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DE2012101A1 - Kathoden mit hoher Feldemission und Verfahren zur Herstellung dieser Kathoden. A)im: Matsushita Electric Industrial Company, Ltd., Kadoma City, Osaka (Japan) - Google Patents

Kathoden mit hoher Feldemission und Verfahren zur Herstellung dieser Kathoden. A)im: Matsushita Electric Industrial Company, Ltd., Kadoma City, Osaka (Japan)

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DE2012101A1
DE2012101A1 DE19702012101 DE2012101A DE2012101A1 DE 2012101 A1 DE2012101 A1 DE 2012101A1 DE 19702012101 DE19702012101 DE 19702012101 DE 2012101 A DE2012101 A DE 2012101A DE 2012101 A1 DE2012101 A1 DE 2012101A1
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cathode according
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Jun; Ohhara Takahumi; Kadoma City Osaka Nishida (Japan)
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    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Description

Dr. D. Thomsen Dipi.-ing. H. Tiedtke G.Bühiing 2012101
MÜNCHEN TAL 33
TEL. 0811/226894 295051
CABLES: THOPATENT TELEX: FOLGT
W. Weinkauff
FRANKFURT (MAIN) 50 FUCHSHOHL 71
TEL. 0611/514666
Antwort erbeten nach: Please reply toi
8000 München 2 13. März 19 case PG25-7002 / T 3535
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd, Osaka, Japan
Kathoden mit hoher Feldemission und Verfahren zur Herstellung dieser Kathoden
Die Erfindung bezieht sich auf Kathoden, wie sie für Elektronenröhren geeignet sind,,und insbesondere auf Kathoden mit hoher Feldemission, die als Punktquelle für einen Elektronenstrahl verwendet werden.
Wird ein hohes positives elektrisches Feld an die Oberfläche eines Leiters angelegt, ist es möglich, unmittelbar aus dem Material bei gewöhnlichen Temperaturen
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Mündlich· Abreden, ln§b»«ond»r· durch T*l*lon. bediirfen »chrlhllort»f tMlfttlgung Drodner Bank (München) Kto. 10»IM . D«utKh· Bank (MOiWMn) Kto. 2\mi3t > W. ·ιοθ.ΜΛ (München) Kto. 331338 · Hypo-Btnk (MQnchtn) Kto. 36121W
Elektronen herauszuziehen. Die Emission von Elektronen aus der Oberfläche eines Leiters in ein Vakuum unter dem Einfluß eines hohen elektrischen Felds ist ein elementarer Effekt, der vergleichbar ist mit thermionischer Emission, photoelektrischer Emission oder sekundärer Emission. Sofern als Zweck einer Kathode die Emission von soviel wie möglich Elektronen aus einem Leiter oder einem Metall angesehen wird, überragt ein Starkfeldemitter alle anderen Kathoden, da Stromdichten von Millionen von Ampere pro Quadratzentimeter leicht erhalten werden. Die bisher erhaltenen experimentiellen Ergebnisse mit Bezug auf Starkfeldemission erbrachten, daß die Leistung der Emission sehr abhängig von den Oberflächenzuständen des als Emitter verwendeten Materials ist. Die Oberflächenpotentialschwelle hängt eng von den Oberflächenbedingungen oder Oberflächenzuständen ab. Zum Beispiel sind die Reinheit der Oberfläche und die Tatsache, ob die Oberfläche mit einem weiteren Metall oder mit absorbierten Gasatomen überzogen ist, zwei der wichtigen Faktoren, die die Höhe der Oberflächenpotentialschwelle bestimmen. Für Kathoden mit starker Feldemission sind daher niedrigere Austrittsarbeit und Stabilität bei einer hohen Temperatur erwünschte Merkmale. Die niedrige Austrittsarbeit wird für diese Kathoden gefordert, um die für eins gegebene Elektronenemission notwendige Betriebsspannung "zu erniedrigen, wie es später noch näher erläutert wird«
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Materialien, die für herkömmliche Kathoden mit-starter cdsr hoher^Feldemission verwendet wurden, besitzen im allgemeinen Eigenschaften wie zufriedenstellende mechanische Festigkeit, Herstellbarkeit eines feinen Drahtes mit einer zugespitzten Spitze an dem Führungsende, chemische Inertheit gegenüber Gasen unter ELnsdhliß von Sauerstoff und Stabilität bei einer hohen Temperatur. Diese Charakteristiken begrenzen die Art der verwendbaren Kathodenmaterialien auf beispielsweise harte Metalle wie Wolfram (W), Molybdän (Mo), Tantal (Ta) und Rhenium CRe) und Whiskers wie Siliconcarbid (SiC); alle diese Materialien sind durch ihre relativ hohe Austrittsarbeit gekennzeichnet. Dies führt zu der unerwünschten Tatsache, daß für das Betätigen der Kathoden zum Ausziehen eines ausreichenden elektrischen Stroms eine hohe Betriebsspannung erforderlich ist. Um die gewünschte Strommenge mit einer geringeren angelegten Spannung herauszuziehen, ist eine Kathode vorgeschlagen und in die Praxis umgesetzt worden, die die vorgenannten spezifizierten Materialien als einen Trägerdraht verwendet', der andere Metalle oder deren Oxyde als Überzug aufweist. Diese Metalle oder deren Oxyde gehören vorzugsweise zu der Art, die eine niedrige Austrittsarbeit haben, so daß die Betriebsspannung verringert werden kann. Ein derartiger Ober zug v/urde bisher bei den praktischen Anwendungen durch Vakuumaufdampfen aufgebracht,
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Gemäß einem typischen Vakuumaufdampfverfahren wird ein Material niedriger Austrittsarbeit wie Barium in einem Vakuum verdampft und auf feinen Wolframdraht mit einer zugespitzten Spitze aufgebracht. Die Bindung zwischen dem Wolfram und dem Barium ist mangelhaft mit Ausnahme in ihrer wenige Atome starten Schicht. Die mit Barium-überzogene Wolframspitze wird dann aus dem Vakuum entnommen und der Umgebungsluft ausgesetzt, bevor sie als Kathode in eine Elektronenröhre eingesetzt wird. Das Überzugsbarium wird während es der Luft ausgesetzt ist, durch Sauerstoffgase in der Luft angegriffen, was zur Bildung einer Oxydschicht auf der Spitzenoberfläche führt. Damit die Sauerstoffgase und andere absorbierte Gase teilweise decxydiert und von der Bariumoxydschicht desorbiert werden und damit sich das Barium gleichmäßig in das WoIframträgerniaterial durch teilweise Diffusion in dieses Material verteilt-, wird das Überzugsmetall zusammen mit dem Wolframdraht bei erhöhten Temperaturen einer Wärmebehandlung unterzogen, Bei der praktischen Herstellung einer Elektronenröhre ist es erwünscht, daß die Drahtkathode in die Röhre eingesetzt und einer nachträglichen Wärmebehandlung zw:n Entgasen der Röhre ausgesetzt wird. Auf diese Weise wird eine Kathode hoher Feldemission bei niedriger: Betriebsspannungen durch den Stand der Technik erhalten.
Die so erhaltenen Kathoden hoher Feldemission haben 009839/1951
jedoch einige Nachteile. Das Überzugsmetall sitzt als Bariumschicht unmittelbar auf der Oberfläche des Trägermaterials der Kathode, so daß es leicht durch die umgebenden Gasmoleküle beeinträchtigt wird, wenn sie diesen ausgesetzt wird. Darüber hinaus neigt das Metall dazu, während der Wärmebehandlung in das umgebende Vakuum zu verdampfen« Obwohl das Material teilweise in die Kathode eingedrungen ist, beispielsweise in einer einige.Atome starken Schicht des Überzugsmaterials, ist die Eindringtiefe nicht groß genug. Dies äußert^sich in der Wahrscheinlichkeit der Diffusion und Oberflächenwanderung von Metallatomen, wenn das Metallmaterial für Aktivierung erhitzt wird, so daß sich eine verkürzte Lebensdauer für die bestehenden Kathoden ergibt·
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Kathode mit hoher Feldemission zu schaffen, in die Metallionen niedriger Austrittsarbeit eingebettet sind« Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, eine Elektronenvorrichtung mit einer erfindungsgemäßen Kathode zu schaffen.
Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Kathode zu schaffen, bei dem .Metallionen niedriger Austrittsarbeit in einen zugespitzten spitzen Abschnitt einer geformten Kathode eingebettet werden, die bei hohen Temperaturen stabil und chemisch inert gegenüber Gasmolekülen unter
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Einschluß von Sauerstoff ist.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand schematischer Zeichnungen näher erläutert.
Fig, 1 ist eine schematische Darstellung, die
das Arbeitskonzept einer erfindungsgemässen Kathode mit hoher Feldemission verdeutlicht;
Fig. 2 Ca) zeigt in erläuternder Weise das Energieniveau von in einem Vakuum untergebrachtem Wolfram;
Fig. 2 Cb) ist eine der Fig. 2 Ca) entsprechende Darstellung, die das Energieniveau bei einem aufgebauten hohen elektrischen Feld verdeutlicht;
Fig. 3 Ca) zeigt ebenfalls in einer erläuternden
Weise das Energieniveau von Wolfram, das mit Barium überzogen ist und in einem Vakuum untergebracht ist;
Fig. 3 Cb) ist eine der Fig. 3 Ca) entsprechende Darstellung» die das Energieniveau bei einem aufgebauten hohen elektrischen Feld
verdeutlicht;
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Fig» 4 ist eine graphisohe Darstellung über die. Verteilung der in Form von Ionen in das Trägermaterial der Kathode eingebetteten Metallionen niedriger Austrittsarbeit.
In Fig, 1 ist eine typische Kathode hoher Feldemission mit 10 bezeichnet und mit einer zugespitzten Spitze versehen, die beispielsweise durch elektrochemisches Ätzen oder im Lichtbogen beim Durchschlagen erzeugt worden ist. In die Oberfläche dieser scharfen Spitze werden Metallionen niedriger Austrittsarbeit durch Aufbau eines beschleunigenden elektrischen Felds eingebettet. Die anfängliche Kathode 10 und die Metallionen können zum Beispiel aus Vfolfram bzw. Barium bestehen. Der Kathode 10 gegenüber ist eine als Anode wirkende Elektrode 11-angeordnet. Von einer Spannungsquelle 12 wird zwischen beiden Elektroden 10 und 11 eine geeignete Spannung angelegt. Wenn zwischen den beiden Elektroden 10 und 11 bei der angelegten Spannung ein hohes elektrisches Feld aufgebaut wird, dient dieses Feld dazu, die Oberflächenpotentialsctwelle zu erniedrigen, wobei dieses ;Eeld durch die Oberfläche Elektronen zieht. Vorausgesetzt, daß auf der Kathode 10 kein Metall niedriger Austrittsarbeit vorgesehen ist, ist in diesem Fall das für die Überwindung der Oberflächenschwelle notwendige elektrische Feld so hoch, daß kaum Elektronen aus der Oberfläche entweichen: ist hingegen das Metall eingebettet, ist die Austrittsarbeit der Kathode
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im Ganzen herabgemindert. Das elektrische Feld läßt nunmehr die Elektronen durch die Potentialschwelle an der Oberfläche entweichen, wodurch ein Strom von Elektronen gebildet wird, wie er mit den Buchstaben e bezeichnet ist und der von der Oberfläche unter dem Einfluß des Felds ausgeht* Dieses Phänomen wird im Folgenden anhand der Fig. 2 (a) bis 3 (b) erläutert.
In Fig. 2 (a) ist das Vakuumenergieniveau von Wolfram, abgekürzt V.L* auf der Etage und liegt die Potentialschwelle als Ganzes in abgestufter Form vor. Die Austrittsarbeit, deren Wert in diesem Fall mit 4,5 eV angegeben ist, ist definiert als Unterschied zwischen dem Vakuumniveau V.L. und dem. sogenannten Ferminiveau, abgekürzt F.L. Dies bedeutet mit anderen Worten, daß die Austrittsarbeit eine Energie ist, die notwendig ist, damit ein Elektron auf dem Ferminiveau F.L. aus der Oberfläche von Wolfram frei wird. Wird in Nachbarschaft der1 Oberfläche ein elektrisches Feld aufgebaut, fällt das Vakuumniveau V.L. mit einem bestaunten Gefalle ab und erscheint die Potentialschwelle gemäß. F.ig. 2 (b) als dreieckförmiger Hügel, Je stärker das au/c.ebaate elektrische Feld vr'.rd, umso spitzer wird der dr-ai^ekförmige Hügel.., Die Austrittsarbeit 4,5 eV bleibt trot "dcjii v,r: .«sentl ichen unverändert.« Tatsächlich fällt ;■'edocn die Austri^tsarbe^t um wenige Zehntel von 1 eV al··, was aIa Shottky-EffeJct /Jt zeichnet wird, Somit können lie Elektronen innerhalb der Wolframmasse nur dann
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ORIGINAL INSPECTED
die Oberfläche verlassen, wenn ihnen die Energie von U, 5 eV gegeben wird»
Wenn das Wolfram mit einem Metall niedriger Austrittsarbeit wie Barium überzogen ist oder wenn ein derartiges Metall in das Wolfram eingebettet ist, wird das Vakuumniveau V.L. abgesenkt, so daß sich der Viert der Austrittsarbeit von ^,5 eV auf 1,5 eV gemäß Fig. 3 Ca) verschiebt. Daraus ergibt sich, daß die im Inneren der Wolframmasse befindlichen Elektronen herausgezogen oder leichter über die Schwelle aus der Oberfläche bewegt werden, wenn das anziehende elektrische Feld relativ inten-' siv ist. Gemäß Fig. 3 Cb) nimmt die Potentialschwelle bei Entwicklung eines hohen Felds die Form eines dreieckförmigen Hügels an9 der gegenüber dem Ferminiveau F.L. abgesenkt ist. Das Vakuumniveau V.L. hat ebenfalls ein negatives Gefälle, das umso steiler-wird,"je höher das aufgebaute elektrische Feld wird. In diesem Fall können selbst Elektronen mit Energien unter dem Ferminiveau durch den engen Abschnitt der Potentialschwelle wandern. Dieses Phänomen ist als Tunneleffekt bekannt und,wird bei der erfindungsgemäßen Kathode hoher Feldemission benutzt.
Bei einem bevorzugten Verfahren nach der Erfindung werden Metalle niedriger Austrittsarbeit in Form von Ionen durch ein elektrisches starkes Feld beschleunigt und darauf tief in das Innere einer gewöhnlichen einfachen Katho-
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densubstanz als Trägermaterial eingebettet. Nach dieser Ionenimplantation wird die erhaltene Kathode in die offene Luft herausgenommen. Dann wird die Kathode in einem Vakuum, vorzugsweise in einer Elektronenröhre einer Wärmebehandlung unterzogen, um Teiloxydbelege und in die Oberflächenschicht absorbierte Gase zu entfernen. Während dieser Wärmebehandlung wird die Röhre entgast und die Oberfläche der Kathode durch Diffusion der Metallionen von der Trägermaterialmasse zu der Oberfläche aktiviert.
Die Ionenimplantation wird in diesem Fall in der folgenden Weise verwirklicht: die Bariumionen werden von einem Plasma erhalten, wo das Barium wenigstens teilweise bei einer erhöhten Temperatur ionisiert ist. Bei einer intensiven Beschleunigungsspannung von beispielsweise etwa 40 kV werden die Bariumionen unter Bildung eines Strahls in eine gleichförmige Richtung orientiert. Dieser Bariumionenstrahl dringt tief in das Innere des das Kathodenträgermaterial bildenden Wolframs ein.
Die Verteilung des implantierten Bariumionengehalts ist in Fig. 4 in Abhängigkeit von der Eindringtiefe von der Substratoberfläche aus verdeutlicht. Aus Fig. k entnimmt man, daß der Verteilungsscheitel in einem Abstand einwärts von der Oberfläche, d.h. nicht unmittelbar an der Oberfläche liegt und daß die Bariumionen um 1000 bis 3000 R in die Trägermasse eindringen. Dieses tiefe Ein-
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dringen ist dafür förderlich, daß die Oberfläche des Ionenimplantierten Wolframs durch die umgebenden Gasmoleküle ohne Beeinträchtigung bleibt. Somit verhält sich die Oberfläche des nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelten Wolframs wie eine einfache Substanz. Dementsprechend bietet eine Kathode hoher Feldemission nach der Erfindung.Vorteile dadurch, daß die Kathode frei, von Verdampfung bei erhöhten Temperaturen und chemisch inert gegen Gasmoleküle ist und daß sie stabil bei verringerten Betriebsspannungen für lange Zeitspannen arbeiten kann*
Beispiele für Metalle, wie sie erfindungsgemäß für das Implantieren in ein als gewöhnliche Kathode wirkendes Trägermaterial geeignet sind, sind Alkalimetalle wie Lithium CLi), Natrium C»Na), Kalium CK) und Cäsium (Cs); Alkalierdmetalle wie Barium (Ba), Strontium CSr) und Kalzium. (Ca) und andere Metalle wie Thorium CTh) und Zirkonium CZr), Diese Metalle haben niedrige Austrittsarbeit und ionisieren leicht bei einer hohen Temperature
Bei einem weiteren bevorzugten Verfahren nach der Erfindung wird die gewöhnliche Kathode aus einfacher Substanz einmal mit einem Material übersogen, das weicher als das Trägermaterial ist9 um das Implantieren der Metalle niedriger Austrittsarbeit zu verbesserns damit also größere Mengen an Metall' tiefer in das Trägermaterial ein«»
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dringen. Die Ionenimplantation wird dann an dem einmal überzogenen Trägermaterial vorgenommen. Als weiches Material kommen vorzugsweise Oxyde oder Carbide des Trägermaterials wie Wolfram (W), Molybdän (Mo), Tantal (Ta) oder Rhenium (Re) in Frage und sollte bei erhöhten Temperaturen stabil sein, chemisch inert gegenüber Gasen unter Einschluß von Sauerstoff und auf der Trägeroberfläche beschichtbar sein.
Die erfindungsgemäßen Kathoden hoher Feldemission können im allgemeinen als Punktquelle eines Elektronenstrahls mit geringeren Betriebsspannungen verwendet, werden. Darüber hinaus finden die Kathoden ein weites Feld von Anwendungsmöglichkeiten für einen Emitter einer Elektronenröhre, insbesondere für eine Kathode einer Elektronenschleuder,
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1/ Kathode .hoher Feldemission, gekennzeichnet durch ein Trägermaterial, das bei hohen Temperaturen, stabil und chemisch inert gegen Gasmoleküle unter Einschluß von Sauerstoff ist und in, das Metallionen niedriger Austrittsarbeit ,aus einem Plasma der Metallionen unter dem Einfluß
    einer hohen Beschleunigungsspannung tief eingebettet sind.
    2« Kathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial ein zugespitzter Spitzenabschnitt einer geformten Kathode ist, wobei in das Trägermaterial die Metallionen unmittelbar implantiert "oder eingebettet sind.
    3. Kathode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, · daß das Trägermaterial auf einen zugespitzten spitzen Abschnitt einer geformten Kathode aufgebracht und weicher als diese ist, wobei die Metallionen in das Trägermaterial eingebettet sind,
    H. Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bie 3, dadurch Gekennzeichnet» daß die Kathode aus einem
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    harten Metall unter Einschluß von Wolfram, Molybdän, Tantal und Rhenium gebildet ist.
    5. Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode aus einem Whisker unter Einschluß von Siliciumcarbid gebildet ist. . -
    6. Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallionen aus Alkalimetallionen wie Lithiumionen, Natriumionen, Kaliumionen und Cäsiumionen ausgewählt sind.
    Z. Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch- gekennzeichnet, daß die Metallionen aus Alkalierdmetallionen, nämlich Bariumionen, Strontiumionen und Kalziumionen ausgewählt sind«
    .8. Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallionen Thoriumionen sind.
    9* Kathode nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallionen Zirkaniumionen sind.
    10. Kathode nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial von irgendeinem Oxyd
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    von Hartmetallen"unter Einschluß von Wolfram, Molybdän, Tantal und Rhenium gebildet ist.
    11. Kathode nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial aus irgendeinem Carbid von Hartmetallen unter Einschluß von Wolfram, Molybdän, Tantal und Rhenium gebildet ist.
    12. Verfahren zur Herstellung einer Kathode mit hoher Feldemission, gekennzeichnet durch ein Trägermaterial, das bei hohen Temperaturen stabil und gegenüber ■Gasmolekülen unter Einschluß von Sauerstoff inert ist und in das Metallionen niedriger Austrittsarbeit.aus einem Plasma der Metallionen unter dem Einfluß einer hohen Beschleunigungsspannung tief eingebettet werden.
    13. Elektronenröhre, gekennzeichnet durch eine Kathode hoher Feldemission mit einem Trägermaterial, das bei hohen Temperaturen stabil und gegenüber Gasmolekülen unter Einfluß von Sauerstoff inert ist- und in das Metallionen niederiger Austrittsarbeit aus einem Plasma der Metallionen unter dem Einfluß einer hohen Beschleunigungsspannung eingebettet sind.
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    ι Λ . .
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FR (1) FR2034947B1 (de)
GB (1) GB1309423A (de)
NL (1) NL149947B (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066883A (en) * 1987-07-15 1991-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5661362A (en) * 1987-07-15 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814975A (en) * 1969-08-06 1974-06-04 Gen Electric Electron emission system
FR2177497B1 (de) * 1972-03-27 1978-09-29 Labo Electronique Physique
US4325000A (en) * 1980-04-20 1982-04-13 Burroughs Corporation Low work function cathode
GB8621600D0 (en) * 1986-09-08 1987-03-18 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
US5089292A (en) * 1990-07-20 1992-02-18 Coloray Display Corporation Field emission cathode array coated with electron work function reducing material, and method
SE504603C2 (sv) * 1995-02-15 1997-03-17 Lightlab Ab Metod vid tillverkning av en fältemissionskatod samt fältemissionskatod
JP3239038B2 (ja) * 1995-04-03 2001-12-17 シャープ株式会社 電界放出型電子源の製造方法
US5713775A (en) * 1995-05-02 1998-02-03 Massachusetts Institute Of Technology Field emitters of wide-bandgap materials and methods for their fabrication
KR100405886B1 (ko) * 1995-08-04 2004-04-03 프린터블 필드 에미터스 리미티드 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자
EP0904159A4 (de) * 1996-04-01 2002-02-27 Univ California Verfahren zum modifizieren des elektronenaustrittspotentials unter verwendung von ionenimplantation
WO1998021737A1 (en) * 1996-11-13 1998-05-22 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon-containing cathodes for enhanced electron emission
WO1998051417A1 (en) * 1997-05-16 1998-11-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method and apparatus for making thermionic oxide cathodes
US6255772B1 (en) * 1998-02-27 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Large-area FED apparatus and method for making same
US6019913A (en) * 1998-05-18 2000-02-01 The Regents Of The University Of California Low work function, stable compound clusters and generation process
FR2803944B1 (fr) * 2000-01-14 2002-06-14 Thomson Tubes Electroniques Cathode generatrice d'electrons et son procede de fabrication
US7488106B2 (en) * 2005-05-05 2009-02-10 Leco Corporation Automated calorimeter
US8058159B2 (en) 2008-08-27 2011-11-15 General Electric Company Method of making low work function component

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL285235A (de) * 1961-11-08
US3425111A (en) * 1964-10-08 1969-02-04 Trak Microwave Corp Method of making cathodes by neutron bombardment
US3356912A (en) * 1964-10-16 1967-12-05 Gen Electric Porous electrode

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066883A (en) * 1987-07-15 1991-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5532544A (en) * 1987-07-15 1996-07-02 Ganon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5661362A (en) * 1987-07-15 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
US5749763A (en) * 1987-07-15 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulted from electrodes
US5759080A (en) * 1987-07-15 1998-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated form electrodes
US5872541A (en) * 1987-07-15 1999-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Method for displaying images with electron emitting device
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US3678325A (en) 1972-07-18
NL149947B (nl) 1976-06-15
FR2034947B1 (de) 1974-09-20
GB1309423A (en) 1973-03-14
NL7003616A (de) 1970-09-16
DE2012101B2 (de) 1975-03-06
DE2012101C3 (de) 1975-10-09
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