zu klein, um den Transistor leitfähig zu machen. Der Emitteranschluß bleibt am Erdpotential, und der über den Widerstand 14 mit der Stromquelle 10, die eine Spannung von 5 V hat, verbundene

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Kollektor des Transistors bleibt auf einer Spannung von 5 V» Dieses Potential von 5 V wird an die Basis des Transistors angelegt, so daß dieser Transistor leitfähig wird. Der Transistor Q3 leitet/ so daß ein Strom von der Stromquelle über den Widerstand 16, den Transistor Q3 und den Widerstand zu dem Ausgangsanschluß 40 fließt. Je nach der Eingangskapazität des mit dem Anschluß 40 verbundenen Verbrauchers, beispielsweise des Eingangskreises einer nachgeschalteten Stufe, beginnt die Ausgangsspannung an dem Anschluß 40 zu steigen. Zweckmäßig steuert man den Verbraucher mit einem starken Strom aus, damit das Ausgangspotential an dem Anschluß 40 schnell steigt. Zum Verstärken des Steuerstroms ist der Emitter des Transistors Q3 mit der Basis des Transistors Q4 verbunden. Der Transistor QA dient als ein Stromverstärker, wobei Strom von der Stromquelle 10 durch den Widerstand 18 und den Transistor Q4 zu dem Verbraucher fließt. Infolge dieses starken Ladestroms steigt die Ausgangsspannung schnell« Bei leitendem Transistor Q3 sinkt dessen Kollektorpotential. Sobald die Ausgangsspannung jedoch den oberen Pegel erreicht, werden die Transistoren 03 und O4 fast vollständig gesperrt, so daß an dem Kollektor des Transistors 03 die angegebene Spannung von 5 V liegt. Der Transistor Q5 ist jetzt gesperrt, weil sein Basisanschluß über den Widerstand 22 geerdet ist und bei gesperrtem Transistor Q2 am Erdpotential gehalten wird.

Die an derr Anschluß 40 auftretende Ausgangs spannung ist von der Eingangsimpedanz des Verbrauchers abhängig. Es sei angenommen, daß die Eingangsimpedanz einen solchen Wert hat, daß die Transistoren 03 und Q4₍leitfähig bleiben, aber nur ein minimaler Strom durch sie fließt. Aus diesem Grunde bleibt die KoIlektorspannung des Transistors 03 auf etwa 5 V. Der

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Spannungsabfall an jedem der Basis-Emitter-Übergänge beträgt dann 0,8 V. Infolgedessen hat der Transistor Q3 ein Emitterpotential von 4,2 V und ist das Emitterpotential des Transistors Q4 um 0,8 V kleiner, d.h. gleich 3,4 V.

Wenn an allen drei Eingängen des Transistors Ql ein hohes Potential von 3,4 V liegt, ist an den Basis-Emitterübergängen des Transistors Ql eine Sperrvorspannung vorhanden. In diesem Fall ist der Basis-Kollektor-Übergang leitfähig, so daß er wie ein invertierter Transistor wirkt. Strom fließt jetzt in die Basis des Transistors Q2, so daß dieser leitfähig wird« Der durch den Widerstand 22 fließende Emitterstrom hebt das Potential am Emitter des Transistors Q2 an, so das an dem Basis-Emitter-Übergang- des Transistors Q5 eine ■ DurchlaSvorspannung liegt. Wesm der Spannungsabfall an dem Basis-Eraitter-übergang des Transistors 05 0,8 V beträgt, wird der Emitter des Transistors 02 auf einer Spannung von. 0,8 V gehalten. Es sei angenommen, da<* an dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors Q2 derselbe Spannungsabfall liegt; dann wird die Basis des Transistors 02 auf einer Spannung von 1,6 V gehalten. Wenn an dem Basis-Kollektor-Übergang des Transistors ebenfalls derselbe Spannungsabfall liegt _t hat der Transistor -Ql ein Basispotential von 2,4 V_s

Wenn der Transistor Q2 leitete ist sein Kollektorpotential um 0,2 V- höher als sein Emittsrpofcential» Infolgedessen wird die Basisspannung des Transistors O3 auf 1 V gehalten. Daher betragt der Spannungsabfall an. den Basis-Snitter-übergängen der beider« Transistoren 03 und 0.4 nur 1 V, was zum Leitfähigmachen der beiden Transistoren picht geaügte Daher wird der Kollektor des Transistors 03 auf dem Potentiell der Stromquelle 10 (5 V) gehalten und. fließt durch die Transistoren Q3 und Q4 kein Strom. Da der Transistor 05 leitet_r fließt ein Strom von dem nicht gezeigten Verbraucher durch den Anschlußteil 40 und den

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Transistor Q5. Da der Spannungsabfall an dem Kollektor-Emitter-ttbergang eines gesättigten Transistors 0,2 V beträgt, hat der Transistor Q5 ein Kollektorpotential von 0,2 V. Bei einer Spannung von 0,2 V an dem Anschluß 40 und einer Spannung von 1 V an der Basis des Transistors 03 beträgt der Spannungsabfall an dem Basis-Emitter-Übergang jedes der Transistoren Q3 und Q4 insgesamt 0,8 V. Bei gleichen SpannungsabfSllen an den beiden übergängen wird die Basis des Transistors Q4 (der Emitter des Transistors Q3) auf 0,6 V gehalten. ' ·

Wenn der Transistor 02 einen starken Emitterstrom abgibt, kann der Transistor 05 schnell leitfähig gemacht werden. Bei der in Fig. 1 gezeigten, bekennten Schaltung tritt jedoch die Schwierigkeit auf, daß es beim Sperren des Transistors durch Anlegen eines nur niedrigen Potentials an einen der Emittereingänge des Transistors Ql ziemlich lange dauert, ehe das Potential an dem Anschluß 40 von 0,2 V auf 3,4 V steigt. Dies ist darauf zurückzufuhren, daß die Sperryerzögerung des Transistors 05 davon abhängig ist, wie schnell die in dem Transistor Q5 gespeicherte Ladung abgeführt wird. Da die Ladung über den Widerstand 22 abgeführt wird, könnte man denken, daß das Sperren des Transistors Q5 durch Verwendung eines nur kleinen Widerstandes 22 beschleunigt werden könnte. Bei einem kleineren Widerstand 22 muß jedoch der Transistor Q2 einen stärkeren Strom abgeben, damit der Transistor Q5 leitfähig wird. Da der Widerstandswert des Widerstandes 22 nicht auf einen vernachlässigbar kleinen Wert herabgesetzt werden kann, dauert das Sperren des Transistors Q5 eine gewisse Zeit. Eine oft noch unangenehmere Schwierigkeit besteht darin, daß in verschiedenen Stromkreisen, selbst wenn sie auf ein und demselben Mikrobaustein angeordnet sind, die verschiedenen Transistoren Q5 verschiedene Kapazitäten haben, so daß die

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Sperrzeiten für die verschiedenen Stufen verschieden lang sind.

Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung unterscheidet sich von der Schaltung in Pig. 1 im wesentlichen nur dadurch, daß der in Fig. 1 gezeigte Widerstand 22 durch Widerstände 24 und 26 ersetzt und zwischen dem Emitter des Transistors Q2 und dem Kollektor des Transistors Q5 eine Diode D eingeschaltet ist. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Widerstandswert des Widerstandes 24 halb so graß wie der Widerstandswert des Widerstandes 26.

Wenn an mindestens einem der Emitter des Transistors Ql ein niedriges Potential liegt, leitet der Transistor Ql, so daß er wie in der Schaltung nach Fig. 1 ein Kollektorpotential von 0,6 V hat. An dem Basis-Emitter-fibergang des Transistors Q2 liegt keine Durchlaßvorspannung, und es fließt kein Strom durch die Widerstände 24, 26 und die Diode D. Wie in der Fig. 1 bleibt der Transistor Q5 gesperrt und beträgt das Kollektorpotential des Transistors 3,4 V. Die Spannungen an den Transistoranschlüssen entsprechen den ohne Klammern angegebenen Werten und sind gleich den Spannungen an den entsprechenden Anschlüssen in Fig. 1.

Die Schaltung hat jedoch eine andere Funktion, wenn an allen Eingängen des Transistors Ql ein hohes Potential liegt. In diesem Fall leitet der Transistor C2 und ist der Transistor Q5 leitfähig. Bei einem Spannungsabfall von 0,8 V an dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors Q5 liegt an der Verbindung zwischen den Widerständen 24 und 26 eine Spannung von 0,8 V. Wenn in die Basis des Transistors Q5 ein vernachlässigbarer Strom fließt, fließt der gesamte durch den Widerstand 26 fließende Strom auch durch den Widerstand 24. Da der Widerstandswert des Widerstandes 24 nur halb so groß ist wie der des Widerstandes 26, ist auch der Spannungsabfall an den Widerstand

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nur halb so groß wie der Spannungsabfall an dem Widerstand Da an dem* Widerstand 26 ein Spannungsabfall von 0,8 V liegt, hat der Spannungsabfall an dem Widerstand 24 einen Wert von 0,4 V und wird der Emitter des Transistors 02 auf einem Potential von 1,2 V gehalten. Bei einem Spannungsabfall von 0,8 V an dem Basis-Emitter-Übergang des Transistors 02 wird die Basis des Transistors auf 2 V gehalten. Bei demselben Spannungsabfall an dem Basis-Kollektor-Übergang des Transistors Ql wird die Basis des Transistors Ql auf einem Potential von 2,8 V gehalten.

Wesentlich ist, daß der Emitter des Transistors Q2 jetzt auf einer Spannung von 1,2 V anstatt von 0,8 V gehalten wird und der Emitter des Transistors 02 über die Diode D mit dem Kollektor des Transistors 05 gekoppelt ist. An der Diode D liegt derselbe Spannungsabfall wie an dem Basis-Emitterübergang eines Transistors. In der Praxis kann die Diode D aus einem Transistor bestehen, dessen Kollektor- und Basisanschluß miteinander verbunden sind. Bei einem Spannungsabfall von 0,8 V an der Diode D liegt an der Kathode der Diode eine Spannung von 0,4 V. Infolgedessen wird der Kollektor des Transistors 05 auf 0,4 V gehalten, weil er über die Diode D mit dem Potential von 1,2 V gekoppelt ist, das an dem Emitter des Transistors Q2 vorhanden ist. Der Transistor Q5 wird nicht gesättigt, weil seine KoIlektorspannung nicht auf 0,2 V sinkt.

Bei einem Spannungsabfall von 0,2 V zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß des Transistors 02 wird der Kollektor des Transistors Q2 auf einem Potential von 1,4 V gehalten. Da der Transistor Q4 ein Emitterpotential von 0,4 V hat, ist an den Basis-Emitter-Übergängen' der Transistoren Q3 und Q4 ein Spannungsabfall von 1 V vorhanden. Beide Transistoren sind gesperrt, und unter der Annahme gleicher Spannungsabfälle an beiden übergängen hat der Transistor Q3 das angegebene Emitterpotential von 0,9 V.

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AO

Der Ausgangspegel an dem Anschluß 40 ist mit 0,4 V zwar höher als der Pegel von 0,2 V in der Schaltung nach Fig. 1, kann aber immer noch als "niedriger" Pegel in einer integrierten TTL-Schaltung angesehen werden. Infolge des jetzt höheren "niedrigen" Pegels kann der Transistor Q5 jedoch viel schneller gesperrt werden. Die in der Basis-Kollektor-Kapazität des Transistors Q5 gespeicherte Ladung ist viel kleiner und wird durch den Widerstand 26 schnell abgeführt, wenn zum Sperren des Transistors Q5 an einen de>r Eingänge des Transistors Ql ein nur niedriges Potential gelegt wird. Das Potential an dem Kollektor des Transistors Q5 steigt infolgedessen schneller als in der bekannten Schaltung nach Fig. 1.

Das "niedrige" Kollektorpotential des Transistors Q5 ist von den Widerstandswerten der Widerstände 24 und 26 abhängig. Die Verbindung zwischen den beiden Widerständen wird infolge des Spannungsabfalls an den Basis-Emitter-Übergang des Transistors QS auf 0,8 V gehalten. Das Verhältnis zwischen den Widerstandswerten der Widerstände bestimmt das Potential an der Verbindung zwischen der Diode D und dein Widerstand 24. Das Potential an dem Ausgang 40 ist um 0,8 V niedriger als das Potential an dieser Verbindung. Beispielsweise kann man das "niedrige" Potential an dem Anschluß 40 auf etwas über 0,4 V anheben, z.B. auf 0,5 V, wenn man den Widerstandsv/ert des Widerstandes 24 etwas erhöht, so daß das Potential an der Verbindung zwischen dem Widerstand und der Diode D um 0,1 V erhöht wird.

Vorstehend wurde ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben, das im Pvahmen des Erfindungsgedankens abgeändert und durch andere Anordnungen ersetzt werden kann.

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Claims

Al

Patentansprüche

Iy Ungesättigte Logikschaltung, gekennzeichnet durch einen Ausgangstransistor mit einem Emitter-, °inem Basis- und einem Kollekto-ranschluß, eine erste Potential quelle, die mit dem Emitteranschluß verbunden ist, einen Spannungsteiler mit einer ersten und einer zweiten Impedanz, die in Reihe geschaltet sind, wobei die erste Impedanz am einen Ende mit der ersten Potentialguelie und die Verbindung zwischen den beiden Impedanzen mit dem Basisanschluß verbunden ist, eine Diodenschaltung, die zv/ischen dem Koll?ktoranschluß und dem anderen Ende der zweiten Impedanz eingeschaltet ist, eine Steuereinrichtung zum Erzeugen eines solchen Stromflusses durch diö erste und zweite Impedanz, daß der Ausgangstransistor leitfähig und das Potential des Kollektroanschlusses gesenkt wird, eine zweite Potentialquelle mit einem höheren Potential als die erste Potentialquelle und eine Einrichtung, welches es der zweiten Potentialquelle ermöglicht, bei gesperrtem Ausgangstransistor das Potential des iCdllektoranschlusses zu erhöhen.
2. Ungesättigte Iiogikschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Widerstandswerten des ersten und zweiten Impedanzgliedes ein solches Verhältnis besteht, daß bei leitender Diodenschaltung und bei leitendem Ausgangstransistor das Potential an dem Kollektoranschluß so hoch ist, daß eine Sättigung des Ausgangstransistors verhindert

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3. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Impedanz Widerstände sind.
4. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Erhöhen des Potentials einen Stromverstärker aufweist, der zwischen der zweiten Potentialquelle und dem Kollektroanschluß eingeschaltet ist.
5. Ungesättigte Logikschaltung, gekennzeichnet durch einen Ausgangstransistor mit einem Emitter-, einem feasis- und einem Kollektoranschluß, eine erste Potentialquelle, die mit dem Emitteranschluß gekoppelt ist, einen Spannungsteiler mit einer ersten und einer zweiten Impedanz, die in Reihe geschaltet sind, wobei das eine E±nde der ersten Impedanz mit dem Emitteranschluß und die Verbindung zwischen den beiden Impedanzen mit dem Basisanschluß verbunden ist, eine zwischen dem Kollektoranschluß und dem anderen Ende der zweiten Impedanz eingeschaltete Diodenschaltung, eine Steuereinrichtung zum Erzeugen eines solchen Stromflusses durch die erste und zweite Impedanz, daß der Ausgangstfansistor leitfähig und die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor-und dem Emitteranschluß gesenkt wird, eine zweite Potentialquelle und eine Einrichtung, die es der zweiten Potentialquelle ermöglicht, bei gesperrtem Ausgangstransistor die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor und dem Emitteranschluß zu erhöhen.

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6. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen den Widerstandswerten der ersten und zweiten Impedanz derart gewählt ist, daß bei leitender Diodenschaltung und leitendem Ausgangstransistor die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß so hoch ist, daß eine Sättigung des Ausgangstransistors verhindert wird.
7. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Impedanz Widerstände sind.
8. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die eine Erhöhung der Potentialdifferenz ermöglicht, einen Stromverstärker aufweist, der zwischen der zweiten Potentialquelle und dem Kollektoranschluß eingeschaltet ist.
9. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite' Impedanz Widerstände sind.
10. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die eine Erhöhung der Potentialdifferenz ermöglicht, einen Stromverstärker aufweist, der zwischen der zweiten Potentialquelle und dem Kollektoranschluß eingeschaltet ist.

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11. Ungesättigte Logikschaltung, gekennzeichnet durch eine» Ausgtmgstransistor mit einem Emitter-,einem Basis- unö einem Kollextoranschluß, eine erste Potentialquelle, die IrJt dem ersten Emivteranschluß gekoppelt ist, eine» Impedanzen aufwexsenden Span*. »m.t/3 teiler mit drei Anschlüssen, von denen einer mit dem Emitteraribciilut». ein zweiter mit dem Basisanschluß und der dritte durch eine Begrenzerschaltung mit dem Kollektoranschluß verbunden ist, eine Steuereinrichtung, die in dem Spannungsteiler einen solchen Stromfluß erzeugt, daß der Ausgangstransistor'leitfähig und die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß gesenkt wird, eine zweite Potentialquelle und eine Einrichtung, die es der zweiten Potentialquelled ermöglicht, bei gesperrtem Ausgangstransistör die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß zu erhöhen»
12. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler derart ausgelegt ist, daß bei wirksamer Begrenzerschaltung und leitendem Ausgangstransistor die Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluß so hoch ist, daß eine Sättigung des Ausgangstransistors verhindert wird.
13. Ungesättigte Logikschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung, die eine Erhöhung der Potentialdiflerenz ermöglicht, einen Stromverstärker aufweist, der zwischen der zweiten Potentialquelle und dem Kollektoranschluß eingeschaltet ist.

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