DE2127545A1

DE2127545A1 - Transistor Gate Schaltung

Info

Publication number: DE2127545A1
Application number: DE19712127545
Authority: DE
Inventors: Mitsuo Fujisawa Kanagawa Ohsawa (Japan) H03k 13 32
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1970-06-09
Filing date: 1971-06-03
Publication date: 1971-12-16
Also published as: FR2096060A5; GB1365914A; US3705313A; NL170355C; DE2127545C3; CA931234A; NL7107854A; GB1365915A; DE2127545B2

Description

It 1871

Sony Corporationj Tokyo / Japan

Translstor-Gate-Sehaltung

Die Erfindung betrifft eine Transistor-Gate-Schaltung, die ein Signal intermittierend hindurchläßt, insbesondere eine Transistor-Gate-Schaltung dieser Art, die sich als integrierte Schaltung eignet.

In einem Signalübertragungssystem wird eine Gate-Schaltung zur intermittierenden Durchsteuerung eines kontinuierlichen Signales verwendet, um ein Trägersignal vorgegebener konstanter Frequenz und Amplitude mit einem bestimmten Signal zu modulieren oder um ein moduliertes Signal zu demodulieren. Zu diesem Zweck wurde bereits eine Transistor-Gate-Schaltung vorgeschlagen. So ist beispielsweise ein npn-Transistor zwischen dem Ausgangsanschluß einer Signalquelle zur Erzeugung eines kontinuierlichen Signales und Masse so angeordnet, daß sich der Emitter des Transistors auf der Seite der Masse befindet. Ein Gate-Signal wird der Basis des Transistors zugeführt und bringt den Transistor intermittierend in den leitenden und gesperrten Schaltzustand·. Ist der Transistor leitend, so wird das Signal von der Signalquelle über den Kollektor und Emitter des Transistors by-pass-artig nach Masse geführt; nur dann, wenn sich der Transistor im gesperrten Schaltzustand befindet, erhält man das Signal der Signalquelle am Kollektor. Wenn jedoch bei dieser Anordnung das Signal der Signalquelle negativ ist und sich der Transistor im Sperrzustand befindet, so ist sein Kollektorpotential niedriger als das Basispotential, so daß eine zwischen Basis und Kollektor gebildete Diode leitend ist; hierdurch wird die Impedanz zwischen diesen Elektroden verringert, so daß ein Signal am Kollektor verkleinert wird;

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es besitzt eine unterdrückte Wellenform, so daß insgesamt das Ausgangssignal eine unsymmetrische Verzerrung aufweist.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Transistor-Gate-Schaltung so auszubilden, daß ein Signal intermittierend übertragen wird, ohne daß sich in der Wellenform des Ausgangssignales Verzerrungen ergeben. Die erfindungsgemäße Schaltung soll sich ferner zum Aufbau als integrierte Schaltung eignen. Die Erfinfe dung betrifft ferner Modulator- und Demodulatorschaltungen mit den erfindungsgemäß ausgetalteten Transistor-Gate-Schaltungen.

Die Erfindung besteht im wesentlichen darin, daß Schaltungselemente vorhanden sind, die dem Schalttransistor eine Vorspannung zuführen, so daß dieser während seines nicht leitenden Schaltzustandes im wesentlichen inaktiv ist.

Diese und zahlreiche weitere Merkmale der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung einiger Ausführungsbeispiele hervor. In der Zeichnung zeigen

Fig.l ein Schaltbild eines üblichen Gate-Kreises;

Fig.2 ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen Gate-Kreises;

Fig.3 ein Schaltbild einer Schaltung mit dem Gate-Kreis derFig.2 sowie einem zugehörigen Speisekreis;

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Pig.^ und 5 Schaltbilder einer Frequenzmodulations-Stereodemodulatorschaltung mit dem Gate-Kreis der Fig.2;

Fig.6 ein Schaltbild eines die Gate-Schaltung der Fig.2 enthaltenden symmetrischen Modulators oder Demodulators.

Zum besseren Verständnis der Erfindung sei zunächst anhand von Fig.l ein Ausführungsbeispiel einer bekannten Torschaltung erläutert.

Bei den bekannten Torschaltungen liegt die Reihenschaltung eines Widerstandes 3 und eines Schalttransistors 5 an den Eingangsanschlüssen 1 und 2; Ausgangsanschlüsse 6 und 7 sind mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 3 und dem Schalttransistor 5 bzw. mit dem einen Eingangsanschluß, beispielsweise dem Eingangsanschluß 2 auf der Masseseite, verbunden. Eine Gate-Signalquelle 4, die beispielsweise eine Rechteckwelle erzeugt, ist mit der Basis des Schalttransistors 5 verbunden, so daß man an den Ausgangsanschlüssen 6 und 7 ein Ausgangssignal S_Q erhält, das intermittierend durch das Gate-Signal abgeschnitten wird.

Ist der Schalttransistor 5 ein npn-Transistor und ist der Eingangsanschluß 1 negativ, so ist das Kollektorpotential des Transistors 5 niedriger als das Basispotential, so daß eine zwischen Basis und Kollektor gebildete Diode leitend ist; hieraus ergibt sich eine unsymmetrische Verzerrung der Wellenform des Ausgangssignales S_Q, indem der Scheitelwert der negativen Seite unterdrückt wird.

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Durch die Erfindung wird diese unsymmetrische Verzerrung verhindert.

Anhand von Fig.2 sei nun die Erfindung erläutert. Die Reihenschaltung eines Widerstandes 13, eines Schalttransistors 15 und einer Vorspannungsquelle 22 liegt zwischen den Signaleingangsanschlüssen 11,12. Die Basis des Schalttransistors 15 ist mit dem Anschluß 12 über einen Transistor 18 verbunden, dessen Basis an eine Gate-Signalquelle 14 angeschlossen ist, die ein Gate-Signal erzeugt. Ausgangsanschlüsse 16,17 sind mit dem Kollektor des Transistors 15 und mit dem Anschluß 12 verbunden. Ist der Schalttransistor 15 ein npn-Transistor, so wird die negative Elektrode der Vorspannungsquelle 22 mit Masse verbunden,während die positive Elektrode an den Emitter des Schalttransistors 15 angeschlossen wird. Der Basis des Transistors 15 wird von einer positiven Spannungsquelle +B über Widerstände 23 und 19 eine Vorspannung zugeführt; eine Diode 20 liegt über einen Widerstand zwischen Basis und Emitter des Transistors 15 derart, daß eine leitende Verbindung für die Vorspannung vorhanden ist. Der Basisstrom des Transistors 15 wird durch d ie leitende Diode 20 konstant gehalten; der Schalt-

ψ transistor 15 wird gesperrt, wenn sich der Transistor im leitenden Zustand befindet und er wird leitend, wenn der Transistor 18 gesperrt ist.

.Die innere Impedanz der Vorspannungsquelle 22 ist vorzugsweise annähernd Null; der Widerstand 13 wird verhältnismäßig hoch gewählt, beispielsweise 10 kil.

Während bei der obigen Ausführung der Schalttransistor 15 im leitenden Zustand bleibt, wird den Ausgangs-

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anschlüssen l6 und 17 kein Eingangssignal zugeführt; solange der Schalttransistor 15 im gesperrten Zustand bleibt, erscheint an den Ausgangsanschlüssen 16,17 ein Potential entsprechend dem Eingangssignal.

Bei dieser Reihenschaltung der Vorspannungsquelle 22 mit dem Schalttransistor 15 wird auch dann, wenn das an den Eirigangsanschlüssen 11,12 zugeführte Eingangssignal durch die Schaltung hindurchläuft, wenn also der Transistor 15 gesperrt ist, der Kollektor des Transistors 15 mit einem vorbestimmten Potential von der Vorspannungsquelle 22 gespeist; das Basispotential des Transistors 15 wird durch den leitenden Transistor 18 etwa auf Massepotential gehalten; es wird also das Basispotential durch die Vorspannung niedriger als das Kollektorpotential gehalten, so daß der Transistor 15 vollständig inaktiv sein kann, so daß eine unsymmetrische Verzerrung des Ausgangssignales S₀ an den Ausgangsanschlüssen 16,17 vermieden wird.

Ein mit dem Ausgangsanschluß 16 verbundener Transistor 24 ist ein Verstärkungstransistor. Ein parallel zur Reihenschaltung des Widerstandes 13 und des Transistors 15 geschalteter Widerstand 21 hält den Kollektor und den Emitter des Transistors 15 etwa auf gleichem Potential und verhindert, daß das Eingangssignal über die Vorspannungsquelle 22 nach Masse abgeleitet wird. Indem man den Kollektor und Emitter des Schalttransistors 15 auf gleichem Potential hält, kann verhindert werden, daß im Ausgangssignal der Gate-Schaltung eine auf dem nicht leitenden Schaltzustand des Transistors 15 beruhende Offsetspannung erzeugt wird. Ist das Eingangssignal an den Anschlüssen 11 und 12 gleich Null, so ist es auch möglich, daß das Aus- " gangssignal an den Anschlüssen 16,17 völlig auf Null reduziert wird. Ein Trägerleck kann also verhindert werden.

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Durch die Erfindung wird somit eine Speiseschaltung mit kleiner Innenimpedanz geschaffen, die eine Vorspannung der oben beschriebenen Gate-Schaltung zuführt. Im folgenden soll nun die Speiseschaltung im einzelnen erläutert werden.

In Fig.3 bezeichnet A die erläuterte Gate-Schaltung und B eine Speiseschaltung zur Versorgung der Gate-Schaltung A mit einer Vorspannung. Die Speiseschaltung B enthält einen Transistor 25, der durch eine Zener-Diode 29 auf konstanter Vorspannung gehalten wird; Transistoren P 26 und 27 leiten eine Basisvorspannung vom Emitter des Transistors 25 ab. Weiterhin ist ein Transistor 28 in Reihe mit dem Transistor 26 geschaltet und wird mit einer konstanten Vorspannung von einem der Verbindungspunkte der Dioden 3Oj31j32" versorgt (beim dargestellten Ausführungsbeispiel vom Verbindungspunkt zwischen den Dioden 30 und 3D.

Die Transistoren 25,26 und 27 sind als Emitterfolger geschaltet, wobei ihre Basen auf konstanter Vorspannung gehalten werden und von den Emittern der Transistoren 26, 27 eine Vorspannung den Eingangsanschlüssen 11 und 12 der Gate-Schaltung A zugeführt wird. Ein Anschluß 33 ist mit ψ der Basis des Transistors 26 verbunden und wird mit einem Eingangssignal versorgt, das intermittierend durch die Gate-Schaltung hindurchlaufen soll.

Bei einer solchen Anordnung kann die Ausgangsimpedanz der Speiseschaltung B an den Anschlüssen 11 und 12 genügend niedrig gemacht werden, so daß man ein großes Gate-Verhältnis der Gate-Schaltung A erhält. Die Basisvorspannungen der Transistoren 26 und 27 werden vom Emitter des gemeinsamen Transistors 25 abgenommen; die Vorspannungen werden von den Emittern der Transistoren 26,27 den Ein-

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gangsanschlüssen 11,12 zugeführt. Man kann daher die Gleichspannungspotentiale an den Anschlüssen 11 und 12 einander etwa gleich machen, so daß sich keine Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Schalttransistors 15 ergibt; auf diese Weise kann man eine Offsetspannung zwischen den Ausgangsanschlüssen 16 und 17 der Gate^-Schaltung A vermeiden.

Die Erfindung betrifft ferner einen abgeglichenen Modulator oder eine ähnliche Schaltung mit ausgezeichneter Charakteristik, die die oben erläuterte Gate-Schaltung verwendet. Fig.4 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer solchen Schaltung.

In Fig. 4 bezeichnet A eine Gate-Schaltung und B die Speiseschaltung gemäß Fig.3> die etwa die gleichen Spannungen zwischen den Kollektoren und Emittern der Schalttransistoren 15a, 15b der Gate-Schaltung A zuführt.

Es sind hierbei zwei der zuvor beschriebenen Gate-Schaltungen vorgesehen, die zum Zwecke einer symmetrischen (Gegentakt-) Modulation, Phasengleichrichtung oder dgl. intermittierend gesteuert werden.

Anhand des dargestellten Ausführungsbeispieles soll die Erfindung in ihrer Anwendung auf einen Frequenzmodulations-Stereodemodulator erläutert werden, wobei ein zusammengesetztes Stereosignal einem Eingangsanschluß 33 zugeführt wird und von den Ausgangsanschlüssen 36a und 36b linke und rechte Signale abgenommen werden.

Ein Eingangsanschluß 37 wird mit einem Gate-Signal von 38 kHz versorgt. Das Gate-Signal wird einem Transistor l8b zugeführt, der zusammen mit einem Transistor I8a einen Differentialverstärker bildet. Signale entgegen-

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gesetzter Phasen werden von den Kollektoren der Transistoren l8a, 18b abgenommen. In diesem Falle wird das Gate-Signal durch einen Widerstand 34 gesperrt und dem Transistor l8a kein Signal zugeführt. Das Gate-Signal gelangt zu den Basen zweier Schalttransistoren 15a, 15b. Diese Schalttransistoren 15a, 15b sind über die Eingangsanschlüsse 12 und 11 und Widerstände 13a, 13b mit Vorspannungsquellen 38,39 verbunden, die Transistoren 27,26 enthalten; hierdurch werden die Spannungen an den Reihenschaltungen der Transistoren 15a, 15b und der Widerstände 13a, 13b einander gleich groß gemacht.

Die Schalttransistoren 15a, 15b werden somit abwechselnd durch die Transistoren l8a, 18b, die den Differentialverstärker bilden, leitend gemacht und gesperrt, so daß sich an den Verbindungspunkten der Transistoren 15a, 15b und der V/iderstände 13a, 13b demodulierte Stereosignale ergeben. Transistoren 2¹Ia, 24b bilden einen Differentialverstärker, der das demodulierte Stereosignal verstärkt; ihre Kollektoren sind mit den Ausgangsanschlüssen 36a, 36b verbunden. Durch Einstellen eines veränderlichen Widerstandes 35, der im Kmitterkreis der . Transistoren 24a, 24b liegt, kann man die Trennung des linken und rechten Signales einstellen.

Bei dem Frequenzmodulations-Stereodemodulator, bestehend aus zwei Gate-Schaltungen gemäß Fig.2, ergibt sich weder eine unsymmetrische Verzerrung, noch eine Offset-Ausgangsspannung; man erhält daher demodulierte Stereosignale ohne Trägerleck (carrier-leak).

Fig.5 veranschaulicht eine abgewandelte Ausführung der Stereodemodulatorschaltung gemäß Fig.4, die eine Dämpfungsfunktion erfüllen kann. In diesem Falle sind die

Emitter der Transistoren l8a, l8b, die den Differentialverstärker bilden, beide über eine Konstantstromquelle geerdet, und zwar bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel über einen Transistor 45 und eine hiermit in Reihe liegende Reihenschaltung von Widerständen 47,48. Damit die Transistoren 18a, 18b, die den Differentialverstärker bilden, so gesteuert werden können, daß sie für die Dämpfungsfunktion leitend gemacht und gesperrt werden, werden die Transistoren 4O,4l als Schaltelemente verwendet. Die Basis des Transistors 40 ist mit einem Anschluß 22 verbunden; sein Kollektor ist über einen Widerstand 43 an die Basis des Transistors 41 angeschlossen, dessen Kollektor an den Verbindungspunkt der Widerstände 47,48 angeschlossen ist; die Emitter der Transistoren 40, 41 liegen beide an Masse. Der Anschluß 42 wird mit einem Dämpfungssteuersignal versorgt, um den Transistor 40 im Zeitpunkt der Verstimmung leitend zu machen.

Die Emitter der Transistoren 15a, 15b sind ferner über einen Widerstand 44 mit dem Kollektor des Transistors 40 verbunden, so daß eine Schwankung des Gleichspannungspotentiales an den Ausgangsanschlüssen 36a, 36b während des Dämpfungsvorganges verhindert wird.

Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß Fig.5 ist folgendermaßen: Während ein Empfänger eine Stereo-Rundfunksendung aufnimmt, wird dem Anschluß 42 kein Dämpfungsr signal zugeführt; der Transistor 40 befindet sich daher im nicht leitenden Zustand, der Transistor 4l dagegen im leitenden Zustand, demgemäß ebenso auch der Transistor 45. Die Transistoren 18a und 18b, die den Differentialverstärker bilden, werden daher durch ein vom Anschluß 37 abgenommenes Schaltsignal in entgegengesetzter Phase leitend gemacht und gesperrt; linke und rechte Signale, die in gleicher

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Weise wie bei Fig.4 demoduliert wurden, werden an den Anschlüssen 36a, 36b abgenommen.

Im Falle der Verstimmung wird dagegen das Dämpfungssignal dem Anschluß 42 zugeführt, so daß der Transistor leitend und der Transistor 41 und demgemäß auch der Transistor 45 gesperrt werden. Die Transistoren 18a, l8b, die den Differentialverstärker bilden, werden infolgedessen gesperrt, wodurch die beiden Schalttransistoren 15a, 15b leitend werden. Infolgedessen wird das Signal gesperrt und man erhält an den Ausgangsanschlüssen 36a, 36b keine Ausgangssignale; auf diese Weise ist eine Dämpfung erfolgt.

Wenngleich die Erfindung in ihrer Anwendung bei einer Frequenzmodulations-Stereodemodulator-Schaltung erläutert wurde, so ist sie doch in gleicher Weise auch bei Gegentakt-Modulator-oder Demodulatorschaltungen verwendbar.

Flg.6 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer symmetrischen (Gegentakt-) Modulator- oder Demodulatorschaltung gemäß der Erfindung. Die Emitter der Transistoren 24a, 24b, denen Signale zugeführt werden, die vom Verbindungspunkt der Schalttransistoren 15a, 15b und der Widerstände 13a, 13b abgenommen werden, liegen an Masse; die Kollektoren der Transistoren 24a, 24b sind zusammengeschaltet. Ein Lastwiderstand 49 liegt zwischen desem gemeinsamen Verbindungspunkt und einer Stromquelle +B; der Verbindungspunkt der Kollektoren der Transistoren 24a, 24b ist mit einem Ausgangsanschluß 50 verbunden. In diesem Falle werden Signale entgegengesetzter Phasen zwischen den Eingangsanschlüssen 11a, 11b und 12 zugeführt, so daß man am Anschluß 50 ein symmetrisch moduliertes Signal f_Q bzw. ein demoduliertes Signal erhält.

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Wie aus der vorhergehenden Beschreibung deutlich wird, erzeugt die erfindungsgemöße Gate-Schaltung weder eine unsymmetrische Verzerrung, noch eine Offset-Ausgangsspannung; durch Verwendung der Gate-Schaltung erhält man einen symmetrischen Modulator, einen Demodulator oder e inen Frequenzmodulations-Stereodemodulator, der keine Verzerrung und keine Trägerableitung (carrier leak) verursacht. Modulator und Demodulator ohne Trägerableitung sind außerordentlich nützlich. Die erfindungsgemäße Schaltung besteht ferner aus Transistoren desselben Typs und verwendet keine induktiven und kapazitiven Elemente; sie eignet sich üaher sehr für einen Aufbau in Form einer integrierten Schaltung.

Es versteht sich ferner, daß die erfindungsgemäße Schaltung nicht auf einen symmetrischen Modulator, Demoaulator oder Frequenzmodulations-Stereodemodulator beschränkt ist, sondern beispielsweise auch als Phasenmodulator und Demodulator, als Frequenzmischer oder als Synchrondetektor verwendet werden kann.

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Claims

Patentansprüche

1.) Transistor-Gate-Schaltung, enthaltend

a) Schaltungselemente zur Signalübertragung mit einem Eingangsanschluß und einem Ausgangsanschluß, wobei ein Signal vom Eingangsanschluß zum Ausgangsanschluß übertragen wird,

b) Schaltungselemente zum Shunten des Signales, die mit den Schaltungselementen zur Signalübertragung vom Eingangsanschluß zum Ausgangsanschluß verbunden sind und wenigstens einen Schalttransistor enthalten, der einen Shunt beim Schaltvorgang des Schalttransistors bildet und das Signal zu den Schaltungselementen zur Signalübertragung hindurchläßt ,

c) eine Signalquelle, die ein Gate-Signal den Shunt-Schaltungselementen zuführt und bewirkt, daß der Schalttransistor den Schaltvorgang ausführt,

.dadurch gekennzeichnet, daß Schaltungselemente vorhanden sind, die dem Cchalttransistor eine Vorspannung zuführen, so daß dieser während seines nicht leitenden Schaltzustandes im wesentlichen inaktiv ist.

2.) Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Shunt-Schaltungselemente das Signal intermittierend durchschalten.

3.) Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente zur Signalübertragung Impedanzelemente zwischen Eingangs- und Ausgangsanschluß enthalten und daß die Shunt-Schaltungselemente zwischen den Impeaanzelementen und dem Ausgangsanschluß vorgesehen sind.

4.) Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Shunt-Schaltungselemente einen ersten Schalttransistor enthalten, der mit den Schaltungselementen zur Signalübertragung verbunden ist und mit der Vorspannung gespeist wird, ferner einen zweiten Schalttransistor, der mit dem ersten Schalttransistor verbunden ist und durch das Gate-Signal betätigt wird, wobei der erste Schalttransistor in Abhängigkeit vom zweiten Schalttransistor gesteuert wird.

5.) Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Schalttransistor Transistoren des gleichen Typs sind.

6.) Schaltung nach Anspruch 5j dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor-Emitter-Strecke des ersten Schalttransistors zwischen den Schaltungselementen zur Signalübertragung und den Schaltungselementen zur Zuführung einer Vorspannung angeordnet ist, daß die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Schalttransistors zwischen der Basis des ersten Schalttransistors und Masse liegt und daß die Basis des zweiten Schalttransistors mit dem Gate-Signal gespeist wird.

7.) Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente zur Zuführung einer Vorspannung diese Vorspannung dem Kollektor und dem Emitter des ersten Schalttransistors zuführen.

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8.) Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente zur Zuführung einer Vorspannung zwei Ausgangsanschlüsse besitzen, an denen dieselben Gleichspannungen auftreten.

9·) Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ausgangsanschlüsse der Schaltungselemente zur Zuführung einer Vorspannung diese Vorspannung jeweils dem Kollektor bzw. dem Emitter des ersten Schalttransistors zuführen.

10.) Transistorschaltung, enthaltend zwei Transistor-Gate-Kreise mit

a) Schaltungselementen zur Signalübertragung von einem Eingangsanschluß zu einem Ausgangsanschluß,

b) Schaltungselementen zum Shunten, die mit den Schaltungselementen zur Signalübertragung vom Eingangsanschluß zum Ausgangsanschluß verbunden sind und wenigstens einen Schalttransistor enthalten sowie einen Shunt in Abhängigkeit von den Schaltvorgang des Schalttransistors bilden, wodurch das Signal zu den Schaltungselementen zur Signalübertragung durchgesteuert wird,

c) einer Signalquelle zur Zuführung eines Gate-Signales zu den Shunt-Elementen, wodurch der Schalttransistor den Schaltvorgang durchführt,

dadurch gekennzeichnet, daß Schaltungselemente vorgesehen sind, die eine Vorspannung dem Schalttransistor zuführen, so daß dieser während seines nicht leitenden Schaltzustandes im wesentlichen inaktiv ist.

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11.) Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistorkreise aufgrund des Gate-Signales abwechselnd eine Gate-Funktion erfüllen.

12.) Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangsanschluß der Schaltungselemente zur · Signalübertragung, die Gate-Signalquelle und die Schaltungselemente zur Zuführung einer Vorspannung gemeinsam für beide Transistorkreise, die die Gate-Funktion erfüllen, vorgesehen sind.

13.) Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß sie vom Lingangsanschluß der Schaltungselemente zur Signalübertragung mit einem zusammengesetzten stereophonen Schallsignal gespeist win'd und an den jeweiligen Ausgangsanschlüssen der beiden Schaltungselemente zur Signalübertragung gesonderte rechte und linke Schaltsignale erzeugt.

lh.) Schaltung nach Anspruch 13> dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin Schaltungselemente vorhanden sind, die die Signale in den Schaltungselementen zur Signalübertragung bei Zuführung eines Dämpfungssignales dämpfen.

15.) Schaltung nach Anspruch 1^, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Schaltungselemente gemeinsam für beide die Gate-Funktion erfüllenden Transistorkreise vorgesehen sind.

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