[go: up one dir, main page]

DE2056620B2 - Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters - Google Patents

Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters

Info

Publication number
DE2056620B2
DE2056620B2 DE19702056620 DE2056620A DE2056620B2 DE 2056620 B2 DE2056620 B2 DE 2056620B2 DE 19702056620 DE19702056620 DE 19702056620 DE 2056620 A DE2056620 A DE 2056620A DE 2056620 B2 DE2056620 B2 DE 2056620B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
workpiece
electron
adjustment
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19702056620
Other languages
English (en)
Other versions
DE2056620A1 (de
Inventor
Robert William Hopewell Junction; Weber Edward Victor; Woodard Ollie Clefton; Poughkeepsie; N.Y. Kruppa (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2056620A1 publication Critical patent/DE2056620A1/de
Publication of DE2056620B2 publication Critical patent/DE2056620B2/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/19—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by positioning or contouring control systems, e.g. to control position from one programmed point to another or to control movement along a programmed continuous path
    • G05B19/39—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by positioning or contouring control systems, e.g. to control position from one programmed point to another or to control movement along a programmed continuous path using a combination of the means covered by at least two of the preceding groups G05B19/21, G05B19/27 and G05B19/33
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/42—Servomotor, servo controller kind till VSS
    • G05B2219/42251—Control position of beam in coordination with xy slide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)

Description

40
Die Erfindung betrifft eine Justiervorrichtung für eine Vorrichtung zum Bestrahlen eines Werkstückes in der Form eines Musters durch einen Elektronenstrahl, mit einem Justierdetektor, in dem die beim Auftreffen des Elektronenstrahls auf eine auf dem Werkstück angeordnete Registriermarke gestreuten Elektronen ein Signal auslösen, das einer Vergleichsschaltung zugeführt wird.
Aus der FR-PS 15 33 755 ist eine Justiervorrichtung dieser Art bekannt, bei der der Justierdetektor lediglich ein einziges Signal für die Amplitude der in den Justierdetektor einfallenden Streuelektronen liefert. Eine vom Sollwert abweichende Amplitude des Ausgangssignals des Justierdetektors läßt nicht erkennen, in welcher Richtung auf der flächenhaften Unterlage die betreffende Registriermarke dejustiert ist.
Aus der FR-PS 15 48 855 ist eine Justiervorrichtung bekannt, bei der der Elektronenstrahl in einer vorgezeichneten Wellenlinie über eine flächenhafte Registriermarke geführt wird. In den Justierdetektor gelangen im Zuge der Abtastung der Registriermarke eine Signalfolge, deren Abweichung von einer vorgegebenen Signalfolge alle Informationen zur Beschreibung der zweidimensionalen Dejustierung der Registriermarke enthält, so daß mit dem daraus abgeleiteten Signalen des Justierdetektors eine zweidimensionale Nachjustierung möglich ist. Das setzt aber eine entsprechend feine Abtastung der Fläche der Registriermarke voraus und erfordert, daß die Registriersignale über den Zeitraum der Abtastung integriert ausgewertet werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß damit Registriersignale, die die zweidimensionale Dejustierung eindeutig kennzeichnen, gewonnen werden können, ohne daß es erforderlich ist, den Elektronenstrahl dazu rastermäßig über die Fläche der Registriermarken auszulenken.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Justierdetektor vier sich über die Quadranten einer Kreisfläche erstreckende elektronenempfindliche Zellen und einen Durchbruch für den Durchtritt des Elektronenstrahls im Kreisflächenzentrum aufweist und daß die elektronenempfindlichen Zellen paarweise gegenüberliegend an je einen Differenzverstärker angeschlossen sind, aus dessen Ausgangssignalen Korrektursignale abgeleitet werden, durch die die relative Lage zwischen dem Werkstück und dem Auftreffpunkt des Elektronenstrahls beeinflußt wird.
Aus der DT-OS 14 39 900 ist eine Vorrichtung zum Zentrieren eines Elektronenstrahls bekannt, bei der dieser auf einen Elektronenauffänger gerichtet ist, der aus vier Quadranten besteht, deren Elektronenstrahleinfall laufend gemessen wird. Der Elektronenstrahl wird nun nachjustiert, bis die Stromanteile der vier Quadranten untereinander gleich sind. Diese Offenlegungsschrift enthält jedoch keine darüber hinausgehenden Hinweise zur Lösung der obengenannten Aufgabenstellung bei Justiervorrichtungen der eingangs genannten Art.
Die Erfindung gestattet mit einfachem vorrichtungsmäßigem Aufwand schnell die für die zweidimensionale Nachjustierung erforderlichen Signale zu gewinnen. Eine sehr einfache Schaltung dafür ist dadurch gekennzeichnet, daß aus den Ausgangssignalen der Differenzverstärker in einer Vergleichsschaltung durch Vergleich mit zuvor in einer Speicherschaltung registrierten Werten die Korrektursignale abgeleitet werden.
Die Erfindung ist bevorzugt anwendbar in einer Vorrichtung, in der ein aus mehreren in regelmäßiger Verteilung auf einer flächenhaften Unterlage angeordneten Halbleiterelementen bestehendes Werkstück bestrahlt wird, wobei die Bestrahlung der Halbleiterelemente einzeln nacheinander mit dem gleichen Belichtungsraster erfolgt.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung nach der Erfindung,
F i g. 2 die Draufsicht auf den Registrierdetektor und
Fig.3 das Blockschaltbild mit dem Registrierdetektor.
In Fig. 1 ist mit 10 eine Elektronenkanone bezeichnet, die einen Elektronenstrahl 11 erzeugt. Der Elektronenstrahl 11 durchsetzt die öffnung 12 einer Blende 14 und wird dadurch in seiner Kontur begrenzt. Der Elektronenstrahl 11 hat entsprechend dem Querschnitt der öffnung 12 im Anschluß an die Blende quadratischen Querschnitt in der Größe der minimalen Linienbreite des zu zeichnenden Musters.
Der Elektronenstrahl 11 passiert im Anschluß an die Blende 14 die Fokussierspule 15 und tritt dann zwischen zwei Dunkelsteuerelektroden 16 hindurch, mittels derer der Elektronenstrahl dunkel getastet werden kann. Die Dunkelsteuerelektroden werden von der Steuerschal-
tung 17 mit Steuerspannung beaufschlagt. Diese Steuerschaltung 17 ist ihrerseits an einen Rechner 18 angeschlossen, der die Fokussierspannung für die Fokussierspule 15 liefert.
Der Elektronenstrahl 11 durchsetzt anschließend eine Blende 20 mit kreisrunder öffnung 19. Diet,e Blende 20 hat die Wirkung, daß nur diejenigen geladenen Teilchen, die die nicht dargestellten Linsen zentral passiert haben, weiter verwendet werden, so daß ein quadratischer Punkt ohne Zerstreuung abgebildet wird.
Der Elektronenstrahl 11 gerät dann in den Bereich magnetischer Ablenkspulen 21,22,23,24, von denen die Ablenkspulen 21 und 22 die horizontale oder in v-Richtung verlaufende Ablenkung und die Ablenkspulen 23 und 24 die vertikale oder in y-Richtung verlaufende Ablenkung bewirken. Die Ablenkspulen gestatten es also, den Elektronenstrahl nach Art eines Rasters abzulenken.
Im Anschluß daran passiert der Elektronenstrahl elektrostatische Ablenkplatten 25, 26, 27 und 28. Die Platten 25 und 26 lenken den Elektronenstrahl in horizontaler Richtung oder x-Richtung ab, während die Ablenkplatten 27 und 28 in vertikaler Richtung oder y-Richtung ablenken. Die Ablenkplatten 25 bis 28 dienen dazu, die Position des Elektronenstrahls 11 zu korrigieren, ohne der durch die Ablenkspulen bewirkten Rqsterauslenkung entgegen zu wirken.
Im Anschluß daran trifft der Elektronenstrahl auf ein Ziel, das auf einem Tisch 29 angeordnet ist. Der Tisch 29 kann mittels eines Schrittschaltmotors 30 in x-Richtung und mittels eines Schrittschaltmotors 31 in y-Richtung und mit Hilfe eines dritten; Schrittschaltmotors 3Γ in z-Richtung senkrecht zur x- und y-Richtung, also in der Richtung des Elektronenstrahls verschoben werden. Die Schrittschaltmotoren 30, 31, 3Γ werden von dem Rechner 18 gesteuert.
Durch die magnetischen Ablenkspulen 21 bis 24 wird der Elektronenstrahl immer in der gleichen Weise in einem Raster ausgelenkt und zwar in einem sogenannten /4-Zyklus, einem sogenannten ß-Zyklus und einem C-Zyklus. Jedesmal, wenn der C-Zyklus beendet ist, beginnt die Rasterauslenkung wieder mit dem /t-Zyklus.
Im Λ-Zyklus und im ß-2^yklus wird der Elektronenstrahl in x-Richtung mittels der Ablenkspulen 21 und 22 über 2000 Zeilen ausgelenkt, wobei der Rücklauf sich über die Zeitdauer von zusätzlichen 48 Zeilen erstreckt. Während des Λ-Zyklus erstreckt sich die x-Auslenkung über 128 vertikale Zeilen, dagegen während des B-Zyklus über 2000 vertikale Zeilen.
Im C-Zyklus wird der Elektronenstrahl zur Überprüfung ausgelenkt und zwar wird dabei die Fokussierung überprüft, was die Überprüfung von Fehlern, bedingt durch Astigmatismus, einschließt. Im C-Zyklus beginnt der Elektronenstrahl 11 am Ende des ß-Zyklus. Am Ende des C-Zyklus findet ein Rücklauf stau, so daß der Elektronenstrahl in seine Ausgangsposition zurückgeführt wird.
Da sämtliche Korrektursignale für den Elektronenstrahl über die elektrostatische Ablenkplatten 25 bis 28 einwirken, bewegt sich der Elektronenstrahl in den ω Zyklen A, B und C ohne Unterbrechung, so daß die Vorgeschichte der Bewegung des Elektronenstrahls durch die Korrektur nicht beeinflußt wird. Die Korrektursignale, die über die Ablenkplatten 25 bis 28 einwirken, werden zu bestimmten Zeiten entsprechend bestimmten Positionen des Elektronenstrahls wirksam.
Der Klekironenstrahl 11 kann während einiger oder samtlicher Zyklen A, B und C dunkelgetastet sein, je nach dem zugrundeliegenden Betriebsprogramm. Die entsprechende Steuerung wird bewirkt durch den Rechner 18 im Zusammenwirken mit dei Steuerschaltung 17.
Der Rechner 18 und die Steuerschaltung 17 sind, wie durch Pfeile angedeutet, über drei Kanäle miteinander verbunden, und zwar dem Musterkanal, dem Korrekturkanal und dem Rückkoppelungskanal. Über den Musterkanal laufen die Dunkeltastinformationen, Registriermusterversatzdaten und andere sich nicht wiederholende Daten, während über den Korrekturkanal Korrekturdaten und Ablenkdaten laufen. Über den Rückkoppelungskanal laufen Adressen für den Elektronenstrahl.
Die Rechenoperationen in dem Rechner 18 zur Nachsteuerung der Schrittschaltmotoren 30,31 beruhen auf den Ausgangssignalen des Justierdetektors 66, der jeweils ein an den Rechner gelangendes Signal abgibt, wenn der Elekentronenstrahl 11 über eine Registriermarke 65 gleitet. Der Justierdetektor 66 weist insgesamt vier sektorenartige PIN-Dioden 67 auf, die dem Halbleiterblättchen 63 gegenüber angeordnet sind und einen zentralen Durchbruch 67' aufweisen, durch den der Elektronenstrahl 11 auf das Halbleiterblättchen 63 fällt (F i g. 2). Wenn der Elektronenstrahl die Registriermarken 65 überstreicht, dann ändert sich die rückwärts gerichtete Streuung der Elektronen und das führt zu verschiedenen Signalen in den Dioden 67. Die Dioden 67, die sich jeweils über einen Quadranten erstrecken, können hinsichtlich ihrer Winkellage auf die der Zeilen- und Spaltenstruktur des Halbleiterblättchens oder auf die der Rasterauslenkung des Elektronenstrahls ausgerichtet sein.
Gemäß F i g. 3 sind jeweils die zwei einander gegenüberliegende Dioden 67 an einen Differentialverstärker 68 angeschlossen. Kurz bevor der Elektronenstrahl 11 nach Vorausberechnung auf eine Registriermarke 65 trifft, wird eine Speicherschaltung 68' erregt, die nun das Ausgangssignal des Verstärkers 68 als Bezugsspannung V5 beziehungsweise als Hintergrundsignal speichert. Diese Bezugsspannung Vs dient dazu, in der Speicherschaltung 68' zwei Extrembezugsspannungen Vh und V1 zu erzeugen, von denen die eine V/, etwas höher ist als die Bezugsspannung V5 und die andere V1 etwas niedriger ist als die Bezugsspannung V1. Die Folge ist, daß der Vergleicher 69, in den die Bezugsspannung V, eingespeist wird, ein Ausgangssignal liefert wenn der Elektronenstrahl auf eine Registriermarke trifft und der Vergleicher 69', in die Bezugsspannung V/, eingespeist wird, ein Ausgangssignal liefert, wenn der Elektronenstrahl eine Registriermarke verläßt. In die beiden Vergleicher wird zu diesem Zweck die Ausgangsspannung des Verstärkers 68 eingespeist. Diese beiden Ausgii'igssignale entsprechen den Ausgangssignalen des Justierdetektors 66 und liefern dem Rechner 18 die zur Nachjustierung erforderlichen Informationen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Justiervorrichtung für eine Vorrichtung zum Bestrahlen eines Werkstückes in der For mes Musters durch einen Elektronenstrahl mi .nem Justierdetektor, in dem die beim Auftrelicn des Elektronenstrahls auf eine auf dem Werkstück angeordnete Registriermarke gestreuten Elektronen ein Signal auslösen, das einer Vergleichsschaltung zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Justierdetektor (F i g. 8a) vier sich über die Quadranten einer Kreisfläche erstreckende elektronenempfindliche Zellen (67) und einen Durchbruch (67') für den Durchtritt des Elektronen-Strahls im Kreisflächenzenirum aufweist und daß die elektronenempfindlichen Zellen (67) paarweise gegenüberliegend an je einen Differenzverstärker (68) angeschlossen sind, aus dessen Ausgangssignalen Korrektursignale abgeleitet werden, durch die die relative Lage zwischen dem Werkstück und dem Auftreffpunkt des Elektronenstrahls beeinflußt wird.
2. Justiervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß aus den Ausgangssignalen der Differenzverstärker (68) in einer Vergleichsschaltung (69, 69') durch Vergleich mit zuvor in einer Speicherschaltung (68') registrierten Werten die Korrektursignale abgeleitet werden.
3. Verwendung einer Justiervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 in einer Vorrichtung, in der ein aus mehreren in regelmäßiger Verteilung auf einer flächenhaften Unterlage angeordneten Halbleiterelementen bestehendes Werkstück bestrahlt wird, wobei die Bestrahlung der Halbleiterelemente einzeln nacheinander mit dem gleichen Belichtungsraster erfolgt.
DE19702056620 1969-12-15 1970-11-18 Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters Ceased DE2056620B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88490069A 1969-12-15 1969-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2056620A1 DE2056620A1 (de) 1971-06-16
DE2056620B2 true DE2056620B2 (de) 1977-11-10

Family

ID=25385667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702056620 Ceased DE2056620B2 (de) 1969-12-15 1970-11-18 Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3644700A (de)
JP (1) JPS5148313B1 (de)
CA (1) CA942429A (de)
DE (1) DE2056620B2 (de)
FR (1) FR2071763A5 (de)
GB (1) GB1329559A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3346001A1 (de) * 1982-12-21 1984-07-05 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Verfahren und vorrichtung zum aufzeichnen eines elektronenstrahlmusters

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3857041A (en) * 1969-07-03 1974-12-24 Texas Instruments Inc Electron beam patterning system for use in production of semiconductor devices
US3842236A (en) * 1970-03-28 1974-10-15 Steigerwald Strahltech Process to control the movement of a workpiece with respect to a beam of a stock processing machine operating by means of controllable power irradiation
FR2220073B1 (de) * 1973-03-02 1983-04-15 Thomson Csf
US3924113A (en) * 1973-06-08 1975-12-02 Ibm Electron beam registration system
US3875414A (en) * 1973-08-20 1975-04-01 Secr Defence Brit Methods suitable for use in or in connection with the production of microelectronic devices
US3894271A (en) * 1973-08-31 1975-07-08 Ibm Method and apparatus for aligning electron beams
US3849659A (en) * 1973-09-10 1974-11-19 Westinghouse Electric Corp Alignment of a patterned electron beam with a member by electron backscatter
US4019015A (en) * 1973-09-10 1977-04-19 International Business Machines Corporation Precision tool and workpiece positioning apparatus with ringout detection
US3949228A (en) * 1973-09-19 1976-04-06 Ibm Corporation Method for controlling an electron beam
US3866013A (en) * 1973-09-19 1975-02-11 Ibm Method and apparatus for controlling movable means such as an electron beam
US3914608A (en) * 1973-12-19 1975-10-21 Westinghouse Electric Corp Rapid exposure of micropatterns with a scanning electron microscope
US3875415A (en) * 1974-01-28 1975-04-01 Ibm Method and apparatus for detecting a registration mark on a target such as a semiconductor wafer
US3900736A (en) * 1974-01-28 1975-08-19 Ibm Method and apparatus for positioning a beam of charged particles
US3900737A (en) * 1974-04-18 1975-08-19 Bell Telephone Labor Inc Electron beam exposure system
US4066863A (en) * 1974-06-26 1978-01-03 International Business Machines Corporation Method and system for automatically correcting aberrations of a beam of charged particles
US3901814A (en) * 1974-06-27 1975-08-26 Ibm Method and apparatus for detecting a registration mark on a target such as a semiconductor wafer
US4000440A (en) * 1974-07-26 1976-12-28 International Business Machines Corporation Method and apparatus for controlling brightness and alignment of a beam of charged particles
FR2294489A1 (fr) * 1974-12-13 1976-07-09 Thomson Csf Dispositif pour le trace programme de dessins par bombardement de particules
US3984687A (en) * 1975-03-17 1976-10-05 International Business Machines Corporation Shielded magnetic lens and deflection yoke structure for electron beam column
JPS5251871A (en) * 1975-10-23 1977-04-26 Rikagaku Kenkyusho Projecting method for charge particle beams
JPS5283177A (en) * 1975-12-31 1977-07-11 Fujitsu Ltd Electron beam exposure device
US4393312A (en) * 1976-02-05 1983-07-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Variable-spot scanning in an electron beam exposure system
JPS52151568A (en) * 1976-06-11 1977-12-16 Jeol Ltd Electron beam exposure apparatus
US4056730A (en) * 1976-07-12 1977-11-01 International Business Machines Corporation Apparatus for detecting registration marks on a target such as a semiconductor wafer
JPS5350978A (en) * 1976-10-20 1978-05-09 Fujitsu Ltd Electron beam exposure method
US4099062A (en) * 1976-12-27 1978-07-04 International Business Machines Corporation Electron beam lithography process
CA1166766A (en) * 1977-02-23 1984-05-01 Hans C. Pfeiffer Method and apparatus for forming a variable size electron beam
DE2726173C2 (de) * 1977-06-08 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Schaltung zur automatischen Positionierung eines Werkstückes relativ zu einem Abtastfeld bzw. zu einer Maske, sowie Verwendung des Verfahrens
GB1598219A (en) * 1977-08-10 1981-09-16 Ibm Electron beam system
JPS5472980A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Electron-beam drawing unit
US4149085A (en) * 1978-01-16 1979-04-10 International Business Machines Corporation Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool
US4137459A (en) * 1978-02-13 1979-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for applying focus correction in E-beam system
DE2837590A1 (de) * 1978-08-29 1980-03-13 Ibm Deutschland Verfahren zur schattenwurfbelichtung
US4420691A (en) * 1978-12-28 1983-12-13 Fujitsu Limited Method of aligning electron beam apparatus
US4243866A (en) * 1979-01-11 1981-01-06 International Business Machines Corporation Method and apparatus for forming a variable size electron beam
JPS5621321A (en) * 1979-07-27 1981-02-27 Fujitsu Ltd Automatically setting method of focus and exposure coefficient of electron beam exposure apparatus
US4310743A (en) * 1979-09-24 1982-01-12 Hughes Aircraft Company Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure
JPS56124234A (en) * 1980-03-05 1981-09-29 Hitachi Ltd Correcting method for electron beam deflection
JPS5740927A (en) * 1980-08-26 1982-03-06 Fujitsu Ltd Exposing method of electron beam
EP0049872B1 (de) * 1980-10-15 1985-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba System zur Bestrahlung mit Elektronen
US4387433A (en) * 1980-12-24 1983-06-07 International Business Machines Corporation High speed data interface buffer for digitally controlled electron beam exposure system
JPS57209786A (en) * 1981-06-17 1982-12-23 Hitachi Ltd Electron beam machining device
US4423305A (en) * 1981-07-30 1983-12-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape
GB2123582B (en) * 1982-06-18 1986-01-29 Nat Res Dev Correction of astigmatism in electron beam instruments
US4567369A (en) * 1982-06-18 1986-01-28 National Research Development Corporation Correction of astigmatism in electron beam instruments
DE3410885A1 (de) * 1984-03-24 1985-10-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie
EP0177717B1 (de) * 1984-09-04 1989-05-17 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur automatischen Positionierung einer Korpuskularsonde
DE4024084A1 (de) * 1989-11-29 1991-06-06 Daimler Benz Ag Verfahren zum herstellen von hohlen gaswechselventilen fuer hubkolbenmaschinen
US5546319A (en) * 1994-01-28 1996-08-13 Fujitsu Limited Method of and system for charged particle beam exposure
US5798528A (en) * 1997-03-11 1998-08-25 International Business Machines Corporation Correction of pattern dependent position errors in electron beam lithography
JP2000003847A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Canon Inc 荷電粒子線縮小転写装置及びデバイス製造方法
US6291819B1 (en) 1999-09-09 2001-09-18 International Business Machines Corporation Method of calibrating an electron beam system for lithography
JP4220209B2 (ja) * 2002-09-27 2009-02-04 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法
US20060257014A1 (en) * 2003-07-15 2006-11-16 Mimaki Engineering Co., Ltd. Register mark reader for cutting plotter and register mark reading method
US7244953B2 (en) * 2005-10-03 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Beam exposure writing strategy system and method
DE102015210941B9 (de) * 2015-06-15 2019-09-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts
EP4521444A1 (de) * 2023-09-07 2025-03-12 The Provost, Fellows, Scholars and other Members Of the Board of Trinity College Dublin System und verfahren zur ablenkung eines strahls geladener teilchen

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL246011A (de) * 1959-01-14
DE1439900A1 (de) * 1964-12-07 1968-12-19 Elektromat Werk Fuer Automatis Verfahren und Einrichtung zum Zentrieren des Elektronenstrahles bei Elektronenstrahl-Bearbeitungsgeraeten
FR1533755A (fr) * 1966-08-16 1968-07-19 Jeol Ltd Dispositif pour le réglage du point de traitement dans un appareil à faisceau électrique ou analogue
US3519788A (en) * 1967-01-13 1970-07-07 Ibm Automatic registration of an electron beam

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3346001A1 (de) * 1982-12-21 1984-07-05 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Verfahren und vorrichtung zum aufzeichnen eines elektronenstrahlmusters

Also Published As

Publication number Publication date
GB1329559A (en) 1973-09-12
US3644700A (en) 1972-02-22
DE2056620A1 (de) 1971-06-16
CA942429A (en) 1974-02-19
FR2071763A5 (de) 1971-09-17
JPS5148313B1 (de) 1976-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2056620B2 (de) Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters
DE69432098T2 (de) Elektronenstrahl-Lithographie-System
DE3105359C2 (de)
EP0191440B1 (de) Lithografiegerät zur Erzeugung von Mikrostrukturen
DE2832582C2 (de) Magnetische Elektronenlinsenanordnung
DE3605129A1 (de) Ladungstraegerteilchen-strahlvorrichtung
DE3590146C2 (de)
DE3913965A1 (de) Direkt abbildendes sekundaerionen-massenspektrometer mit laufzeit-massenspektrometrischer betriebsart
DE112014004151B4 (de) Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
DE2441421A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur ausrichtung von elektronenstrahlen
DE2620262A1 (de) Rechner-gesteuertes elektronenstrahllithographie-verfahren
DE2647254C2 (de) Anordnung zum Bestrahlen eines Targets mit einem Strahl geladener Teilchen und Verwendung
DE3307138A1 (de) Belichtungssystem mit einem strahl geladener teilchen
DE2647855A1 (de) Verfahren zum projizieren eines buendels aus geladenen partikeln
DE102006012947A1 (de) Elektronenstrahl-Bestrahlungssystem und Elektronenstrahl-Bestrahlungsverfahren
DE3206374A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum eichen der ablenkung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahls
DE2502591C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung einer Ausrichtmarkierung
DE2726173A1 (de) Verfahren und einrichtung zur automatischen positionierung eines werkstueckes relativ zu einem abtastfeld bzw. zu einer maske
DE2719725C2 (de) Einrichtung zur Elektronenstrahlerwärmung von Materialien
EP0003527A2 (de) Verfahren und Anordnung zur Fokussierung eines Ladungsträgerstrahls auf Halbleiterplättchen
DE19544753C2 (de) Elektronenstrahl-Schreibverfahren
DE2731142C3 (de) Verfahren zur Feststellung der Lage eines Elektronenstrahls in bezug auf auf einem Objekt angeordnete Ausrichtmarkierungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP0172477A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Registrierung von Teilchen oder Quanten mit Hilfe eines Detektors
DE69028647T2 (de) Energieanalysator für geladene Teilchen
DE2521591C3 (de) Verfahren und Anordnung zum Korrigieren von Verzerrungen eines Ladungsträgerstrahls

Legal Events

Date Code Title Description
8235 Patent refused