JPH06164293A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPH06164293A JPH06164293A JP5723292A JP5723292A JPH06164293A JP H06164293 A JPH06164293 A JP H06164293A JP 5723292 A JP5723292 A JP 5723292A JP 5723292 A JP5723292 A JP 5723292A JP H06164293 A JPH06164293 A JP H06164293A
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- JP
- Japan
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- piezoelectric substrate
- surface acoustic
- insulating film
- acoustic wave
- temperature coefficient
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- Pending
Links
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】圧電基板上に比重の大きい金属によるすだれ状
変換器が形成されたラブ波型弾性表面波共振子の共振周
波数温度特性を改善する。 【構成】すだれ状変換器２の交差指電極間の圧電基板上
に、圧電基板１によって支配される周波数温度係数（マ
イナス）に対して逆の温度係数（プラス）を有する絶縁
膜６を設けたことを特徴とする。 【効果】周波数温度係数が改善されるため、実用上の周
波数範囲が広がった。
変換器が形成されたラブ波型弾性表面波共振子の共振周
波数温度特性を改善する。 【構成】すだれ状変換器２の交差指電極間の圧電基板上
に、圧電基板１によって支配される周波数温度係数（マ
イナス）に対して逆の温度係数（プラス）を有する絶縁
膜６を設けたことを特徴とする。 【効果】周波数温度係数が改善されるため、実用上の周
波数範囲が広がった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は通信機器に用いられる弾
性表面波共振子に関し、特にＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ
3 （ニオブ酸リチウム）等の圧電基板を用いたラブ波型
弾性表面波共振子に関するものである。
性表面波共振子に関し、特にＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ
3 （ニオブ酸リチウム）等の圧電基板を用いたラブ波型
弾性表面波共振子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にラブ波型弾性表面波共振子は、Ｙ
カットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 等の圧電基板上に、金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ）または白金（Ｐｔ）等の比重の大きい
重い金属によってすだれ状変換器（ＩＤＴ：interdigit
al transducer)の電極を形成して構成されている。図５
は従来の構成例を示す平面図である。図において、１は
圧電基板、２はＩＤＴを示す。図６は従来の構成例を示
す図５のＡ−Ａ断面を示す部分拡大断面図であり、圧電
基板１上に設けられたＩＤＴ２の電極構造を示す。４は
Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの重い金属、５はその下地として
設けられたクロム（Ｃｒ）等の接着層である。
カットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 等の圧電基板上に、金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ）または白金（Ｐｔ）等の比重の大きい
重い金属によってすだれ状変換器（ＩＤＴ：interdigit
al transducer)の電極を形成して構成されている。図５
は従来の構成例を示す平面図である。図において、１は
圧電基板、２はＩＤＴを示す。図６は従来の構成例を示
す図５のＡ−Ａ断面を示す部分拡大断面図であり、圧電
基板１上に設けられたＩＤＴ２の電極構造を示す。４は
Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔなどの重い金属、５はその下地として
設けられたクロム（Ｃｒ）等の接着層である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のラブ
波型弾性表面波共振子においては、図７に示すように、
その共振周波数が温度上昇に従って低下する負の温度係
数を有している。その温度係数が大きければ大きい程、
使用帯域幅の他に温度変動分を特性に考慮してやる必要
があり、実質的に使用帯域が狭くなることになる。図７
の実測例では周波数温度係数が約−１１７ｐｐｍ／℃で
ある。本発明の目的は、従来の圧電基板材料を用いてし
かも温度特性を改善し、実質的に使用帯域と広くするこ
とのできるラブ波型の弾性表面波共振子を提供すること
にある。
波型弾性表面波共振子においては、図７に示すように、
その共振周波数が温度上昇に従って低下する負の温度係
数を有している。その温度係数が大きければ大きい程、
使用帯域幅の他に温度変動分を特性に考慮してやる必要
があり、実質的に使用帯域が狭くなることになる。図７
の実測例では周波数温度係数が約−１１７ｐｐｍ／℃で
ある。本発明の目的は、従来の圧電基板材料を用いてし
かも温度特性を改善し、実質的に使用帯域と広くするこ
とのできるラブ波型の弾性表面波共振子を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波共振
子は、圧電基板上に比重の大きい重い金属によるすだれ
状変換器が形成されたラブ波型弾性表面波共振子におい
て、前記すだれ状変換器の交差指電極の間の圧電基板上
に共振周波数の温度係数を打消すような温度係数を有す
る絶縁膜を付着させたことを特徴とするものである。
子は、圧電基板上に比重の大きい重い金属によるすだれ
状変換器が形成されたラブ波型弾性表面波共振子におい
て、前記すだれ状変換器の交差指電極の間の圧電基板上
に共振周波数の温度係数を打消すような温度係数を有す
る絶縁膜を付着させたことを特徴とするものである。
【０００５】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す平面図であり、
図２，図３は図１のＡ−Ａ断面を示す拡大部分断面図で
ある。これらの図において、６は本発明により設けられ
た絶縁膜であり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）によ
る絶縁膜である。１，２，４，５は図５の場合と同じ部
分である。絶縁膜６は、ＬｉＮｂＯ3 圧電基板１上に重
い金属によるＩＤＴ２が形成されたラブ波型弾性表面波
共振子の共振周波数温度係数と逆の正の温度係数を有し
ている。図２と図３は絶縁膜６の厚さが異る例を示して
おり、絶縁膜６の厚さ即ちその量を調節することによっ
て温度補償が十分に行われる。
図２，図３は図１のＡ−Ａ断面を示す拡大部分断面図で
ある。これらの図において、６は本発明により設けられ
た絶縁膜であり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）によ
る絶縁膜である。１，２，４，５は図５の場合と同じ部
分である。絶縁膜６は、ＬｉＮｂＯ3 圧電基板１上に重
い金属によるＩＤＴ２が形成されたラブ波型弾性表面波
共振子の共振周波数温度係数と逆の正の温度係数を有し
ている。図２と図３は絶縁膜６の厚さが異る例を示して
おり、絶縁膜６の厚さ即ちその量を調節することによっ
て温度補償が十分に行われる。
【０００６】次に、この絶縁膜６を経済的に形成する方
法について説明する。図４は本発明の絶縁膜６を形成す
る過程を示す拡大部分断面図であり、重金属４と圧電基
板１との接着層は省略した。図において、７は圧電基板
１の上面にＡｕなどの交差指電極４をエッチング形成す
る際のレジストであり、（Ａ）はエッチング後レジスト
が残っている状態を示す。（Ｂ）または（Ｂ’）はレジ
スト７を蒸着マスクとしてＳｉＯ2 等の絶縁膜６を蒸着
により付着させた状態を示す。すなわち、絶縁膜６をレ
ジスト膜厚より薄くする場合は、エッチング後に残って
いるレジストを利用し、リフトオフ法により絶縁膜を付
けることが可能であり、製造工程が節約できる。もちろ
ん、圧電基板上に電極形成レジスト剥離後、絶縁膜を形
成して通常のリフトオフ法により絶縁膜６を形成しても
よい。この後レジスト膜７を剥離して（Ｃ）のように所
望の状態を実現する。以上のように、交差指電極４を現
像、エッチングした後レジスト剥離を行う前に、そのレ
ジストを蒸着マスクとして利用して絶縁膜６を形成する
ことにより経済的に本発明を実用することができる。
法について説明する。図４は本発明の絶縁膜６を形成す
る過程を示す拡大部分断面図であり、重金属４と圧電基
板１との接着層は省略した。図において、７は圧電基板
１の上面にＡｕなどの交差指電極４をエッチング形成す
る際のレジストであり、（Ａ）はエッチング後レジスト
が残っている状態を示す。（Ｂ）または（Ｂ’）はレジ
スト７を蒸着マスクとしてＳｉＯ2 等の絶縁膜６を蒸着
により付着させた状態を示す。すなわち、絶縁膜６をレ
ジスト膜厚より薄くする場合は、エッチング後に残って
いるレジストを利用し、リフトオフ法により絶縁膜を付
けることが可能であり、製造工程が節約できる。もちろ
ん、圧電基板上に電極形成レジスト剥離後、絶縁膜を形
成して通常のリフトオフ法により絶縁膜６を形成しても
よい。この後レジスト膜７を剥離して（Ｃ）のように所
望の状態を実現する。以上のように、交差指電極４を現
像、エッチングした後レジスト剥離を行う前に、そのレ
ジストを蒸着マスクとして利用して絶縁膜６を形成する
ことにより経済的に本発明を実用することができる。
【０００７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明を実
施することにより温度特性の改善に極めて大きい効果が
ある。
施することにより温度特性の改善に極めて大きい効果が
ある。
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】本発明の実施例を示す拡大部分断面図である。
【図３】本発明の実施例を示す拡大部分断面図である。
【図４】本発明の形成過程を示す拡大部分断面図であ
る。
る。
【図５】従来の構成を示す平面図である。
【図６】従来の構成の拡大部分断面図である。
【図７】従来の温度特性例図である。
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ ４ 電極（Ａｕ等の重金属） ５ 接着層（Ｃｒ） ６ 絶縁膜 ７ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神田 正 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 清水 洋 宮城県仙台市太白区八木山本町一丁目22番 12号
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板上に比重の大きい金属によるす
だれ状変換器が形成された弾性表面波共振子において、 前記すだれ状変換器の交差指電極の間の圧電基板上に圧
電基板による共振周波数の温度による変化を打消すよう
な温度係数を有する絶縁膜を設けたことを特徴とする弾
性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5723292A JPH06164293A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5723292A JPH06164293A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164293A true JPH06164293A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=13049789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5723292A Pending JPH06164293A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06164293A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150703A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| WO2005034347A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| EP1990915A1 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-12 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Acoustic wave device and method for fabricating the same |
| WO2012090698A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP5723292A patent/JPH06164293A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150703A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| WO2005034347A1 (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| US7339304B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| EP1990915A1 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-12 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Acoustic wave device and method for fabricating the same |
| EP1990915A4 (en) * | 2006-03-02 | 2010-03-31 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE ASSEMBLY AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8677582B2 (en) | 2006-03-02 | 2014-03-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating acoustic wave device |
| US8810104B2 (en) | 2006-03-02 | 2014-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for fabricating the same |
| WO2012090698A1 (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP5565474B2 (ja) * | 2010-12-29 | 2014-08-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US9159900B2 (en) | 2010-12-29 | 2015-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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