DE2039726A1 - Siebdruckmetallmaske - Google Patents

Description

• Siebdruckmetallmaske Die Erfindung betrifft eine Siebdruckmetallmaske zum Bedrucken von abgesetzten Substraten für die Herstellung von elektrischen Schaltkreisen.
• In der Dickfilmtechnik ergeben sich z.B. bei der Herstellung von Leitungikreuzungen Schwierigkeiten dadurch, daß die Uberkreuzenden Leitungen von der Ebene des Substrats über die ebene des Dielektrikums geführt werden müssen. Je größer der Niveauunterschied zwischen den beiden Ebenen ist, desto größer ist die Verzerrung der Struktur der Uberkreuzenden Leitung, da die Druckfarbe in den sich zwangläufig bildenden Spalt zwischen Substratoberfläche und Naskenunterseite hineingepreßt wird.
• Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Siebdruckmetallmaske anzugeben, die im Gegensatz zu den bekannten Siebdruckmasken ein praktisch verzerrungsfreies Drucken von z.B.
• überkreuzenden Leitungen ermöglicht.
• Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Siebdruckmetallmaske an den Stellen, an denen die zu bedruckende Substratoberfläche Erhöhungen aufweist, Vertiefungen besitzt und umgekehrt.
• Damit ergeben sich die Vorteile, daß sich die Maske den bereits aufgedruckten Strukturen anpaßt, so daß die oberen Schichten von iehrschichtig bedruckten Substraten wesentlich geringere Verzerrungen aufweisen und daß dadurch der Abstand zweier nebeneinanderliegender Leitungen verringert werden kann.
• Vorzugsweise sind die Vertiefungen in der Maskenoberfläche eingeätzt und die Erhöhungen galvanoplastisch aufgebaut. Es ist jedoch auch möglich, nur mit galvanoplastiychcn Verf,ahr¢<n zu arbeiten. Auf diese Weise läßt sich die bei der Herstellung der Siebdruckmaske unbedingt erforderliche Genauigkeit der Konturen leicht erreichen.
• An Hand der Zeichnungen soll die Erfindung näher erlutert werden.
• Figur 1 zeigt in perspektivischer Darstellung eine elektrisches Dickfilmschaltung mit sich überkreuzenden Leitungen.
• Figur 2 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite einer erfindungsgemäßen Siebdruckmetallmaske, die zum Drucken der Leitungsüberkreuzungen wie sie in Fig. 1 dargestellt sind, geeignet ist.
• Figur 3 zeigt einen Schnitt durch die erfindungsgemäße Siebdruckmaske entsprechend der Trennlinie III - III in Figur 2.
• In Figur 1 ist auf einem Keramikeubstrat 1 zunächst eine Leitung 2 aufgedruckt und eingebrannt worden. Uber einem Teil der Leitung 2 befindet sich eine Dielektrikumsschicht 3. Auf die Dielektrikumeschieht 3 sind Uberkreuzende Leitungen 4 und 5 aufgedruckt. Dabei wiirde zum Aufdrucken der Leitung 4 ein herkömmliches Drucksieb verwendet, wodurch sich an der Niveaustufe zwischen der Substratciberfläche und dem Dielektrikum ein verschmiertes Leitugsbild 41 ergibt. Beim Drucken der Leitung 5 wurde dagegen eine erfindungagemäße Siebdruckmaske verwendet, wodurch die geometrische Verzerrungen der Leitungsbahn an der Niveaustufe 51 auf ein Minimum reduziert wurde.
• Figur 2 zeigt einen Blick auf die Unterseite einer erfindungsgemäßen Siebdruckmaske. In ein Grundbiech 6 wurde eine rechteckige Vertiefung 7 eingeätzt, die in Form und Abmessung genau den Abmessungen der Dielektrikumsschicht 3 entspricht, so daß die Druckmaske beim Auflegen auf das Substrat 1 überall satt anliegt. Ebenfalls auf der Maskenunterseite eingeätzt sind Öffnungen 8, die den zu druckenden überkreuzenden Leiterbahnen 4, 5 entsprechen. Auf der Maskenrückseite befinden sich die Sieböffnungen 9.
• In dem in Figur 3 dargestellten Schnitt durch die erfindungsgemäße Druckmaske erkennt man die eingeätzte Vertiefung 7, die der auf der Substratoberfläche aufgebrachten Dielektrikumsschicht 3 entspricht und die Drukkonfiguration 8. Auf der Maskenoberseite befinden. sich die Sieböffnungen 9, durch die die Druckfarbe während des Druckvorgangs hidurchgepreß wird.
• Die Hergestellung der T)ruckmaske selbst erfolgt nach bekannten Verfahren.
• um hlu? sei darauf hingewiesen, daß die in den Zeichnungen dargestellten Grössenverhältnisse zur besseren Verdeutlichung übertrieben dargestellt sind und nicht Wirklichkeit entsprechen. Auch können mit der erfindungsgemäßen I)ruckmaske nicht nur schon bedruckte Substrate weiter bedruckt werden, sondern auch solch, deren Oberfläche aus anderen Gründen Erhöhungen oder Vertiefungen aufweist.
• s Patentansprüche 2 Figuren

Claims (3)

1. P a t e n t a n s p r t c h e 1- I-1. Siebdruckmetallmaske zum Bedrucken von abgesetzter Substraten für die Herstellung von elektrischen Schaltkreisen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß sie an den Stellen, an denen die zu bedruckende Substratobetfläche Erhöhungen (3) aufweist, Vertiefungen (7) besitzt und umgekehrt.
2. 2. Siebdruckmetallmaske nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß die Vertiefungen eingeätzt sind.
3. 3. Siebdruckmetallmaske nach Anspruch 1 und/oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Erhöhungen galvanoplastisch aufgebaut sind.