[go: up one dir, main page]

DE19928596A1 - Quermodenunterdrückung in akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator(SBAR)-Vorrichtungen unter Verwendung von sich verjüngenden Elektroden und von Elektrodenranddämpfungsmaterialien - Google Patents

Quermodenunterdrückung in akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator(SBAR)-Vorrichtungen unter Verwendung von sich verjüngenden Elektroden und von Elektrodenranddämpfungsmaterialien

Info

Publication number
DE19928596A1
DE19928596A1 DE19928596A DE19928596A DE19928596A1 DE 19928596 A1 DE19928596 A1 DE 19928596A1 DE 19928596 A DE19928596 A DE 19928596A DE 19928596 A DE19928596 A DE 19928596A DE 19928596 A1 DE19928596 A1 DE 19928596A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sbar
electrodes
acoustic
layer
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19928596A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19928596C2 (de
Inventor
Drew Cushman
Jay D Crawford
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Original Assignee
TRW Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TRW Inc filed Critical TRW Inc
Publication of DE19928596A1 publication Critical patent/DE19928596A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19928596C2 publication Critical patent/DE19928596C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Akustischer Halbleitervollmaterial-Resonator (semiconductor bulk acoustic resonator, SBAR) mit verbesserten Eingangsverlusten des Durchlaßbereiches und verbesserten Phasenleistungsfähigkeitseigenschaften, was ihn für den Gebrauch bei einer größeren Vielfalt von Schmalband-Filteranwendungen geeignet macht. Der SBAR wird so gestaltet, daß sich in Querrichtung ausbreitende akustische Wellenmoden unterdrückt werden. Die akustischen Querwellenmoden werden dadurch beherrscht, daß die Querabmessungen der Resonatorelektroden variiert werden und/oder ein viskoses akustisches Dämpfungsmaterial, beispielsweise ein viskoelastisches Material, z. B. Polyimid entlang mindestens einem Teil des Rands der Elektroden verwendet wird, um Reflektionen der akustischen Quermoden am Elektrodenrand zurück in den Elektrodenbereich zu schwächen.

Description

Hintergrund der Erfindung 1. Bereich der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator (Semiconductor Bulk Acoustic Resonator, SBAR) oder einen Vollmaterial-Akustikwellen (Bulk Acoustic Wave, BAW)-Resonator, der so gestaltet ist, daß er akustische Quermoden schwächt, um die Eingangsverluste und die Phaseneigenschaften von SBAR-Filtern zu verbessern.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Akustische Halbleitervollmaterial-Resonatoren (SBARs) sind der Fachwelt bekannt. Ein Beispiel eines solchen SBARs ist in dem US Patent 5,382,930 offenbart, auf das hier Bezug genommen wird. SBAR-Vorrichtungen umfassen Resonatoren, Kristallstapel­ filter (stacked crystal filters, SCFs), Multipolfilter, die auf induktorgekoppelten Topologien basieren, die in dem '930-Patent offenbart sind, und andere Filtertopologien. Wegen ihrer rela­ tiv kleinen Größe, hohen Güte (hohem Q) und ihrer hohen Be­ triebsfrequenz sind derartige SBARs besonders gut bei Anwendun­ gen mit Anpassung für Hochleistungsfähigkeit geeignet, bei de­ nen der Raum beschränkt ist.
Derartige SBARs sind akustische Dünnfilmresonatoren, die auf einem Halbleitersubstrat wie Galliumarsenid (GaAs) hergestellt sind, was sie besonders geeignet zur Integration mit monolithi­ schen integrierten Mikrowellenschaltkreisen (microwave mono­ lithic integrated circuits, MMICs) mit extrem schnellen Feld­ effekttransistoren mit Heterostruktur (high electron mobility transistor, HEMT) und Bipolartransistoren mit Heteroübergang (heterojunction bipolar transistor, HBT) macht, wie sie bei­ spielsweise offenbart sind in: "SBAR Filter Monolithically Integrated With an HBT Amplifier", Cushman et al.; IEEE Ultrasonic Symposium, 1990, pp. 519-524; und "SBAR-HEMT Mono­ lithic Receiver Front End With Bulk Acoustic Filters", Cushman et al., GOMAC DIGEST, 1997, pp. 279-282, auf die hier Bezug ge­ nommen wird. Derartige SBARs umfassen typischerweise eine dünne Schicht oder einen dünnen Film eines piezoelektrischen Materi­ als wie Aluminiumnitrid oder Zinkoxid, das beispielsweise durch Sputtern (Kathodenzerstäubung) auf dem Halbleitersubstrat abge­ lagert werden kann. Auf entgegengesetzten Oberflächen der pie­ zoelektrischen Schicht werden Dünnfilm-Metallelektroden ausge­ bildet, um einen SBAR-Resonator zu bilden. Ein Kristallstapel­ filter (SCF) ist ähnlich, umfaßt aber zwei AlN-Schichten und drei Metallelektroden.
Unregelmäßigkeiten bei den Eingangsverlusten und der Phase ha­ ben bisher verhindert, daß SBARs in vielen Anwendungen verwen­ det werden. Derartige Unregelmäßigkeiten in der Leistungsfähig­ keit sind auf die unerwünschten akustischen Quermoden derarti­ ger SBARs zurückzuführen. Es ist bekannt, daß diese akustischen Quermoden mit den erwünschten akustischen Längsmoden interfe­ rieren, wodurch sie die oben erwähnten Unregelmäßigkeiten in der Leistungsfähigkeit bewirken.
Zusammenfassung der Erfindung
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, zahlreiche Pro­ bleme des Stands der Technik zu lösen.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen (SBAR-) Filter mit verbesserten Leistungseigenschaften bereit­ zustellen.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen SBAR bereitzustellen, der so gestaltet ist, daß er akustische Quermoden unterdrückt.
Kurz gesagt, bezieht sich die Erfindung auf einen akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator (SBAR) mit verbesserten Ein­ gangsverlusten im Durchlaßbereich und verbesserter Phasenlei­ stungsfähigkeit. Der SBAR ist so angeordnet, daß er sich in Querrichtung ausbreitende akustische Wellenmoden unterdrückt. Die akustischen Querwellenmoden werden dadurch gesteuert, daß die Querabmessungen der Resonatorelektroden variiert werden und/oder, daß ein viskoelastisches akustisches Dämpfungsmateri­ al wie Polyimid entlang mindestens einem Teil des Rands der Elektroden verwendet wird, um Reflexionen der akustischen Quermoden an den Elektrodenrändern in den Elektrodenbereich zurück abzuschwächen.
Kurze Bescheibung der Zeichnung
Diese und andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden unter Bezug auf die folgende Beschreibung und zugehörige Zeich­ nung leicht ersichtlich, wobei:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines bekannten akustischen Vollmaterial-Resonators ist.
Fig. 2 eine Aufrißansicht des bekannten, in Fig. 1 dargestell­ ten SBARs ist.
Fig. 3A eine Quadratelektrodengeometrie für einen bekannten SBAR darstellt.
Fig. 3B eine Geometrie mit sich verjüngender Elektrode für einen erfindungsgemäßen SBAR darstellt.
Fig. 4A die Verwendung einer viskoelastischen Randdämpfung bei einer Elektrode für einen SBAR für eine Quadratelektro­ dengeometrie gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 4B die Verwendung einer viskoelastischen Randdämpfung bei einer Geometrie mit sich verjüngender Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 5 die Frequenzantwort eines 1,43 GHz-SBAR-Filters mit rechteckigen Elektroden darstellt, was einen Durchlaß­ bereich veranschaulicht, der voller Zacken ist, was durch Interferenz der unerwünschten Quermode mit der Längsmode hervorgerufen wird.
Fig. 6 die verbesserte Antwort auf den in Fig. 5 geprüften SBAR darstellt, wobei eine Geometrie mit sich ver­ jüngender Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Fig. 7 eine graphische Darstellung ist, die die SBAR-Frequenz­ antwort eines 1,94 GHz-SBARs zeigt, wobei eine Geometrie mit rechteckiger Elektrode verwendet wird.
Fig. 8 die verbesserte Antwort des in Fig. 7 geprüften SBAR darstellt, der eine akustische Dämpfung an den Rändern der Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung verwen­ det.
Ausführliche Beschreibung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft einen akustischen Halblei­ tervollmaterialresonator (SBAR) mit verbesserten Leistungsei­ genschaften. Wie unten ausführlicher beschrieben wird, ist der SBAR so gestaltet, daß er akustische Quermoden unterdrückt, was die Glattheit des Eingangsverlusts und der Phasenantwort ver­ bessert.
Um ein vollständiges Verständnis der Erfindung zu erreichen, ist ein bekannter SBAR in den Fig. 1 und 2 dargestellt und wird nachfolgend beschrieben. Der im ganzen mit der Bezugszahl 20 bezeichnete SBAR umfaßt ein Halbleitersubstrat 22 wie Gallium­ arsenid (GaAs). Oberhalb des Halbleitersubstrats 22 wird eine piezoelektrische Schicht 24 ausgebildet, wobei sie aus zahlrei­ chen unterschiedlichen piezoelektrischen Materialien wie Alumi­ niumnitrid, Zinkoxid oder ähnlichem hergestellt sein kann. Wie allgemein bekannt, kann die piezoelektrische Schicht 24 durch Sputtern (Kathodenzerstäubung) oder durch zahlreiche andere Prozesse gebildet werden. Die piezoelektrische Schicht 24 ist dafür ausgelegt, zwischen einem Paar Elektroden 26 und 28, die an entgegengesetzten Seiten der piezoelektrischen Schicht 24 ausgebildet sind, angeordnet zu werden. Die Elektroden 26 und 28 können durch zahlreiche Verfahren wie Metalldampfablagerung hergestellt sein. Zu- und Ableitungen 30 bzw. 32 können in der­ selben Weise wie die Elektroden 26 und 28 gebildet werden und elektrisch mit den Elektroden 26 bzw. 28 verkoppelt werden, um Eingangs- und Ausgangsanschlüsse für die Vorrichtung bereitzu­ stellen.
Auf einer Seite des Halbleitersubstrats 22 ist, wie im ganzen in Fig. 1 zu sehen, ein Durchlaß 34 ausgebildet. Der Durchlaß 34 kann durch zahlreiche Prozesse, darunter Ätzen, ausgebildet werden. Der resonierende Bereich des SBARs wird durch den Be­ reich des Überlapps der Elektroden 26 und 28 gebildet.
Bekannte SBARs, wie sie beispielsweise in den Fig. 1 und 2 dar­ gestellt sind, umfassen bekanntlich im allgemeinen quadratische oder rechteckige Elektroden 26 und 28. Wenn derartige Metall­ elektroden 26 und 28 an der piezoelektrischen Schicht 24 ange­ bracht werden, wird die Geschwindigkeit der akustischen Wellen innerhalb des piezoelektrischen Materials 24 verringert. Diese Geschwindigkeitsveränderung zwischen den metallisierten Elek­ troden 26 und 28 und den frei liegenden piezoelektrischen Berei­ chen um den Resonator herum bewirken bekanntermaßen eine Re­ flexion von sich in Querrichtung ausbreitenden akustischen Wellen an den Elektrodenrändern. Diese Reflexionen begrenzen die Quermode und erzeugen eine Resonanz mit stehenden Wellen.
Die Resonanzfrequenz der Quermode wird durch die Querabmessun­ gen der Metallelektroden und durch die Schallgeschwindigkeit der unterschiedlichen Querresonanzmoden bestimmt. Unter Bezug auf Fig. 3A liegt bei einer Geometrie mit im ganzen quadrati­ scher oder rechteckiger Elektrode die gesamte Energie der reso­ nanten Mode bei einer einzigen Frequenz, die in Fig. 3A als Frequenz F2 dargestellt ist. Die Interferenz zwischen dieser Quermode und der gewünschten Längsmode führt zu Änderungen im Durchlaßbereich, wie sie in Fig. 5 für einen 1,43 GHz-SBAR und in Fig. 7 für einen 1,94 GHz-SBAR dargestellt sind.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden SBARs mit unterdrückten akustischen Querwellenmoden bereitgestellt, die für deutlich veränderte Durchlaßbereiche sorgen, wie in den Fig. 6 und 8 dargestellt. Die Wellung in dem Durchlaßbereich wird unter­ drückt. Gemäß der vorliegenden Erfindung können zwei Verfahren entweder einzeln, wie in den Fig. 3B und 4A dargestellt, oder in Kombination, wie in Fig. 4B dargestellt, verwendet werden, um die akustischen Quermoden zu unterdrücken.
Beim ersten erfindungsgemäßen Verfahren verjüngen sich die Elektroden an einer oder mehreren sich verjüngenden Seiten 38-42. Bei dieser Ausführungsform ist eines der Paare von ge­ genüberliegenden Seiten 38, 40 und 42, 44 nicht-parallel ausge­ bildet. Inbesondere werden die Querabmessungen der Elektroden so geändert, daß sich die Frequenz der resonanten Quermode über einen Frequenzbereich mit verringerten Intensitäten er­ streckt, beispielsweise zwischen F1 und F3, wobei F1 < F2 < F3, wie in Fig. 3B dargestellt. Somit erstreckt sich die Frequenz der einzelnen Quermoden über einen breiteren Frequenzbereich, was die Höhe der Durchlaßbereichinterferenz und die Variation der Eingangsverluste verringert. Insbesondere ist es bekannt, daß eine Elektrodengeometrie mit parallelen Seiten eine Serie von stark resonanten Spitzen (peaks) erzeugt, die zu einer starken Interferenz mit der gewünschten Längsresonanz führen können. Eine Elektrode mit sich verjüngenden, nicht-parallelen Kanten, wie sie beispielsweise in Fig. 3B dargestellt ist, verbreitert die Resonanz über einen Frequenzbereich, wodurch die Energie bei jeder bestimmten Frequenz verringert wird. Auch andere Geo­ metrien sind geeignet, um die Übereinstimmung von Querabmessun­ gen oder die durch akustische Quermoden bewirkte Übereinstim­ mung der Resonanzfrequenz zu verringern.
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, die, wie in Fig. 4A dargestellt, entweder alleine, oder, wie in Fig. 4B dargestellt, in Kombination mit einer Geometrie mit sich ver­ jüngenden Elektroden verwendet werden kann, wird ein viskoela­ stisches akustisches Dämpfungsmaterial entlang mindestens einem Teil des Rands der Elektroden angeordnet, wie in Fig. 4B darge­ stellt. Die viskose Dämpfung absorbiert und schwächt einen bedeutenden Teil der akustischen Querenergie, wobei die ge­ wünschte akustische Längsmode schwach absorbiert wird.
Es eignen sich unterschiedliche Arten von akustischen Dämp­ fungsmaterialien, wie etwa jedes viskoelastische Material, z. B. Polyimid. Im wesentlichen kann das akustische Dämpfungsmaterial jedes Material sein, das akustische Energie wirksam absorbiert und an den Rand einer SBAR-Elektrode angebracht werden kann.

Claims (12)

1. Akustischer Halbleitervollmaterial-Resonator (semiconductor bulk acoustic resonator, SBAR) (20), mit:
einem Substrat (22);
einer Schicht (24) piezoelektrischen Materials, die auf dem Substrat (22) ausgebildet ist;
einem Paar Elektroden (26, 28), wobei die piezoelektri­ sche Schicht (24) zwischen den beiden Elektroden (26, 28) ange­ ordnet ist; und
einer Einrichtung zum Unterdrücken von Quermodenresonan­ zen des SBARs.
2. SBAR nach Anspruch 1, bei dem die unterdrückende Einrichtung ein akustisches Dämpfungsmaterial umfaßt, das an einem Teil des SBARs angebracht ist.
3. SBAR nach Anspruch 2, bei dem das akustische Dämpfungsmate­ rial um einen Teil des Rands der Elektroden herum angeordnet ist.
4. SBAR nach Anspruch 2, bei dem das akustische Dämpfungsmate­ rial ein viskoelastisches Material ist.
5. SBAR nach Anspruch 4, bei dem das viskoelastische Material ein Polyimid ist.
6. SBAR nach Anspruch 1, bei dem das Substrat GaAs ist.
7. Akustischer Halbleitervollmaterial-Resonator (semiconductor bulk acoustic resonator, SBAR) (20), mit:
einer Schicht (24) piezoelektrischen Materials;
einem Paar Elektroden (26, 28),
wobei die piezoelektrische Schicht zwischen den beiden Elektroden (26, 28) angeordnet ist,
wobei die Elektroden (26, 28) zwei Paare (38, 40; 42, 44) von jeweils gegenüberliegenden Seiten haben,
wobei mindestens ein Paar (38, 40; 42, 44) gegenüberliegender Seiten nicht-parallel ausgebildet ist, um akustische Querwellenmoden zu unterdrücken.
8. SBAR nach Anspruch 7, bei dem das piezoelektrische Material Aluminiumnitrid oder Zinkoxid ist.
9. Verfahren zum Bilden eines akustischen Halbleitervollmate­ rial-Resonators (semiconductor bulk acoustic resonator) (20) mit verringerten Querresonanzmoden, mit den Schritten:
  • (a) Aufbringen einer Schicht (24) piezoelektrischen Materi­ als;
  • (b) Auswählen einer Elektrodenanordnung, indem die Querab­ messungen der Elektroden (26, 28) geändert werden, bis die aku­ stische Querresonanzmode unterdrückt wird;
  • (c) Bilden der Elektroden (26, 28) in der ausgewählten An­ ordnung;
    und
  • (d) Anordnen des piezoelektrischen Materials zwischen den Elektroden (26, 28).
10. Verfahren zum Bilden eines akustischen Halbleitervollmate­ rial-Resonators (semiconductor bulk acoustic resonator) (20) mit verringerten Querresonanzmoden, mit den Schritten:
  • (a) Aufbringen einer Schicht (24) piezoelektrischen Materi­ als auf einem Substrat (22);
  • (b) Bilden von Elektroden (26, 28) derart, daß die piezo­ elektrische Schicht zwischen den Elektroden (26, 28) angeordnet ist; und
  • (c) Aufbringen eines akustischen Dämpfungsmaterials zumin­ dest an einem Teil des Rands der Elektroden (26, 28).
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das akustische Dämp­ fungsmaterial ein viskoelastisches Material ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das viskoelastische Ma­ terial Polyimid ist.
DE19928596A 1998-06-29 1999-06-22 Quermodenunterdrückung in akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator(SBAR)-Vorrichtungen unter Verwendung von sich verjüngenden Elektroden und von Elektrodenranddämpfungsmaterialien Expired - Lifetime DE19928596C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/106,729 US6150703A (en) 1998-06-29 1998-06-29 Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19928596A1 true DE19928596A1 (de) 2000-01-05
DE19928596C2 DE19928596C2 (de) 2001-11-15

Family

ID=22312946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19928596A Expired - Lifetime DE19928596C2 (de) 1998-06-29 1999-06-22 Quermodenunterdrückung in akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator(SBAR)-Vorrichtungen unter Verwendung von sich verjüngenden Elektroden und von Elektrodenranddämpfungsmaterialien

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6150703A (de)
JP (1) JP3136141B2 (de)
KR (1) KR100333512B1 (de)
DE (1) DE19928596C2 (de)
TW (1) TW463459B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1041717A2 (de) * 1999-03-30 2000-10-04 Agilent Technologies Inc Resonator mit akustischen Volumenwellen mit verbesserter lateralen Modeunterdrückung
WO2002039782A2 (en) * 2000-10-19 2002-05-16 Sensant Corporation Microfabricated acoustic transducer with suppressed substrate modes
EP1217734A2 (de) * 2000-12-21 2002-06-26 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Akustischer Volumenwellenresonator mit einem Perimeter-Reflexionssystem

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI107660B (fi) * 1999-07-19 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Resonaattorirakenne
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6746577B1 (en) 1999-12-16 2004-06-08 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition
US6524971B1 (en) 1999-12-17 2003-02-25 Agere Systems, Inc. Method of deposition of films
US7296329B1 (en) 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6306313B1 (en) 2000-02-04 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Selective etching of thin films
US6323744B1 (en) 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
US6377136B1 (en) 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6437667B1 (en) 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US6603241B1 (en) 2000-05-23 2003-08-05 Agere Systems, Inc. Acoustic mirror materials for acoustic devices
US6355498B1 (en) * 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6674291B1 (en) * 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6743731B1 (en) 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
US7435613B2 (en) * 2001-02-12 2008-10-14 Agere Systems Inc. Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity
JP2002374144A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Ube Electronics Ltd 薄膜圧電共振器
KR100398365B1 (ko) 2001-06-25 2003-09-19 삼성전기주식회사 폭방향 파동이 억제되는 박막 공진기
JP2003023337A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子およびフィルタ
WO2003041273A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-15 Infineon Technologies Ag Filter device and method of fabricating a filter device
JP3969224B2 (ja) * 2002-01-08 2007-09-05 株式会社村田製作所 圧電共振子及びそれを用いた圧電フィルタ・デュプレクサ・通信装置
JP4541147B2 (ja) * 2002-09-12 2010-09-08 エヌエックスピー ビー ヴィ バルク弾性波フィルタにおける通過帯域リップルを抑制する手段を有するバルク弾性波共振器
JP3879643B2 (ja) 2002-09-25 2007-02-14 株式会社村田製作所 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
DE10319554B4 (de) * 2003-04-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren
US6924717B2 (en) * 2003-06-30 2005-08-02 Intel Corporation Tapered electrode in an acoustic resonator
EP1517443B1 (de) 2003-09-12 2011-06-29 Panasonic Corporation Abstimmbarer Dünnschicht-Volumenwellen-Resonator, Herstellungsmethode dafür, Filter, mehrschichtiges zusammengesetztes elektronisches Bauelement und Kommunikationsvorrichtung
JP4024741B2 (ja) * 2003-10-20 2007-12-19 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びフィルタ
DE602004000851T2 (de) 2003-10-30 2007-05-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten
US6946928B2 (en) 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7391285B2 (en) 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
US7019605B2 (en) 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US7358831B2 (en) 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US7161448B2 (en) * 2004-06-14 2007-01-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
JP4535841B2 (ja) * 2004-10-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
JP4149444B2 (ja) * 2005-01-12 2008-09-10 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ
US7427819B2 (en) 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
JP2006319796A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Toshiba Corp 薄膜バルク波音響共振器
JP5040172B2 (ja) * 2005-05-19 2012-10-03 宇部興産株式会社 薄膜圧電共振器と薄膜圧電フィルタ
JP4508241B2 (ja) * 2005-06-02 2010-07-21 株式会社村田製作所 圧電共振子及び圧電薄膜フィルタ
KR100622398B1 (ko) * 2005-07-18 2006-09-12 삼성전자주식회사 필름 벌크 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP4435049B2 (ja) * 2005-08-08 2010-03-17 株式会社東芝 薄膜圧電共振器及びその製造方法
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7525398B2 (en) 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
JP4802714B2 (ja) * 2006-01-10 2011-10-26 セイコーエプソン株式会社 バルク音波共振器
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
JP4963193B2 (ja) * 2006-03-07 2012-06-27 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
JP4877966B2 (ja) * 2006-03-08 2012-02-15 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
JP2007281757A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Seiko Epson Corp 圧電薄膜共振子およびその製造方法
JP4719623B2 (ja) * 2006-05-31 2011-07-06 太陽誘電株式会社 フィルタ
US7629865B2 (en) * 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US7795997B2 (en) * 2006-09-25 2010-09-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus and method for measuring an environmental condition
US7508286B2 (en) 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
JP5080858B2 (ja) * 2007-05-17 2012-11-21 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
JPWO2009066380A1 (ja) * 2007-11-21 2011-03-31 太陽誘電株式会社 フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機
JP5279068B2 (ja) * 2008-02-15 2013-09-04 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
JP5563739B2 (ja) * 2008-02-20 2014-07-30 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
JP4935788B2 (ja) * 2008-09-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 圧電薄膜共振子およびその製造方法
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9525397B2 (en) 2011-03-29 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising acoustic reflector, frame and collar
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8872604B2 (en) 2011-05-05 2014-10-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonators with electrode layer and piezo-electric layer thicknesses providing improved quality factor
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8330325B1 (en) 2011-06-16 2012-12-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US8797123B2 (en) * 2011-09-14 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonator having electrode edge alignments providing improved quality factor or electromechanical coupling coefficient
JP5591977B2 (ja) * 2013-04-30 2014-09-17 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
US11736088B2 (en) 2016-11-15 2023-08-22 Global Communication Semiconductors, Llc Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression
US10601391B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 Global Communication Semiconductors, Llc. Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression
US11764750B2 (en) 2018-07-20 2023-09-19 Global Communication Semiconductors, Llc Support structure for bulk acoustic wave resonator
US12155368B2 (en) 2018-07-20 2024-11-26 Global Communication Semiconductors, Llc Support structure for bulk acoustic wave resonator
US11146236B2 (en) 2018-08-30 2021-10-12 Skyworks Global Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator having suppressed lateral mode
CN111371425B (zh) * 2018-12-26 2024-01-26 天津大学 顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备
US11817839B2 (en) 2019-03-28 2023-11-14 Global Communication Semiconductors, Llc Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof
DE102019120558A1 (de) * 2019-07-30 2021-02-04 RF360 Europe GmbH BAW-Resonator mit reduzierten seitlichen Moden
US12021498B2 (en) 2019-10-15 2024-06-25 Global Communication Semiconductors, Llc Bulk acoustic wave resonator with multilayer base
CN113965183B (zh) * 2021-12-23 2022-03-15 深圳新声半导体有限公司 一种带有多种顶电极形状的薄膜体声波谐振器

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3209178A (en) * 1965-09-28 Fig.ii
NL6617756A (de) * 1966-12-17 1968-06-18
US3624431A (en) * 1968-07-12 1971-11-30 Taiyo Yuden Kk Composite circuit member including an electrostrictive element and condenser
US3633134A (en) * 1969-10-10 1972-01-04 Motorola Inc Crystal band pass filter circuit
US4013982A (en) * 1974-10-22 1977-03-22 International Standard Electric Corporation Piezoelectric crystal unit
US4149102A (en) * 1977-10-31 1979-04-10 Motorola, Inc. Piezoelectric monolithic crystal element having improved response
US4365181A (en) * 1979-07-18 1982-12-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric vibrator with damping electrodes
US4342014A (en) * 1981-01-05 1982-07-27 Motorola, Inc. Multi-resonator crystal filter having a reduced number of pins and method of fabrication thereof
US4450420A (en) * 1982-01-13 1984-05-22 Gte Products Corporation Surface acoustic wave filter
KR910002996B1 (en) * 1987-05-16 1991-05-11 Nihon Denba Ind Co Piazo oscilator
US4839618A (en) * 1987-05-26 1989-06-13 General Electric Company Monolithic crystal filter with wide bandwidth and method of making same
EP0425716B1 (de) * 1989-10-30 1994-01-19 Siemens Aktiengesellschaft Ultraschall-Schichtwandler mit astigmatischer Schallkeule
CH683050A5 (fr) * 1991-06-04 1993-12-31 Suisse Electronique Microtech Résonateur à quartz vibrant selon un mode fondamental de torsion.
JPH06164293A (ja) * 1992-02-12 1994-06-10 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JPH0629774A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Tdk Corp 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ
US5382930A (en) * 1992-12-21 1995-01-17 Trw Inc. Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters
JPH07336189A (ja) * 1994-06-09 1995-12-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電フィルタ
US5578974A (en) * 1995-04-28 1996-11-26 Motorola, Inc. Piezoelectric filter with a curved electrode
JPH08335847A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Murata Mfg Co Ltd 厚みすべり振動型２重モードフィルタ
TW438155U (en) * 1995-07-27 2001-05-28 Daishinku Corp Multi-mode piezoelectric filter

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1041717A2 (de) * 1999-03-30 2000-10-04 Agilent Technologies Inc Resonator mit akustischen Volumenwellen mit verbesserter lateralen Modeunterdrückung
EP1041717A3 (de) * 1999-03-30 2000-12-20 Agilent Technologies Inc Resonator mit akustischen Volumenwellen mit verbesserter lateralen Modeunterdrückung
WO2002039782A2 (en) * 2000-10-19 2002-05-16 Sensant Corporation Microfabricated acoustic transducer with suppressed substrate modes
WO2002039782A3 (en) * 2000-10-19 2003-02-27 Sensant Corp Microfabricated acoustic transducer with suppressed substrate modes
US6714484B2 (en) 2000-10-19 2004-03-30 Sensant Corporation Microfabricated acoustic transducer with suppressed substrate modes
US6862254B2 (en) 2000-10-19 2005-03-01 Sensant Corporation Microfabricated ultrasonic transducer with suppressed substrate modes
EP1217734A2 (de) * 2000-12-21 2002-06-26 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Akustischer Volumenwellenresonator mit einem Perimeter-Reflexionssystem
EP1217734A3 (de) * 2000-12-21 2008-08-27 Avago Technologies Wireless IP (Singapore) Pte. Ltd. Akustischer Volumenwellenresonator mit einem Perimeter-Reflexionssystem

Also Published As

Publication number Publication date
JP3136141B2 (ja) 2001-02-19
US6381820B1 (en) 2002-05-07
DE19928596C2 (de) 2001-11-15
KR20000005728A (ko) 2000-01-25
KR100333512B1 (ko) 2002-04-24
US6150703A (en) 2000-11-21
TW463459B (en) 2001-11-11
JP2000031552A (ja) 2000-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19928596C2 (de) Quermodenunterdrückung in akustischen Halbleitervollmaterial-Resonator(SBAR)-Vorrichtungen unter Verwendung von sich verjüngenden Elektroden und von Elektrodenranddämpfungsmaterialien
DE10251876B4 (de) BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung
DE69412424T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE112004001841B4 (de) Oberflächenwellenbauelement
DE3586199T2 (de) Wandler fuer akustische oberflaechenwellen.
WO2011088904A1 (de) Elektroakustischer wandler mit verringerten verlusten durch transversale emission und verbesserter performance durch unterdrückung transversaler moden
DE112018004076B4 (de) Schallwellenvorrichtung, Multiplexer, Hochfrequenz-Frontend-Schaltung und Kommunikationsvorrichtung
DE69620134T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenresonatorfilter mit longitudinaler Kopplung
DE102015116223B4 (de) SAW-Filter mit unterdrückter Scher-Mode
DE102018108732B4 (de) Dünnschicht SAW-Wandler mit verbesserten Eigenschaften, elektroakustisches Filter und HF-Filter
DE4400980A1 (de) Oberflächenwellenbauelement
WO2007048376A1 (de) Saw filter mit breitbandiger bandsperre
DE102015116224B4 (de) SAW-Filter mit zusätzlichem Pol
DE112009000963T5 (de) Grenzschallwellenvorrichtung
EP1407546B1 (de) Reaktanzfilter mit verbesserter flankensteilheit
DE10042915A1 (de) Akustooberflächenwellenbauelement und Kommunikationsgerät
DE10196571B4 (de) Oberflächenwellen-Bauelemente mit optimierten Schnitten eines piezoelektrischen Substrats und piezolektrisches Oberflächenleckwellen-Substrat
DE4121550C2 (de) Magnetoelastischer Oberflächenwellenleiter
DE10136305B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelementes
DE112007001405T5 (de) Oberflächenschallwellenvorrichtung
DE19610806A1 (de) Oberflächenwellen-Filter und Antennenweiche
DE69632710T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
DE69322117T2 (de) Akustische Oberflächenwellenfilteranordnung
DE102019109022A1 (de) Akustische-Oberflächenwellen-Resonatoranordnung
DE69211463T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NORTHROP GRUMMAN CORP. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE, SG

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELLSCHA

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELLSCHA

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE., SG

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG

Effective date: 20130529

R082 Change of representative

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE

Effective date: 20130529

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES INTERNATIONAL SALES PTE. LT, SG

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD., SINGAPORE, SG

R082 Change of representative

Representative=s name: DILG HAEUSLER SCHINDELMANN PATENTANWALTSGESELL, DE

R071 Expiry of right