DE2126427A1

DE2126427A1 - Receiver input circuit

Info

Publication number: DE2126427A1
Application number: DE19712126427
Authority: DE
Inventors: Clive Lombard; McDonald James Anthony Downers Grove; 111. Hoffman (V.St.A.). MP
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1970-05-28
Filing date: 1971-05-27
Publication date: 1972-02-03
Also published as: IL36893A0; FR2090340B1; GB1305698A; JPS527889B1; IL36893A; CA944026A; FR2090340A1; DE2126427B2; HK57577A

Description

EmpfängereingangsschaltungReceiver input circuit

Die Erfindung betrifft eine Empfängereingangsschaltung zur Umwandlung einer HF-Signalinformation in eine ZF-Signalihfor-' mation mit einer Mischerstufe, die ausgangsseitig mit einer Einrichtung zur Verarbeitung der ZI-Signale verbunden ist und eingangsseitig an einem Überlagerungsoszillator liegt, sowie einer HF-Verstärkerstufe.The invention relates to a receiver input circuit for Conversion of RF signal information into an IF signal format mation with a mixer stage, the output side with a The device for processing the ZI signals is connected and the input side is connected to a local oscillator, as well as an RF amplifier stage.

Empfängereingangsschaltungen, wie sie für Rundfunkgeräte, Fernsehgeräte und andere Einrichtungen Verwendung finden, mit denen elektromagnetische Energie empfangen wird, sind in vielfacher Form für den Empfang und die Verarbeitung von HF-Signalinformationen bekannt. Bei einem bekannten Schaltungsaufbau wird eine bekannte Wandlerstufe benutzt, welche als kombinierte Oszillator- und Mischerschaltung Verwendung findet und aus den emjjfangenen HF-Signalen ZF-Signale bildet. Eine derartigeReceiver input circuits such as those used for radio equipment, Televisions and other equipment can be used with where electromagnetic energy is received are in multiple Form known for receiving and processing RF signal information. In a known circuit structure a known converter stage is used, which is used as a combined oscillator and mixer circuit and from the RF signals received forms IF signals. Such a one

Fs/wi" " Empfängereingangsschaltung Fs / wi "" Receiver input circuit

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Empfängereingangsschaltung ist trotz einiger Nachteile im grossen Umfang in Anwendung, da sie verhältnismässig billig herzustellen ist und mit weniger Leistungsanforderungen zu betreiben ist, als dies bei herkömmlichen Empfängereingangsschaltungen der Pail ist, die aus einer separaten Mischerstufe und einem separaten Überlagerungsoszillator aufgebaut sind.Receiver input circuit is widely used in spite of some disadvantages because it is relatively cheap can be manufactured and with fewer performance requirements than is the case with conventional receiver input circuits the pail is made up of a separate mixer stage and a separate local oscillator are.

Bei einer weiteren bekannten Empfängereingangsschaltung sind mehrere HP-Verstärkerstufen vorhanden, um die Amplitude des ausgewählten HP-Signals zu verstärken, bevor es mit der Oszillatorfrequenz; gemischt wird. Obwohl derartige Empfängereingangsschaltungen mit mehreren HP-Verstärkerstufen und einer getrennten Oszillatorstufe sowie einer getrennten Mischerstufe gegenüber einer Empfängereingangsschaltung vom Wandlertyp wesentlich bessere charakteristische Eigenschaften besitzt, macht eine solche Schaltung gegenwärtig Schwierigkeiten, da sie nur verhältnismässig teuer herzustellen ist und einen verhältnismässig grossen Raumbedarf benötigt, der insbesondere auf die Verwendung von Koppeltransformatoren zwischen den einzelnen Stufen zurückgeht. Ausserdem wird den einzelnen Stufen der Schaltung der Betriebsstrom separat und unabhängig voneinander zugeführt, da Jede Stufe bezüglich der Versorgungsenergie parallel zu den übrigen geschaltet ist und somit über die einzelnen Stufen parallel liegende Stromkreise verlaufen. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Leistungsbedarf. Auch kann der Leistungsbedarf dea Überlagerungsoszillators in einem Empfänger verhältnismässig hoch sein, wenn dieser nicht bezüglich der Amplitude· des Oszillatorausgangssignals, das der Mischerstufe zugeführt wird, geregelt wird. Daraus ergibt sich, dass auch der Überlagerungsoszillator einen verhältnismässig hohen Leistungsbedarf hat. Der insgesamt sich daraus ergebende hohe Leistungsbedarf für die Empfängereingangsschaltung ist von Nachteil, wenn derartige Empfänger von einer einzigen verhältnismässig kleinen BatterieIn a further known receiver input circuit, several HP amplifier stages are present in order to increase the amplitude of the amplify selected HP signal before it reaches the oscillator frequency; is mixed. Although such receiver input circuits with several HP amplifier stages and one separate oscillator stage and a separate mixer stage compared to a receiver input circuit of the converter type has much better characteristic properties, such a circuit currently makes difficulties since it is only relatively expensive to manufacture and one relatively large space required, in particular on the use of coupling transformers between goes back to the individual levels. In addition, the individual Stages of the circuit, the operating current is supplied separately and independently of one another, since each stage is connected in parallel to the others with regard to the supply energy and thus via the individual stages run in parallel circuits. This results in a relatively high power requirement. The power requirement of the local oscillator in a receiver can also be relatively high when the latter is not regulated with respect to the amplitude · of the oscillator output signal which is fed to the mixer stage. This means that the local oscillator also has a relatively high power requirement. The total The resulting high power requirement for the receiver input circuit is a disadvantage when such receivers from a single, relatively small battery

- 2 - . aus - 2 -. the end

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aus betrieben werden sollen, die nur eine geringe begrenzte Energiemenge abgeben können. Derartige Batterien werden deshalb verhältnismässig schnell verbraucht, so dass möglicherweise das Empfangsgerät nicht betriebsbereit ist, wenn es benötigt wird.to be operated from that only a small limited Can give off amount of energy. Such batteries are therefore used up relatively quickly, so that possibly the receiving device is not operational when it is needed.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Empfängereingangsschaltung zu schaffen, die gegenüber bekannten Schaltungen dieser Art einen verhälsnismässig niederen Energiebedarf besitzt und daher die Energiequelle nur geringsfügig belastet. Ferner soll die Schaltung verhältnismässig einfach aufgebaut sein und nur einen geringen Volumenbedarf benötigen.The invention is based on the object of a receiver input circuit to create, which has a relatively low energy requirement compared to known circuits of this type and therefore the energy source is only slightly loaded. Furthermore, the circuit should be constructed in a relatively simple manner and only require a small volume.

Ausgehend von der eingangs beschriebenen Empfängereingangsschaltung wird diese Aufgabe erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die HF-Verstärkerstufe gleichstrommässig mit der Mischerstufe derart in Serie geschaltet ist, dass ein von der Span- · nungsVersorgung gelieferter Strom die Mischerstufe und die HF-Verstärkerstufe durchfliesst.Based on the receiver input circuit described above this object is achieved according to the invention in that the RF amplifier stage has direct current with the mixer stage is connected in series in such a way that a current supplied by the voltage supply triggers the mixer stage and the RF amplifier stage flows through.

'einer gemäss der Erfindung aufgebaut®. Empfängereingangsschaltung, bei der die HF-Verstärkerstufe und die Mischerstufe gleichstrommässig in Serie geschaltet sind, fliesst der Betriebsstrom durch beide Stufen gemeinsam. Die gemeinsame Ausnutzung des Betriebsstroms durch beide Stufen verringert die Gesamtleistungsanforderung erheblich, so dass der Empfänger nunmehr mit einer herkömmlichen Batterie wesentlich länger betrieben werden kann.'one constructed according to the invention. Receiver input circuit, where the RF amplifier stage and the mixer stage are connected in series with direct current, the operating current flows through both stages together. The joint utilization of the operating current by both stages reduces the Overall performance requirement significant, so that the recipient can now be operated much longer with a conventional battery.

Es ist auch vorgesehen, dass zwischen dem Ausgang des Überlagerungsoszillators und einem Eingang der Mischerstufe eine gleichstrommässige Verbindung besteht. -It is also provided that between the output of the local oscillator and an input of the mixer stage has a direct current connection. -

Bei einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist eine Oszillatorkontrollschaltung vorgesehen, die den Betrieb desIn a further embodiment of the invention is an oscillator control circuit provided that the operation of the

- 3 - Überlagerungsoszillators - 3 - Local oscillator

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Überlagerungsoszillators steuert, wobei die Emitter-Basisstrecke des Steuertransistors parallel zur Emitter-Basisstrecke des Transistors in der Mischerstufe "bezüglich des Gleichstroms geschaltet ist.Local oscillator controls, the emitter-base path of the control transistor parallel to the emitter-base path of the transistor in the mixer stage "with respect to the DC current is switched.

Eine derartige Empfängereingangsschaltung umfasst in vorteilhafter Weise eine HP-Verstärkerstufe mit einem Transistor, r dessen Basis gleichstrommässig mit der Eingangsklemme der Empfängereingangsschaltung verbunden ist und über"diese das Hochfrequenzsignal empfängt. Der Kollektor dieses Transistors ist gleichsirommässig mit dem Emitter eines Transistors verbunden, der in der Mischerstufe angeordnet ist, wobei die gleichstrommässige Verbindung vorzugsweise über eine Induktivität erfolgt. Bei der Verwendung einer Induktivität kann diese zusammen mit einem parallel geschalteten Kondensator als Resonanzschwingkreis zur Anpassung der Ausgangsimpedanz der HP-Verstärkerstufe an die Eingangsimpedanz der Mischerstufe Verwendung finden.Such a receiver input circuit comprises advantageously a HP-amplifier stage with a transistor whose base r DC coupled to the input terminal of the receiver input circuit is connected and receives the high frequency signal through "it. The collector of this transistor is gleichsirommässig connected to the emitter of a transistor in the When an inductance is used, this can be used together with a capacitor connected in parallel as a resonant circuit to match the output impedance of the HP amplifier stage to the input impedance of the mixer stage.

Der Überlagerungsoszillator umfasst einen Transistor, dessen Kollektor gleichstrommässig mit der Basis des Transistors in der Mischerstufe gekoppelt ist und die Oszillatorschwingung zuführt, die für die Umwandlung des an den Emitter des Mischertransistors angelegten HP-Signals in das gewünschte ZP-Signal notwendig ist. Die Amplitude der an die Basis des Mischertransistors angelegten Oszi11 storschwingung wird von einem Steuertransistor eingestellt, der gleichstrommässig zwischen die Emitterstufe und den Überlagerungsoszillator geschaltet ist. Die Basis des Steuertransistors ist vorzugsweise gleichstrommässig mit dem Emitter des Mischertransistors verbunden, wogegen der Emitter des Steuertransistors gleichstrommässig an der Basis des Mischertransistors derart liegt, dass die Basis-Emitterstrecke des Steuertransistors und.des Mischertransistors bezüglich des Gleichströmweges parallel geschaltet sind. Der Mischertransistor besitzt an der Basis-Emitter-'The local oscillator comprises a transistor whose collector is in direct current with the base of the transistor in is coupled to the mixer stage and supplies the oscillator oscillation necessary for the conversion of the to the emitter of the mixer transistor applied HP signal is necessary in the desired ZP signal. The amplitude of the at the base of the mixer transistor applied oscillator is controlled by a Control transistor set, which is switched direct current between the emitter stage and the local oscillator is. The base of the control transistor is preferably connected with direct current to the emitter of the mixer transistor, whereas the emitter of the control transistor is connected to the base of the mixer transistor in terms of direct current in such a way that the Base-emitter path of the control transistor and the mixer transistor are connected in parallel with respect to the constant flow path. The mixer transistor has at the base-emitter- '

-¹Y- - ¹ Y- streckeroute

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strecke einen Gleichstromsparmungsabfall, der grosser ist als der Gleichstromspannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Steuertransistors. Dieser verhältnismässig hohe Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Mischertransistors verursacht einen verhältnismässig grossen Strom im Steuertransistor, der seinerseits eine verhältnismässig hohe Ausgangsamplitude für das Oszillatorsignal auslöst, das an die Basis des Mischertransistors angelegt wird. Jedoch verursacht das hochfrequente, an der Basis-Emitterstrecke des Misehertransistors erzeugte Signal - dieses hochfrequente Signal ist nur das Oszillatorsignal oder die Kombination des HF-Signals von der HF-"Vers barker stufe mit dem Oszillatorsignal der Oszillatorstufe - eine Verringerung des mittleren Gleichspannungsabrfalls an der Basis-Emitterstrecke des Mischertransistors, wobei diener Spannungsabfall eine Funktion des Betrags des Frequenzsignals ist, das der Mischerstufe zugeführt wird. Dieser von der Signalzuführung abhängige Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Mischertransistors verursacht eine "Verringerung des Stromes durch den Steuertransistor, was seinerseits die Signalamplitude der vom Überlagerungsoszillator gelieferten Oszillatorschwingung verringert. Diese Rückkopplungsanordnung steueib besonders vorteilhaft die Amplitude des Oszlllatorausgangssignals in Abhängigkeit von der Signalinformation, die dem Mischertransistor zugeführt wird.stretch a DC saving drop that is greater than the DC voltage drop across the base-emitter path of the control transistor. This relatively high voltage drop at the base-emitter path of the mixer transistor causes a relatively large current in the control transistor, which in turn triggers a relatively high output amplitude for the oscillator signal that is sent to the base of the mixer transistor is applied. However, this causes high-frequency at the base-emitter path of the miser transistor generated signal - this high frequency signal is just the oscillator signal or the combination of the RF signal from the HF "Vers barker stage with the oscillator signal of the oscillator stage - a reduction in the mean DC voltage drop at the base-emitter path of the mixer transistor, the voltage drop being a function of the magnitude of the frequency signal is fed to the mixer stage. This voltage drop, which is dependent on the signal feed, at the base-emitter path of the mixer transistor causes a "reduction" of the current through the control transistor, which in turn is the signal amplitude of the one supplied by the local oscillator Oscillator vibration decreased. This feedback arrangement particularly advantageously controls the amplitude of the oscillator output signal depending on the signal information that is fed to the mixer transistor.

Es ist von besonderem Vorteil, eina?oder mehrere?dieser Stufen der Empfängereingangsschaltung Bypasskondensatoren zuzuordnen, die eine Ableitung zur Versorgungsspannung und nicht zum Mansepotential bzw. einem anderen Bezugspotential bewirken. Damib können Widerstände, an welchen sich Signale aufbauen, zwischen die Transistoren und das Massepotential bzw. das Bezugspotential geschaltet werden, so dass die Signalinformation von diesen Widerständen ohne komplizierten Schaltungsaufbau abgreifbar ist.It is particularly advantageous to have one or more of these stages assign bypass capacitors to the receiver input circuit, one derivation to the supply voltage and not to the Manage potential or another reference potential. Resistances can be used to build up signals, between the transistors and the ground potential or the reference potential can be switched so that the signal information from these resistors without complicated circuitry can be tapped.

- 5 - Bei- 5 - At

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Bei einer speziellen Ausgestaltung der Erfindung ist der Ausgang der Mischerstufe mit einem Resonanzschwingkreis verbunden, der· aus einer Induktivität und einem Kondensator besteht, wobei das an diesem Resonanzschwingkreis sich entxirickelnde Ausgangssignal gleichstrommässig an die Basis des Transistors der ZF-Verstärkerstufe angelegt wird.In a special embodiment of the invention, the output is the mixer stage is connected to a resonance circuit, which consists of an inductance and a capacitor, the output signal developing at this resonant circuit in the form of direct current to the base of the transistor the IF amplifier stage is applied.

Bei einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist der Ausgang des Mischertransistors mit einem Widerstand verbunden, der zu einem Kondensator parallel geschaltet Ist. Bei diesem Schaltungsaufbau findet eine Gleichstromkopplung zwischen dem Widerstand-Kondensatornetzwerk und dem Eingang der ZF-Verstärkerstufe Anwendung. Wenn der Widerstand anstelle einer Induktivität verwendet wird, dient dieser Widerstand am Ausgang der Mischerstufe einem zweifachen Zweck, und zwar einmal als Lastwiderstand, an welchem sich das ZF-Signal ausbildet, und zum andern als Strombegrenzungswiderstand, der in Serie zum Mischertransistor und zun Transistor der HF-Verstärkerstufe liegt.In a further embodiment of the invention, the output of the mixer transistor is connected to a resistor, which is to is connected in parallel to a capacitor. In this circuit structure finds a direct current coupling between the resistor-capacitor network and the input of the IF amplifier stage Use. If the resistor is used instead of an inductor, this resistor is used at the output of the Mixer stage has a dual purpose, once as a load resistance, at which the IF signal is formed, and on the other hand as a current limiting resistor, which is in series with the mixer transistor and to the transistor of the RF amplifier stage lies.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung hervor. Es zeigen:Further features and advantages of the invention can be found in FIG the following description of exemplary embodiments in conjunction with the claims and the drawing. Show it:

Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Empfängereingangsschaltung gemäss der Erfindung; ,Figure 1 is a block diagram of a receiver front-end circuit according to the invention; ,

Fig. 2 eir$3chaltbild einer Ausführungsform einer Empfängereingangsschaltung; FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of a receiver input circuit; FIG.

Fig. 3 eine äquivalente Gleichstromschaltung 'der Empfängereingangsschaltung gemäss Fig. 2, aus der die verschiedenen Gleichstromkopplungen zwischen den einzelnen Transistoren erkennbar sind;3 shows an equivalent direct current circuit of the receiver input circuit according to FIG. 2, from which the various direct current couplings between the individual Transistors are recognizable;

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Pig* 4 eine weitere Ausfuhrungsform einer Empfängereingangsschaltung gemäss der Erfindung.Pig * 4 is another embodiment of a receiver input circuit according to the invention.

Das in Fig. 1 dargestellte Blockdiagramm einer Empfängereingangs schaltung 10 besitzt einen HF-Eingang 12, der mit einer Antenne verbunden werden kann und die von einer geeigneten Sendestation ausgesendeten HF-Signale empfängt. Diese HF-Signale werden in ZIP-Signale umgewandelt und einer Einrichtung .14'zugeführt, in welcher die ZF-Signale verarbeitet werden.The block diagram shown in Fig. 1 of a receiver input circuit 10 has an RF input 12 which can be connected to an antenna and which is of a suitable Transmitting station receives transmitted RF signals. These RF signals are converted into ZIP signals and sent to a facility .14 ', in which the IF signals are processed.

Eine HF-Verstärkerstufe 16 empfängt die HF-Signale und überträgt diese nach einer Verstärkung an den Eingang 18a einer Mischerstufe 18. Ein Betriebspotential B+ wird an die Eingangsklemrae 20 der Mischerstufe 18 angelegt, so dass aufgrund der Gleichstromkopplung 22 ein gemeinsamer Strom durch die Mischerstufe 18 und die HF-Verstärkerstufe 16 fliesst. JDiese GleiGhstromkopplung zwischen der Mischerstufe und der HF-Verstärkerstufe verringert den Strombedarf dieser Stufen erheblich im Vergleich zuq Strombedarf, der bei der üblichen unabhängigen Betriebsweise auftritt. Damit wird bezüglich des von der Stromversorgung B+ über die Mischerstufe-18 und die HF-Verstärkerstufe 16 gemeinsam fliessenden Stromes beim Betrieb dieser Stufen ein wesentlicher Anteil an Verlustleistung eingespart. An RF amplifier stage 16 receives the RF signals and transmits them to the input 18a after amplification Mixer stage 18. An operating potential B + is applied to the input terminal 20 of the mixer stage 18 is applied, so that due to the direct current coupling 22, a common current through the mixer stage 18 and the RF amplifier stage 16 flows. JThis floating current coupling between the mixer stage and the RF amplifier stage significantly reduces the power consumption of these stages Compared to q electricity demand that occurs in the usual independent mode of operation. With regard to the Power supply B + via the mixer stage-18 and the HF amplifier stage 16 jointly flowing current when operating these stages saved a significant proportion of power loss.

Ein Überlagerungsoszillator 24 ist mit seiner Ausgangsklemme 24a an die zweite Eingangsklemme 18b' der Mischerstufe 18 gleichstrommässig angeschlossen, so dass das HF-Signal und das Oszillatorsignal in der Mischerstufe überlagert wird und ein Differenzsignal mit der gewünschten ZF liefert. Diese Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangsklemme 24a des Überlagerungsoszillators 24 und der'Eingangsklemme 18b der Mischerstufe 18 führt zu der Einsparung der für eine Wechselstromkopplung nötigen Komponenten, die üblicherweise aus einem Transformator bestehen. Durch diesen speziellen Aufbau ist esA local oscillator 24 has its output terminal 24a to the second input terminal 18b 'of the mixer stage 18 connected with direct current so that the HF signal and the oscillator signal are superimposed in the mixer stage and provides a differential signal with the desired IF. This DC coupling between the local oscillator output terminal 24a 24 and der'Eingangsklemme 18b of the mixer stage 18 leads to the saving of the for an alternating current coupling necessary components, which usually consist of a transformer. Because of this special structure, it is

- 7 - inö glich - 7 - in oem

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möglich, die Empfängereingangsschaltung 10 verhältnismässig kleinvoluniig und mit einem Minimum an Komponenten aufzubauen, wodurch sich die Kosten im Vergleich mit bisher bekannten Empfängereingangsschaltungen beträchtlich verringern lassen.possible to build the receiver input circuit 10 in a relatively small volume and with a minimum of components, thereby reducing the costs compared to previously known receiver input circuits can be reduced considerably.

Um sicherzustellen, dass der Signalpegel des an die Eingangsklemme 18b der Mischerstufe 18 angelegten Signals den richtigen Wert besitzt, ist eine Oszillatorkontrollschaltung 26 vorgesehen, deren Ausgangsklemme 26a direkt mit der Eingangsklemme 24b des Überlagerungsoszillators 24 gekoppelt ist und die Amplitude der Oszillatorschwingung regelt. Die Amplitudenregelung der Oszillatorfrequenz wird durch eine Parallelschaltung der Eingangsklemmen 26b und 26c der Oszillatorkontrollschaltung 26 zu den Eingangsklemmen 18a und 18b der Mischer-' stufe 18 bewirkt. Die Oszillatorkontrollschaltung 26 wird dann entsprechend dem an den Eingangsklemmen 18a und 18b liegenden Potential, gesteuert, wobei dieses Potential seinerseits proportional dem Wert des Signals ist, das in die Mischerstufe 18 eingespeist wird. Ist z.B. der Signalpegel am Ausgang des Überlagerungsoszillators 24 wesentlich höher als der Signalpegel von der Verstärkerstufe 16, so fällt das Potential zwischen den Klemmen 18a und 18b ab und bewirkt entsprechend eine Verringerung des Ausgangssignals der Oszillatorkontrollschaltuiig 26, das seinerseits, die Amplitude der Oszillatorfrequenz entsprechend verringert. Diese neue Schaltkreisanordnung bewirkt eine geschlossene Schleifenrückkopplung, die auf die der Mischerstufe 18 zugeführten Signale anspricht, so dass immer der richtige Signalpegel zwischen dem HP-Signal an'der Eingangsklemme 18a und dem Oszillatorsignal an der Eingangsklemme 18b eingestellt wird und sich eine richtige Mischung der Signale zur Erzeugung des ZP-Signals ergibt.-In order to ensure that the signal level of the signal applied to the input terminal 18b of the mixer stage 18 is the correct Has value, an oscillator control circuit 26 is provided, the output terminal 26a of which is directly coupled to the input terminal 24b of the local oscillator 24 and regulates the amplitude of the oscillator oscillation. The amplitude control of the oscillator frequency is done by a parallel connection the input terminals 26b and 26c of the oscillator control circuit 26 to the input terminals 18a and 18b of the mixer ' level 18 effects. The oscillator control circuit 26 is then corresponding to that applied to the input terminals 18a and 18b Potential, controlled, this potential in turn is proportional to the value of the signal that is fed into the mixer stage 18. If, for example, the signal level at the output of the Local oscillator 24 is substantially higher than the signal level from the amplifier stage 16, so the potential falls between the terminals 18a and 18b and causes a corresponding reduction in the output signal of the oscillator control circuit 26, which in turn reduces the amplitude of the oscillator frequency accordingly. This new circuit arrangement causes a closed loop feedback responsive to the signals applied to mixer stage 18 so that always the correct signal level between the HP signal and Input terminal 18a and the oscillator signal at input terminal 18b is set and a correct mix of the signals for generating the ZP signal.

Eine ZF-Vers'tärkerstufe 28 ist mit seiner Eingangsklemme 28a direkt mit ddr^:Ausgangsklemme 18c der Mischerstufe 18 gekoppelt, um. die-zur ZP-Verarbeitungseinrichtung 14 übertragenen An IF amplifier stage 28 is coupled with its input terminal 28a directly to ddr ^: output terminal 18c of the mixer stage 18 to. those transmitted to the ZP processing device 14

- 8'--- - Γ.1'¹-S- 8 '--- - Γ.1' ¹ -S

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ZF-Signale zu verstärken. Es kann Jedoch auch die ZF-Verstärkerstufe 28 in der ZF-Verarbeitungseinrichtung 14 untergebracht sein.To amplify IF signals. However, the IF amplifier stage can also do this 28 can be accommodated in the IF processing device 14.

In Fig. 2 ist das Schaltbild der Empfängereingangsschaltung mit einer bevorzugten Ausführung der Gleichstromkopplung zwischen den einzelnen Stufen dargestellt. Die HF-Verstärkerstufe 16 umfasst einen Transistor 30 vom NPN-Leitfähigkeitstyp, dessen Basis direkt mit dem HF-Eingang 12 über eine Leitung 31 und einen Teil der Induktivität 32 verbunden ist. Ein Kondensator 33 liegt parallel zur Induktivität 32 und bildet mit dieser einen Schwingkreis, der auf eine Frequenz abstimmbar ist, die der Frequenz des gewünschten HF-Signalskentspricht. Der Kondensator 33 ist als Festkondensator dargestellt, obwohl an dessen Stelle auch ein Kondensator mit veränderbarer Kapazität verwendbar ist, u.m die Eingangsschaltung auf verschiedene HF-Frequenzen abstimmen zu können. Selbstverständlich kann auch die Induktivität 32 für die Abstimmung des Schwingkreises veränderbar ausgeführt sein. Zwischen dem Emitter des Transistors 30 und einem auf der Leitung 35 wirksamen Bezugspotential, z.B. Masse, liegt ein Widerstand 34--In Fig. 2 is the schematic of the receiver input circuit with a preferred embodiment of the DC coupling between the individual levels. The RF amplifier stage 16 comprises a transistor 30 of the NPN conductivity type, the base of which is connected directly to the RF input 12 via a line 31 and part of the inductor 32 is connected. A capacitor 33 is parallel to inductance 32 and forms with it this one resonant circuit that can be tuned to a frequency that corresponds to the frequency of the desired RF signal. The capacitor 33 is shown as a fixed capacitor, although in its place there is also a capacitor with a variable capacitance can be used, among other things, to be able to tune the input circuit to different RF frequencies. Of course you can too the inductance 32 can be changed for the tuning of the resonant circuit be executed. Between the emitter of transistor 30 and a reference potential effective on line 35, e.g. ground, there is a resistor 34--

Die Mischerstufe 18 umfasst einen Transistor 36 vom NPN-Typ, dessen Emitter direkt mit dem Kollektor des Transistors 30 über eine Leitung 22 gekoppelt ist. In der Leitung 22 ist vorzugsweise eine Induktivität 37 vorgesehen, die parallel zu einem Kondensator 38 liegt und mit diesem zusammen einen Schwigkreis bildet, der auf die Frequenz des in der HF-Verstärkerstufe 16 verarbeitenden Signals abstimmbar ist und" die Ausgangsimpedanz des Transistors 30 an die Eingangsimpedanz des Transistors 36 anpasst. Die eingangsseitige Impedanzanpassung an der Basis des Transistors 30 wird durch den Schwingkreis aus der Induktivität 32 und dem Kondensator 33 bewirkt, wogegen die aus gangs s.ei ti ge Impedanzanpassung des Transistors 30 durch die Induktivität 37 und den Konden-The mixer stage 18 comprises a transistor 36 of the NPN type, the emitter of which is coupled directly to the collector of the transistor 30 via a line 22. In the line 22 is preferably an inductance 37 is provided which is parallel to a capacitor 38 and together with this one Schwigkreis forms, which is based on the frequency of the in the RF amplifier stage 16 processing signal is tunable and "the output impedance of the transistor 30 to the input impedance of transistor 36 adjusts. The input-side impedance matching at the base of the transistor 30 is through causes the resonant circuit from the inductance 32 and the capacitor 33, whereas the output s.ei ti ge impedance matching of the transistor 30 through the inductance 37 and the capacitor

- 9 - sator - 9 - sator

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sator 38 erfolgt. Durch die Verwendung des Schwingkreises aus der Induktivität 37 und- dem Kondensator 38 im direkten Kopplungspfad zwischen dem Transistor 30 und dem Transistor 36 wird eine Phasenumkehr oder Neutralisation des in der HF-Verstärkerstufe entwickelten Signals "bereits durch einen einzigen Kondensator 39 bewirkt, dessen eines Ende mit der Basis des Transistors 30 und dessen anderes Ende mit dem Kollektor des Transistors 30 über die Induktivität 37 verbunden ist. Der Kondensator 39 wirkt auch als Bypasskondensator für das ZF-Signal, das sich am Emitter des Transistors 36 ausbilden kann. Vorzugsweise ist die Basis des Transistors 30 auch mit einem Bypasskondensator 40 über die Induktivität 32 verbunden, dessen anderes Ende mit der Stromversorgung B+ und vorzugsweise nicht mit Massepotential bzw. dem Bezugspotential auf der Leitung 35 in Verbindung steht.Sator 38 takes place. By using the resonant circuit the inductance 37 and the capacitor 38 in the direct coupling path between the transistor 30 and the transistor 36 is a phase reversal or neutralization of the in the RF amplifier stage developed signal "already effected by a single capacitor 39, one end of which is connected to the base of the Transistor 30 and the other end of which is connected to the collector of transistor 30 via inductance 37. The condenser 39 also acts as a bypass capacitor for the IF signal, which can form at the emitter of transistor 36. Preferably, the base of transistor 30 is also with a Bypass capacitor 40 connected via the inductor 32, its the other end to the power supply B + and preferably not to ground potential or the reference potential on the line 35 communicates.

Der überlagerungsoszillator 24 umfasst einen Transistor 41 vom NPN-Leitungstyp, dessen Kollektor direkt mit der Basis des Transistors 36 der Mischerstufe 18 verbunden ist. Durch die gleichstrommässige Kopplung des Überlagerungsoszillators mit der Mischerstufe wird die Notwendigkeit von Wechselstromkoppelgliedern eliminiert, die z.B. aus Kondensatoren oder Transformatoren bestehen können. Das Oszillatorsignal an der Basis des Transistors 36 wird mit dem HF-Signal am Emitter des Transistors 36 gemischt, um ein Differenzsignal^xzu eräugen, das der gewünschten Zwischenfrequenz entspricht. Diese Zwischenfrequenz baut sich in einem Schwingkreis auf, der aus einer Induktivität 42 und einer Kapazität 43 besteht und am Kollektor des Transistors 36 angeschlossen ist. Das am Ausgang der Mischerstufe erzeugte ZF-Signal wird dann gleictistrommässig an die ZF-Verstärkerstufe 28 über eine Leitung 44 angelegt.The local oscillator 24 comprises a transistor 41 of the NPN conductivity type, the collector of which is connected directly to the base of the transistor 36 of the mixer stage 18. The DC coupling of the local oscillator with the mixer stage eliminates the need for AC coupling elements, which can consist of capacitors or transformers, for example. The oscillator signal at the base of transistor 36 is mixed with the RF signal at the emitter of transistor 36 to obtain a difference signal ^x which corresponds to the desired intermediate frequency. This intermediate frequency builds up in a resonant circuit which consists of an inductance 42 and a capacitance 43 and is connected to the collector of the transistor 36. The IF signal generated at the output of the mixer stage is then applied to the IF amplifier stage 28 via a line 44 in the form of a parallel current.

Der Transistor 41 des Überlagerungsoszillators ist mit dem Emitter über einen Widerstand 45 an die Leitung 35 ^für dasThe transistor 41 of the local oscillator is connected to the emitter via a resistor 45 to the line 35 ^{for the}

- 10 - BezugsSignal - 10 - Reference signal

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Bezugssignal -angeschlossen. Der Emitter des Transistors 41 ist auch mit dem Resonanzkreis verbunden, der aus äer Induktivität 46 und einem piezoelektrischen Element 47 aufgebaut ist, wodurch eine Kristallstabilisierung des Oszillators erfolgt. Mit der Induktivität 46 und dem piezoelektrischen Element 47 sind ferner zwei Kondensatoren 48 und 49 in Schaltungspunkt 50 verbunden, zu denen parallel eine InduktivitätReference signal -connected. The emitter of transistor 41 is also connected to the resonance circuit, which is made up of the inductance 46 and a piezoelectric element 47, whereby a crystal stabilization of the oscillator takes place. Two capacitors 48 and 49 are also connected to the inductance 46 and the piezoelectric element 47 50 connected, to which an inductance in parallel

51 liegt. Obwohl der Transistor 41 zusammen mit dem piezoelektrischen Element 47 einen kristallgesteuerten Oszillator für" eine feste Frequenz darstellt, kann es wünschenswert sein, die Oszillatorfrequenz" variabel zu gestalten, damit die Oszillatorfrequenz der veränderlichen Eingangsfrequenz an der Eingangsklemme 12 nachgezogen werden kann, so dass die Empfängereingangsschaltung 10 für den Empfang eines ganzen Frequenzbandes geeignet ist.51 lies. Although the transistor 41 together with the piezoelectric Element 47 represents a crystal controlled oscillator for "a fixed frequency, it may be desirable to to make the oscillator frequency "variable, so that the oscillator frequency of the variable input frequency at the Input terminal 12 can be tightened so that the receiver input circuit 10 is suitable for the reception of an entire frequency band.

Vorteilhafterweise umfasst die Oszillatorkontrollschaltung 26 einen Transistor 52 vom PNP-Typ, dessen Kollektor über einen Widerstand 53 mit der Leitung für das BezugspotentialAdvantageously, the oscillator control circuit 26 comprises a transistor 52 of the PNP type, the collector of which has a resistor 53 with the line for the reference potential

35 verbunden ist. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors35 is connected. The base-emitter path of the transistor

52 liegt parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors52 is parallel to the base-emitter path of the transistor

36 der Mischerstufe 17, so dass der Transistor 52 in Abhängigkeit vom Spannungsabfall an den beiden Eingängen der Mischerstufe, d.h. an der Basisjund dem Emitter des Transistors 36 leitend wird und entsprechend die Amplitude des Ausgangssignals des Überlagerungsoszillators 24 steuert. Zu diesem Zweck ist die Basis des Transistors 52 mit einem Mittelabgriff 37a der Induktivität 37 über eine Leitung 54 und die eine Seite der Induktivität mit dem Emitter des Transistors 36 verbunden. Der Emitter des Transistors 52 steht mit der Basis des Transistors 36 über eine Leitung 56? einem Leitungsabschnitt 57, über welchen das Bezugspotential zugeführt wird, und die Induktivität 51 mit der Basis des Transistors 36 in Verbindung* Da der..Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung 26 als gleichstromgeste.uerte Vorr: chtung Verwendung findet,36 of the mixer stage 17, so that the transistor 52 as a function of from the voltage drop at the two inputs of the mixer stage, i.e. at the base and the emitter of the transistor 36 becomes conductive and controls the amplitude of the output signal of the local oscillator 24 accordingly. To this The purpose is the base of the transistor 52 with a center tap 37a of the inductance 37 via a line 54 and the one side of the inductor is connected to the emitter of transistor 36. The emitter of transistor 52 is connected to the Base of transistor 36 via line 56? a line section 57, via which the reference potential is supplied, and inductor 51 with the base of transistor 36 in Connection * As der..Transistor 52 of the oscillator control circuit 26 is used as a DC-controlled device,

- 11 - um- 11 - at

1 098 8 6/11 3.3 .1 098 8 6/11 3.3.

um das Ausgangspotential des Überlagerungsoszillators 24 einzustellen, wird durch die Verbindung der Basis des Transisto-rs 36 über den Leitungsabschnitt 57 bereits ein Strompfad für den funktionellen Betrieb aufgebaut.to adjust the output potential of the local oscillator 24, the connection of the base of the transistor 36 via the line section 57 already creates a current path for established the functional operation.

Vorzugsweise ist der Transistor 36 der Mischerstufe 18 als Transistor für hohe Frequenzen ausgesucht, wogegen der Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung 26 mit einer niederen Grenzfrequenz arbeiten kann. Damit ist die charakteristik sehe Diodenspannung an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 grosser als die entsprechende charakteristische Diodenspannung an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52, wenn ein gegebener Vorspannungsgleichstrom über die Basis-Emitterstrecke dieser Transistoren aufrechterhalten wird. Bei der dargestellten Ausführungsform kann die charakteristische Diodenspannung des Transistors 36 in der Grössenordnung von 50 bis 100 mV, jedoch auch darunter und darüber liegen, wobei sie immer grosser ist als die charakteristische Diodenspannung an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52. Diese Spannungsangaben dienen jedoch nur der beispielweisen Erörterung. Wenn jedoch ein Hochfrequenzsignal an die Basis des Transistors 36 vom Ausgang des ÜberlagerungsOszillators 24 angelegt wird, kann die Basis-Emitterspannung des Transistors 36 bis zu einem Wert abnehmen, der unterhalb der charakteristischen Diodenspannung an "der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 ist.The transistor 36 of the mixer stage 18 is preferably selected as a transistor for high frequencies, whereas the transistor 52 of the oscillator control circuit 26 with a low Cutoff frequency can work. This is the characteristic see diode voltage at the base-emitter path of the transistor 36 greater than the corresponding characteristic diode voltage at the base-emitter junction of transistor 52 when a given DC bias current is across the base-emitter junction of these transistors is maintained. In the illustrated embodiment, the characteristic Diode voltage of transistor 36 in the order of magnitude of 50 to 100 mV, but also below and above, where it is always greater than the characteristic diode voltage at the base-emitter path of the transistor 52. However, these voltage data are only used for discussion by way of example. if however, a high frequency signal is applied to the base of transistor 36 from the output of local oscillator 24, the base-emitter voltage of the transistor 36 can decrease to a value which is below the characteristic diode voltage at "the base-emitter junction of transistor 52 is.

Dieöe Abnahme der Basis-Emitterspannung am Mischertransistor 36 verringert entsprechend das Ausgangssignal des Transistors 52, womit seinerseits die Amplitude der Oszillatorfrequenz am Transistor 41 entsprechend verringert wird. Zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Überlagerungsoszillators besteht eine geschlossene Kopplungsschleife, die auf die Signalinjektion an der Mischerstufe 18 anspricht.The decrease in the base emitter voltage at the mixer transistor 36 correspondingly reduces the output of the transistor 52, which in turn reduces the amplitude of the oscillator frequency at transistor 41 accordingly. Between the entrance and the output of the local oscillator is a closed coupling loop that responds to the signal injection responds to the mixer stage 18.

Die ZF-Verstärkerstufe 28 umfasst einen Transistor 60, dessen Basis an die eitung 44 angeschlossen ist., und das vom AusgangThe IF amplifier stage 28 comprises a transistor 60, the base of which is connected to the line 44, and that from the output

- 12 - . der - 12 -. the

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der .Mischerstufe 18 gelieferte ZF-Signal empfängt. Ein Arbeitswiderstand 61 ist"mit dem Kollektor des Transistors "16 einerseits und andererseits mit der Betriebsspannung B+ verbunden. Der Emitter dieses Transistors 16 liegt über einen Bypasskondensator 62 ebenfalls an der Betriebsspannung B+. Ein Widerstand 63 ist zwischen den Emitter des Transistors 60 und die Leitung 35 geschaltet, die auf Bezugspotential liegt.the .Mischerstufe 18 receives delivered IF signal. A work resistance 61 is "with the collector of transistor" 16 on the one hand and on the other hand connected to the operating voltage B +. The emitter of this transistor 16 is also connected to the operating voltage B + via a bypass capacitor 62. A resistor 63 is connected between the emitter of the transistor 60 and the line 35, which is at reference potential lies.

Es ist besonders vorteilhaft, dass alle Bypasskondensatoren, die in der Empfängereingangsschaltung 10 Verwendung finden, an der Betriebsspannung B+ angeschlossen sind und nicht am Bezugspotential liegen, das vorzugsweise Massepotential ist und auf der Leitung 35 wirkt. So ist z.B. die Basis des Transistors 41 des Überlagerungsoszillators 24 über einen Bypasskondensator 65 mit der Betriebsspannung mittels der Leitungsabschnitte 66 und 56 verbunden. In entsprechender Weise liegt die Basis des Transistors 52 der Oszillatorkontrollschaltung 26 über einen Bypasskondensator 67 und die Leitungen 68 sowie 56 an der Betriebsspannung. Auch der Emitter des Transistors 30 der HF-Verstärkerstufe 16 ist über einen Bypasskondensator 69 und die Leitung 56 mit der Betriebsspannung verbunden. Der von der Induktivität 42 und dem Kondensator 43 gebildete Resonanzschwingkreis und ebenso der aus den Kondensatoren 48 und 49 sowie der Induktivität 51 gebildete Resonanzschwingkreis liefern das Betriebspotential für die Transistoren 36 und 41, so dass somit diese Transistoren 36 und 41 ihre HF-mässige Masse ebenfalls über die Betriebsspannung B+ erhalten. Damit wird durch das Anschliessen aller Bypasskondensatoren an die Betriebsspannung B+ erreicht, dass jeder der Widerstände 34, 53, 45 und 63 als Arbeitswiderstand wirksam¹ist, an dem sich das Signal aufbaut, so dass eine Gleichstromkopplung wie z.B. zwischen dem Kollektor des Transistors 52 und der Basis des Transistors 41 tatsächlich erhalten wird, ohne Wechselstromkoppelglieder zu verwenden.It is particularly advantageous that all bypass capacitors that are used in the receiver input circuit 10 are connected to the operating voltage B + and are not connected to the reference potential, which is preferably ground potential and acts on the line 35. For example, the base of transistor 41 of local oscillator 24 is connected to the operating voltage via a bypass capacitor 65 by means of line sections 66 and 56. In a corresponding manner, the base of the transistor 52 of the oscillator control circuit 26 is connected to the operating voltage via a bypass capacitor 67 and the lines 68 and 56. The emitter of transistor 30 of HF amplifier stage 16 is also connected to the operating voltage via a bypass capacitor 69 and line 56. The resonance circuit formed by the inductance 42 and the capacitor 43 and also the resonance circuit formed by the capacitors 48 and 49 and the inductance 51 provide the operating potential for the transistors 36 and 41, so that these transistors 36 and 41 also have their HF-moderate mass obtained via the operating voltage B +. By connecting all the bypass capacitors to the operating voltage B +, each of the resistors 34, 53, 45 and 63 is effective as a working resistor ¹ on which the signal builds up, so that a direct current coupling such as between the collector of the transistor 52 and the base of the transistor 41 is actually obtained without using AC coupling elements.

- 13 - IiL.- 13 - III.

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In Fig. 3 ist eine vereinfachte Schaltkreisanordnung gemäss Fig. 2 dargestellt, bei der nur die Gleichstromverbindungen zur einfacheren und klareren Darstellung des neuen Konzepts der Erfindung eingezeichnet sind. Die den Teilen der Schaltung gemäss Fig. 2 entsprechenden Komponenten sind in Fig. 3 mit denselben Bezugszeichen versehen. Das Vorspannungspotential, das von einer aussen gelegenen Quelle zugeführt werden kann, wird an die Basiselektrode des Transistors 30 angelegt, wobei der Spannungswert derart ausgewählt ist, dass dieser Transistor 30 Strom führt und etwa eine Spannung von ungefähr 0,1 Volt bzw. mehr oder weniger am Widerstand 34- im Emitterkreis des Transistors 30 abfällt. Diese Anordnung veranlasst den Transistor 30, als' Spannungsquelle für die HF-Verstärkerstufe 16 und die Mischerstufe 18 zu wirken. Die Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 liegt innerhalb der gestrichelten Linie 36a. Diese Basis-Emitterstrecke 36 ist parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors 52 geschaltet, wobei diese Parallelschaltung eine gleichstrommässige Verbindung ist. Wie bereits ' erwähnt, wird der Transistor 36 derart ausgewählt, dass er eine verhältnismässig hohe Grenzfrequenz besitzt, wogegen der Transistor 52 eine verhältnismässig niedere Grenzfrequenz aufweisen soll. Da der Basis-Emitter-Spannungsabfall am Transistör 36, der etwa in der Grössenordnung zwischen 50 und 100 mV bzw. mehr oder weniger liegen kann, grosser ist als der Basis-Emitter-Spannungsabfall am Transistor 52, wird dieser Transistor 52 stark leitend gemacht. Um einen höheren Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 zu erreichen, ist es selbstverständlich, dass eine Diode oder ein Widerstand in der Leitung 36b in Serie zur Basis des Transistors 36 geschaltet werden kann. Bei diesem Schaltungsatfbau können die Transistoren 36 und 52 vom gleichen Typ sein.In Fig. 3 is a simplified circuit arrangement according to Fig. 2 is shown in which only the direct current connections for the simpler and clearer illustration of the new concept of the invention are shown. The components corresponding to the parts of the circuit according to FIG. 2 are shown in FIG the same reference numerals. The bias potential that can be supplied from an outside source, is applied to the base electrode of the transistor 30, the voltage value being selected such that this transistor 30 carries current and a voltage of about 0.1 Volt or more or less at resistor 34- in the emitter circuit of transistor 30 drops. This arrangement causes the transistor 30 to act as a voltage source for the RF amplifier stage 16 and the mixer stage 18 to act. The base-emitter path of the transistor 36 lies within the dashed line 36a. This base-emitter path 36 is connected in parallel to the base-emitter path of the transistor 52, this parallel connection is a direct current connection. As already mentioned, the transistor 36 is selected such that it has a comparatively high cut-off frequency, whereas the transistor 52 has a comparatively low cut-off frequency target. Since the base-emitter voltage drop across the transistor 36, which is roughly in the order of magnitude between 50 and 100 mV or more or less, is greater than the base-emitter voltage drop at transistor 52, this transistor 52 is made highly conductive. To a higher voltage drop to achieve at the base-emitter path of the transistor 36, it goes without saying that a diode or a resistor connected in series with the base of transistor 36 on line 36b can be. In this Schaltungsatfbau can Transistors 36 and 52 can be of the same type.

Der Strom des Transistors 30 ist abhängig vom Wert der Vorspannung an dessen Basis, die einen Stromfluss über die Emitter-Basisstrecke des Transistors 52 verursacht und diesen The current of transistor 30 is dependent on the value of the bias voltage at its base, which causes a current to flow through the emitter-base path of the transistor 52 and this

_ 14 - dadurch _ 14 - by it

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dadurch, leitend macht* Der Leitfähigkeitszustand der Transistors 52 kann wegen des Spannungsabfalles an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 verhältnismässig hoch sein, und möglicherweise sogar den Sättigungszustand erreichen. Als Ergebnis der GleichstronLvkopplung zwischen dem Kollektor des Transistors 52 und der Basis des Transistors 41 wird dieser in einem Umfang leitend, der von der Stromführung des Transistors 52 abhängt j d.h. ein hoher Strom im Transistor 52 verursacht entsprechend eine hohen Strom im Transistor 41. Da der Transistor 41 das aktive Element des Überlagerungsoszillators ist, verursacht ein hoher Strom in diesem Transistor ein Oszillatorausgangssignal mit einer entsprechend hohen Amplitude, das an die Basis des Mischertransistors angelegt wird. Entsprechend den Ausführungen über die Basis-Emitterstrecke 36a des Transistors 36 wird durch das an diese Sperrschicht angelegte hochfrequente Ausgangssignal des Überlagerungsoszillators 24 die charakteristische Diodenspannung erzeugt, die mit dem Amplitudenanstieg des Oszillatorsignals abnimmt. Wenn somit ein Oszallatorsignal an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 36 wirksam ist, nimmt der Spannungsabfall an dieser Grenzschicht ab und kann auf einen Pegelwert erniedrigt werden, der kleiner ist als der Spannungsabfall an der Basis-Emitterstrecke des Transistors 52. Durch diese Funktion tendiert der Transistor 52,nicht leitend zu werden oder in einem im wesentlichen nicht leitenden Zustand zu verbleiben, was eine wesentliche Verringerung des Stromes durch den Oszillatortransistor 5I bewirkt, das seinerseits eine Verringerung des Oszillatorausgangssignals auslöst, das an die Basis des Transistors 36 angelegt wird. Damit ergibt sich eine gleichstrommässige Rückkopplungsschleife zwischen dem Oszillatortransistor 41 und dem Mischertransistor 36, wobei der Transistor 52 der Oszillatorkontrollschaltung den Strom in der Rückkopplungsschleife steuert. Diese Rückkopplungsschleife bewirkt, dass das hochfrequente Ausgangssignal am Oszillator kontinuierlich auf einen Wert ge-thereby, makes conductive * The conductivity state of the transistor 52 can because of the voltage drop at the base-emitter path of transistor 36 can be relatively high, and possibly even reach the saturation state. As a result the DC coupling between the collector of transistor 52 and the base of transistor 41 becomes this Conducting to an extent which depends on the current flow of transistor 52, i.e. a high current in transistor 52 correspondingly causes a high current in transistor 41. Since transistor 41 is the active element of the local oscillator, causes a high current in this transistor an oscillator output signal with a correspondingly high amplitude, which is sent to the base of the mixer transistor is created. Corresponding to the statements about the base-emitter path 36a of the transistor 36 is through the to this High-frequency output signal of the local oscillator 24 applied to the barrier layer, the characteristic diode voltage generated, which decreases with the increase in amplitude of the oscillator signal. Thus, when an oscillator signal is applied to the Base-emitter path of the transistor 36 is effective, the voltage drop at this boundary layer decreases and can a level value can be lowered which is smaller than the voltage drop across the base-emitter path of the transistor 52. By this function, transistor 52 tends not to become conductive or to remain in a substantially non-conductive state, which is a substantial reduction of the current through the oscillator transistor 5I, which in turn reduces the oscillator output signal triggers which is applied to the base of transistor 36. This results in a DC feedback loop between the oscillator transistor 41 and the mixer transistor 36, the transistor 52 of the oscillator control circuit controls the current in the feedback loop. These Feedback loop causes the high frequency output signal on the oscillator continuously to a value

- 15 - steuert - 15 - controls

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steuert wird, der gerade gross genug ist, um zu veranlassen, dass die an den Basis-Emitterstrecken der Transistorsn 36 und 52 abfallende charakteristische Diodenspannung im wesentlichen gleich ist. Dies ist die Bedingung, welche einen optimalen Betrieb für den Überlagerungsoszillator 24 mit einem minimalen, durch den Oszillatortransistor 41 fliessenden Strom bewirkt.is controlled, which is just large enough to cause that at the base-emitter paths of the transistors 36 and 52 decreasing diode characteristic voltage substantially is equal to. This is the condition which allows optimal operation for the local oscillator 24 with a caused minimal current flowing through the oscillator transistor 41.

Durch die Steuerung des Überlagerungsoszillators 24 in Abhängigkeit von dem Betrag des Oszillatorsignals, das der Mischerstufe 18 zugeführt wird, wird nur derjenige Strom von der Spannungsversorgung B+ gezogen, der unbedingt hotwendig .. ist, um ein Qszillatorsignal der gewünschten Amplitude zu erzeugen und eine einwandfreie Mischung in der Mischerstufe 18 auszulösen. Bei diesem Aufbau der Empfängereingangsschaltung 10 wird die stromsparende Eigenschaft der Schaltung besonders günstig. Dies führt zu der Möglichkeit, dass zusammen mit dem Merkmal eines gemeinsamen Stromes zwischen der HP-Verstärkerstufe 16.und der Mischerstufe 18 (Verstärkertransistor JO und Mischertransistor 36) -die Empfängereingangsschaltung 10 mit einer Betriebsspannung betrieben werden kann, die etwa in der Grössenordnung von 1 bis 1 1/2 Volt bei einer minimalenBy controlling the local oscillator 24 as a function of the amount of the oscillator signal which is fed to the mixer stage 18, only that current of of the voltage supply B +, which is absolutely necessary .. in order to generate an oscillator signal of the desired amplitude and to initiate perfect mixing in the mixer stage 18. In this structure, the receiver input circuit 10, the power-saving property of the circuit is particularly favorable. This leads to the possibility that along with the Feature of a common current between the HP amplifier stage 16 and the mixer stage 18 (amplifier transistor JO and mixer transistor 36) -the receiver input circuit 10 can be operated with an operating voltage that is approximately in of the order of 1 to 1 1/2 volts at a minimum

Stromabnahme liegt. Die Leistung kann von Trockenzellen od. dgl. geliefert werden, wobei der Empfänger über eine längere Zeitdauer bei einer gegebenen Batterie arbeitet, als dies bisher' der Fall ist.Current consumption is. The power can be supplied by dry cells or the like, with the recipient over a longer period of time Length of time for a given battery than has previously been the case.

Die an die Basis des Transistors 30 angelegte Bezugsspannung kann von einer getrennten Bezugsspannungsquelle abgegriffen werden, welche den Arbeitspunkt für die Empfängereingangsschaltung 10 festlegt. Die Vorspannung kanu auch durch eine' Spannungsrückkopplung von der ZF-Verstärkerstufe 28 gewonnen werden, wie dies aus Fig. 4 hervorgeht.The reference voltage applied to the base of transistor 30 can be tapped from a separate reference voltage source, which is the operating point for the receiver input circuit 10 sets. The bias voltage can also be obtained by a voltage feedback from the IF amplifier stage 28 as can be seen from FIG.

- 16 - . In- 16 -. In

109880/1133. , -■:"109880/1133. , - ■: "

In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform einer Empfängereingangsschaltung 70 dargestellt, die gemäss der Erfindung aufgebaut ist. Die HF-Verstärkerstufe 71 besitzt einen Transistor 72, der lastseitig direkt mit der Arbeitselektrode des Transistors 73 gekoppelt ist, der das aktive Element der Miseherstufe 7^ ist. Die Gleichstromkopplung zwischen den Transistoren 72 und 73 wird vorzugsweise über ein induktives Element 76 bewirkt, das einen Abgriff 76a besitzt, der direkt an der Basis des Transistors 77 liegt und das aktive Element einer Oszillatorkontrollschaltung 78 darstellt.4 shows a further embodiment of a receiver input circuit 70 which is constructed in accordance with the invention. The RF amplifier stage 71 has a transistor 72 which, on the load side, is coupled directly to the working electrode of the transistor 73, which is the active element of the miser stage 7 ^. The direct current coupling between the transistors 72 and 73 is preferably effected via an inductive element 76 which has a tap 76a which is connected directly to the base of the transistor 77 and which is the active element of an oscillator control circuit 78.

Parallel zur Induktivität 76 liegt ein Kondensator 79 bildet mit diesem zusammen einen Resonanzschwingkreis, wobei die Induktivität die Ausgangsimpedanz des Transistors 72 an die Eingangsimpedanz am Emitter des Transistors 73 anpasst. Die Basis des Transistors 72 ist direkt mit der Eingangsklemme 12a über einen Teil einer Induktivität 80 angeschlossen, welche zusammen mit einem Kondensator 81 einen Resonanzschwingkreis bildet und auf die gewünschte HF-Eingangsfrequenz abgestimmt Ist. Der Kondensator 81 kann als veränderliche Kapazität ausgebildet sein, ebenso wie auch die Induktivität als veränderliche Induktivität ausgebildet sein kann, um den Resonanzschwingkreis auf ein gegebenes Frequenzband abstimmen zu können, das von der Empfängereingangsschaltung 70 empfangen werden soll. Ein Bypasskondensator 82 liegt zwischen dem Resonanzschwingkreis aus den Elementen 80 und 81 und der Spannungsversorgung B+.A capacitor 79 is located in parallel with the inductance 76 together with this forms a resonant circuit, the inductance being the output impedance of the transistor 72 adjusts the input impedance at the emitter of transistor 73. The base of the transistor 72 is connected directly to the input terminal 12a via part of an inductance 80, which together with a capacitor 81 a resonant circuit forms and is matched to the desired RF input frequency. The capacitor 81 can be designed as a variable capacitance be, as well as the inductance can be designed as a variable inductance to the resonant circuit to be able to tune to a given frequency band received by the receiver input circuit 70 target. A bypass capacitor 82 is located between the resonant circuit from elements 80 and 81 and the power supply B +.

Die Ausgangsseite der Mischerstufe 7^ ist an einen Widerstand 83 und einen Kondensator 84 angeschlossen, im Gegensatz zu dem Resonanzschwingkreis an der Ausgangsseite des Transistors 36 der Mischerstufe 18 gemäss Fig. 2. Bei dieser Ausführungsform dient der Widerstand 83 einer Doppel funktion in der Schaltung und stellt einerseits einen Lastwiderstand für den Mischertransistor 73 dar, an welchem das ZF-Signal abfällt, undThe output side of the mixer stage 7 ^ is connected to a resistor 83 and a capacitor 84 connected, in contrast to the resonant circuit on the output side of the transistor 36 of the mixer stage 18 according to FIG. 2. In this embodiment, the resistor 83 serves a dual function in the circuit and on the one hand provides a load resistance for the mixer transistor 73, at which the IF signal drops, and

- 17 - liefert - 17 - delivers

109 886/1133109 886/1133

liefert ferner Einrichtungen zum Messen und eventuellen Steuern des Stromflusses durch den Mischertransistor 73 und den HP-Verstärkertransistor 72. Der Strom durch die Serienschaltung der Transistoren 72 und 7^fcann durch das Messen des Spannungsabfalls am Widerstand 83 festgestellt werden, der einen bekannten Widerstandswert besitzt.also provides devices for measuring and possibly controlling the current flow through the mixer transistor 73 and the HP amplifier transistor 72. The current through the series circuit of transistors 72 and 7 can be measured by measuring of the voltage drop across resistor 83, which has a known resistance value.

Der Überlagerungsoszillator 86 umfasst einen Transistor 87, dessen Basis direkt mit dem Kollektor des Transistors 77 in der Oszillatorkontrollschaltung 78 gekoppelt ist. Die Vorspannung des Transistors 87 entsteht am Widerstand 88, der in Serie zum Transistor 77 zwischen diesem und einer Leitung 89 liegt, die das Bezugspotential,vorzugsweise Massepotential, führt. Der Kollektor des Transistors 87 ist mit der positivenThe local oscillator 86 comprises a transistor 87, the base of which is directly coupled to the collector of the transistor 77 in the oscillator control circuit 78. The bias of the transistor 87 arises at the resistor 88, which is in series with the transistor 77 between the latter and a line 89 which carries the reference potential, preferably ground potential. The collector of transistor 87 is positive

Spannungsversorgung B+ über eine Induktivität 90 verbunden, wogegen die Basis-Emitterstrecke des Transistors 77 parallel zur Basis-Emitterstrecke des Transistors 73 über eine Leitung 81 und eine Induktivität 90 liegt. Parallel zur Induktivität 90 sind zwei Kondensatoren 92 und 93 geschaltet, die im Schaltungspunkt 9^ zusammengeschaltet sind und in diesem Punkt an eine abstimmbare Schaltung angeschlossen sind, die aus der Induktivität 96 und einem piezoelektrischen Element 97 besteht, welche die Oszillatorfrequenz des Transistors 87 fixieren. Der Überlagerungsoszillator 86 kann auf eine variable Frequenz abstimmbar sein, indem der Resonanzschwingkreis aus der Induktivität 80 und dem Kondensator 81 entsprechend abstimmbar ist, so dass die Empfängereingangsschaltung 70 in einem gegebenen Frequenzband auf die Empfangsfrequenz einstellbar „ ist. In Serie zum Transistor 87'ist ein Widerstand 98 geschaltet, wogegen die Ausgangsseite dieses Transistors, d.h. der Kollektor gleichspannungsmässig mit der Basis des Transistors 73 über die Leitung 99 verbunden ist. Durch diese Schaltkreis anordnung erhält man eine geschlossenere Kopplungsschleife zur Steuerung des Ausgangssignals des Überlagerungsoszillators 86 entsprechend der Steuerung der Empfängereingangsschaltung 10 gemäss Fig. 2Power supply B + connected via an inductance 90, whereas the base-emitter path of the transistor 77 is parallel to the base-emitter path of the transistor 73 via a line 81 and an inductance 90 is located. Two capacitors 92 and 93 are connected in parallel with inductance 90, which are connected together in circuit point 9 ^ and at this point on a tunable circuit is connected, which consists of the inductance 96 and a piezoelectric element 97, which fix the oscillator frequency of the transistor 87. The local oscillator 86 can be set to a variable frequency be tunable by the resonance circuit from the Inductance 80 and the capacitor 81 can be adjusted accordingly, so that the receiver input circuit 70 in one given frequency band adjustable to the receiving frequency " is. A resistor 98 is connected in series with transistor 87 ', whereas the output side of this transistor, i.e. the collector in terms of voltage with the base of the transistor 73 is connected via line 99. This circuit arrangement results in a more closed coupling loop to control the output signal of the local oscillator 86 corresponding to the control of the receiver input circuit 10 according to FIG. 2

- 18 - .-. - - Jas.- 18 - .-. - - Yes.

109886/1133109886/1133

Das ZF-Signal, das sich am Widerstand 83 auf der Ausgangsseite der Mischerstufe 7^- ausbildet, wird gleichstrommässig an die Basis eines Transistors 100 angelegt, der eine erste Zi¹-Verstärkerstufe innerhalb der EmpfängereingangsschaltungThe IF signal, which is formed at the resistor 83 on the output side of the mixer stage 7 ^ - is applied with direct current to the base of a transistor 100, which is a first Zi ¹ amplifier stage within the receiver input circuit

70 bildet. Die Gleichstromkopplung erfolgt über die Leitung 101 und über eine Diode 102. Mit dem Verbindungspunkt der Basis des Transistors 100 und der Kathode der Diode 102 steht70 forms. The direct current coupling takes place via the line 101 and a diode 102. With the connection point of the Base of transistor 100 and the cathode of diode 102 is

■_;e insider st and 103 in Verbindung, der andererseits am Bezugspo.tential liegt. Der Transistor 100 stellt die erste Stufe einer ZIP-Verstärkerstufe dar, wobei das ZF-Signal am Widerstand 104- entsteht und dieses Signal an die Basis einer zweiten ZF-Verstärkerstufe mit einem Transistor 106 anlegbar ist. Der Emitter des Transistors 100 der ersten ZF-Vers'tärkerstuf e ist mit der Spannungsversorgung B+· über einen Widerstand 107 verbunden, zu dem parallel ein Bypasskondensator 108 liegt. Zum Transistor 106 der zweiten ZF-Verstärkerstufe ist ein erster Widerstand 109 in Serie geschaltet, zu dem ein zweiter Widerstand 110 in Serie liegt, der seinerseits parallel zu einem Bypasskondensator 111 geschaltet ist. Die Widerstände 109 und 110 stellen einen Spannungsteiler dar, so dass ein Spannungswert am Schaltungspunkt 112 zwischen den beiden Widerständen abgreifbar ist, der gleichstrommässig an die Basis des Transistors 72 in der HF-Verstärkerstufe 7I über die Leitung 113' und über die Induktivität 80 anlegbar ist. Diese gleichstrommässige Rückkopplung zwischen der letzten ZF-Verstärkerstufe und der HF-Verstärkerstufe 71 liefert eine Steuermöglichkeit für den Gesamtstrom durch die HF-Verstärkerstufe■ _; e insider is connected to 103, which on the other hand is connected to the reference potential. The transistor 100 represents the first stage of a ZIP amplifier stage, the IF signal being produced at the resistor 104- and this signal being able to be applied to the base of a second IF amplifier stage with a transistor 106. The emitter of the transistor 100 of the first IF amplifier stage is connected to the voltage supply B + · via a resistor 107, to which a bypass capacitor 108 is connected in parallel. A first resistor 109 is connected in series with the transistor 106 of the second IF amplifier stage, to which a second resistor 110 is connected in series, which in turn is connected in parallel with a bypass capacitor 111. The resistors 109 and 110 represent a voltage divider so that a voltage value can be tapped at the node 112 between the two resistors, which can be applied in direct current to the base of the transistor 72 in the RF amplifier stage 7I via the line 113 'and via the inductance 80 . This DC feedback between the last IF amplifier stage and the RF amplifier stage 71 provides a means of controlling the total current through the RF amplifier stage

71 und die Mischerstufe 74- "und bewirkt ferner, dass ein verstärktes Z]P-SignäL an die Einrichtungen zur Verarbeitung der ZF-Signale gemäss Fig. 1 zur Verfügung steht.71 and the mixer stage 74- "and also causes an amplified Z] P-Signal to the devices for processing the IF signals according to FIG. 1 is available.

Die Empfängereingangsschaltung 70 gemä&s Fig. 4 arbeitet im wesentlichen in derselben Weise wie die entsprechende Schaltung gemäss Fig.""Z. Der gemeinsame, über die HF-Verstärkerstufe 71 und die Mischerstufe 74 fliessende Strom 'trittThe receiver input circuit 70 of FIG. 4 operates essentially in the same way as the corresponding circuit of FIG. "" Z. The common current flowing through the HF amplifier stage 71 and the mixer stage 74 occurs

- 19 - . " .- zwischen - 19 -. ".- between

10 98 8671 13310 98 8671 133

zwischen "dem Kollektor und dem Emitter der Transistoren dieser beiden Stufen auf und fliesst über eine Induktivität, die zwischen den beiden Elektroden liegt. Ein Abgriff dieser Induktivität 76 ist gleichstrommässig mit der Basis der Oszillatorkontrollschaltung 77 verbunden, die ihrerseits kollektorseitig gleichstrommässig an die Basis des Oszillatortransistors 87 angeschlossen ist. Die Basis-Emitterstrecken der Transistoren 73 und 77 sind parallel geschaltet bezüglich des Gleichstromes,und das Ausgangssignal des Oszillatortransis-tors 87 ist gleichstrommässig an die Basis des Mischertransistors 73 angeschlossen.between "the collector and the emitter of the transistors of these two stages and flows through an inductance, which is located between the two electrodes. A tap of this inductance 76 is DC connected to the base of the oscillator control circuit 77 , which in turn on the collector side DC to the base of the oscillator transistor 87. The base-emitter paths of the transistors 73 and 77 are connected in parallel with regard to the direct current, and the output signal of the oscillator transistor 87 is connected to the base of the mixer transistor 73 in direct current.

Die Gleichstromkopplung zwischen den einzelnen Komponenten dieser Empfängereingangsschaltung 70 ist im wesentlichen dieselbe,wie sie anhand von Fig. 3 für die Schaltung gemäss Fig. 2 erklärt wurde. Ein Unterschied besteht darin, dass eine weitere Stufe für die ZF-Verstärkung vorgesehen ist und eine direkte Gleichstromrückkopplung zwischen der zweiten. ZF-Verstärkerstufe und der eingangsseitigen HF-Verstärkerstufe besteht. Ferner ist eine Diode in Serie zu der Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangsseite der Mischerstufe und der Eingangsseite der ZF-Verstärkerstufe mit dem Transistor 100 geschaltet. The DC coupling between the individual components of this receiver input circuit 70 is essentially the same as that it was explained with reference to FIG. 3 for the circuit according to FIG. One difference is that there is another Stage is provided for the IF amplification and a direct DC feedback between the second. IF amplifier stage and the input-side RF amplifier stage. Furthermore, a diode is in series with the DC coupling between the output side of the mixer stage and the input side the IF amplifier stage is connected to transistor 100.

Die Empfängereingangsschaltungen 10 und 70 gemäss der dargestellten Ausführungsformen stellen eine Schaltungsanordnung dar, bei welcher eine Verbindung zwischen verschiedenen aktiven Schaltkreiskomponenten über Gleichstrompfade besteht, wodurch die Notwendigkeit für Wechselstromkoppelelemente, z.B. Kondensatoren oder Transformatoren, entfällt. Auch wird ein wesentlicher Leistungsbetrag durch die. Verwendung eines gemeinsamen Stromes über die Mischerstufe und die HF-Verstärkerstufe gespart und ferner der Oszillatorstrom als Folge der gleichstrommässigen Rückkopplung auf ein Minimum reduziert, die zwischen der Ausgangsseite des Oszillators und der Eingangsseite des Oszillators angeordnet ist, wobei das Rück-The receiver input circuits 10 and 70 according to FIG Embodiments provide a circuit arrangement represents, in which there is a connection between various active circuit components via direct current paths, whereby there is no need for AC coupling elements, e.g. capacitors or transformers. Also becomes a essential benefit amount through the. Use of a common current via the mixer stage and the HF amplifier stage saved and furthermore the oscillator current is reduced to a minimum as a result of the direct current feedback, which is arranged between the output side of the oscillator and the input side of the oscillator, the back

- 20 - kopplungsaignal - 20 - coupling signal

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kopplungssignal in Abhängigkeit von der Amplitude des an die Mischerstufe angelegten Signals gesteuert wird.coupling signal depending on the amplitude of the Mixer stage applied signal is controlled.

- 21 - Patentansprüche - 21 - Claims

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Claims

β monks 7i, May 25, 1971

Melchiorstrasse 42

-single sign: M197P-558

Claims

Receiver input circuit for converting HP signal information into ZP signal information with a mixer stage, the output side with a Device for processing the IF signals connected is and is on the input side of a local oscillator, and an RF amplifier stage, characterized in that the RF amplifier stage (16; 71) in terms of direct current with the mixer stage (18; 74) is connected in series in such a way that a current supplied by the voltage supply reaches the mixer stage -and flows through the HF amplifier stage.

Receiver input circuit according to Claim 1, characterized in that the mixer stage is characterized a local oscillator (24) is connected which is connected to an oscillator control circuit (26) is, whose output side (26c) to the first input (18b) of the mixer stage (18) in terms of direct current connected.

Receiver input circuit according to Claim 1 or 2, characterized in that the mixer stage (18; 74) and the RF amplifier stage (16;

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M197P-558 active elements for flow control (36; 73 "or 30; 72)

includes, with their connected to a load resistor Electrodes are coupled with direct current.

4. Receiver input circuit according to one of claims 1 to 3 _5, characterized in that an inductance (375 76) in series between the output of the RF amplifier stage (16; 71) and the second input (18a) of the mixer stage (18; 74) is connected, and that the "local oscillator comprises an active element (26; 78) which is connected to a tap (37a; 76a) of the inductance (37; 76) for controlling the amplitude of the output signal s of the oscillator as a function of the amplitude value of the Oscillator frequency which is connected to the first input (18b) of the mixer stage (18 ^ 7 ^).

5. Receiver input circuit according to one of claims 1 to 4, characterized in that the mixer stage (18; 7 ^) comprises a transistor (36; 73), that the local oscillator (24 $ 86) can be controlled by an oscillator control circuit (26; 78) which comprises a transistor (72; 77), wherein the base-emitter path of the transistors of the mixer stage and the oscillator control circuit are connected in parallel to each other.

at the beginning

6. Receiver circuit according to claim 5? thereby g, e k e η η -

ζ ei chne t that the mixer transistor (36; 73) is a transistor with a high cut-off frequency and the oscillator transistor (52; 77) is a transistor with a low cut-off frequency, and that a voltage drop occurs at the base-emitter path at the transistor with a low frequency, if this is biased with a DC voltage that is smaller than the voltage drop across the base-emitter path of the mixer transistor.

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7. Receiver input circuit according to one or more of claims 1 "to 6, characterized in that at the input of the EF amplifier stage a resonance circuit composed of an inductance (80) and

a capacitance (81) is arranged, that the input terminal (12a) of the receiver input circuit is connected to a tap of the inductance (80), that an intermediate frequency amplifier stage (100 and 106) is on the input side, in line with the output of the mixer stage (7 ^ - ) is connected, and that the output signal from the ZE ¹ amplifier stage (106) is fed back to the input of the HF amplifier stage (71) via the impedance (80) in order to create a reference voltage for the HF amplifier stage depends on the amplitude of the output signal of the IF amplifier stage.

8. Receiver input circuit according to claim 7> characterized in that a diode (102) between the output side of the mixer stage (7 ^) and the input side of the IF amplifier stage (100 and 106) is switched.

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