DE2026901A1 - Lichtgesteuerter Halbleiter Hoch spannungswandler - Google Patents
Lichtgesteuerter Halbleiter Hoch spannungswandlerInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in subclass H10D
- H01L25/112—Mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
Vsesojuzny Elektrotekhnichesky Institut
imeni V. I. Lenina
LICHTGESTEOERTER HALELEITER-HOCHSPANUUNGS«
WANDLEH
Die vorliegende Erfindung besieht »ich auf HaXbleiter-Hochspannungawandler,
insbesondere auf lichtgesteuerte Halbleiter-Hochspannungswandler·
Die erwähnten Wandler können weitgehend bei elektrischen Übertragungsleitungen Verwendung finden.
Es sind lichtgesteuerte Halbleiter-Hochspannungswandler
bekannt, die Halbleiterventile mit Lichtempfangseinrichtun·»
gen und ein auf diese einwirkendes Lichtverteilux^saysteia
enthalten (siehe Patentschrift der Schweiz Nr. 462948 vom
15.-XX.68 "Schaltungsanordnung mit durch photoempflncüLiche
Elemente gesteuerte» Krsftthyristoren").
109.808/1264 __
B@iaa Konstruieren von lichtgesteueften Haiti©it©r»HochüHigswanaierß
bereitet b®"l?ä@S"£li@Si@ Schwerigk@iteß die
der Lichtstrahl©» von d@r Lichtquelle as ü@n
und getoäsgter Bauart d@s Wandlers, Di© l@k®smt©n HalWL©!-
ter^Hochspanimngswaxidler stellen In i®s* Eegel ©ine Säule aus
Halfelötter¥©ntil©E hm* ols Eobr m±t mn äl©©ea
Jedoch sind solelne Halbleiterwasitler %ut Sohaffung ei
nes ©iBfaefeeB Bnd kempaktsa Xiehtg@st@&e?tesi Hochspanimngs
glelelien BediesiiafijgeB "h@tfaä%n nnü ©i® koiipllgl®rt@s Lioht
äer v©s?ll@g©iai®ffi Izfiaiuag ist ©s ©inen liehtge
steuerten HslljlQiter^HoehspaKiiöngsßgB^ler su konstruieren v
äer elafaeli und &o©pa3ät ie Äaftem ist mafi ü©
nutsisng fiffis Liehtst3r®ia@s ©ralSjglieiit „
lies oird äadurefe eF3?©i©Itt 9 iaS b©£ i©n
tile X&.UÜ ihr© IaIelit@Bf fasigseiiirielafjisagQia tmgslfö^iai,
Klag©! MSt©2?ß©teiE®lä!t ist ΰ üQus&f&Xß® äi©
Des· SragIsoE^es3 ios WaB(äl©3?s Ismiaa sis teaiförmig©
PAD ORIGINAL
Splrale in voneinander isolierte Zellen einteilen, in welchen
man die Halbleiterventile und ihre Lichtempfangseinrichtungen
unterbringt· Hierbei ist es zweckmäßig den Tragkörper
in ein Gehäuse einzuschließen» das den Tragkörper derart umfaßt, daß zwischen den Flächen der Spiralwindungen
und der inneren Fläche des Gehauees ein Karml sum Durchströmen
des Kühlmittels gebildet wird.
Das Lichtverteilungssystem kann einen innerhalb der Kußel
untergebrachten und unmittelbar über Lichtkanäle mit
den α* ich temp fangs einrieb tunken der Haltleiterventile verbundenen
Lichtleiter und eine außerhalb des fandlers am £rdpotential
liegende Lichtquelle enthalten.
Der gemäß Erfindung ausgeführte Halbleiter-Hoehspannungswandler
löst erfolgreich die gestellten Aufgaben, hat relativ kleine Abmessungen, ist bequem im Betrieb und wird
weitgehende Anwendung in Umformestationen für elektrische
Übertragungsleitungen finden.
Zum besseren Verständnis des Erfindungswesens 1st nachstehend
die eingehende Beschreibung eines vorzugsweisen Ausführungsbeispiels
des Halbleiter-Hochspannungswandlers mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen gegeben. Ea zeigen:
Fig. 1 - die schematische Darstellung des Wandiertragin
körpers im Schnitt, mit^einer seiner Zellen angeordnetem Halbleiterventil mit Lichtempfangseinrichtung und Impulslichtquelle;
körpers im Schnitt, mit^einer seiner Zellen angeordnetem Halbleiterventil mit Lichtempfangseinrichtung und Impulslichtquelle;
Flg. 2 - den in Flg. 1 gezeigten Tragkörper in axonometriseher
Darstellung!
109108/1284
BAD OftlGfNAL
. 3 - den gleichen Tragkörper mit Lichtverteilungssystem, bestehend aus Lichtleiter und Lichtquelle„
Als Beispiel soll die Konstruktion eines Halbleiter-Hoch
Spannungswandlers betrachtet werden^ dessen Elemente an
dem in Fig. 1 und 2 gezeigten Tragkörper angeordnet sind.
Hus Fig. 1 und 2 geht hervor9 daß der Tragkörper ein
aus Isolierstoff gefertigtes Band. 1 darstellt, das.in Form
einer Kugelspirale mit gleichbleibender Steigung ausgeführt ist, deren Erreugende entlang dem Kugelradius gerichtet
ist. Die Windungen der Spirale sind untereinander durch die Isolierstoffstege 2 verbunden, die die Spirale in einzelne·
voneinander isolierte am Kugelumfang gelegene Zellen 3 einteilen. In jeder Zelle 3 sind die Halbleiterventile 4' (Thyristoren)
und ihre lichtempfanjgseinrichtungen 5 untergebracht
(Fig. 1 iiaö 2 zeigen nur eine einzige komplette ZeIIe)0
In fler Mitte des Tragkörpers ist ein Liehtverteilungs»
system, gegebenenfalls eine Xenouspulslampe 6fl angeordnet.
h Die Kühlung des Wandlers erfolgt durch Luft und kann sowohl
als stille Kühlung, als awoh als Zwangsumlaufkühlung
ausgeführt sein. Bei Zwangsumlamfkühlung wird der Tragkörper
des Wandlers in dem Isolierstoffgehäuse 7 untergebracht. Die innere Fläche des Gehäuses 7 und die Oberflächen der
Windungen bilden einen spiralförmigen Kanal at» Durchgang
der eingeblasenen. Luft, die die Kühlkörper 8 der Thyristoren
abkühlt. Die Thyristoren 4 und die Lichtesapfangseinrichtungen
5 sind in jeder Zelle 3 dterart angeordnet*
BAD ORIGINAL
-5- ■ ■
Lichtempfangseinrichtungen 5 dem Lichtverteilungssystem zugewandt
sind, während sich die Kühlkörper 8 der Thyristoren
4 in der Zone des Kühlungskanals am Umfang de» Tragkörpers
befinden. Der Wandler kann auch eine andere Kühlungsart haben. Das Lichtverteilungssystem kann entweder nur aus einer
Lichtquelle, beispielsweise einer in der Mitte der Wandlerkugel untergebrachten Xenonlampe 6 gemäß fig. I oder
aus einem spinnenförmigen Lichtleiter 9 (Fig. 3) mit Eingangspupille
10 und abzweigenden Lichtkanälen 11, die unmittelbar mit den Lichtempfangseinrichtungen 5 der thyristoren
4 verbunden sind, und einer Impulsquelle 12 bestehen. Bei der Ausführung des Lichtverteilungssystems nach
der zweiten Variante wird der Lichtleiter 9, wie auch bei der oben beschriebenen ersten Variante, in der Mitte des
Tragkörpers angeordnet, während die Impulslichtquelle 9 außerhalb des Wandlera am Erdpotential Platz findet· Der
Lichtleiter 9 ist aus lichtleitenden Pasern von gleicher Länge ausgeführt. An dem einen Ende sind die Fasean zusammengedrückt,
wobei die hierdurch gebildete Stirnfläche poliert ist und die Eingangspupille 10 des Lichtleiters
darstellt. An dem anderen Ende sind die Paseßiin einzelne
Bündel eingeteilt und bilden Lichtkanäle 11, deren Zahl der Anzahl der Halbleiterventile entspricht, wobei die Stirnfläche»
aller Kanäle 11 gleichfalls poliert sind und jeder von diesen an der entsprechenden Lichtempfangseinrichtung
5 befestigt ist. Der Lichtleiter 9 und die Xenonlampe 6 kön-
109808/1284 bad oriqinai
nen Innerhalb des Tragkörpers tmt@r Zuhilfenahme irgendeiner
,außerhalb des Wandlers angeordneten umi-in das Innere des
Tragkörpers hineingeführten Stütze (in Fig. 1 und 3 nicht
mitgezeichnet) befestigt werden«
Die erste AusfUhrungsvariante d@s Xdchtverteilungs·
systems wird zweckmäßig 'mi* einer zuverlässigen
Impulslichtquelle mit großer L@ben»dauey und sphärisch©r
Strahlungsfront betrieben« während die zweite Ausführungsvariante
in Fäll en j, w© ein® leicht auswechselbare
lichtquelle mit geringer Lebensdauer Verwendung findet, empfehlenswert
ist.
Der beschriebene Halbleiter<=>Hoch3g@anungswandler funktioniert
wie folgt»
B©i eier Ausführung des Lielitwerteiiuiagssysteias mit einer
unmittelbar im Wandler abgeordnetem Itiehtquelle wird der
von der lenoslampe δ aiasgehende Lichtstrois gleichmäßig auf
die LicIiteiapfaiigseinfielitiingeH 5 vertdiltp in welehm die
Llehtslgnale in alefetrisehe Signal® ungss@tit unü auf die
Steuerelektrode» äer Thyristoren 4 s@g@lb@B weröea0 Di® Speisung
aar Lamp© 6 kaan entweier ¥0© Eripoi@ntial ü^qs1 einen
Isßliartraasforaatos1 ©äer v®ia einer aa ias därapfenS® EC°.6li®d
des Wanilsrs C Kielt isitg©geiolim©t) aaseSilie.Sb©?©ra Leistöngs«
Bei äer Amertornns des* Isspuls-
der von der Lieht quelle 12 aasstralileiaä©
in die Ein^anÄspupllle IO ä@s Isiehtleito^gj unä
die liichtvertellungakaaäl© 11 ©,■©£ dl® LichtesBpfaiasssiiarie
BAD ORiGfWAL
tun#en 5 verteilt, in welchen die Liohtsipnale in elektrische
Signale umgesetzt and auf die Steuerelektroden der Thyristoren 4 fjejseben werden.
<2ie
i>le Thyristoren 4, die1· Kraftelemente dee Wandlers dar-
i>le Thyristoren 4, die1· Kraftelemente dee Wandlers dar-
stellen, sind untereinander in einer der allgemein bekannten
Schaltungsarten verbunden, wobei als Kraftelemente auch
!'"hotothyristoren verwendet werden können.
Der Wqndlersat« kann auch ohne Tragkörper ausgeführt
werden. In diesen Falle können das steife System beispielsweise die Kühlkörper der Thyristoren bilden, die zu diesem
Zweck hohl aus**<?i1ihrt werden.
BAD ORIGINAL
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE(l.J Lichtgesteuerter Hal-blelter-Hochspannungswanälers, der Halbleiterventile mit Lichtempfangseinriefctungen undein iiiclitverteilungssystemg, das auf die erwähnten Iiichtempfangseinrichtungen einwirkt, enthält«, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterventile (4) und k ihre Lichtempfangseinriehtungen (5) kugelförmig angeordnetsind, während das Lichtverteilungssystem ^)zur maximalen Ausnutzung dessen LichtTomes innerhalb der gebildeten Kugel untergebracht ist.2· Halbleiter-Hochspannungswandler nach Anspruch I5, dad u 3? G h gekeanseichnetp cnaß die Halbleiter» ventila (4) und ihre Lichtempfangseinrichtungen iz). in dem als bandförmige Kugelspirale (l) aus Isolierstoff ausgeführten Tragkörper untergebracht sind9 wobei zwischen den Windungen der Spirale Verbindungsstelle (2) angeordnet sinds die die Spirale (l) in voneinander isolierte Zellen (3) einteilt, in welchen die erwähnten Halbleiterventile (4) und ihre Lichtempfangseinrlchtungen (5) untergebracht werden»3» Halbleiter-Hochspaanungswandler nach Anspruch 2S dadurch gekennzeichnet^ dal der Tragkörper des Wandlers mit einem Getiäuse (7) vers@ti@iä ist9 welches derart den Tragkörper tmfaßtj, daß ehe des Gehäuses (7) und den Flächen der ein Kanal gum Burehgang fies Kühlmittels gebildet1098Ö8/12SÄ - SAD ORIGINAL4. üalbleiter-Hochspannungswandler nach Anspruch 1, 2 und 3» dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtverteilungssystem aus dem im Innern der Kugel angeordneten und unmittelbar über die Verteilungskanäle 11 mit den Lichtempfangseinrichtungen (5) der Halbleiterventile (4) verbundenen Lichtleiter (9) und der außerhalb des Wandlers an dem Erdpotential liegenden Impulslichtquelle Ö2), deren Licht auf den Lichtleiter (9) gerichtet ist, besteht.BAD ORIGlMAt0 S θ C 8 / 1 2 6 4
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1335560A SU277952A1 (ru) | 1969-06-06 | Высоковольтный полупроводниковый преобразователь | |
SU1407851 | 1970-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2026901A1 true DE2026901A1 (de) | 1971-02-18 |
Family
ID=26665351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702026901 Pending DE2026901A1 (de) | 1969-06-06 | 1970-06-02 | Lichtgesteuerter Halbleiter Hoch spannungswandler |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3646427A (de) |
CH (1) | CH522974A (de) |
DE (1) | DE2026901A1 (de) |
FR (1) | FR2049979A5 (de) |
GB (1) | GB1304576A (de) |
SE (1) | SE359984B (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT331354B (de) * | 1973-12-05 | 1976-08-25 | Siemens Ag Oesterreich | Zundeinrichtung fur eine anzahl von elektrischen ventilen, insbesondere von thyristoren |
AT330303B (de) * | 1974-03-25 | 1976-06-25 | Siemens Ag Oesterreich | Zundeinrichtung fur eine anzahl von elektrischen ventilen, insbesondere von thyristoren |
-
1970
- 1970-06-02 GB GB2643570A patent/GB1304576A/en not_active Expired
- 1970-06-02 US US42707A patent/US3646427A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-06-02 DE DE19702026901 patent/DE2026901A1/de active Pending
- 1970-06-05 SE SE07859/70A patent/SE359984B/xx unknown
- 1970-06-05 CH CH849070A patent/CH522974A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-06-05 FR FR7020730A patent/FR2049979A5/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH522974A (de) | 1972-05-15 |
US3646427A (en) | 1972-02-29 |
FR2049979A5 (de) | 1971-03-26 |
GB1304576A (de) | 1973-01-24 |
SE359984B (de) | 1973-09-10 |
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