DE2126427B2

DE2126427B2 - RECEIVER INPUT SWITCH

Info

Publication number: DE2126427B2
Application number: DE19712126427
Authority: DE
Inventors: Clive Lombard; McDonald James Anthony Downers Grove; 111. Hoffman (V.St.A.)
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1970-05-28
Filing date: 1971-05-27
Publication date: 1976-05-06
Also published as: IL36893A0; FR2090340B1; GB1305698A; JPS527889B1; IL36893A; CA944026A; FR2090340A1; HK57577A; DE2126427A1

Description

2, dadurch2, thereby

schaltung (26, 78) einen Transistor (72 77) um- 35 ^^^^Χ^ _be^
fassen und daß die Basis-Em.ttcrstrecke der Tran- rakte ,st.sehc Eigens _{da sje nur} circuit (26, 78) a transistor (72 77) to 35 ^^^^ Χ ^ _be ^
grasp and that the base em.ttcr route of the tran- ract, st.seeches especially _{there sje only}

sistoren der Mischstufe und der Osz.llator-Kon- «J^^ _{ist und} einen vertrollschaltung gleichstrommaß.g zueinander par- J^^Sen Raumbedarf benötigt, der insbeallel geschaltet sind. ,nnH< re auf die Verwendung von Koppeltransforma-sistors of the mixer and the oscillator-Kon- «J ^^ _{is and} a vertrollschalt Gleichstrommaß.g each other par- J ^^ Sen required space, which are insbeallel connected. , nnH <re on the use of coupling transformers

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch ge- 40 ^^^/^^n^Ln Stufen zurückgeht, kennzeichnet, daß der Mischtransistor (3J, 73) ein to« ™»^ε*£ _inze,_{nen Stufen der} Schaltung4. A circuit according to claim 3, characterized in that 40 ^^^ / ^^ n ^ Ln steps go back, indicates that the mixer transistor (3J, 73) is a to «™» ^ε * £ _inze , _{nen stages of the} circuit

Trans_IStor mit hoher Grenzfrequenz und der Os- Außerdem wxraa _unabhängig voneinan-Trans _IS tor with high cut-off frequency and the Os- In addition, w xraa _{independent of} each other

zillatortransistor (52,77) ein Transistor mit niede- de Betnebs rom sepa B^ ^^_ zillatortransistor (52,77) a transistor with low Betnebs rom sepa B ^ ^^ _

rer Grenzfrequenz ,st, und daß am Transistor mit °"^^'^_α _{zu den} übrigen geschaltet ist und niederer Grenzfrequenz ein Spannungsabfall an 45 gungsenergieparanci^u » narallel lieeenderer limit frequency, st, and that at the transistor with ° "^^ '^ _{α is connected} _{to the} others and lower limit frequency a voltage drop at 45 energy parallel lying

der Basis-Emittersirecke entsteht, wenn diese mit gmrt über d,e: eu«elnen Sjrfen para.le^ .,egende einer Gleichspannung vorgespannt ist, die kleiner Stromkreise ^vel'^aul^"·. ¹T_1n " _pHarf _Aucu _{kann dcr} ist als der von einer Gleichstromvorspannung be- ha tnismaßig hoher LeistungjbedarL Auö, ^ _dcr dingte Spannungsabfa.. an der Basis-Emitter- ^^^^ the base Emittersirecke arises when these with GMRT over d, e: LEGEND a DC voltage is biased eu "elnen Sjrfen para.le ^ smaller circuits _can ^vel ^'aul ^" x ¹ T _1n. _"Phar f _Auc u. _dcr is as that of a direct current _bias voltage, which is relatively high power required, ^ the dependent voltage drop at the base-emitter ^^^^

"T^tu^nacHSrder Ansprüche 1 bis ⁵° sTn^ezfglich der Ag"T ^ tu ^ according to claims 1 to ⁵ ° sTn ^ plus the Ag

4, dadurch gekennzeichnet, daß am Eingang der gangssignals das der Mischs ^U 4, characterized in that at the input of the output signal that of the mixer ^U

HF-Verstärkerstufe ein Resonanzschwingkreis geregelt wird Da^us ergibt s.cHF amplifier stage a resonance circuit is regulated

aus einer Induktivität (80) und einer Kapazität ^lai^erun^^os""^ator ""^^"from an inductance (80) and a capacitance ^la i ^erun ^ ^os "" ^ator "" ^^ "

(81) angeordnet ist, daß die Eingangsklemme 55 stungsbedarf hat Der^g ^(81) is arranged that the input terminal 55 has stungsbedarf Der ^ g ^

(Ua) der Empfänger-Eingangsschaltung mit ei- bende hohe ^Le«t«ⁿ8sbcdarf fur d (Ua) of the receiver input circuit with high egg Bende ^Le "t" ⁿ 8sbcdarf for d

nem Abgriff der Induktivität (80) verbunden ist, gangsschaltung ist von Nachteil wonnnem tap of the inductance (80) is connected, gear shifting is a disadvantage

daß eine Zwischenfrequenz-Verstärkerstufc (100 Empfänger von einer c.nz.gen yerha tmsm-ßig ^that an intermediate frequency amplifier stage (100 receivers from a c.nz.gen yerha tmsm-iges ^

und 106) cineanasseitig glcichstrommäßig mit nen Batterie aus betrieben werden so len die nur cmcand 106) the cineanass side can be operated with direct current from a battery, so the cmc only

3cm Ausgang der Mischte (74) verbunden ist 6„ geringe begrenzte Energie menge abgehen konner,3cm output of the mixed (74) is connected 6 "small limited amount of energy can go out,

und daß das Ausgangssignal der ZF-Verstarker- Derartige Batterien werden deshalb verhaltn,srn..ß gand that the output signal of the IF amplifier such batteries are therefore behaved, srn..ß g

stufe (106) glcichstrommäßig zum Eingang der schnell verbraucht, so daß m«gl.chcrwc.sc das Em ·-stage (106) direct current to the input which consumes quickly, so that m «gl.chcrwc.sc the Em · -

HF-Vcrslürkcrsiufc (71) iibcrdic Impedanz (80) fiingsgcrat nicht betriebsbereit .st. wenn es hcnot.gtHF-Vcrslürkcrsiufc (71) iibcrdic impedance (80) fiingsgcrat not ready for operation. if there is hcnot.gt

zurückgekoppelt wird, um eine Bezugsspannung wird. .■,:.,.,„is fed back to a reference voltage. . ■,:.,., "

fiii die HFVerstärkerstufe zu schaHcn die von f,₅ Hs ist auch bekannt (biilischcfiii to switch the HF amplifier stage that of f, ₅ Hs is also known (biilischc

zurgpp gpzurgpp gp

fiii die HF-Verstärkerstufe zu schaHcn, die von f,₅ fiii to switch the HF amplifier stage, which is set by f, ₅

der Amplitude des Ausgr.ngssignals dc, ZF-Vc- 1 1^963), bei einer Prequcnzwandlcrsehaltung zwe, firke-si.fe -iblrinai" is- Transistoren . π Serie direkt miu-.mander /.« veibinde...the amplitude of the output signal dc, IF-Vc- 1 1 ^ 963), with a pre-frequency converter circuit two, firke-si.fe -iblrinai "is- transistors. π series direct miu-.mander /.« veibinde ...

«' «u-lialtung nach Anspruchs, dadurch ge- womit jedoch bei batteriebetriebenen Schaltungen.,."'" U-Lialtung according to claim, thereby however, with battery-operated circuits.,.

kleiner Versorgungsspannung bei einer Abstellung Jer Schaltung auf möglichst geringen Energiebedarf iine Fehlanpassung nicht zu vermeiden ist.lower supply voltage when switching off the circuit to the lowest possible energy requirement a mismatch cannot be avoided.

Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Empfänger-Eingangsschaltung zu schaffen, die gegenüber bekannten Schaltungen einen verhältnismäßig niederen Lnergiebedarf hat und daher die Energiequelle nur geringfügig belastet, wobei jedoch auch eine Anpassung der Ausgangsimpedanz der HF-Verstärkerstufe an die Eingangsimpedanz der Mischslufe gegeben sein soll.The invention specified in claim 1 is therefore based on the object of a receiver input circuit to create a relatively low energy requirement compared to known circuits has and therefore only slightly loaded the energy source, but also an adaptation of the Output impedance of the RF amplifier stage should be given to the input impedance of the mixer.

Zwar ist es dem Fachmann bekannt, Resonanzschwingkreise zur Impedanzanpassung zu verwenden, jedoch bei der Verringerung der Leistungsanforderung stößt dies bei Empfänger-Eingangsschaltungen auf Schwierigkeiten, wenn die Schaltung nicht nur miniaturisiert, sondern auch als Batteri "!gerät mit Verhältnismäßig ideinen Batterien betrieben werden soll.It is known to the person skilled in the art to use resonance circuits for impedance matching, however, in reducing the power requirement, this encounters receiver front-end circuits difficulties when the circuit is not only miniaturized, but also as a battery i should be operated by batteries.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprücheti beschrieben.Advantageous further developments of the invention are described in the dependent claims.

Der bei der Schaltung nach Anspruch 4 auftretende verhältnismäßig hohe Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Mischtransistors verursacht einen verhältnismäßig großen Strom im Steuertransistor, der seinerseits eine verhältnismäßig hohe Ausgangsamplitude für das Oszillatorsignal auslöst, das an die Basis des Mischtransistors angelegt wird. Jedoch verursacht das hochfrequente, an der Basis-Fmilteistrecke des Mischtransistors erzeugte Signal - dieses hochfrequente Signal ist nur das Oszillatorsignal oder die Kombination des HF-Signals von der HF-Verstärkerstufe mit dem Oszillatorsignal der Oszillatorstufe - eine Verringerung des mittleren Gleichspannungsabfalls an der Basis-Emitterstrecke des Mischtransistors, wobei dieser Spannungsabfall eine Funktion des Betrags des Frequenzsignals ist, das der Mischstufe zugeführt wird. Dieser von der Signalzuführung abhängige Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Mischtransistors verursacht eine Verringerung des Stromes durch den Steuertransistor, was seinerseits die Signalamplitude der vom Überlagerungsoszillator gelieferten Oszillatorschwingung verringert. Diese Rückkopplungsanordnung steuert besonders vorteilhaft die Amplitude des Oszillatorausgangssignals in Abhängigkeit von der Signalinformation, die dem Mischtransistor zugeführt wird.The relatively high voltage drop occurring in the circuit according to claim 4 at the base-emitter path the mixer transistor causes a relatively large current in the control transistor, which in turn triggers a relatively high output amplitude for the oscillator signal that is sent to the Base of the mixer transistor is applied. However, this causes high-frequency, on the basic road ice section The signal generated by the mixer transistor - this high-frequency signal is just the oscillator signal or the combination of the RF signal from the RF amplifier stage with the oscillator signal from the oscillator stage - a reduction in the mean DC voltage drop at the base-emitter path of the mixer transistor, this voltage drop being a function of the magnitude of the frequency signal that the mixer stage is fed. This voltage drop at the base-emitter path, which is dependent on the signal feed of the mixer transistor causes a reduction in the current through the control transistor, which in turn the signal amplitude of the oscillator oscillation supplied by the local oscillator is reduced. These The feedback arrangement controls the amplitude of the oscillator output signal in a particularly advantageous manner Depending on the signal information that is fed to the mixer transistor.

Es ist von Vorteil, einer oder mehrerer dieser Stufen der Empfängereingangsschaltung Bypasskondensatoren zuzuordnen, die eine Ableitung zur Versorgungsspannung und nicht zum Massepotential bzw. einem anderen Bezugspotential bewirken. Damit können Widerstände, an welchen sich Signale aufbauen, zwischen die Transistoren und das Massepotential bzw. das Bezugspotential geschaltet werden, so daß die Signalinformation von diesen Widerständen ohne komplizierten Schaltungsaufbau abgreifbar ist.It is advantageous to have one or more of these stages of the receiver input circuit bypass capacitors be assigned that is a derivation to the supply voltage and not to the ground potential or cause a different reference potential. With this, resistors, on which signals build up, can be connected between the transistors and the ground potential or the reference potential, so that the signal information from these resistors can be tapped without complicated circuit construction.

Die Erfindung ist nachfolgend beschrieben. Es zeigtThe invention is described below. It shows

Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Empfängereingangssehaltung gemäß der Erfindung,Figure 1 is a block diagram of a receiver input port according to the invention,

Fig. 2 ein Schaltbild einer Ausfühningsform einer Kmpfängereingangsschaltung.Fig. 2 is a circuit diagram of an embodiment of a Receiver input circuit.

Fig. 3 eine äquivalente Gleichstromschaltung dei Fmpfängereingangsschaltung gemäß Fig. 2, aus dei die verschiedenen Gleichstromkopplungen /wische den einzelnen Transistoren erkennbar : iiidFig. 3 shows an equivalent direct current circuit dei Receiver input circuit according to FIG. 2, from which the various direct current couplings / wipe recognizable by the individual transistors: iiid

Fig. 4 eine weitere Ausführungsform eine: !Inipfitngereingangsschallung gemäß der Erfindung.4 shows a further embodiment of an input sound system according to the invention.

Das in Fig. 1 dargestellte Blockdiagramm eine'The block diagram shown in Fig. 1 a '

Empfangereingangsschaltuiig 10 besitzt einen HF-Eingang 12, der mit einer Antenne verbunden werden kann und die von einer geeigneten Sendestation ausgesendeten HF-Signaie empfängt. Diese HF-Signale werfen in ZF-Signale umgewandelt und einer Einrichtung 14 zugeführt, in welcher die ZF-Signale verarbeitet werden.Receiver input switch 10 has an RF input 12, which can be connected to an antenna and receives the RF signals transmitted by a suitable transmitting station. These RF signals throw converted into IF signals and a facility 14, in which the IF signals are processed.

Eine HF-Verstärkerstufe 16 empfängt die HF-Signale und überträgt diese nach -einer Verstärkung an den Eingang 18u einer Mischstu^fc 18. Ein Betriebspotential B + wird an die Eing .ngsi'.lemme 20 der Mischstufe 18 angelegt, so daß auf Grunu der Gleichstromkopplung 22 ein gemeinsamer Strom durch die Mischstufe 18 und die HF-Verstärkerstufe 16 fließt. Diese Gleichstroinkopplung zwischen der Mischstufe und der HF-Verstärkerstufe verringert den Strombedarf dieser Stufen erheblich im Vergleich zum Strombedarf, der bei der üblichen unabhängigen Betriebsweise auftritt. Damit wird bezüglich des von der Stromversorgung B -+ über die Mischstufe 18 und die HF-Verstärkerstufe 16 gemeinsam fließenden Stromes heim Betrieb dieser Stufen e>n wesentlicher Anteil an Verlustleistung eingespart.An RF amplifier stage 16 receives the RF signals and transmits them to -this gain to the input 18u a Mischstu ^f c 18. An operating potential B + is applied to the inputs .ngsi'.lemme 20 of the mixing stage 18 is applied, so that on Grunu the direct current coupling 22, a common current flows through the mixer stage 18 and the RF amplifier stage 16. This DC coupling between the mixer stage and the RF amplifier stage significantly reduces the power requirement of these stages compared to the power requirement that occurs in the usual independent mode of operation. With regard to the current flowing jointly from the power supply B - + via the mixer stage 18 and the HF amplifier stage 16 during the operation of these stages e> n, a significant proportion of power loss is saved.

Ein Überlagerungsoszillator 24 ist mit seiner Ausgangsklemme 24a an die zweite Eingangsklemme 18/) der Mischstufe 18 gleichstrommäßig angeschlossen, so daß das HF-Signal und das Oszillatorsignal in der Mischstufe überlagert wird und ein Diffcrenzsignal mit der gewünschten ZF liefert. Diese Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangsklcmme 24a des Überlagerungsoszillators 24 und der Eingangsklemmc 18fr der Mischstufe 18 führt zu der Einsparung der für eine Wechselstromkopplung nötigen Komponente, die üblicherweise aus einem Transformator besteht. Durch diesen speziellen Aufbau ist es möglich, die Empfängereingangsschaltung 10 verhältnismäßig kleinvolumig und mit einem Minimum an Komponenten aufzubauen, wodurch sich die Kosten im Vergleich mit bisher bekannten Empfängereingangsschaltungen beträchtlich verringern lassen.A local oscillator 24 is connected with its output terminal 24a to the second input terminal 18 /) the mixer 18 connected with direct current, so that the RF signal and the oscillator signal in the Mixer stage is superimposed and provides a difference signal with the desired IF. This DC coupling between the output terminal 24a of the local oscillator 24 and the input terminalc 18fr of the mixer 18 leads to the saving of the components necessary for an alternating current coupling, which usually consists of a transformer. This special structure makes it possible to the receiver input circuit 10 is relatively small in volume and with a minimum of components build up, whereby the costs in comparison with previously known receiver input circuits can be reduced considerably.

Um sicherzustellen, daß der Signalpegel des an die Eingangsklemmc 18fr der Mischstufe 18 angelegten Signals den richtigen Wert besitzt, ist eine Oszillatorkontrollschaltung 26 vorgesehen, deren Ausgangsklemme 26a direkt mit der Eingangsklemme 24fr des Überlagerungsoszillators 24 gekoppelt ist und die Amplitude der Oszillatorschwingung regelt. Die Amplitudenregelung der Oszillatorfrequenz wird durch eine Parallelschaltung der Eingangsklemmen 26 fr und 26c der Oszillatorkontrollschaltung 26 zu den Eingangsklemmen I80 und 18fr der Mischstufe 18 bewirkt. Die Oszillatorkontrollschaltung 26 wird dann entsprechend dem an den Eingangsklemmen 18« und 18fr liegenden Potential gesteuert, wobei dieses Potential seinerseits oroportional dem Wert des Signals ist, das in die Mischstufe 18 eingespeist wird. Ist ζ. Β der Signalpegel am Ausgang des uberlagerungsoszillators 24 wesentlich höher als dar Signalpegel von dei Verstärkerstufe 16, so fällt das Potential zwischen der Klemmen 18« und 18fr ah und bewirkt cntsprechcnc eine Verringerung de¹- Ausgangssignals der Oszilla- !!^kontrollschaltung 26. das seinerseits die Amplitude der Os/.illatorfrei.ji.ien.·· i-ntsprerhend verringert. Diese Schaltl"''eisanordi)uii£; bewirk! eine geschlossene Schk'iicnnickuopplimp,, die auf die der Mischstufc Ii /.ugel'übrtcn Signal- anspricht, so daß immer der rieh· ti»e Signalpcgei invisdion dem HF-Signa! an der Einrntn: 18.; mid dem ')s/iilatorsignal an deiIn order to ensure that the signal level of the signal applied to the input terminal 18fr of the mixer 18 has the correct value, an oscillator control circuit 26 is provided, the output terminal 26a of which is directly coupled to the input terminal 24fr of the local oscillator 24 and controls the amplitude of the oscillator oscillation. The amplitude control of the oscillator frequency is brought about by connecting the input terminals 26 fr and 26c of the oscillator control circuit 26 in parallel to the input terminals I80 and 18fr of the mixer 18. The oscillator control circuit 26 is then controlled in accordance with the potential applied to the input terminals 18 ″ and 18 fr, this potential in turn being oroportional to the value of the signal that is fed into the mixer 18. Is ζ. Β the signal level at the output of the superposition oscillator 24 is substantially higher than is the signal level of dei amplifier stage 16, so the potential between the terminals drops 18 'and 18FR ah and causes cntsprechcnc a reduction de ¹ - the output signal of the oscil- !! ^ control circuit 26 which in turn the amplitude of the os / .illatorfrei.ji.ien. ·· i-ntsprerhend decreased. This switching mechanism causes a closed circuit which responds to the signal transmitted by the mixer, so that the correct signal pulse is always invisible to the HF signal. an der Einrntn: 18 .; mid dem ') s / iilatorsignal an dei

Eingangskiemine 18/) eingestellt wird und sieh eine richtige Mischung der Signale zur Erzeugung des ZF-Signals ergibt.Input mine 18 /) is set and see a correct mix of the signals for generating the IF signal results.

Eine ZF-Verstärkeistufc 28 ist mit seiner Eiugangsklemme 28« direkt mit der Ausgangskleivme 18c der Mischstufe 18 gekoppelt, um die zur ZF-Verarbeitungseinrichtung 14 übertragenen ZF-Signale zu verstärken. Es kann jedoch auch die ZF-Verstärket stufe 28 in der ZF-Verarbeitungseinrichtung 14 untergebracht sein,An IF amplifier stage 28 is with its input terminal 28 ″ coupled directly to the output glue 18c of the mixer 18 in order to transfer the to the IF processing device 14 to amplify transmitted IF signals. However, the IF amplification level can also be used 28 be housed in the IF processing device 14,

In Fig. 2 ist das Schaltbild der Empfängereingangsschaltung mit einer bevorzugten Ausführung der Glcichstromkopplung zwischen den einzelnen Stufen dargestellt. Die HF-Verstärkerstufe 16 umfaßt einen Transistor 30 vom NPN-Leitfähigkeitstyp, dessen Basis direkt mit dem HF-Eingang 12 über eine Leitung 31 und einen Teil der Induktivität 32 verbunden ist. Ein Kondensator 33 liegt parallel zur Induktivität 32 und bildet mit dieser einen Schwingkreis, der auf eine Frequenz abstimmbar ist, die der Frequenz des gewünschten HF-Signals entspricht. Der Kondensator 33 ist als Festkondensator dargestellt, obwohl an dessen Stelle auch ein Kondensator mit veränderbarer Kapazität verwendbar ist, um die Eingangsschaltung auf verschiedene HF-Frequenzen abstimmen zu keinncn. Selbstverständlich kann auch die Induktivität 32 für die Abstimmung des Schwingkreises veränderbar ausgeführt sein. Zwischen dem Emitter des Transistors 30 und einem auf der Leitung 35 wirksamen Bezugspotential, z. B. Masse, liegt ein Widerstand 34.In Fig. 2 is the circuit diagram of the receiver input circuit with a preferred embodiment of the Direct current coupling between the individual stages is shown. The RF amplifier stage 16 includes one Transistor 30 of the NPN conductivity type, the base of which is connected directly to the RF input 12 via a line 31 and part of the inductance 32 is connected. A capacitor 33 is parallel to the inductor 32 and with this forms an oscillating circuit which can be tuned to a frequency that corresponds to the frequency of the desired RF signal. The capacitor 33 is shown as a fixed capacitor, although on its Also place a variable capacitance capacitor that can be used to connect the input circuit tune to different HF frequencies to none. Of course, the inductance 32 be designed to be changeable for the tuning of the resonant circuit. Between the emitter of the transistor 30 and an effective reference potential on line 35, e.g. B. ground, there is a resistor 34.

Die Mischstufe 18 umfaßt einen Transistor 36 vom NPN-Typ, dessen Emitter mit dem Kollektor des Transistors 30 über eine Leitung 22 gekoppelt ist. In der Leitung 22 ist eine Induktivität 37 vorgesehen, die parallel zu einem Kondensator 38 liegt und mit diesem zusammen einen Schwingkreis bildet, der auf die Frequenz des in der HF-Verstärkerstufe 16 verarbeitenden Signals abstimmbar ist und die Ausgangsimpedanz des Transistors 30 an die Eingangsimpedanz des Transistors 36 anpaßt. Die eingangsseitige Impedanzanpassung an der Basis des Transistors 30 wird durch den Schwingkreis aus der Induktivität 32 imd dem Kondensator 33 bewirkt, wogegen die ausgangsseitige Impedanzanpassung des Transistors 30 durch die Induktivität 37 und den Kondensator 38 erfolgt. Durch die Verwendung des Schwingkreises aus der Induktivität 37 und dem Kondensator 38 im direkten Koppiungspfad zwischen dem Transistor 30 und dem Transistor 36 wird eine Phasenumkehr oder Neutralisation des in der HF-Verstärkerstufe entwickelten Signals bereits durch einen einzigen Kondensator 39 bewirkt, dessen eines Ende mit der Basis des Transistors 30 und dessen anderes Ende mit dem Kollektor des Transistors 30 über die Induktivität 37 verbunden ist. Der Kondensator 39 wirkt auch als Bypasskondensator für das ZF-Signal, das sich am Emitter des Transistors 36 ausbilden kann. Vorzugsweise ist die Basis des Transistors 30 auch mit einem Bypasskondensator 40 über die Induktivität 32 verbunden, dessen anderes Ende mit der Stromversorgung B + und vorzugsweise nicht mit Massepotential bzw. dem Bezugspotential auf der Leitung 35 in Verbindung steht.The mixer 18 comprises a transistor 36 of the NPN type, the emitter of which is coupled to the collector of the transistor 30 via a line 22. In the line 22 an inductance 37 is provided, which is parallel to a capacitor 38 and together with this forms an oscillating circuit which can be tuned to the frequency of the signal processed in the RF amplifier stage 16 and the output impedance of the transistor 30 to the input impedance of the Transistor 36 adapts. The input-side impedance matching at the base of the transistor 30 is effected by the resonant circuit from the inductance 32 and the capacitor 33, whereas the output-side impedance matching of the transistor 30 is effected by the inductance 37 and the capacitor 38. By using the resonant circuit of the inductance 37 and the capacitor 38 in the direct coupling path between the transistor 30 and the transistor 36, a phase reversal or neutralization of the signal developed in the RF amplifier stage is already effected by a single capacitor 39, one end of which is connected to the The base of the transistor 30 and the other end of which is connected to the collector of the transistor 30 via the inductance 37. The capacitor 39 also acts as a bypass capacitor for the IF signal, which can be formed at the emitter of the transistor 36. The base of transistor 30 is preferably also connected to a bypass capacitor 40 via inductance 32, the other end of which is connected to power supply B + and preferably not to ground potential or the reference potential on line 35.

Der Überlagerungsoszillator 24 umfaßt einen Transistor 41 vom NPN-Leitungstyp, dessen Kollektor direkt mit der Basis des Transistors 36 der Mischstufe 18 verbunden ist. Durch die gleichstrommäßige Kopplung des Überlagerungsoszillators mit der Mischstufe wird die Notwendigkeit von Wechselsli omkoppeigliedern eliminiert, die /.. B. aus Kondensatoren oder Transformatoren bestehen können. Das Oszillatorsignal an der Basis des Transistors 36 wird mit dem HF-Signal am Emitter des Transistors 36 gemischt, um ein Diffcrenzsignal zu erzeugen, das der gewünschten Zwischenfrequenz entspricht. Diese Zwischenfrequenz baut sich in einem Schwingkreis auf, der aus einer Induktivität 42 und einer Kapazität 43 besteht und am Kollektor des Transistors 36 angeschlossen ist. Das am Ausgang der Mischstufe erzeugte ZF-Signal wird dann gleichstrommäßig an die ZF-Verstärkerstufe 28 über eine Leitung 44 angelegt.The local oscillator 24 includes a transistor 41 of the NPN conductivity type, the collector of which is connected directly to the base of the transistor 36 of the mixer 18. Through the direct current Coupling of the local oscillator with the mixer stage becomes the need for Wechselsli omkoppeigliedern eliminated, which / .. B. can consist of capacitors or transformers. That The oscillator signal at the base of transistor 36 is mixed with the RF signal at the emitter of transistor 36, to generate a differential signal corresponding to the desired intermediate frequency. These Intermediate frequency builds up in a resonant circuit made up of an inductance 42 and a capacitance 43 and is connected to the collector of transistor 36. That generated at the output of the mixer The IF signal is then applied in the form of direct current to the IF amplifier stage 28 via a line 44.

Der Transistor 41 des Überlagerungsoszillators ist mit dem Emitter über einen Widerstand 45 an die Leitung 35 für das Bezugssignal angeschlossen. Der Emitter des Transistors 41 ist auch mil dem Resonanzkreis verbunden, der aus der Induktivität 46 und einem piezoelektrischen Element 47 aufgebaut ist, wodurch eine Kristallstabilisierung des Oszillators erfolgt. Mit der Induktivität 46 und dem piezoelektrischen Element 47 sind ferner zwei Kondensatoren 48 und 49 in Schaltungspunkt 50 verbunden, zu denen parallel eine Induktivität 51 liegt. Obwohl der Transistor 41 zusammen mit dem piezoelektrischen Element 47 einen kristallgesteuerten Oszillator für eine feste Frequenz darstellt, kann es wünschenswert sein, die Oszillatorfrequenz variabel zu gestalten, damit die Oszillatorfrequenz der veränderlichen Eingangsfrequenz an der Eingangsklemme 12 nachgezogen werden kann, so daß die Empfängereingangsschaltung 10 für den Empfang eines ganzen Frequenzbandes geeignet ist.The transistor 41 of the local oscillator is connected to the emitter via a resistor 45 Line 35 connected for the reference signal. The emitter of transistor 41 is also connected to the resonant circuit connected, which is composed of the inductance 46 and a piezoelectric element 47, whereby a crystal stabilization of the oscillator takes place. With the inductance 46 and the piezoelectric Element 47 is also connected to two capacitors 48 and 49 in node 50, to which an inductance 51 lies in parallel. Although the transistor 41 together with the piezoelectric element 47 represents a crystal controlled oscillator for a fixed frequency, it may be desirable to have the To make the oscillator frequency variable, so that the oscillator frequency of the variable input frequency can be tightened at the input terminal 12 so that the receiver input circuit 10 is suitable for the reception of an entire frequency band.

Vorteilhafterweise umfaßt die Oszillatorkontrollschaltung 26 einen Transistor 52 vom PNP-Typ, dessen Kollektor über einen Widerstand 53 mit der Leitung für das Bezugspotential 35 verbunden ist. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 liegt parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 der Mischstufe 18, so daß der Transistor 52 in Abhängigkeit vom Spannungsabfall an den beiden Eingänger der Mischstufe, d. h. an der Basis und dem Emitter des Transistors 36 leitend wird und entsprechend die Amplitude des Ausgangssignals des Überlagerungsoszillators 24 steuert. Zu diesem Zweck ist die Basis des Transistors 52 mit einem Mittelabgriff 37a dei Induktivität 37 über eine Leitung54 und die eine Seite der Induktivität mit dem Emitter des Transistors 3i verbunden. Der Emitter des Transistors 52 steht mil der Basis des Transistors 36 über eine Leitung 56 einem Leitungsabschnitt 57, über welchen das Bezugspotential zugeführt wird, und die Induktivität 51 mit der Basis des Transistors 36 in Verbindung. Dj der Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung 2( als gleichstromgesteuerte Vorrichtung Verwendunj findet, um das Ausgangspotential des Uberlagerungs Oszillators 24 einzustellen, wird durch die Verbindung der Basis des Transistors 36 über den Leitungsabschnitt 57 bereits ein Strompfad für den funktionell Betrieb aufgebaut.Advantageously, the oscillator control circuit 26 comprises a transistor 52 of the PNP type, its Collector is connected to the line for reference potential 35 via a resistor 53. the The base-emitter path of the transistor 52 is parallel to the base-emitter path of the transistor 36 of the Mixer 18, so that the transistor 52 as a function of the voltage drop across the two inputs the mixer stage, d. H. at the base and the emitter of the transistor 36 is conductive and accordingly the The amplitude of the output signal of the local oscillator 24 controls. To this end is the basis of the transistor 52 with a center tap 37a of the inductance 37 via a line 54 and one side the inductance is connected to the emitter of the transistor 3i. The emitter of transistor 52 is mil the base of the transistor 36 via a line 56 to a line section 57, via which the reference potential is supplied, and the inductance 51 with the base of the transistor 36 in connection. Dj the transistor 52 of the oscillator control circuit 2 (used as a DC controlled device takes place in order to adjust the output potential of the superposition oscillator 24, is through the connection the base of the transistor 36 via the line section 57 already provides a current path for the functional Established operation.

Vorzugsweise ist der Transistor 36 der Mischstuf« 18 als Transistor für hohe Frequenzen ausgesucht wogegen der Transistor 52 der Oszillatorkontroll schaltung 26 mit einer niederen Grenzfrequenz arbei ten kann. Damit ist die charakteristische Diodenspan nung an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 3< größer als die entsprechende charakteristische Di odenspannung an der Basis-Emittcrstrecke des Tran sistors 52, wenn ein gegebener VorspannungsgleichThe transistor 36 of the mixing stage 18 is preferably selected as a transistor for high frequencies whereas the transistor 52 of the oscillator control circuit 26 is working with a low cut-off frequency ten can. The characteristic diode voltage at the base-emitter path of the transistor 3 is thus < greater than the corresponding characteristic diode voltage at the base-emitter path of the tran sistors 52 when a given bias voltage equals

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strom über die Basis-Emitterstrecke dieser Tiansisto- Darstellung des neuen Konzepts der Erfindung cingecurrent over the base-emitter path of this Tiansisto representation of the new concept of the invention cinge

reu aufrechterhalten wird. Bei der dargestellten zeichnet sind. Die den Teilen der Schaltung gemälrepentant is sustained. When shown are characterized. The painted parts of the circuit

Ausführungsform kann die charakteristische Dioden- Fig. 2 entsprechenden Komponenten sind in Fig. ;Embodiment can have the characteristic diode components corresponding to FIG. 2 are shown in FIG.

spannung des Transistors 36 in der Größenordnung mit denselben Bezugszeichen versehen. Das Vorspanvoltage of the transistor 36 in the order of magnitude with the same reference numerals. The opening credits

von 50 bis 100 mV, jedoch auch darunter und darüber, 5 nungspotential, das von einer außen gelegenen Quellefrom 50 to 100 mV, but also below and above, 5 voltage potential that comes from an external source

größer als die charakteristische Diodenspannung an zugeführt werden kann, wird an die Basiselektrodegreater than the characteristic diode voltage can be supplied to the base electrode

der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 sein. des Transistors 30 angelegt, wobei der Spannungswerthe base-emitter path of the transistor 52. of the transistor 30 is applied, the voltages

Diese Spannungsangaben dienen jedoch nur eier bei- derart ausgewählt ist, daß dieser Transistor 30 StronHowever, these voltage specifications are only used when it is selected in such a way that this transistor 30 is current

spielweisen Erörterung. Wenn jedoch ein Hodifre- führt und etwa eine Spannung von ungefähr 0,1 VoIgame-wise discussion. However, if a Hodifre- leads and about a tension of about 0.1 Vol

qucnzsignal an die Basis des Transistors 36 vom Aus- u> bzw. mehr oder weniger am Widerstand 34 im EmitQucnzsignal to the base of transistor 36 from the u> or more or less at resistor 34 in the Emit

gang des Überlagerungsoszillators 24 angelegt wird, terkrcis des Transistors 30 abfällt, niese Anordnunjoutput of the local oscillator 24 is applied, the circuit of the transistor 30 drops, niese Anordnunj

kann die Basis-Emilterspannung des Transistors 36 veranlaßt den Transistor 30, als Spannungsquelle füiThe base-emitter voltage of transistor 36 can cause transistor 30 to function as a voltage source

bis zu einem Wert abnehmen, der unterhalb der cha- die HF-Verstärkerstufe 16 und die Mischstufe 18 zidecrease to a value below the cha- the RF amplifier stage 16 and the mixer stage 18 zi

rakleristischen Diodenspannung an der Basis-Emit- wirken. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors 3(rakleristic diode voltage at the base emit. The base-emitter path of transistor 3 (

!erstrecke des Transistors 52 ist. Diese Abnahme der 15 liegt innerhalb der gestrichelten Linie 36«. Diese Ba! stretch of transistor 52 is. This decrease in 15 lies within the dashed line 36 ″. This ba

Basis-Emiiierspannung am Mischtransistor 36 ve mn- sis-Einitte. istrecke 36 ist parallel zur Basis-EmitterBase emission voltage at the mixer transistor 36 ve mn- sis-Einitte. istrecke 36 is parallel to the base emitter

gert entsprechend das Ausgangssignal des Transistors strecke des Transistors 52 geschaltet, wobei diese Pargert switched accordingly to the output signal of the transistor stretch of transistor 52, this Par

52, womit seinerseits die Amplitude der Oszillatorfre- allelschaltungeine gleichstrommäßige Verbindung ist52, which in turn means that the amplitude of the oscillator frequency circuit is a direct current connection

quenz am Transistor 41 entsprechend verringert wird. Wie bereits erwähnt, wird der Transistor 36 derarfrequency at transistor 41 is reduced accordingly. As previously mentioned, transistor 36 will do so

Zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Über- 20 ausgewählt, daß er eine verhältnismäßig hohe GrenzBetween the input and the output of the over-20 selected that it has a relatively high limit

Iagerungse)szillators besteht eine geschlossene Kopp- frequenz besitzt, wogegen der Transistor 52 eine ver-Storage) oscillator has a closed coupling frequency, whereas the transistor 52 has a different

lungsschleifc, die auf die Signalinjektion an der hältnismäßig niedere Grenzfrequenz aufweisen solllungsschleifc, which should have the signal injection at the relatively low cut-off frequency

Mischstufe 18 anspricht. Da der Basis-Emitter-Spannungsabfall am TransistoiMixer 18 responds. Since the base-emitter voltage drop across the transistor

Die ZF-Verstärkerstufe 28 umfaßt einen Transistor 36, der etwa in der Größenordnung zwischen 50 uncThe IF amplifier stage 28 comprises a transistor 36, which is approximately in the order of magnitude between 50 unc

60, dessen Basis an die Leitung 44 angeschlossen ist 25 100 mV, bzw. mehr oder weniger, größer als der Ba60, whose base is connected to line 44 25 100 mV, or more or less, greater than the Ba

und das vom Ausgang der Mischstufe 18 gelieferte sis-Emitter-Spannungsabfall am Transistor 52 istand is the sis emitter voltage drop across transistor 52 provided by the output of mixer 18

ZF-Signal empfängt. Ein Arbeitswiderstand 61 ist mit wird dieser Transistor 52 stark leitend gemacht. UrrReceiving IF signal. A working resistor 61 is made highly conductive with this transistor 52. Urr

dem Kollektor des Transistors 60 einerseits und ande- einen höheren Spannungsabfall im Basis-Emitterthe collector of transistor 60 on the one hand and on the other hand a higher voltage drop in the base-emitter

rerscits mit der Betriebsspannung B+ verbunden. schaltkreis des Transistors 36 zu erreichen, ist eirerscits connected to the operating voltage B + . To achieve circuitry of transistor 36 is egg

Der Emitter dieses Transistors 60 liegt über einen By- 30 selbstverständlich, daß eine Diode oder ein WiderThe emitter of this transistor 60 is connected via a by-30, of course, that of a diode or a resistor

passkondensator 62 ebenfalls an der Betriebsspan- stand in der Leitung 36b in Serie zur Basis des Transipass capacitor 62 also at the operating voltage in line 36b in series with the base of the Transi

nung B + . Ein Widerstand 63 ist zwischen den Emitter stors 36 geschaltet werden kann. Bei diesem Schalvoltage B +. A resistor 63 is connected between the emitter stors 36 can be connected. With this scarf

des Transistors 60 und die Leitung 35 geschaltet, die tungsaufbau können die Transistoren 36 und 52 vorrof the transistor 60 and the line 35 switched, the processing structure, the transistors 36 and 52 vorr

auf Bezugspotential liegt. gleichen Typ sein.is at reference potential. be the same type.

Es ist besonders vorteilhaft, daß alle Bypasskon- 35 Der Strom des Transistors 30 ist abhängig vorrIt is particularly advantageous that all bypass con 35 The current of transistor 30 is dependent vorr

densatorcn, die in der Empfängereingangsschaltung Wert der Vorspannung an dessen Basis, die einercapacitorscn, which in the receiver input circuit value of the bias voltage at its base, the one

10 Verwendung finden, ander Betriebsspannung B + Stromfluß über die Emitter-Basisstrecke des Transi-10 use, other operating voltage B + current flow over the emitter-base path of the transi-

angeschlossen sind und nicht am Bezugspotential lie- stors 52 verursacht und diesen dadurch leitend machtare connected and not caused to the reference potential of the lie- stors 52 and thereby make it conductive

gen, das vorzugsweise Massepotential ist und auf der Der Leitfähigkeitszustand des Transistors 52 kanrgene, which is preferably ground potential and on which the conductivity state of the transistor 52 kanr

Leitung 35 wirkt. So ist z. B. die Basis des Transistors 40 wegen des Spannungsabfalls an der Basis-Emitter-Line 35 acts. So is z. B. the base of transistor 40 because of the voltage drop at the base-emitter

41 des Oberlagerungsoszillators 24 über einen By- strecke des Transistors 36 verhältnismäßig hoch seir passkondensator 65 mit der Betriebsspannung mittels und möglicherweise sogar den Sättigungszustand er der Leitungsabschnitte 66 und 56 verbunden. In ent- reichen. Als Ergebnis der Gleichstromkoppiung zwisprechender Weise liegt die Basis des Transistors 52 sehen dem Kollektor des Transistors 52 und der Bash der Oszillatorkontrollschaltung 26 über einen By- 45 des Transistors 41 wird dieser in einem Umfang leipasskondensator 67 und die Leitungen 68 sowie 56 tend, der von der Stromführung des Transistors 52 an der Betriebsspannung. Auch der Emitter des Tran- abhängt; d. h., ein hoher Strom im Transistor 52 ver sistors 30 der HF-Verstärkerstufe 16 ist über einen ursacht entsprechend einen hohen Strom im Transi Bypasskondensator 69 und die Leitung 56 mit der Be- stör 41. Da der Transistor 41 das aktive Element de« triebsspannung verbunden. Der von der Induktivität 50 Überlagerungsoszillators ist, verursacht ein hohei41 of the upper position oscillator 24 via a by-section of the transistor 36 is relatively high pass capacitor 65 with the operating voltage by means of and possibly even the saturation state of the line sections 66 and 56 connected. In reach. As a result of the DC coupling, it becomes more ambiguous Way lies the base of transistor 52 see the collector of transistor 52 and the bash of the oscillator control circuit 26 via a by-45 of the transistor 41, this becomes a leipass capacitor to an extent 67 and the lines 68 and 56 tend, from the current conduction of the transistor 52 at the operating voltage. Also the emitter of the tran- depends; d. i.e., a high current in transistor 52 ver Sistor 30 of the RF amplifier stage 16 is causing a correspondingly high current in the transi Bypass capacitor 69 and the line 56 with the interference 41. Since the transistor 41 is the active element de « drive voltage connected. The local oscillator of the inductor 50 causes a high i

42 und dem Kondensator 43 gebildete Resonanz- Strom in diesem Transistor ein Oszillatorausgangssi schwingkreis und ebenso der aus den Kondensatoren gnal mit einer entsprechend hohen Amplitude, das ar 48 und 49 sowie der Induktivität 51 gebildete Reso- die Basis des Mischtransistors 36 angelegt wird. Ent nanzschwingkreis liefern das Betriebspotential für die sprechend den Ausführungen über die Basis-Emitter Transistoren 36 und 41, so daß somit diese Transisto- 55 strecke 36a des Transistors 36 wird durch das an dies« ren 36 und 41 ihre HF-mäßige Masse ebenfalls über Sperrschicht angelegte hochfrequente Ausgangssigna die Betriebsspannung B + erhalten. Damit wird durch des Überlagerungsoszillators 24 die charakteristische das Anschließen aller Bypasskondensatoren an die Diodenspannung erzeugt, die mit dem Amplituden Betriebsspannung B + erreicht, daß jeder der Wider- anstieg des Osziilatorsignals abnimmt. Wenn somit eir stände 34, 53, 45 und 63 als Arbeitswiderstand wirk- 60 Oszillatorsignal an der Basis-Emitterstrecke de; sam ist, an dem sich das Signal aufbaut, so daß eine Transistors 36 wirksam ist, nimmt der Spannungsab Gleichstromkopplung wie z. B. zwischen dem Kollek- fall an dieser Grenzschicht ab und kann auf einen Pe tor des Transistors 52 und der Basis des Transistors gelwert erniedrigt werden, der kleiner ist als der Span-41 tatsächlich erhalten wird, ohne Wechselstromkop- nungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Transipeiglieder zu verwenden. ⁶5 stors 52. Durch diese Funktion tendiert der Transistoi42 and the capacitor 43 formed resonance current in this transistor an oscillator output circuit and also the signal from the capacitors with a correspondingly high amplitude, the ar 48 and 49 and the inductance 51 formed reso the base of the mixer transistor 36 is applied. Resonant resonance circuits supply the operating potential for the explanations about the base-emitter transistors 36 and 41, so that this transistor section 36a of the transistor 36 becomes through the HF ground at these 36 and 41, also via the junction applied high-frequency output signal receive the operating voltage B +. The local oscillator 24 thus generates the characteristic connection of all bypass capacitors to the diode voltage which, with the amplitude operating voltage B + , achieves that each of the rise in the oscillator signal decreases. Thus, if eir would stand 34, 53, 45 and 63 as working resistance, 60 oscillator signal at the base-emitter path de; Sam is at which the signal builds up so that a transistor 36 is effective, the voltage decreases. B. between the collector at this boundary layer and can be lowered to a gate of the transistor 52 and the base of the transistor gel value, which is smaller than the span 41 is actually obtained, without ac coupling drop at the base-emitter path of the transipe terms. ⁶ 5 stors 52. This function causes the Transistoi to tend

In Fig. 3 ist eine vereinfachte Schaltkreisanord- 52, nicht leitend zu werden oder in einem im wesentli-In Fig. 3 is a simplified circuit arrangement 52, to become non-conductive or in a substantially

nunggemäß Fig. 2 dargestellt, bei der nur die Gleich- chen nicht leitenden Zustand zu verbleiben, was einetion according to FIG. 2, in which only the same non-conductive state remains, which is a

Stromverbindungen zur einfacheren und klareren wesentliche Verringerung des Stromes durch den OsPower connections for simpler and clearer substantial reduction of the current through the Os

/.illatortransislor 41 bewirkt, das seinerseits eine Verringerung des Oszillatorausgangssignals auslöst, das an die Basis des Transistors 36 angelegt wird. Damit ergibt sieh eine gleichstrommäßigc Rückkopplungsschleife zwischen dem Oszillatortransistor 41 und dem Mischtransistor 36, wobei der Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung den Strom in der Rückkopplungsschleifc steuert. Diese Rückkopplungsschleifc bewirkt, daß das hochfrequente Ausgangssignal am Oszillator kontinuierlich auf einen Wert gesteuert wird, der gerade groß genug ist, um zu veranlassen, daß die an den Basis-Emitrcrstrecken der Transistoren 36 und 52 abfallende charakteristische Diodenspannung im wesentlichen gleich ist. Dies ist die Bedingung, welche einen optimalen Betrieb für den Überlagerungsoszillator 24 mit einem minimalen, durch den Oszillatortransistor 41 fließenden Strom bewirkt./.illatortransislor 41 causes, in turn, a reduction of the oscillator output signal applied to the base of transistor 36. In order to results in a DC feedback loop between the oscillator transistor 41 and the mixer transistor 36, the transistor 52 being the oscillator control circuit controls the current in the feedback loop. This feedback loop c causes the high-frequency output signal at the oscillator to be continuously controlled to a value which is just large enough to cause the base-emitter paths of the transistors 36 and 52 falling characteristic diode voltage is substantially the same. This is the condition which an optimal operation for the local oscillator 24 with a minimum, causes current flowing through the oscillator transistor 41.

Durch die Steuerung des Überlagerungsoszillators 24 in Abhängigkeit von dem Betrag des Oszillatorsignals, das der Mischstufe 18 zugeführt wird, wird nur derjenige Strom von der Spannungsversorgung B + gezogen, der unbedingt notwendig ist, um ein Oszillatorsignal der gewünschten Amplitude zu erzeugen und eine einwandfreie Mischung in der Mischstufe 18 auszulösen. Bei diesem Aufbau der Empfängereingangsschaltung 10 wird die stromsparende Eigenschaft der Schaltung besonders günstig. Dies führt zu der Möglichkeit, daß zusammen mit dem Merkmal eines gemeinsamen Stromes zwischen der HF-Verstärkerstufe 16 und der Mischstufe 18 (Verstärkertransistor 30 und Mischtransistor 36) die Empfängereingangsschaltung 10 mit einer Betriebsspannung betrieben werden kann, die etwa in der Größenordnung von 1 bis l'/₂ Volt bei einer minimalen Stromabnahme liegt. Die Leistung kann von Trockenzellen od. dgl. geliefert werden, wobei der Empfänger über eine längere Zeitdauer bei einer gegebenen Batterie arbeitet, als dies bisher der Fall ist.By controlling the local oscillator 24 as a function of the amount of the oscillator signal that is fed to the mixer 18, only that current is drawn from the power supply B + that is absolutely necessary to generate an oscillator signal of the desired amplitude and a perfect mixing in the mixer 18 to trigger. With this structure of the receiver input circuit 10, the power-saving property of the circuit is particularly favorable. This leads to the possibility that, together with the feature of a common current between the RF amplifier stage 16 and the mixer stage 18 (amplifier transistor 30 and mixer transistor 36), the receiver input circuit 10 can be operated with an operating voltage which is approximately in the order of magnitude of 1 to 1 '/ ₂ volts with a minimal current draw. The power can be provided by dry cells or the like, with the receiver operating for a longer period of time on a given battery than has previously been the case.

Die an die Basis des Transistors 30 angelegte Bezugsspannung kann von einer getrennten Bezugsspannungsquelle abgegriffen werden, welche den Arbeitspunkt für die Empfängereingangsschaltung 10 festlegt. Die Vorspannung kann auch durch eine Spannungsrückkopplung von der ZF-Verstärkerstufe 28 gewonnen werden, wie dies aus Fig. 4 hervorgeht.The reference voltage applied to the base of transistor 30 can be obtained from a separate reference voltage source which is the operating point for the receiver input circuit 10 specifies. The bias can also be achieved by a voltage feedback from the IF amplifier stage 28 can be obtained, as can be seen from FIG.

In der Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform einer Empfängereingangsschaltung 70 dargestellt, die gemäß der Erfindung aufgebaut ist. Die HF-Verstärkerstufe 71 besitzt einen Transistor 72, der lastseitig mit der Arbeitselektrode des Transistors 73 gekoppelt ist, der das aktive Element der Mischstufe 74 ist. Die Gleichstromkopplung zwischen den Transistoren 72 und 73 wird über ein induktives Element 76 bewirkt, das einen Abgriff 76a besitzt, der direkt an der Basis des Transistors 77 liegt und das aktive Element einer Oszillatorkontrollschaltung 78 darstellt.4 shows a further embodiment of a receiver input circuit 70 which is constructed in accordance with the invention. The RF amplifier stage 71 has a transistor 72, which is coupled on the load side to the working electrode of the transistor 73, which is the active element of the mixer stage 74. The direct current coupling between the transistors 72 and 73 is effected via an inductive element 76 which has a tap 76a which is connected directly to the base of the transistor 77 and which is the active element of an oscillator control circuit 78.

Parallel zur Induktivität 76 liegt ein Kondensator 79 und bildet mit diesem zusammen einen Resonanzschwingkreis, wobei die Induktivität die Ausgangsimpedanz des Transistors 72 an die Eingangsimpedanz am Emitter des Transistors 73 anpaßt. Die Basis des Transistors 72 ist direkt mit der Eingangsklemme 12a über einen Teil einer Induktivität 80 angeschlossen, welche zusammen mit einem Kondensator 81 einen Resonanzschwingkreis bildet und auf die gewünschte HF-Eingangsfrequenz abgestimmt ist. Der Kondensator 81 kann als veränderliche Kapazität ausgebildet sein, ebenso wie auch die Induktivität als veränderliche Induktivität ausgebildet sein kann, um den Resonanzschwingkreis auf ein gegebenes Frequenzbanc abstimmen zu können, das von der Empfängercingangsschaltung 70 empfangen werden soll. Ein By passkondensator 82 liegt zwischen dem Resonanzschwingkreis aus den Elementen 80 und 81 und dei Spannungsversorgung B +.A capacitor 79 is located parallel to the inductance 76 and together with it forms a resonant circuit, the inductance adapting the output impedance of the transistor 72 to the input impedance at the emitter of the transistor 73. The base of the transistor 72 is connected directly to the input terminal 12a via part of an inductance 80 which, together with a capacitor 81, forms a resonant circuit and is tuned to the desired RF input frequency. The capacitor 81 can be designed as a variable capacitance, just as the inductance can also be designed as a variable inductance in order to be able to tune the resonant circuit to a given frequency band that is to be received by the receiver input circuit 70. A bypass capacitor 82 is located between the resonant circuit composed of elements 80 and 81 and the voltage supply B +.

Die Ausgangsseitc der Mischstufe 74 ist an einerThe output side of the mixer 74 is at one

ίο Widerstand 83 und einen Kondensator 84 angeschlossen, im Gegensatz zu dem Resonanzschwingkreis ar der Ausgangsseitc des Transistors 36 der Mischstuft 18 gemäß Fig. 2. Bei dieser Ausführungsform dien der Widerstand 83 einer Doppelfunktion in der Schal tung und stellt einerseits einen Lastwiderstand für der Mischlransistor73 dar, an welchem das ZF-Signal ab fällt, und liefert ferner Einrichtungen zum Messen unc eventuellen Steuern des Stromflusses durch der Mischtransistor 73 und den HF-Verstärkertransistoiίο resistor 83 and a capacitor 84 connected, in contrast to the resonant circuit ar the output side of the transistor 36 of the mixing stage 18 according to FIG. 2. In this embodiment the resistor 83 serves a double function in the scarf and represents on the one hand a load resistance for the mixer transistor73, at which the IF signal is from falls, and also provides means for measuring and possibly controlling the flow of current through the Mixing transistor 73 and the RF amplifier transistor

72. Der Strom durch die Serienschaltung der Transi72. The current through the series connection of the transi

stören 72 und 73 kann durch das Messen des Spancan disturb 72 and 73 by measuring the span

nungsabfalls am Widerstand 83 festgestellt werdenvoltage drop at resistor 83 can be determined

der einen bekannten Widerstandswert besitzt.which has a known resistance value.

Der Überlagerungsoszillator 86 umfaßt einerLocal oscillator 86 includes one

Transistor 87, dessen Basis direkt mit dem Kollektoi des Transistors 77 in der Oszillator~ontrollschaltun{ 78 gekoppelt ist. Die Vorspannung des Transistors 8' entsteht am Widerstand 88, der in Serie zum Transi stör 77 zwischen diesem und einer Leitung 89 liegtTransistor 87, the base of which is directly coupled to the collector of transistor 77 in the oscillator control circuit 78. The bias of the transistor 8 ' arises at the resistor 88, which is in series with the transistor 77 between the latter and a line 89

die das Bezugspotential, vorzugsweise Massepotential, führt. Der Kollektor des Transistors 87 ist mi der positiven Spannungsversorgung B+ über eine In duktivität 90 verbunden, wogegen die Basis-Emitter strecke des Transistors 77 parallel zur Basis-Emitterwhich carries the reference potential, preferably ground potential. The collector of transistor 87 is connected to the positive voltage supply B + via an inductance 90, whereas the base-emitter section of transistor 77 is parallel to the base-emitter

strecke des Transistors 73 über eine Leitung 81 um eine Induktivität 90 liegt. Parallel zur Induktivität 9( sind zwei Kondensatoren 92 und 93 geschaltet, du im Schaltungspunkt 94 zusammcngcschaltet sind unc in diesem Punkt an eine abstimmbare Schaltung angestretch of the transistor 73 via a line 81 to an inductance 90 lies. Parallel to inductance 9 ( two capacitors 92 and 93 are connected, they are connected together at circuit point 94, and attached to a tunable circuit at this point

schlossen sind, die aus der Induktivität 96 und einen piezoelektrischen Element 97 besteht, welche die Os zillatorfrequenz des Transistors 87 fixieren. Dei Überlagerungsoszillator 86 kann auf e?ne variable Frequenz abstimmbar sein, indem der Resonanzare closed, from the inductance 96 and one piezoelectric element 97, which fix the oscillator frequency of the transistor 87. Dei Local oscillator 86 may be tunable to a variable frequency by adjusting the resonance

schwingkreis aus der Induktivität 80 und dem Kon densator 81 entsprechend abstimmbar ist, so daß die Empfängereingangsschaltung 70 in einem gegebener Frequenzband auf die Empfangsfrequenz einstellbai ist. In Serie zum Transistor 87 ist ein Widerstand 9i geschaltet, wogegen die Ausgangsseite dieses Transi stors, d. h. der Kollektor gleichspannungsmäßig mi der Basis des Transistors 73 über die Leitung 99 ver bunden ist. Durch diese Schaltkreisanordnung erhäl man eine geschlossenere Kopplungsschleife zuiResonant circuit from the inductor 80 and the capacitor 81 can be tuned accordingly, so that the Receiver input circuit 70 adjustable to the reception frequency in a given frequency band is. A resistor 9i is connected in series with transistor 87, whereas the output side of this transi stors, d. H. the collector in terms of DC voltage mi the base of transistor 73 via line 99 ver is bound. This circuit arrangement provides a more closed coupling loop

Steuerung des Ausgangssignais des Überlagerungsos zillators 86 entsprechend der Steuerung der Empfän gereingangsschaltung 10 gemäß Fig. 2.Control of the output signal of the overlay zillators 86 corresponding to the control of the receiver input circuit 10 according to FIG. 2.

Das ZF-Signal, das sich am Widerstand 83 auf dei Ausgangsseite der Mischstufe 74 ausbildet, wireThe IF signal, which is formed at resistor 83 on the output side of mixer 74, wire

gleichstrommäßig an die Basis eines Transistors IW angelegt, der eine erste ZF- Verstärkerstufe innerhalt der Empfängereingangsschaltung 70 bildet. Die Gleichstromkopplung erfolgt über die Leitung 101 und über eine Diode 102. Mit dem Verbindungspunkiapplied in direct current terms to the base of a transistor IW, which forms a first IF amplifier stage within the receiver input circuit 70. The direct current coupling takes place via the line 101 and via a diode 102. With the connection point

der Basis des Transistors 100 und der Kathode dei Diode 102 steht ein Widerstand 103 in Verbindung der andererseits am Bezugspotential liegt. Der Transistor 100 stellt die erste Stufe einer ZF-Verstärker-The base of the transistor 100 and the cathode of the diode 102 are connected to a resistor 103 which, on the other hand, is connected to the reference potential. The transistor 100 represents the first stage of an IF amplifier

IlIl

stufe dar, wobei das ZF-Signal am Widerstand 104 entsteht und dieses Signal an die Basis einer /weilen ZF-Verstärkerstufc mit einem Transistor 106 anlegbar ist. Der Emitter des Transistors 100 der ersten ZF-Verstärkerstufe ist mit der Spannungsversorgung B + über eine Widerstand 107 verbunden, zu dem parallel ein Bypasskondensator 108 liegt. Zum Transistor 106 der zweiten ZF-Verstärkerstufc ist ein erster Widerstand 109 in Serie geschaltet, zu dem ein /weiter Widerstand 110 in Serie liegt, der seinerseits parallel zu einem Bypasskondensator 111 geschaltet ist. Die Widerstände 109 und 110 stellen einen Spannungsteiler dar, so daß ein Spannungswert am Schaltungspunkt 112 zwi.chen den beiden Widerständen abgreifbar ist, der gleichstrommäßig an die Basis des Transistors 72 in der HF-Verstärkerstufe 71 über die Leitung 113 und über die Induktivität 80 anlegbar ist. Diese gleichstrommäßigc Rückkopplung zwischen der letzten ZF-Verstärkerstufe und der HF-Verslärkerstufe 71 liefert eine Steucrmöglichkeit für den Gesamtstrom durch die HF-Verslärkerstufe 71 und die Mischstufe 74 und bewirkt ferner, daß ein verstärktes ZF-Signal an die Einrichtungen zur Verarbeitung der ZF-Signale gemäß Fig. 1 zur Verfügung steht.stage, where the IF signal arises at resistor 104 and this signal can be applied to the base of an IF amplifier stage with a transistor 106. The emitter of the transistor 100 of the first IF amplifier stage is connected to the voltage supply B + via a resistor 107, to which a bypass capacitor 108 is connected in parallel. A first resistor 109 is connected in series with the transistor 106 of the second IF amplifier stage, to which a / further resistor 110 is connected in series, which in turn is connected in parallel with a bypass capacitor 111. The resistors 109 and 110 represent a voltage divider so that a voltage value can be tapped at the node 112 between the two resistors, which can be applied in direct current to the base of the transistor 72 in the RF amplifier stage 71 via the line 113 and via the inductance 80 is. This direct current feedback between the last IF amplifier stage and the HF amplifier stage 71 provides a control option for the total current through the HF amplifier stage 71 and the mixer 74 and also causes an amplified IF signal to be sent to the devices for processing the IF signals according to Fig. 1 is available.

Die Empfängereingangsschaltung70 gemäß Fig. 4 arbeitet im wesentlichen in derselben Weise wie die entsprechende Schaltung gemäß Fig. 2. Der gemeinsame, über die HF-Verstärkerstufe 71 und die Mischstufe 74 fließende Strom tritt zwischen dem Kollektor und dem Emitter der Transistoren dieser beiden Stufen auf und fließt über eine Induktivität, die zwischen den beiden Elektroden liegt. Ein Abgriff dieser Induktivität 76 ist glcichstrommäßig mit der Basis der Oszillatorkontrollschaltung 77 verbunden, die ihrerseits kollektorseitig gleichstrommäßig an die Basis des Oszillatortransistors 87 angeschlossen ist. Die Basis-Emitterstrecken der Transistoren 73 und 77 sind parallelgeschaltet bezüglich des Gleichstromes, und das Ausgangssignal des Os?illatortransislors87 ist gleich-The receiver front-end circuit 70 of Figure 4 operates in substantially the same manner as that corresponding circuit according to FIG. 2. The common, via the RF amplifier stage 71 and the mixer stage 74 flowing current occurs between the collector and the emitter of the transistors of these two stages and flows through an inductance that lies between the two electrodes. A tap of this inductance 76 is directly connected to the base of the oscillator control circuit 77, which in turn is connected to the base of the oscillator transistor 87 on the collector side in terms of direct current. The base-emitter lines of the transistors 73 and 77 are connected in parallel with respect to the direct current, and that The output signal of the Os? Illatortransislors87 is equal to

slrammüßig an die Basis des Mischtransistors 73 angeschlossen. Slrammüßig connected to the base of the mixer transistor 73.

Die Gleichstromkopplung zwischen den einzelnen Komponenten dieser Empfängereingangsschaltung 70 ist im wesentlichen dieselbe, wie sie an Hand vonThe DC coupling between the individual components of this receiver input circuit 70 is essentially the same as shown in FIG

ίο Fig. 3 für die Schaltung gemäß Fig. 2 erklärt wurde. Ein Unterschied besteht darin, daß eine weitere Stufe für die ZF-Verstärkung vorgesehen ist und eine direkte Gleichstromrückkopplung zwischen der zweiten ZF-Vcrstärkcrstufe und der cingangsseitigen HF-Verstärkerstufe besteht. Ferner ist eine Diode in Serie zu der Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangsseite der Mischstufe und der Eingangsseite der ZF- Verstärkerstufe mit demTransistor 100 geschaltet. Die Empfängereingangsschaltungen 10 und 70 gc-ίο Fig. 3 for the circuit according to FIG. 2 was explained. One difference is that it is a further stage for the IF amplification and a direct DC feedback between the second IF amplifier stage and the input-side HF amplifier stage consists. There is also a diode in series with the DC coupling between the output side the mixer stage and the input side of the IF amplifier stage with the transistor 100 switched. The receiver input circuits 10 and 70 gc-

ao maß der dargestellten Ausführungsformen stellen eine Schaltungsanordnung dar, bei welcher eine Verbindung zwischen verschiedenen aktiven Schaltkreiskomponenten über Gleichstrompfade besteht, wodurch die Notwendigkeit für Wechselstromkoppelele-ao measure of the illustrated embodiments represent a Circuit arrangement represents in which a connection between various active circuit components via direct current paths, which eliminates the need for alternating current coupling elements

mente, z. B. Kondensatoren oder Transformatoren, entfällt. Auch wird ein wesentlicher Leistungsbetrag durch die Verwendung eines gemeinsamen Stromes über die: Mischstufe und die HF-Verstärkerstufc gespart und ferner der Oszillatorstrom als Folge deiments, e.g. B. capacitors or transformers, not applicable. A significant amount of output is also achieved through the use of a common stream on the: mixer stage and the HF amplifier stage saved and also the oscillator current as a result of the dei

gleiehstrommäßigen Rückkopplung auf ein Minimun· reduziert, die zwischen der Ausgangsseite des Oszilla tors und der Eingangsseite des Oszillators angeordwe ist, wobei das Rückkopplungssignal in Abhängigkeil von der Amplitude des an die Mischstufc angelegter Signals gesteuert wird.DC feedback is reduced to a minimum, that between the output side of the oscillator tors and the input side of the oscillator is, the feedback signal as a function of the amplitude of the applied to the mixer Signal is controlled.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

indicates that a diode (102) between the outside of the mixer stage (74) and the input side of the IF amplifier stage (100 and 106)

1. Receiver input circuit for switching is.
Conversion of RF signal information into a 5th

IF signal information with a mixer that

on the output side with a device for processing the IF signals is connected and

on the output side to a local oscillator (

is located, as well as with an HF Verstärkerstufc that _Aete with io ^m J- P ^ta ^ televisions and other Einrich-

the mixer stage connected in series with direct current, with which electromagnetic

let is, characterized in that between " ^η ^ ^η ^ _{£ ern} ^{8 is} _caught , are in multiples

see the output of the RF amplifier end 16, nsche energy y _{and dje processing of}

71) and the RF signal input of the mixer (18, form ur de "^ PJ _{kannt bei ein bekann} .

74) the inductance (37, 76) eir.es PaHa ₁ IIeI-ReSO-, 5 "^ S ^""^ becomes a well-known converter-

nanzkreises is connected in such a way that the mixed th S ^ 'tungsau _combined oscillator and

stage and the inductance as well as the HF amplification is used and from the

kerstufe of one and the same operating ^current _f _{Mlschs p} ^C f'p ⁿ | _{ienafen ZF} . _S igna! E educates. One of these

are flowed through, and that a tap (37 ", 76") f ^^ J ^ SSuW ^ hiltung is in spite of some

the inductance for impedance matching alternating 20 ^ f ^bmpI ^ ^g _ße ° scope in application, since they

in terms of current at the reference potential, "SnisäßiB can be produced cheaply and with less

2. A circuit according to claim 1, characterized in that it is to operate ^ '^^ "ύηκη, as this indicates that the oscillator output is equal to- ^ J ^^^ ängereingangsBchaitungen the current measure at the oscillator signal input (186) of the he ^ mrr he y ^B _{advise M} i _schs stage and a mixer, and that to control the Am-, 5 FfIl is - ^ ^C ^ ^{S e} , ^μ _illator are built, amplitude of the oscillator signal as a function of ^ Ρ ^^^^ η known receiver input on the mixer applied oscillator level so Be ' ^e > ^ne J * ^e ^ _{h H} F amplifier stages exist as the size of the HF signal level of the superimposed circuit are menrerc π _h , HF-SienaN voltage oscillator (24) from the tap of the inductance ^ ™ j £ ^ ^^ £ W ^ £ £ ^ ^Ü ^. ^E ^ !: ° ^SZillatOr " ^{KOntrOllSChaltUn8 (26) an} " ³⁰ mischTwird Although such receiver input