DE19916685A1 - Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspannung - Google Patents
Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. UnterspannungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspannung, bestehend aus einem vor dem zu schützenden Bauelementeeingang (E1) seriell angeordneten Begrenzungswiderstand (Ri) sowie jeweils einer zwischen dem Verbindungspunkt (P3) von Begrenzungswiderstand (Ri) und Bauelementeeingang (E1) einerseits und den Versorgungspotentialen (Vdd; Vss) andererseits in Sperrichtung angeordneten Schutzdiode (Di1; Di2). Zwischen den Versorgungspotentialen (Vdd; Vss) ist eine Reihenschaltung aus einem Reihenwiderstand (R1) und jeweils einer Referenzdiode (D1; D2) angeordnet. Die Referenzdiode (D1; D2) ist in Durchlaßrichtung zwischen Versorgungspotential (Vdd; Vss) und Reihenwiderstand (R1) angeordnet. Der Widerstandswert des Reihenwiderstandes (R1) ist wesentlich kleiner als derjenige des Begrenzungswiderstandes (Ri). Mit dem Verbindungspunkt (P1; P2) von Reihenwiderstand (R1) und Referenzdiode (D1; D2) ist die Schutzdiode (Di1; Di2) mit ihrer vom Begrenzungswiderstand (Ri) entfernten Elektrode verbunden.
Description
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen
Über- bzw. Unterspannung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Im allgemeinen sind am Eingang aktiver Bauelemente - wie Operationsver
stärker, Komparatoren oder Gatter - Spannungen größer als die positive Ver
sorgungsspannung bzw. kleiner als die negative Versorgungsspannung (ge
gebenenfalls Ground) nicht erlaubt. In der Praxis kommt es aber nicht selten
vor, daß Spannungen außerhalb des zulässigen Bereichs, z. B. bei Pegelum
wandlung von CMOS in TTL, eingangsseitig zu einem solchen Baustein ge
langen können. In diesen Fällen müssen Schutzmaßnahmen getroffen werden.
Verschiedene aktive Bauelemente verhalten sich hierbei unterschiedlich.
CMOS-Bausteine z. B. besitzen meistens ESD-Schutzdioden am Eingang, so
daß im Zusammenwirken mit einem vorgelagerten Begrenzungswiderstand
eine einfache Begrenzung des Eingangsstromes unter einem Wert, der im
Datenblatt angegeben wird, ausreicht. Schwieriger und nicht selten ist es,
wenn der Bauelementehersteller nur eine maximale Über- bzw. Unterschrei
tung der positiven bzw. negativen Versorgungsspannung von 0,3 V zuläßt. Die
einfachste und relativ häufig vom Bauelementehersteller empfohlene Lösung
ist, wie vorstehend beschrieben extern zwei Schutzdioden zu beschalten. Da
bei wird allerdings übersehen, daß es kaum Dioden gibt, die eine Durchlaß
spannung kleiner als 0,3 V über dem gesamten Temperaturbereich und erfor
derlichenfalls auch für größere Ströme vorweisen. Selbst Schottky-Dioden ge
nügen nicht den gestellten Anforderungen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine einfache und kosten
günstige Schutzschaltung für derartige Fälle anzugeben.
Ausgehend von einer Schutzschaltung der eingangs genannten Art wird die
Aufgabe erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des unab
hängigen Anspruches gelöst, während den abhängigen Ansprüchen vorteil
hafte Weiterbildungen der Erfindung zu entnehmen sind.
Durch die zwischen höherliegendem und tieferliegendem Versorgungspotential
befindliche serielle Anordnung aus leitender Referenzdiode und Reihenwider
stand und erforderlichenfalls weiterer durchlässiger Referenzdiode steht am
Verbindungspunkt von Referenzdiode und Reihenwiderstand ein Referenz
potential zur Verfügung, das um den Betrag der Durchlaßspannung der Refe
renzdiode tiefer bzw. höher als das höher- bzw. tieferliegende Versorgungs
potential liegt. An dieses Referenzpotential bzw. diese Referenzpotentiale wird
die Schutzdiode bzw. werden die Schutzdioden angelegt, so daß mit Sicher
heit sowohl im gesamten Temperaturbereich als auch in einem weiten Bereich
des Begrenzungsstromes ein wirksamer Schutz des Einganges des aktiven
Bauelementes vor unzulässigen Über- bzw. Unterspannungen besteht. Das
Verhältnis zwischen den Widerstandswerten von Reihenwiderstand und Be
grenzungswiderstand ist so zu wählen, daß im Begrenzungsfall der durch den
Begrenzungswiderstand und die jeweilige Schutzdiode fließende Strom keinen
maßgeblichen Einfluß auf die Höhe des zugehörigen Referenzpotentials
nimmt.
Sind die jeweilige Schutz- und Referenzdiode von gleicher Art, dann findet die
Begrenzung auf dem Niveau des jeweiligen Versorgungspotentials statt. Für
bestimmte Fälle ist es von Vorteil, wenn als Referenzdiode eine Si-Diode und
als Schutzdiode dagegen eine Schottky-Diode verwendet wird, um das Be
grenzungspotential unterhalb bzw. oberhalb des höherliegenden bzw. tieferlie
genden Versorgungspotentials zu legen. Ebenso wird bei Verwendung gleich
artiger Dioden als Schutzdiode und in Reihenschaltung als Referenzdiode
oder bei Verwendung einer Z-Diode als Referenzdiode eine Verlagerung des
Begrenzungspotentials erreicht.
Eine kostengünstige Weiterbildung der erfindungsgemäßen Schutzschaltung
ergibt sich dadurch, daß nur eine einzige Reihenschaltung aus Reihenwider
stand und Referenzdiode bzw. Referenzdioden zur Bereitstellung der Refe
renzpotentiale für mehrere, jeweils in vorstehend geschilderter Weise mit
ihrem Begrenzungswiderstand und wenigstens einer Schutzdiode beschaltete
zu schützende Bauelementeeingänge vorgesehen wird.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus dem folgen
den, anhand von Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen
Fig. 1 eine erste Schaltungsanordnung mit einer ersten Ausführungsform
der Erfindung;
Fig. 2 eine zweite Schaltungsanordnung mit einer weiteren Ausführungs
form der Erfindung.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 1 zeigt ein mit einer erfindungsgemäßen
Schutzschaltung 1 beschaltetes aktives Bauelement B1, beispielsweise Ope
rationsverstärker, das von einem höherliegenden Versorgungspotential Vdd
(i. a. positiv) und von einem tieferliegenden Versorgungspotential Vss (i. a.
negativ oder Ground) versorgt wird. Um die Signalspannung Vs am Bauele
menteeingang E1 innerhalb eines weiten Bereiches der am Schaltungsein
gang E1 anliegenden Eingangsspannung Vi auf einen zulässigen Spannungs
bereich zu begrenzen, ist die nachfolgend erläuterte Schutzschaltung 1 vorge
sehen. Diese enthält zwischen den Versorgungsspannungen Vdd und Vss
eine Reihenschaltung aus einer ersten Referenzdiode D1, einem Reihenwi
derstand R1 und einer zweiten Referenzdiode D2. Die Referenzdioden D1, D2
sind in Durchlaßrichtung gepolt. Der durch die Reihenschaltung D1, R1, D2
fließende Durchlaßstrom Id erzeugt an den Verbindungspunkten P1 und P2
von Reihenwiderstand R1 und erster bzw. zweiter Referenzdiode D1 bzw. D2
ein erstes bzw. zweites Referenzpotential Vref1 bzw. Vref2. Das erste Refe
renzpotential Vref1 ist gegenüber dem höherliegenden Versorgungspotential
Vdd um den Betrag der Durchlaßspannung Vd1 der ersten Referenzdiode D1
vermindert. Das zweite Referenzpotential Vref2 ist gegenüber dem tieferlie
genden Versorgungspotential Vss um den Betrag der Durchlaßspannung Vd2
der zweiten Referenzdiode D2 erhöht. Zwischen Schaltungseingang E1 und
dem Signaleingang E1 des Bauelementes B1 ist ein Begrenzungswiderstand
Ri angeordnet, der wesentlich hochohmiger als der Reihenwiderstand R1 aus
zulegen ist. Zwischen dem dritten Verbindungspunkt P3, in dem der Begren
zungswiderstand R1 mit dem Signaleingang E1 verbunden ist, und dem ersten
bzw. zweiten Verbindungspunkt P1 bzw. P2 ist je eine Schutzdiode Di1 bzw.
Di2 angeordnet. Die erste Schutzdiode Di1 liegt mit ihrer Kathode an dem das
höherliegende Referenzpotential Vref1 aufweisenden ersten Verbindungs
punkt P1, und die zweite Schutzdiode Di2 liegt mit ihrer Anode an dem das
tieferliegende Referenzpotential Vref2 aufweisenden zweiten Verbindungs
punkt P1. Damit sind die Schutzdioden Di1 und Di2 im nichtbegrenzenden
Falle gesperrt und im begrenzenden Falle durchlässig. Im begrenzenden Falle
fällt an der ersten bzw. zweiten Schutzdiode Di1 bzw. Di2 die Durchlaßspan
nung Vdi1 bzw. Vdi2 ab.
Die Signalspannung Vs wird auf den Bereich von Vsmin bis Vsmax begrenzt.
Die Obergrenze für die Signalspannung Vs ergibt sich als
Vsmax = Vref1 + Vdi1 = Vdd - Vd1 + Vdi1.
Die Untergrenze für die Signalspannung Vs ergibt sich als
Vsmin = Vref2 - Vdi2 = Vss + Vd2 - Vdi2.
Bei Verwendung von Si-Dioden gleichen Typs für alle Dioden D1, D2, Di1, Di2
ergibt sich für die Obergrenze
Vsmax = Vdd
und für die Untergrenze
Vsmin = Vss,
also keine Über- bzw. Unterschreitung der Versorgungspotentiale Vdd und
Vss. Bei Verwendung von Si-Dioden für die Referenzdioden D1, D2 Durchlaß
spannungen Vd1, Vd2 ca. 0,65 V) und von Schottky-Dioden für die Schutz
dioden Di1, Di2 (Durchlaßspannungen Vdi1, Vdi2 ca. 0,3 V) ergibt sich für die
Obergrenze
Vsmax < Vdd
und für die Untergrenze
Vsmin < Vss,
also eine sichere Begrenzung unterhalb bzw. oberhalb des höherliegenden
bzw. tieferliegenden Versorgungspotentials Vdd bzw. Vss.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 2 zeigt ein mit einer abgewandelten erfin
dungsgemäßen Schutzschaltung 2 beschaltetes aktives Bauelement B2, z. B.
einen Komparator B2 (LM239), der von einem höherliegenden Versorgungs
potential Vdd (+24 V) und von einem tieferliegenden Versorgungspotential Vss
(Ground) versorgt wird. Außerdem ist ein mittleres, zwischen Vdd und Vss lie
gendes Versorgungspotential Vcc (+5 V) vorgesehen. Im nichtbegrenzenden
Fall ergibt sich die Signalspannung Vs an dem ersten Bauelementeeingang E1
aus der am Schaltungseingang Ei anliegenden Eingangsspannung Vi durch
Multiplikation mit dem Teilungsverhältnis des Widerstandswertes eines zwi
schen dem Verbindungspunkt P3 und Ground angeordneten Ableitwiderstan
des R2 und der Summe der Widerstandswerte von Begrenzungswiderstand Ri
und Ableitwiderstand R2. Zwischen dem mittleren Versorgungspotential Vcc
und Ground ist weiterhin ein mit dem zweiten Bauelementeeingang E2 des
Komparators B2 verbundener Spannungsteiler, bestehend aus den in Reihe
geschalteten Teilerwiderständen R3 und R4, angeordnet, mit dem die Ver
gleichsspannung für die Schaltschwelle der Signalspannung Vs festgelegt
wird. Durch die Beschaltung der ersten Schutzdiode Di1 gegen das mittlere
Versorgungspotential Vcc wird die Signalspannung auf eine Obergrenze
Vsmax begrenzt, die weit unterhalb des höherliegenden Versorgungspotentials
Vdd liegt. Zwischen den Versorgungsspannungen Vdd und Vss ist eine Rei
henschaltung aus einem Reihenwiderstand R1 und einer Referenzdiode D2
angeordnet, die in Durchlaßrichtung gepolt ist. Der durch die Reihenschaltung
R1, D2 fließende Durchlaßstrom Id erzeugt an dem Verbindungspunkt P2 von
Reihenwiderstand R1 und Referenzdiode D2 ein Referenzpotential Vref2, das
gegenüber dem tieferliegenden Versorgungspotential Vss um den Betrag der
Durchlaßspannung Vd2 der Referenzdiode D2 höher liegt. Somit begrenzen
der Begrenzungswiderstand R1 und die mit ihm verbundene und anodenseitig
zum Verbindungspunkt P2 geführte zweite Schutzdiode D2 die Signalspan
nung Vs auf eine Untergrenze Vsmin, die nicht das tieferliegende Versor
gungspotential Vss unterschreitet. Bei Verwendung von Si-Dioden für die
Schutzdioden Di1, Di2 und die Referenzdiode D2 (Durchlaßspannungen Vdi1,
Vdi2, Vd2 = 0,65 V) ergibt sich somit für die Signalspannung Vs mit den in Fig.
2 konkret angegebenen Versorgungspotentialen eine Obergrenze Vsmax =
+5,65 V und eine Untergrenze Vsmin = 0 V.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausfüh
rungsformen beschränkt, sondern umfaßt auch alle im Sinne der Erfindung
gleichwirkenden Ausführungsformen. So läßt sich die Erfindung beispielsweise
dahingehend abwandeln, daß statt einer einzelnen Referenzdiode D1 bzw. D2
eine Reihenschaltung mehrerer in gleicher Richtung gepolter Dioden verwen
det wird oder eine Z-Diode Verwendung findet. Eine weitere, kostengünstige
Abwandlung besteht darin, daß eine gemeinsame Reihenschaltung aus Rei
henwiderstand R1 und Referenzdiode(n) D1, D2 für eine Mehrzahl von in übli
cher Weise mit Begrenzungswiderstand und Schutzdiode(n) individuell be
schalteten Bauelementeeingängen vorgesehen ist.
1
;
2
Schutzschaltung
B1;B2 aktive Bauelement
D1; D2 Referenzdiode
Di1; Di2 Schutzdiode
E1; E2 Bauelementeeingang
E1 Schaltungseingang
Id Durchlaßstrom
P1; P2; P3 Verbindungspunkt
R1 Reihenwiderstand
R2 Ableitwiderstand
R3; R4 Teilerwiderstand
R1 Begrenzungswiderstand
Vd1; Vd2; Vdi1; Vdi2 Durchlaßspannung
Vi Eingangsspannung
Vs Signalspannung
Vcc; Vdd; Vss Versorgungspotential
Vref1; Vref2 Referenzpotential
B1;B2 aktive Bauelement
D1; D2 Referenzdiode
Di1; Di2 Schutzdiode
E1; E2 Bauelementeeingang
E1 Schaltungseingang
Id Durchlaßstrom
P1; P2; P3 Verbindungspunkt
R1 Reihenwiderstand
R2 Ableitwiderstand
R3; R4 Teilerwiderstand
R1 Begrenzungswiderstand
Vd1; Vd2; Vdi1; Vdi2 Durchlaßspannung
Vi Eingangsspannung
Vs Signalspannung
Vcc; Vdd; Vss Versorgungspotential
Vref1; Vref2 Referenzpotential
Claims (5)
1. Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspan
nung, bestehend aus einem vor dem zu schützenden Bauelementeein
gang (E1) seriell angeordneten Begrenzungswiderstand (R1) sowie einer
bzw. erforderlichenfalls jeweils einer zwischen dem Verbindungspunkt (P3)
von Begrenzungswiderstand (R1) und Bauelementeeingang (E1) einerseits
und dem Versorgungspotential bzw. den Versorgungspotentialen ander
seits in Sperrichtung angeordneten Schutzdiode (Di1; Di2), dadurch ge
kennzeichnet,
- - daß zwischen den Versorgungspotentialen (Vdd; Vss) eine Reihen schaltung aus einem Reihenwiderstand (R1) und einer Referenzdiode (D2) bzw. erforderlichenfalls jeweils einer Referenzdiode (D1; D2) an geordnet ist, wobei die Referenzdiode (D1; D2) in Durchlaßrichtung zwischen Versorgungspotential (Vdd; Vss) und Reihenwiderstand (R1) angeordnet und der Widerstandswert des Reihenwiderstandes (R1) wesentlich kleiner als derjenige des Begrenzungswiderstandes (Ri) ist, und
- - daß mit dem Verbindungspunkt (P1; P2) von Reihenwiderstand (R1) und Referenzdiode (D1; D2) die Schutzdiode (Di1; Di2) mit ihrer vom Begrenzungswiderstand (Ri) entfernten Elektrode verbunden ist.
2. Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Referenzdiode (D1; D2) eine Si-Diode und als Schutzdiode (Di1; Di2) eine
Schottky-Diode vorgesehen ist.
3. Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Referenzdiode (D1; D2) die Reihenschaltung mindestens zweier Dioden
vorgesehen ist.
4. Schutzschaltung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß
als Referenzdiode (D1; D2) eine Z-Diode vorgesehen ist.
5. Schutzschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß mit dem Verbindungspunkt (P1; P2) die wenigstens
einem weiteren zu schützenden Bauelementeeingang zugeordnete
Schutzdiode verbunden ist.
Priority Applications (3)
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DE1999116685 DE19916685A1 (de) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspannung |
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DE1999116685 Withdrawn DE19916685A1 (de) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | Schutzschaltung für aktive Bauelemente gegen Über- bzw. Unterspannung |
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DE (1) | DE19916685A1 (de) |
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